Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor structure and fabrication method thereof

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908906B2
Опубликовано: 20-02-2024
Автор(ы): Hailong Yu, HAO Zhang, Jinhui MENG, Tiantian Zhang, Xuezhen JING
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11688798B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230290867A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210336030A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240055295A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chia-Cheng PAO,Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210313218A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chia-Cheng PAO,Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105582A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chia-Cheng PAO,Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842920B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Chia-Cheng PAO,Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor structure having a dummy contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653558B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure with self-aligned spacer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106356299B. Автор: 郑志祥,许智凯,傅思逸,洪裕祥. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10522632B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923070B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure having contact holes between sidewall spacers

Номер патента: US10134639B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223720A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ta-wei Chiu,Ruei-Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09502410B1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Hon-Huei Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11658112B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160204197A1. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583568B2. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200243394A1. Автор: Jun Wang,Kang LUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297171A1. Автор: Jung-Hui Kao,Kong-Beng Thei,Jing-Jung Huang,Ching En Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484346B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799651B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09698159B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09425079B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure with through substrate vias and manufacturing method thereof

Номер патента: US11855021B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366828A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11670584B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190252317A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098606A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor structure having through substrate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343677A1. Автор: Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang,Yu-Hsiao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773696B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240258238A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Hailong Yu,Xuezhen JING,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210399105A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11810966B2. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240355873A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230292483A1. Автор: JISONG Jin,Zhuofan Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure with through substrate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991215B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358912A1. Автор: HAIYANG Zhang,WEI Tian,Shuaijie Chi,Ermin Chong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035683A1. Автор: Chun Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728454B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen,Xing Hua Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Gate Isolation Feature and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240339526A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12040370B2. Автор: Yu-Jen Liu,Wei-Cheng Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240332391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with gate isolation features and fabrication method of the same

Номер патента: US11876119B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180331193A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yen-Chen Chen,Wei-Ning Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006405A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Hung Chen,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH ULTRA THICK METAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170098606A1. Автор: CHANG Chung-Long,TSAI Cheng-Yuan,Lu Chen-Fa,Hsu Ching-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH ULTRA THICK METAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190252317A1. Автор: CHANG Chung-Long,TSAI Cheng-Yuan,Lu Chen-Fa,Hsu Ching-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH ULTRA THICK METAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210366828A1. Автор: CHANG Chung-Long,TSAI Cheng-Yuan,Lu Chen-Fa,Hsu Ching-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12074163B2. Автор: Wu Feng DENG,De Biao HE,Chang Yong Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10439066B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Miccroelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355849A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067480A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908865B2. Автор: Zhen Tian,Da Huang,Yao QI DONG,Xiaowan DAI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230413537A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US12040191B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structures and methods thereof

Номер патента: US20240355625A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200328085A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170345916A1. Автор: Jin Peng,Zhong Shan Hong,Ke Lu HUA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028855A1. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991256B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230275130A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09685457B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190067127A1. Автор: Shi Liang JI,Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166283A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180350694A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09564431B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structures with multiple threshold voltage offerings and methods thereof

Номер патента: US12142640B2. Автор: Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09929182B2. Автор: Ji Quan LIU,Chun Lei GONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210320107A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046659B2. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure having epitaxial structure

Номер патента: US12131943B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Sai-Hooi Yeong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09953936B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated semiconductor structure for SRAM and fabrication methods thereof

Номер патента: US8624327B2. Автор: Huai-Ying Huang,Ping-Wei Wang,Sheng Chiang Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-07.

