Method for manufacturing semiconductor structure
Номер патента: US20230064568A1
Опубликовано: 02-03-2023
Автор(ы): Biao Zhang
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-03-2023
Автор(ы): Biao Zhang
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer
Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.