Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2
Опубликовано: 14-11-2017
Автор(ы): Chih-Yang Chang, Chin-Chieh YANG, Hsia-Wei CHEN, Kuo-Chi Tu, Wen-Ting Chu, Yu-Wen LIAO
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20220045066A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010113324A. Автор: 홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-28.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6468874B1. Автор: Yong Sik Yu,Kweon Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20090053873A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4191649A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Method of manufacturing conductive lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR101056883B1. Автор: 우원식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-12.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing a heterostructure or a stacked semiconductor structure having a silicon-germanium interface

Номер патента: US12027592B2. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1275138A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming structures on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2001078122A1. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2001-10-18.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240186185A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US11908864B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240153953A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341093A1. Автор: Shun-Li Lan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US09985045B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming an alignment feature in or on a multi-layered semiconductor structure

Номер патента: US6706609B2. Автор: Nace Layadi,Reginald C. Farrow,Isik C. Kizilyalli,Masis Mkrtchyan,David M. Boulin. Владелец: eLith LLC. Дата публикации: 2004-03-16.

METHODS OF FORMING CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20160300842A1. Автор: Mueller Wolfgang,Tang Sanh D.,Dhir Sourabh,Macmaster Dylan R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming STI oxide regions and alignment marks in a semiconductor structure with one masking step

Номер патента: US20010039099A1. Автор: Philippe Coronel,Renzo MacCagnan,Unreadable. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon region

Номер патента: US09620506B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20090170033A1. Автор: Woo Yung Jung,Guee Hwang Sim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160118350A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of etching substrate

Номер патента: US20190109010A1. Автор: Jongwoo SUN,Eunwoo LEE,Sangrok OH,Jungmo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20180102370A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Methods of forming memory cells

Номер патента: WO2010090789A3. Автор: John Mark Meldrim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-10-14.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of forming transistors of different configurations

Номер патента: US20230369513A1. Автор: Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

GaN-containing semiconductor structure

Номер патента: US20150102357A1. Автор: YI Chang,Yuen Yee Wong,Chi Feng HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-04-16.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

A tungsten layer, methods of forming the same, a semiconductor device including the same, and methods of forming the semiconductor device including the same

Номер патента: KR100830590B1. Автор: 이상우,최길현,박진호,이호기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-21.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same

Номер патента: US20090273051A1. Автор: John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: KR20070028471A. Автор: 에크하드 란거,엘렌프리드 쩨크. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: US7311008B2. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods of forming through wafer interconnects in semiconductor structures using sacrificial material and semiconductor structures formes by such methods

Номер патента: TW201214627A. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2012-04-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150130064A1. Автор: Cooney,III Edward C.,McDevitt Thomas L.,Murphy William J.,Anderson Felix P.,BARKYOUMB Steven P.,STRIPPE David C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method of forming vias in a semiconductor device

Номер патента: WO2008094654A1. Автор: Jun Zhai,Paul R. Besser,Christy Woo,Richard C. Blish,Kok-Yong Yiang,Christine Hau-Reige. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-08-07.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING PATTERNS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220173029A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming openings in a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2009016438A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of manufacturing an integrated capacitor and device obtained by this method

Номер патента: US4481283A. Автор: George Kerr,Yves Meheust. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-11-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of forming openings in a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TW200952074A. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-12-16.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: US20040219765A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Rafael Reif,Chuan Tan,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-11-04.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member

Номер патента: WO2004061953A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface

Номер патента: WO2004061952A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20130309818A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD OF ANALYZING A MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Wang Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Method of formation of nanocrystals on a semiconductor structure

Номер патента: US6784103B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-31.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US20120064666A1. Автор: Yoichiro Hamada,Shigeru Hosomomi. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20130143372A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

METHODS OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150076617A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Choong-Ho,Kim Cheol,Lee Jong-Wook,Kim Il-Sup,Shin Jong-Chan,Choi Si-Young,Hong Jong-Seo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

METHODS OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170103891A1. Автор: CHUNG Sang-gyo,LEE Jong-Sub,LEE Ha-Neul,Eom Kyoung-Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD OF FORMING PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160314983A1. Автор: Seo Kang-Ill,KIM DONG-KWON,KIM Bong-cheol,HAN Eun-Shoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Manufacturing method of substrate for a semiconductor package, manufacturing method of semiconductor package, substrate for a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: KR101109795B1. Автор: 요이치로 하마다,시게루 호소모미. Владелец: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-02-24.