Bump structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105702A1. Автор: Chanho LEE,Hyunsoo Chung,lnyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09735251B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20190139970A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US11682586B2. Автор: Chao TIAN,Jian Qiang LIU,Zi Rui LIU,Ching Yun CHANG,Ai Ji WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748264B1. Автор: Teng Hao Yeh,Yu Wei Jiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559190B2. Автор: Chien-Hung Chen,Cherng-Chang TSUEI,Hobin Chen,Shen-Chieh Liu,Wen-Lang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11676865B2. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358809A1. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947753B2. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180261610A1. Автор: Er Hu ZHENG,Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structures, static random access momories, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190304844A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200279848A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10199383B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190393101A1. Автор: Zhen Yu LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US09831340B2. Автор: Yi-huan Chen,Ker-Hsiao Huo,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11031315B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190355646A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170263778A1. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200266201A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Flash memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09923100B2. Автор: Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Transistor, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080768B2. Автор: Mauricio Manfrini,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chang-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Transistor, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371953A1. Автор: Mauricio Manfrini,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Chang-Lin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200105933A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230411398A1. Автор: XINGYU Xiao,HAIYANG Zhang,BO Su. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10608113B1. Автор: Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20140117491A1. Автор: Jianping Wang,Jinghua Ni,Jingang Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266218A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

NAND flash memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911593B2. Автор: SHILIANG Ji,YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Seimconductor Manufacturing International (beijing) Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and process thereof

Номер патента: US09698229B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Xiao Zhong Zhu,Ching-Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure, and manufacturing method and control method thereof

Номер патента: US11871554B2. Автор: Tao Chen,Zhicheng Shi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Diffusion barrier structure, and conductive laminate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200101699A1. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-04-02.

Wiring structure and semiconductor device and production methods thereof

Номер патента: WO2007032563A1. Автор: Yoshihiro Hayashi,Tsuneo Takeuchi,Fuminori Itou. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2007-03-22.

Diffusion barrier structure, and conductive laminate and manufacturing method thereof

Номер патента: US11331883B2. Автор: Tzu-Chien Wei,Wei-Yen Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09514881B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US9793209B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09793209B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220139801A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11769707B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp Please. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor package redistribution structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240282628A1. Автор: Fang-I Chih,Chi-Feng Lin,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Jo-Lin Lan,Chen-Chiu Huang,Ying-Yao Lai,Peng-Chung Jangjian,Wen-Ling CHANG,ShuFang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09524933B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240332066A1. Автор: Chih-Wei Chang,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof and terminal area structure of semiconductor device

Номер патента: US20180337229A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chin-Fu Chen,Yi-Yun Tsai. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10854558B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273048A1. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786619B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Shih-Pei Chou,Sheng-Chau Chen,Ming-Jhe Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09558986B2. Автор: Tai-I Yang,Kun-Ming Huang,Hong-Seng Shue,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786618B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419089B1. Автор: Yu-Ying Lin,Yu-Ren Wang,Ted Ming-Lang Guo,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210313260A1. Автор: Zhi Lin LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09553012B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structures and fabrication method

Номер патента: US20140061807A1. Автор: Bin Zhang,Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Three-dimensional transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799728B2. Автор: Ying Jin,Xinyuan Lin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286747A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230065123A1. Автор: Jin Peng,ZHENG Xiang,Ziqun HUA,Zuhui Zheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230274975A1. Автор: Tze-Liang Lee,Jen-Hung Wang,Yu-Kai Lin,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984967B2. Автор: Kai-Yu Cheng,Ching-Kun Huang,Shih-Kang TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09613904B2. Автор: Chien-Min Lin,Yen-Shih Ho,Chih-Wei Ho,Chuan-Jin Shiu,Yu-Tung CHEN. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US20200144101A1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955428B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210183700A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11532513B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-12-20.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363538A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure with two-dimensional conductive structures

Номер патента: US12068253B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09704803B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240266299A1. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09887132B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223701A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09853123B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Kuan-Chun Lin,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240023317A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3166137A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-10.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12046596B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10418286B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180174921A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor structure with diffusion barrier region and manufacturing method thereof

Номер патента: US10608086B2. Автор: Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

ARRAY SUBSTRATE STRUCTURE AND DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130258265A1. Автор: LEE Te-Yu,LIU Yu-Tsung. Владелец: InnoLux Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006369A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373386A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure, forming method thereof and memory

Номер патента: US20230138466A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09984882B2. Автор: YONG Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US12014995B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20220392850A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Warpage-reducing semiconductor structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240290731A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302127A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234323A1. Автор: Shih-Ping Lee,Mao-Hsing Chiu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Chip packaging structure and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4401078A1. Автор: Peng Liu,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230275066A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210359126A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11764300B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure, fabrication method for semiconductor structure and memory

