Method of forming well in a semiconductor device
Номер патента: KR100197117B1
Опубликовано: 15-06-1999
Автор(ы): 김성철, 염상현, 오태원
Принадлежит: 김영환, 현대전자산업주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-06-1999
Автор(ы): 김성철, 염상현, 오태원
Принадлежит: 김영환, 현대전자산업주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Using a carbon vacancy reduction material to increase average carrier lifetime in a silicon carbide semiconductor device
Номер патента: WO2014042952A1. Автор: LIN Cheng,Michael John O'Loughlin,Alexander Suvorov,Anant Kumar Agarwal,Jr. Albert Augustus BURK. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.