Methods of forming patterns of a semiconductor devices

Номер патента: US9837273B2. Автор: Jong-Sub Lee,Ha-Neul LEE,Kyoung-Ha EOM,Sang-Gyo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming capacitor of a semiconductor memory device

Номер патента: US6673668B2. Автор: Ki-Seon Park,Kyong-Min Kim,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Method of forming structures on a semiconductor including doping profiles using thickness of photoresist

Номер патента: US6420247B1. Автор: Alain Charles,John G. Maltabes. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of Forming Contacts in a Semiconductor Device

Номер патента: US20190333806A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of Forming Contacts In a Semiconductor Device

Номер патента: US20200335390A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

MASK-FREE METHODS OF FORMING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200343142A1. Автор: Hong Wei,Yu Hong,Shu Jiehui,Zang Hui,Lee Rinus Tek Po. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Method of forming trench in a semiconductor device

Номер патента: KR100868654B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-11-12.

Method of forming pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100810422B1. Автор: 정우영,심귀황. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-04.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: EP0398834A3. Автор: San-Mei Ku,Katleen Alice Perry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-05-08.

Method of forming leads on a semiconductor device and apparatus designed for carrying out the process

Номер патента: EP0003270A1. Автор: Gilbert Gailland. Владелец: Thomson Csf Scpi. Дата публикации: 1979-08-08.

Method of manufacturing contact studs on a semiconductor structure

Номер патента: JPH0691033B2. Автор: ドナ・リゾーネ・コート,デーヴィッド・スタナソロヴィッチ,ロナルド・アーチャー・ワレン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-11-14.

Method of forming well in a semiconductor device

Номер патента: KR100197117B1. Автор: 김성철,오태원,염상현. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

A method of forming trenches in a semiconductor device

Номер патента: DE102010000888A1. Автор: Jochen 72766 Reinmuth,Barbara 71083 Will,Heribert 72622 Weber. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-07-21.

Carrier substrate, package, and method of manufacture

Номер патента: US20190103313A1. Автор: Ming-Wa TAM. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of forming structures on a semiconductor

Номер патента: TWI225662B. Автор: John George Maltabes,Alain Bernard Charles. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-12-21.

Method of forming vias in a semiconductor device

Номер патента: TW200836295A. Автор: Jun Zhai,Christy Woo,Paul R Besser,Kok-Yong Yiang,Christine Hau-Reige,Richard C Ii Blish. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-01.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

MASK-FREE METHODS OF FORMING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200411664A1. Автор: Hong Wei,Yu Hong,Shu Jiehui,Zang Hui,Lee Rinus Tek Po. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing an opening of a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device using the same method

Номер патента: KR100763514B1. Автор: 배근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Metallic Interconnect, a Method of Manufacturing a Metallic Interconnect, a Semiconductor Arrangement and a Method of Manufacturing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20190103378A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Meyer Thorsten,Pufall Reinhard,RIEDL Edmund,ESCHER-POEPPEL Irmgard,Schmidt Klaus,LODERMEYER Johannes,Schneegans Manfred,Schwarz Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHODS OF FORMING SILICON OXIDE LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190139757A1. Автор: Peng Yu-Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20160329398A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Method of forming self aligned grids and semiconductor structure for bsi image sensor

Номер патента: TW202018928A. Автор: 周世培,盧玠甫,吳尉壯,曹淳凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059351A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393040A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and a Semiconductor Devices Fabricated Thereof

Номер патента: KR101409373B1. Автор: 김선우,김윤해. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of establishing electrical contact between a semiconductor substrate and a semiconductor device

Номер патента: US6780758B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method of Semiconductor Packaging and/or a Semiconductor Package

Номер патента: US20090278250A1. Автор: Soon Hock TONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer

Номер патента: EP2701188A2. Автор: Michael Seddon,William Burghout,Dennis Conner,Jay Yoder. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a substrate for a semiconductor device

Номер патента: DE102020131850B4. Автор: Thomas Schröder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: KR102339533B1. Автор: 치-훙 시에,춘-훙 첸,존 지 리아우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-12-17.

A method of replacing a portion of a first semiconductor structure with another semiconductor structure having an epitaxial layer of different composition.

Номер патента: FR2715506A1. Автор: Gaumont Elisabeth,Labourie Christineem Jean-Yves. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1995-07-28.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of manufacturing conductive pattern of a semiconductor device and method of manufacturing flash memory device using the same

Номер патента: KR100483843B1. Автор: 이창엽,권철순,이돈우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing through holes in a semiconductor device

Номер патента: US6022797A. Автор: Shigeru Takahashi,Shigeo Ogasawara,Noriaki Oka,Tadayasu Miki,Masahito Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Preparation method of N-polarity GaN transistor structure and semiconductor structure

Номер патента: CN113471284A. Автор: 陈志涛,葛晓明,李成果,曾巧玉,尹雪兵. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2021-10-01.