Номер патента: US20240006319A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180122701A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method manufacturing the same

Номер патента: US20200402960A1. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Chuan-An Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Bonded processed semiconductor structures and carriers

Номер патента: US09553014B2. Автор: Ionut Radu,Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490192B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240347612A1. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049444A1. Автор: Kang You,Tangyu PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure having common gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20140197480A1. Автор: Qiuhua Han,Xiaoying Meng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230231008A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US20170117154A1. Автор: YONG Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Etch stop region based fabrication of bonded semiconductor structures

Номер патента: US09865747B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508769B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure having dummy conductive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096828A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure having dummy conductive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096829A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09718682B2. Автор: Peng Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837323B2. Автор: Lei Fang,HONG SUN,Jiao Wang,Gangning Wang,Guangli Yang,Yunpeng PENG,Chih Chun Tai,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280583A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131979B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230154831A1. Автор: Yonghui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043505A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Xuezhen JING,Zhangru XIAO,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332201A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure with channel stress layer and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2011075989A1. Автор: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯. Владелец: 中国科学院微电子研究所. Дата публикации: 2011-06-30.

Methods of fabricating the same die stack structure and semiconductor structure

Номер патента: US12119328B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Si-Ge-Si semiconductor structure with double graded junctions and forming method thereof

Номер патента: CN101916770A. Автор: 郭磊,许军,王敬. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having bipolar junction transistor in which non-monocrystalline semiconductor spacing portion controls base-link length

Номер патента: US20100244143A1. Автор: Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653341B2. Автор: Chao-Wen Shih,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150228720A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chun Chen,Fu-Tsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220102349A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170294392A1. Автор: Hai Ting LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor structure including at least one electrically conductive pillar, semiconductor structure including a contact contacting an outer layer of an electrically conductive structure and method for the formation thereof

Номер патента: US09466685B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Thorsten Kammler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230020805A1. Автор: Jung-Hua Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997397B2. Автор: Yu-Lien Huang,Meng-Ku Chen,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure including backgate regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09583616B2. Автор: John Morgan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240222486A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230402540A1. Автор: Lijie Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640427B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243004A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu,Yueh-Chang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220293722A1. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12094945B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12148613B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240332400A1. Автор: BO Su,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780251B2. Автор: Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Wei-Luen Suen,Po-Han Lee,Wei-Ming Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006514A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230164973A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190096692A1. Автор: DUOHUI Bei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417738B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240063298A1. Автор: BO Su,Jing Zhang,Hailong Yu,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4210095A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US12089401B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Non-volatile memory and fabricating method thereof and operation thereof

Номер патента: US20060240618A1. Автор: Chao-I Wu,Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170126047A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor structure having two-dimensional channel

Номер патента: EP4409640A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Christopher Waskiewicz,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing mask structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12119226B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347591A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340330A1. Автор: Yi-Ming Chang,Chia-Sheng Lin,Geng-Peng PAN. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210265471A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Dram cells and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2024102781A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US12046665B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US20210249527A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Hung-Li Chiang,Tzu- Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Forming semiconductor structures with two-dimensional materials

Номер патента: US20240355914A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Ming-Yang Li,Chao-Ching Cheng,Hung-Li Chiang,Tzu- Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20220077158A1. Автор: Chen Tao,SHI ZhiCheng. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure, self-standing gan layer and preparation method thereof

Номер патента: CN107316803A. Автор: 王颖慧,罗晓菊. Владелец: Gallium Semiconductor Technology (shanghai) Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Schottky electrode structure and schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200212196A1. Автор: Tingting ZHANG,TingGang Zhu,Yiheng Li. Владелец: Jiangsu Corenergy Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

SCHOTTKY ELECTRODE STRUCTURE AND SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200212196A1. Автор: Zhu Tinggang,Zhang Tingting,LI YIHENG. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268099A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with inversion layer between stress layer and protection layer and fabrication method thereof

Номер патента: US11710791B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11894231B2. Автор: HAIYANG Zhang,CHENXI Yang,Longjuan Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180012810A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240006219A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: CA3178846A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-10-07.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: AU2021245385A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-11-03.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: EP4128323A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-08.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20170133286A1. Автор: Chih-Chiang Chang,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20220085149A1. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577131B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-10.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577132B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-09.

