Method for manufacturing low contact resistance semiconductor structure
Номер патента: US20190345025A1
Опубликовано: 14-11-2019
Автор(ы): Chao ZHENG, Wei Wang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-11-2019
Автор(ы): Chao ZHENG, Wei Wang
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system
Номер патента: EP2994936A1. Автор: David H. Altman,William J. Davis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-03-16.