Manufacturing method of semiconductor substrate having multi-gate stack semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: TW200404352A. Автор: Popp Martin,Voigt Peter,Gerhard Enders,Juergen Faul,Matthias Hierlemann,Lars Heineck,Bjoern Fischer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-16.

METHOD OF BONDING A BUMP OF A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20170025378A1. Автор: YU Bong-Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001084613A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: CA2407300A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-22.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: CN1826210A. Автор: 克莱尔·里什塔尔奇. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-08-30.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

Method of assembling a package of a semiconductor component

Номер патента: FR2556132A1. Автор: Alain Wicker,Yvon Lazennec,Philippe Darbon,Fernand Grivon,Elisabeth Martinez,Jean-Jacques Banquet. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1985-06-07.

Method of manufacturing a contact of a semiconductor device using cluster apparatus having at least one plasma pretreatment module

Номер патента: US20020064944A1. Автор: Chang-Woong Chu,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Ji-soo Kim,Sang-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: US20050020084A1. Автор: Claire Richtarch. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-01-27.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

A method of manufacturing a flange for a semiconductor device and a flange made by this method

Номер патента: DE102004047659A1. Автор: Stefan Paulus,Jochen Dangelmaier,Volker Dr. Guengerich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: TW200403740A. Автор: Baek-Jae Hak. Владелец: 1St Silicon Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-03-01.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: HK1054465A1. Автор: J Gagliardi John. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-11-28.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of reducing leakage current of a semiconductor wafer

Номер патента: US6440818B1. Автор: Cheng-Hui Chung,Yuan-Li Tsai,Kuo-Hua Ho,Kai-Jen Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Surface treatment method of group iii nitride semiconductor, group iii nitride semiconductor, manufacturing method of the same and group iii nitride semiconductor structure

Номер патента: US20100090247A1. Автор: Sang Bum Lee,Sang Yeob Song,Jong In Yang,Tae Hyung Kim,Si Hyuk Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A3. Автор: David A. Kaisaki,Heather K. Kranz,Thomas P. Klun,Wesley J. Bruxvoort,Scott R. Culler,Kwok-Lun Ho,Robert P. Messner,Richard J. Webb,Julia P. Williams,David A. Kessel. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US7189618B2. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100988780B1. Автор: 최호영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of etching a surface of a semiconductor

Номер патента: GB9217349D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-09-30.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1281197A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Deposited thin build-up layer dimensions as a method of relieving stress in high density interconnect printed wiring board substrates

Номер патента: EP1133904A1. Автор: Jan I. Strandberg,James L. Ii Lykins. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: TW495957B. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of producing insulation trenches in a semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US20130189825A1. Автор: Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-07-25.

METHOD OF INTRODUCING LOCAL STRESS IN A SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150044826A1. Автор: Rideau Denis,Morin Pierre,Nier Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140193931A1. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200201954A1. Автор: Sengupta Rwik,Gerousis Vassilios. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD OF EPITAXIAL STRUCTURE FORMATION IN A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170271153A1. Автор: Tsai Tsung-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of planarizing a surface on a semiconductor wafer

Номер патента: US6083838A. Автор: Yaw S. Obeng,Laurence D. Schultz,Randolph H. Burton. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor

Номер патента: US5529936A. Автор: Michael D. Rostoker. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100347544B1. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373162B1. Автор: 신동우,전승준,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671605B1. Автор: 임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671663B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624926B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100859254B1. Автор: 백계현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101133523B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624903B1. Автор: 김민수,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100642420B1. Автор: 류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351253B1. Автор: 이기정,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338110B1. Автор: 이기정,주광철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358066B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100380154B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100332107B1. Автор: 이정호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100501595B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358063B1. Автор: 이상협,박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100824136B1. Автор: 이민용,손권,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436291B1. Автор: 조규석,박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624904B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Preventing method of gate oxide damage in a semiconductor device

Номер патента: KR100575613B1. Автор: 허은미. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-03.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102461621B1. Автор: 토시아키 후쿠하라,켄타 요시다,하루나 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361205B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361518B1. Автор: 서정민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100551884B1. Автор: 김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100328450B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100583157B1. Автор: 주광철,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335775B1. Автор: 이기정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100674715B1. Автор: 이동호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100616211B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100549336B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100317484B1. Автор: 박형순,윤종윤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351251B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376266B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100342821B1. Автор: 홍권,김정태,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

A method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114049A. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335773B1. Автор: 김경민,송한상,박기선,임찬,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100356466B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577528B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of applying an electrode to a semiconductor body

Номер патента: FR1171850A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-01-30.