Chain type mesh capacitor structure and construction method and layout method thereof

Номер патента: CN114023720A. Автор: 王锐,李建军,王亚波,莫军,裴增平. Владелец: Unicmicro Guangzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US20220310799A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375617A1. Автор: Hongbo Zhu,Yongbo FENG,Houyou WANG,Mingyang TSAI. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20220278054A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Integrated Semiconductor Structure for SRAM and Fabrication Methods Thereof

Номер патента: US20130146987A1. Автор: Wang Ping-Wei,Hung Sheng Chiang,Huang Huai-Ying. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09812577B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180158744A1. Автор: Yi Zhong,Chun Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

MOSFET structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496342B2. Автор: Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286983A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564513B2. Автор: Kei-Wei Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Chun-Ju Huang,Ying-Min Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09978866B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US9768302B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US20170256390A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20240321765A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US20180358354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210074829A1. Автор: Peng Yang,Bo Li,Ruizhi TANG,Lin Liu,Jialei Liu,Jinyu FU,Haojun HUANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4284137A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837533B2. Автор: Chun-yi Lee,Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240021728A1. Автор: Zhao Li,Hongjuan LI,Zhenhui YANG,Guangzhou Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing South China Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with patterned fin structure

Номер патента: US12131901B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09431360B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Chao-Wen Shih,Wei-Hung Lin,Yu-Peng Tsai,Hsuan-Ting Kuo,Chun-Lung Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Composite semiconductor structure and device for digital processing systems

Номер патента: US20030020063A1. Автор: Barry Herold,Steven Gillig. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954098B1. Автор: Yu-Jui Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893183B2. Автор: Yi-Ming Sheu,Tsung-Hsing Yu,Shin-Jiun Kuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8507338B2. Автор: Duan-Quan LIAO,Yi-Kun Chen,Xiao-Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor devices comprising continuous crystalline structures, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210265466A1. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for manufacturing a semiconductor structure, semiconductor structure, and electronic device

Номер патента: US09768251B2. Автор: Heinz Schmid,Heike E. Riel,Mattias B. Borg,Kirsten E. Moselund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure having a source and a drain with reverse facets

Номер патента: US09673296B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Jinghong Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-planar semiconductor structure with preserved isolation region

Номер патента: US09666709B2. Автор: Yanxiang Liu,Jerome Ciavatti,Xiaoli He,Myung Hee NAM. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices comprising continuous crystalline structures, and related memory devices and systems

Номер патента: US11728387B2. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same, memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301070A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

DBC substrate frame structure and forming jig and forming method thereof

Номер патента: CN113284871A. Автор: 史波,肖婷,杨景城. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365597A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Yi-Hao Chien,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11791225B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220278003A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210343605A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601439B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Chen,Tzu-Chun Tang,In-Tsang Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR ANTENNA SWITCHING CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140027877A1. Автор: LIAO Ke-Kung,CHANG Tung-Sheng,KU Chun-Yen,CHEN Shih-Yu. Владелец: MAXTEK TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor structure including double metal gate and manufacturing method thereof (self-alignment integration of double metal gate)

Номер патента: JP4791332B2. Автор: アレッサンドロ・カレガリ,ミシェル、レイ・スティーン,ヴィジェイ・ナラヤナン,ヴァムシ・ケイ・パルチューリ,ブルース・ベネット・ドリス,マイケル・パトリック・チュジック. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

Semiconductor structure, three-dimensional memory device and preparation method thereof

Номер патента: CN110620035A. Автор: 万先进,张莉,刘力挽,夏碧波,封铁柱,贺晓平. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-27.

Semiconductor device having hard mask structure and fine pattern and forming method thereof

Номер патента: US09437444B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Ho-Jin Jung,Jun-Hyeub Sun,Chun-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HARD MASK STRUCTURE AND FINE PATTERN AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140322915A1. Автор: Jung Ho-Jin,Lee Chun-Hee,Sun Jun-Hyeub,LEE Sung-Kwon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-30.

Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US20230008075A1. Автор: Katherine H. Chiang,Hsin-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Capacitor structure and manufacturing method and operating method thereof

Номер патента: US12136517B2. Автор: Katherine H. Chiang,Hsin-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Signal Connector Positioning Structure and Signal Line Fabrication Method

Номер патента: US20210135391A1. Автор: Chin-Teng Hsu. Владелец: LIH YEU SENG INDUSTRIES Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and preparation method therefor, and radio frequency circuit and communication device

Номер патента: EP4425536A1. Автор: Xiaohong Wang,Xiangming Xu,Zhongxiang JIAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

MOSFET structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653550B2. Автор: Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11869984B2. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220069139A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11830921B2. Автор: Qiongyang ZHAO,Anni WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210242225A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure, and fabrication method and control method therefor

Номер патента: EP3985672A1. Автор: Tao Chen,Zhicheng Shi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222425A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4383324A1. Автор: Frederic Voiron,Mark Scannell. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4148792A1. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799625B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Alexander Kalnitsky,Kuo-Pin Chang,Chin-Yu Ku,Cheng-Yu Kuo,De-Dui Liao,Kuo-Chio Liu,Yi-Yang Lei,Kai-Di Wu,Sheng-Pin Yang,Hsi-Ching Wang,Tsung Lung Huang,Isaac Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067155A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543373B2. Автор: Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Metal bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113042B2. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262556A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240222489A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240347459A1. Автор: Zhi-Biao Zhou,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125875B2. Автор: Chia Che CHIANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240185918A1. Автор: Xiaoxin LIU,Zongliang Huo,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244822A1. Автор: Pin-Han CHIU,Feng-Jung Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Multichip semiconductor structures with interchip electrostatic discharge protection, and fabrication methods therefore

Номер патента: US5703747A. Автор: Steven Howard Voldman,Paul Evans Bakeman, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-30.

Vertically conductive semiconductor structures and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120370A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having a plurality of conductive paths

Номер патента: US09698099B2. Автор: Yi-Kan Cheng,Feng Wei KUO,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical light emitting diode and fabrication method

Номер патента: US09666757B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Jianjian YANG,Chih-Wei Chao,Shunping Chen,Daquan Lin. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: EP4132892A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A3. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Gradient glass-like ceramic structures and bottom-up fabrication method thereof

Номер патента: WO2021206999A2. Автор: Barry C. Arkles,Jonathan D. GOFF,Kerry Campbell DeMELLA. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2021-10-14.

PACKAGING STRUCTURE, AND FORMING METHOD AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210098426A1. Автор: WANG Chaohong,YANG Ke,LENG Hanjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Anisotropic conductive film, bonding structure, and display panel and preparation method thereof

Номер патента: CN105493204A. Автор: 李红,黄维,陈立强. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Base island exposed type and embedded type base island lead frame structure and first-engraving last-plating method thereof

Номер патента: CN101853832A. Автор: 梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290886A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240063257A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: EP3758065A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576910B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Da Cheng,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051622A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088053A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653391B1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Kuang-Chun Lee,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Material selective regrowth structure and method

Номер патента: EP3134913A1. Автор: Edwin L. Piner. Владелец: Texas State University San Marcos. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor buffer structure, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472624B2. Автор: Jun-Youn Kim,Joo-sung Kim,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20190295964A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

ZnO-containing semiconductor structure and manufacturing thereof

Номер патента: US09947826B2. Автор: Yuka Sato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749594B2. Автор: Yu-Min LIANG,Wei-Yu Chen,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Conductive bump of a semiconductor device and fabricating method thereof cross reference to related applications

Номер патента: US20240055377A1. Автор: Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062604B2. Автор: Yu-Min LIANG,Wei-Yu Chen,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Conductive bump of a semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11837562B2. Автор: Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12040283B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Hsiu-Jen Lin,Hui-Jung TSAI,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Yen-Liang Lin,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Chung-Ming Weng,Chun-Ti LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: US20220052191A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865566B1. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105634A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406588B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying Ching SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

