Semiconductor structure and method for manufacturing same
Номер патента: US20230017189A1
Опубликовано: 19-01-2023
Автор(ы): Yizhi Zeng
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-01-2023
Автор(ы): Yizhi Zeng
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING FINS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Номер патента: US20170338225A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,JU Shi-Ning,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.