Method of manufacturing via hole in a semiconductor device

Номер патента: US8455358B2. Автор: Kohei Miki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100473734B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100415516B1. Автор: 김경민,김동준,송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-31.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436288B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR20000056136A. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of fabricating an inductor for a semiconductor device

Номер патента: US7875524B2. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100639193B1. Автор: 이승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351252B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US10158049B2. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685637B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of evaluating critical locations on a semiconductor apparatus pattern

Номер патента: US6657735B2. Автор: Tatsuo Akiyama,Tomonobu Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376268B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100482745B1. Автор: 박진원,김태균,여인석,장세억,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6423637B2. Автор: Heon Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010092874A. Автор: 이승희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373161B1. Автор: 임찬,박창서. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: EP1858084A3. Автор: Shiro Tsukamoto,Yasuhiko Arakawa,Denis Guimard,Hiroji Ebe,Mitsuru Fujitsu Limited Sugawara. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2010-01-06.

Method of producing dopped areas in a semiconductor element, in particular a solar cell

Номер патента: PL167243B1. Автор: Yakov Safir. Владелец: Yakov Safir. Дата публикации: 1995-08-31.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020001950A1. Автор: Heon Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580119B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a substrate for a semiconductor package

Номер патента: DE19607323A1. Автор: Jaechul Ryu,Wonsik Seo. Владелец: Samsung Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 1997-02-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010027082A. Автор: 조호진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-04-06.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685636B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US7058470B2. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-06-06.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100431085B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100600291B1. Автор: 홍정균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US6787468B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010004988A. Автор: 홍정균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100387262B1. Автор: 하승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

Simplified method of patterning polysilicon gate in a semiconductor device including an oxime layer as a mask

Номер патента: US6337264B2. Автор: Jayendra D. Bhakta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580770B1. Автор: 백성학. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-15.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100349343B1. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100504943B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-03.

A curable resin composition, a resin film, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR20220123540A. Автор: 켄타 야마자키,사토루 무라야마,미사키 타카시마,카즈오미 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor devices

Номер патента: KR100996160B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373160B1. Автор: 김경민,김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: DE112006003206T5. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7678704B2. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-16.

A lead frame, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device carrying the lead frame

Номер патента: TWI408789B. Автор: Masao Sakuma,Akihiro Kubota,Tatsuya Meguro,Tomoaki Ishigaki,Norio Ojima,Yoshihito Takamatsu,Emiko Sugimoto. Владелец: Shiima Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

Recognition method of a mark provided on a semiconductor device

Номер патента: US20030224540A1. Автор: Akira Takashima,Mitsuhisa Watanabe,Yoshikazu Kumagaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100390938B1. Автор: 송한상,임찬,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

A method of manufacturing a transistor for a semiconductor device

Номер патента: DE4446850C2. Автор: Sang Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010065182A. Автор: 김민수. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US20020123189A1. Автор: Tae Kim,Jin Park,Dae Park,Tae Cha,Se Jang,In Yeo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100347543B1. Автор: 서일석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100465055B1. Автор: 김형식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-05.

Method of making electrical contact to a semiconductor body

Номер патента: US3406050A. Автор: Samuel R Shortes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-10-15.

Method of manufacturing a gate in a semiconductor device

Номер патента: US20020001906A1. Автор: Dae Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010093012A. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100723788B1. Автор: 윤일영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338111B1. Автор: 박정현,김공환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

A photosensitive resin composition, a heterocyclic-containing polymer precursor, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102380474B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of applying a contact to a semiconductor body

Номер патента: FR1224318A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-06-23.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US20030199108A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100511129B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of producing electrical connectors for a semiconductor device

Номер патента: DE3566755D1. Автор: Jean-Louis Montanari. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-01-12.

Molded SIP package with reinforced solder columns and method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: TW200812017A. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Method of protecting top surface of layer in semiconductor structure

Номер патента: JP2016181682A. Автор: Swerts Johan,MERTENS Sofie,ヨハン・スウェルツ,ソフィー・マルテンス. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-13.

Method of profiling composition at epitaxial formation of semiconductor structure based on solid solutions

Номер патента: RU2717359C1. Автор: Николай Николаевич Михайлов,Сергей Алексеевич Дворецкий,Василий Александрович Швец,Данил Геннадьевич Икусов,Иван Николаевич Ужаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-03-23.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US20140138672A1. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

METHODS OF SPATIALLY IMPLANTING SPECIES IN III-NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20170069500A1. Автор: Linthicum Kevin J.,Hanson Allen W.,Roberts John Claassen. Владелец: M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

CONTROLLED MANUFACTURING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND METAL OXIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CONTROLLED GROWTH CRYSTALLOGRAPHIC PLANE

Номер патента: US20160172193A1. Автор: PARK Young-jun,CHA Seung-nam,SOHN Jung-inn,KU Ji-yeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-16.