A Semiconductor Structure and a Method of Making the Same

Номер патента: US20240215224A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240120374A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20210408006A1. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422465A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Micro light-emitting element and device and transfer method thereof

Номер патента: US12040430B2. Автор: Chen-Ke Hsu,Chia-En Lee,Shao-Ying Ting,Junfeng Fan. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240164088A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Resistor Structure And Method For Making

Номер патента: US20190172901A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: US20180190753A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: WO2018126093A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instrumentsk Japan Limited. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472523B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096754A1. Автор: Yuan Fang,Yanwu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor structures

Номер патента: EP4165681A1. Автор: Peter Carrington,Evangelia DELLI. Владелец: Lancaster University. Дата публикации: 2023-04-19.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09793686B2. Автор: Huiyun Liu,Alwyn John Seeds,Andrew David LEE. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748301B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yi-Hsing CHU,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Systems and methods for annealing semiconductor structures

Номер патента: US09698026B2. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210090890A1. Автор: BO Su,Tao DOU,Qian Jiang ZHANG,Lin Lin SUN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09859254B1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor structure bonding method, bonding equipment, memory, memory system

Номер патента: US20240170295A1. Автор: Yang Liu,Guoliang Chen,Mengyong Liu,Junqing HE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240215218A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John H. Zhang,Haijiang YUAN,Yanzun Li,Chunyu WONG,Yuan Lung LIN,Chung-Chiang Lin. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Polymer or resist pattern, and metal film pattern, metal pattern and plastic mold using the same, and fabrication methods thereof

Номер патента: US7989154B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220052049A1. Автор: Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865748B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Multi-section rod semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478701B2. Автор: Chih-Chung Yang,Horng-Shyang Chen,Che-Hao Liao,Chia-Ying Su,Charng-Gan Tu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210210351A1. Автор: Ying Li,Wendong LIU,Jiaxi Li,Yafeng QIAN,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Mask pattern, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210210343A1. Автор: Yingchun Zhang,Qiang SHU,Liusha QIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epitaxial semiconductor structure and epitaxial substrate

Номер патента: US11824016B2. Автор: Chi-Heng Chen,Yuan-Ting Fei. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor component comprising such a semiconductor structure

Номер патента: US09559256B2. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, integrated circuit structure using the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559069B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor substrate structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148726B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332111A1. Автор: Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160254242A1. Автор: Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure employing conductive paste on lead frame

Номер патента: US20210305143A1. Автор: Chih-Yen Chen,Francois Hebert,Hsin-Chang Tsai,Chun-Yi Wu,Chia-Ching HUANG,Chih-Jen Hsiao,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984987B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Composite substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240047284A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09598279B2. Автор: Xianming Zhang,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230223369A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and fabricating process for the same

Номер патента: US09444398B2. Автор: Ching-Hou SU,Chyi-Tsong Ni,Yi-Hsun CHIU,I-Shi WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422520A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422524A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220045268A1. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Light sensing element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222545A1. Автор: Yang-Ting Liu,You-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170425A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108435A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US12089394B2. Автор: Wei-Che Chang,Chi-An Wang,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132077B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12120863B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Beijing Superstrng Academy Of Memory Technology. Дата публикации: 2024-10-15.

Thermal Dissipation Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20240266334A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Light sensing element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213395A1. Автор: Keng-Ying Liao,Yang-Ting Liu,You-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Epitaxial oxide materials, structures, and devices

Номер патента: EP4430674A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor structure with stress-reducing buffer structure

Номер патента: US09876140B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704818B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361067A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240090196A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220139851A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243163A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Yang-Che CHEN,Chi-Hui Lai,Wei-Yu Chou,Yi-Lun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US09824992B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601506B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Composite of glass fiber with hierarchical structure and metallic lithium and preparation method thereof

Номер патента: CN111613773A. Автор: 许晓雄,张秩华,崔言明,黄园桥,詹盼. Владелец: Zhejiang Funlithium New Energy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Light guide plate structure and light-guide-plate manufacturing method thereof