METHOD FOR FORMING A COMPOSITE HAVING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING A NANOCRYSTALLINE CORE AND SHELL EMBEDDED IN A MATRIX

Номер патента: US20220085254A1. Автор: Hughes Steven M.,Park Oun-Ho,Masson Georgeta,Kurtin Juanita,Carillo Matthew J.,Theobald Brian. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming a fin-based semiconductor structure

Номер патента: US10964585B2. Автор: ZHANG Tianhao,Wu Yichao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Method, apparatus and system for processing semiconductor structure

Номер патента: US20240027911A1. Автор: Jing Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09620783B2. Автор: Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Zhonghe BI,Craig A. Bridges. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US11862748B2. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20240113246A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20230178678A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of molding and forming a switch device

Номер патента: US3252206A. Автор: Robert G Stevens. Владелец: Molding Engineers Inc. Дата публикации: 1966-05-24.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of forming leads of a semiconductor device

Номер патента: US7077170B2. Автор: Kenji Imamura,Mitsutaka Matsuo,Itaru Matsuo,Hidekazu Manabe,Hidetaka Yamasaki,Kenichirou Katou. Владелец: Renesas Device Design Corp. Дата публикации: 2006-07-18.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Metal droplet ejection three-dimensional (3D) object printer and method of operation for forming a metal support structure

Номер патента: CN116275093A. Автор: C-H·刘,P·J·麦康维尔,S·普拉哈拉耶,J·M·勒费夫尔,D·K·赫尔曼,P·S·拉梅什. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-06-23.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming semiconductor devices including determining misregistration between semiconductor levels and related apparatuses

Номер патента: US09754895B1. Автор: YANG Chao,Keith E. Ypma,Kurt J. Bossart,Joseph L. Hess. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of forming stressed semiconductor layer

Номер патента: US09543214B2. Автор: Pierre Morin,Olivier Nier,Denis Rideau,Emmanuel Josse,Elise Baylac. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming a semiconductor structure including a ferroelectric material and semiconductor structure including a ferroelectric transistor

Номер патента: US09412600B2. Автор: Gunter Grasshoff,Ralf van Bentum. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US09396996B2. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20210399101A1. Автор: Sheng-Hwa Lee,Hsiu-Ming Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of Forming Internal Spacer for Nanowires

Номер патента: US20180166534A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Soon Aik Chew. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-14.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20200075713A1. Автор: Wayne I. Kinney,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structures having an insulative island structure

Номер патента: US09754817B2. Автор: Se-Woong Park,Ki-Joon Kim,Kil-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240355805A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming a semiconductor structure containing high mobility semiconductor channel materials

Номер патента: US09633908B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11658070B2. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure having insulator pillars and semiconductor material on substrate

Номер патента: US09793113B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: EP1070348A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-01-24.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure with template for transition metal dichalcogenides channel material growth

Номер патента: US09349806B2. Автор: YI Chang,Yen-Teng Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US09679817B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180277354A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US20240339366A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09570598B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming a complementary metal oxide semiconductor structure with N-type and P-type field effect transistors having symmetric source/drain junctions and optional dual silicides

Номер патента: US09548306B2. Автор: Andres Bryant,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of forming semiconductor structure with aligning mark in dicing region

Номер патента: US09960123B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Interfacial materials for use in semiconductor structures and related methods

Номер патента: US09536940B2. Автор: Zhe Song,Jennifer K. Sigman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09530646B2. Автор: Chih-Wei Wu,Chao-Hung Lin,An-Chi Liu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,En-Chiuan Liou,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Mei-Chen Chen,Chia-Hsun Tseng,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor Structure Having High Breakdown Voltage Etch-Stop Layer

Номер патента: US20240266292A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230036606A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: EP4439631A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20240321579A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication

Номер патента: US09859381B2. Автор: Anthony J. Lochtefeld,Jizhong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device array

Номер патента: US09633982B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230223369A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200032413A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Fin Field-Effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12051626B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a semiconductor structure comprising an implantation of ions of a non-doping element

Номер патента: US20090035924A1. Автор: Manfred Horstmann,Andreas Gehring,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12080646B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Alignment mark via assemblies for a composite interposer and methods of using the same

Номер патента: US20240347469A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang,Wei-An Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240355680A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and recess formation etch technique

Номер патента: US09570600B2. Автор: Bin Lu,Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-14.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of Forming A Gated Diode Structure for Eliminating RIE Damage From Cap Removal

Номер патента: US20140206160A1. Автор: Edward P. Maciejewski,Arvind Kumar,Dustin K. Slisher,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of forming a semiconductor device comprising at least one germanium nanowire

Номер патента: US10714595B2. Автор: Liesbeth Witters,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicided semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09437593B2. Автор: Jiang Yan,Henning Haffner,Sun-OO Kim,Frank Huebinger,Klaus Schruefer,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction

Номер патента: US09390976B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12087578B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chun-Hung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Thin film resistors and methods of manufacture

Номер патента: US20120126370A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Dustin K. Slisher,Robert R. Robison,David L. Harmon,Kimball M. Watson,Jeffrey H. Sloan,Joseph M. Lukaitis,Stewart E. Rauch, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20240297201A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160181313A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US12087860B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods of forming contact features in field-effect transistors

Номер патента: US20240363757A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Strained vertical field-effect transistor (FET) and method of forming the same

Номер патента: US09614087B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601664B2. Автор: Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor-on-oxide structure and method of forming

Номер патента: US20140191359A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20240282801A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device active region profile and method of forming the same

Номер патента: US20240339541A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09576956B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09455331B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160329247A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor Device Active Region Profile and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230117516A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of forming semiconductor device having carbon nanotube

Номер патента: US20220190252A1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming semiconductor structures comprising aluminum oxide

Номер патента: US20150235841A1. Автор: Difeng Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming a semiconductor device including strain reduced structure

Номер патента: US09997480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-feng Chen,Tsung-Ding Wang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929252B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Taek-Soo Jeon,Sun-Gyu Choi,Young-suk CHAI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US09865546B2. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09847370B2. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831378B2. Автор: Jung Sub Kim,Jin Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09698159B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09627544B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing semiconductor package including forming a recessed region in a substrate

Номер патента: US09570368B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09496139B2. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming substrate contact for semiconductor on insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09478600B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09425079B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US20170110409A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140159081A1. Автор: Seong Suk Lee,Jeong Wook Lee,Dong Ju Lee,Dong Yul Lee,Heon Ho Lee,Ok Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266184A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing solid-state image pickup element, and solid-state image pickup element

Номер патента: US20090212384A1. Автор: Masafumi Muramatsu,Hideki Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of manufacturing p-channel fet device with sige channel

Номер патента: US20160315016A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US09659874B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing a semiconductor micro- or nano-wire, semiconductor structure comprising such a micro- or nano-wire, and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09331233B2. Автор: Francois Martin,Amélie DUSSAIGNE,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-03.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of forming a semiconductor layer including germanium with low defectivity

Номер патента: US20150118829A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Junction structure element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361193A1. Автор: Hyun Ho Yoo,Sung Joo Lee,Sung Pyo BAEK,Su Min JEON,Jingjie NIU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20020115261A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20030064557A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US6593203B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES

Номер патента: WO2000033388A9. Автор: Eugene A Fitzgerald,Andrew Y Kim. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2001-03-29.

A method of manufacturing silicon-on-insulator wafers

Номер патента: WO2013134010A2. Автор: Jeffrey L. Libbert,Guoqiang D. Zhang. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Epitaxial Layers In Source/Drain Contacts And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20220359310A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266183A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240332391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of co-integration of strained silicon and strained germanium in semiconductor devices including fin structures

Номер патента: US09735160B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of forming semiconductor packages with an intermetallic layer comprising tin and at least one of silver, copper or nickel

Номер патента: US09564409B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming a fan-in package-on-package structure using through silicon vias

Номер патента: US09559046B2. Автор: YoungChul KIM,Hyunil Bae,Myungkil Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing P-channel FET device with SiGe channel

Номер патента: US09553030B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming a semiconductor layer including germanium with low defectivity

Номер патента: US09406508B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Conductive feature of a semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11996324B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20210151442A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20110256706A1. Автор: Zhongze Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US12058851B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of forming bridging lateral nanowires and device manufactured thereby

Номер патента: WO2005062384A3. Автор: Shashank Sharma,Theodore I Kamins,M Saiful Islam. Владелец: M Saiful Islam. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Epitaxial Layers in Source/Drain Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200006159A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor processing methods of forming devices on a substrate, forming device arrays on a substrate, forming conductive lines on a substrate, and forming capacitor arrays on a substrate, and integrated circuitry

Номер патента: US20030049902A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Source/Drain Device and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20240266398A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Wei Hao Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device structure with uniform threshold voltage distribution and method of forming the same

Номер патента: US12087844B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240324187A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming PMOS and NMOS FinFET devices on CMOS based integrated circuit products

Номер патента: US09799767B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Package structures having height-adjusted molding members and methods of forming the same

Номер патента: US09799615B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Hsien-Ming Tu,Ren-Xuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09768155B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Self-aligned source/drain junction for vertical field-effect transistor (FET) and method of forming the same

Номер патента: US09761728B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741694B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing thin-film solar cell

Номер патента: US09735307B2. Автор: Manabu Tanaka,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device manufacturing methods and methods of forming insulating material layers

Номер патента: US09607826B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making a dual strained channel semiconductor device

Номер патента: US09601385B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

EMI shielding method of semiconductor packages

Номер патента: US09583447B2. Автор: Hee-Dong LEE,Bok-Woo HAN. Владелец: Genesem Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564504B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09564503B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US09564444B2. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Vertical devices and methods of forming

Номер патента: US09356095B2. Автор: Marcello Mariani,Andrea Filippini,Luca Ferrario. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of forming low-defect strain-relaxed layers on lattice-mismatched substrates and related semiconductor structures and devices

Номер патента: US09343303B2. Автор: Wei-E Wang,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-Planar Transistors with Replacement Fins and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160013106A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor fin structure and method of forming the same

Номер патента: US10056467B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-21.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of forming a freestanding semiconductor wafer

Номер патента: WO2013144709A2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: SAINT-GOBAIN CRISTAUX ET DETECTEURS. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of forming a freestanding semiconductor wafer

Номер патента: EP2831906A2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2015-02-04.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US20170317161A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240274562A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor processing methods of forming devices on a substrate, forming device arrays on a substrate, forming conductive lines on a substrate, and forming capacitor arrays on a substrate, and integrated circuitry

Номер патента: US20020009849A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240347534A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Light emitting diode array with inactive implanted isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: EP4427272A1. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen,Shuke YAN. Владелец: GLO Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor Device Structure With Uniform Threshold Voltage Distribution and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240363731A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: US09991122B2. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US09941348B2. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of producing semiconductor optical element

Номер патента: US20070134828A1. Автор: Masakazu Narita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of manufacturing surface-emitting semiconductor laser element

Номер патента: US09762030B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US7955880B2. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US20090317929A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: EP2252585A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-11-24.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods of preparing polymorphic form A of bazedoxifene acetate

Номер патента: US8183367B2. Автор: Paolo Andreella,Roberto Brescello,Massimo Verzini,Livius Cotarca,Pietro Allegrini,Giorgio Soriato,Vincenzo Cannata,Giuseppe Barreca,Fabio Bassan,Francesco Tasinato,Marco Demo. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Self-healing targets, methods of manufacturing self-healing targets, and methods of utilizing self-healing targets

Номер патента: US20230417517A1. Автор: Elijah David Lorence. Владелец: Infinite Defense LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: EP1740630A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: CPH Innovations Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: WO2005082961A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: Cph Innovations Corp.. Дата публикации: 2005-09-09.

Crystalline form of hidamide, method of its production and use

Номер патента: RU2603138C1. Автор: Сяньпин ЛУ,Чжибинь ЛИ. Владелец: Шэньчжэнь Чипскрин Байосайенсиз, Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

Methods of photo-processing photoresist

Номер патента: US20010038955A1. Автор: Ziad Hatab,Paul Shirley,Tony Krauth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of hydrogenation of phenol

Номер патента: WO2018057289A1. Автор: Alfred K. Schultz,Jose Antonio Trejo O'Reilly. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2018-03-29.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: IL207504A0. Автор: . Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of making and forming a first surface optical disk

Номер патента: TWI265514B. Автор: Brian S Medower,David L Blankenbeckler. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of providing and forming a gravel pack about well screens in wells

Номер патента: US2076489A. Автор: Howard O Williams. Владелец: EDWARD E JOHNSON Inc. Дата публикации: 1937-04-06.

Method of making gas turbine engine blade from composite material

Номер патента: RU2689618C2. Автор: Клеман РУССИЙ,Давид МАРСАЛЬ,Жереми БЛАШЬЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-05-28.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of surgical planning

Номер патента: CA2873856C. Автор: Andrew Charles Davison. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Ink jet nozzle structure and method of making

Номер патента: CA1059197A. Автор: Guido Galli,Charles Chiou,Karl H. Loeffler,Max R. Lorenz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-24.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD OF MONITORING ENVIRONMENTAL VARIATIONS IN A SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20150192924A1. Автор: LEE Soon-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US7961160B2. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102420765B1. Автор: 켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-14.

A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102441260B1. Автор: 유 이와이,미치히로 오가와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system

Номер патента: US20050088750A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device

Номер патента: EP1071127A2. Автор: Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US20050024303A1. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US6395099B1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US20050150448A1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100607818B1. Автор: 박정구. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method of removing photo resist on a semiconductor wafer

Номер патента: KR900003256B1. Автор: 수우조 후지야마,야스나리 모또끼,요시가즈 가또. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1990-05-12.

Fletching Sleeve System and Method of Application and Manufacture

Номер патента: US20130072332A1. Автор: Ben D. Blosser,Sean E. Gordon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB2356722B. Автор: Arshad Madni. Владелец: Mitel Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method of repairing a tube using a flow through tube plug, methods of repairing and forming a laminated tubesheet, and heat exchanger

Номер патента: EP1624273A2. Автор: Larry Junior Burkhalter,Michael Stanley De Courcy,Stephen Kenneth Weinberg,Keith Frederick Briegel. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2006-02-08.

Purification method of ibrutinib crystal form A

Номер патента: CN113214261A. Автор: 王亚平,竺伟. Владелец: SYNCOZYMES (SHANGHAI) CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN112390766B. Автор: 王臻,黄福良,朱国荣,屠勇军,彭灵超. Владелец: Zhejiang Tianyu Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

METHOD OF DESIGNING AND FORMING A CHANNEL OF FLOW-TYPE THIN-WALL DRIP IRRIGATION BELT

Номер патента: US20200364384A1. Автор: HOU Peng,Feng Ji,WANG Zhifu,Li Yunkai. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method of designing and forming a channel of flow-type thin-wall drip irrigation belt

Номер патента: US11449648B2. Автор: Ji Feng,PENG Hou,Yunkai Li,Zhifu WANG. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Preparation method of palbociclib crystal form A

Номер патента: CN106317053A. Автор: 刘鹏,易崇勤,黄琪,冀蕾,李学义. Владелец: PKUCare Pharmaceutical R&D Center. Дата публикации: 2017-01-11.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN109776448B. Автор: 胡建强,胡明明,刘培强,刘景宝,鲍明波,贺俊华. Владелец: Shandong Langnuo Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Method of consolidating/simultaneously forming a plurality of composites

Номер патента: EP0909825B1. Автор: Peter Nagy,Harlan L. Woods,Richard C. Lewis,Stephen A. Kraus. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

OPEN PERFORATED MATERIAL AND METHOD OF IMAGING TO FORM A VISION CONTROL PANEL

Номер патента: US20140141197A1. Автор: Hill George Roland,Godden Mark David. Владелец: CONTRA VISION LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of designing and forming a sheet metal part

Номер патента: CN101574716A. Автор: 谢尔盖·法德勒威奇·高洛瓦申科. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2009-11-11.

Open perforated material and method of imaging to form a vision control panel

Номер патента: CA2991344A1. Автор: George Roland Hill,Mark David Godden. Владелец: Contra Vision Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of stitching to form a seam

Номер патента: KR102384210B1. Автор: 임지민. Владелец: 주식회사 명품사컴퍼니. Дата публикации: 2022-04-08.

Mold and method of hydroforming to form a hollow member

Номер патента: DE102020129877B3. Автор: Uli Sofan,Holger Prigge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing and forming a cushion body

Номер патента: US20110068498A1. Автор: Shinji Sugiyama,Mika Ito. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Cold-spray device and method of cold-spray forming a part

Номер патента: EP3817829B1. Автор: Alexander Pai-chung TENG,John Russell BUCKENLL. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Cooling method of circulating water in cooling water pond

Номер патента: RU2541480C1. Автор: Александр Алексеевич Соловьев,Константин Владимирович Чекарев,Юрий Борисович Малых,Раис Искандрович Нигматулин. Владелец: Раис Искандрович Нигматулин. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

METHODS OF FORMING THROUGH WAFER INTERCONNECTS IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING SACRIFICIAL MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES FORMED BY SUCH METHODS

Номер патента: US20120061794A1. Автор: . Владелец: S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

METHOD OF FORMING WIRING OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120231625A1. Автор: TAJIMA Takayuki,Tojo Akira. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD OF FORMING CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120094485A1. Автор: CHEN SHIH-CHANG,Lin Huan-Just,Li Tsai-Chun,Tu Yuan-Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

A method of and machine for placing a semiconductor chip or an electronic component onto a bonding surface of a carrier

Номер патента: TW448515B. Автор: Eugen Mannhart,Thomas Gunther,Matthias Krieger,Alois Ulrich. Владелец: Esec Trading Sa. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of determining strain-electric characteristics of metal-semiconductor structure

Номер патента: SU1506400A1. Автор: Александр Павлович Бондарь,Евгений Викторович Козеев. Владелец: Специальное Опытное Проектно-Конструкторско-Технологическое Бюро Со Васхнил. Дата публикации: 1989-09-07.

METHODS OF PREPARING POLYMORPHIC FORM A OF BAZEDOXIFENE ACETATE

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Cannata Vincenzo,Allegrini Pietro,Cotarca Livius,Verzini Massimo,Barreca Giuseppe,Soriato Giorgio,Brescello Roberto,Andreella Paolo,Tasinato Francesco,Demo Marco,Bassan Fabio. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formed Ceramic Receiver Element Adhered to a Semiconductor Lamina

Номер патента: US20120003775A1. Автор: Jackson Kathy J.,Agarwal Aditya. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.