Номер патента: US20140133182A1. Автор: Yen-Chang Chen,Hsin-Cheng Ho,Liang-Yu Yao. Владелец: Darfon Electronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Field emission flat lamp and fabricating method thereof, and cathode plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20070164652A1. Автор: Ming-Hung Lin,Biing-Nan Lin,Wei-Yi Lin,Chuan-Hsu Fu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-19.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A2. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A3. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Decoder for increasing throughput using double buffering structure and pipelining technique and decoding method thereof

Номер патента: KR101433620B1. Автор: 조경래,공준진,채동혁,조남필,윤찬호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-25.

A kind of gradual approaching A/D converter structure and low power consumption switch method thereof

Номер патента: CN106301364A. Автор: 陈超,黄�俊,黄成�,李红,吴建辉. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-04.

Reading circuit structure and working time sequence control method thereof

Номер патента: CN111263090B. Автор: 何学红,杨海玲,严慧婕,金毓奇,连夏梦. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: EP1879385A4. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Reproduction device, reproduction method, recording device, recording method, program, recording medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: WO2007077858A1. Автор: Toshiya Hamada. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-12.

Reproduction Device, Reproduction Method, Program, Program Storage Medium, Data Structure, and Recording Medium Fabrication Method

Номер патента: US20080267588A1. Автор: Motoki Kato,Shinobu Hattori,Ayako Iwase. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Playback device, playback method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN102572454A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Reproduction device, reproduction method, program, program storage medium, data structure, and recording medium fabrication method

Номер патента: CN101091385A. Автор: 服部忍,加藤元树,岩漱绫子. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-12-19.

Organic light-emitting diode with superlattice structure and it's fabrication method

Номер патента: KR100787930B1. Автор: 이용균,박태진,진 장. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-12-24.

Variable-rate spray control system based on annular application structure and tree canopy volume calculation method thereof

Номер патента: US20240299966A1. Автор: Hui Liu,Xuan Zhang,Yue Shen,Yunpeng Duan,Jinming Chen. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20240324224A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure, manufacturing method thereof, and memory having bit line conducting layers covering the bit line contact layer and the insulating layer

Номер патента: US12069850B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246209A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246210A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240090351A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12029047B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor sensing structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09815685B2. Автор: Chun-Wen Cheng,Shih-Wei Lin,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12127389B2. Автор: Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: EP3971954A1. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: Ting-Jui Chang,Po-Lun Chen,Ming-Feng Tien,Jenn-Jia Su,Chia-Jung Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-25.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Zero-Poisson-Ratio Honeycomb Structure And Interlocking Assembly Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220339892A1. Автор: WEI QIAN,Wen Zhang,Fei Gao,Rui Yang,Junlong WANG,Shiyong SUN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-10-27.

Antifouling coating film and manufacturing method thereof, antifouling coating film addition receiving structure, and antifouling tape and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102445003B1. Автор: 소이치로 다니노. Владелец: 주고꾸 도료 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-19.

Small-space swinging and convex-beating structure and swinging and convex-beating method thereof

Номер патента: CN110756667A. Автор: 张勇,陈利,郭宏林. Владелец: FINEFORMING PRECISION ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Catalytic cracking catalyst containing molecular sieve with Y and BEA structures and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN112473731A. Автор: 王鹏,宋海涛,孙敏,林伟,王丽霞. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2021-03-12.

Regulate and control high-strength high-plastic heat resistance magnesium alloy of LPSO structures and nanoprecipitation phase and preparation method thereof

Номер патента: CN107058924A. Автор: 刘欢,宋丹,杨晓伟,李程,马爱斌,江静华,孙甲鹏. Владелец: MARINE AND OFFSHORE ENGINEERING INSTITUTE OF HOHAI UNIVERSITY NANTONG. Дата публикации: 2017-08-18.

Paper disc taking and placing manipulator with inner centering structure and control system and control method thereof

Номер патента: CN107932497B. Автор: 吴晓,李慧,董宁,堵俊,白祥,吴加莹,王梓州,顾燕辉,谢茂良. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-12-04.

CARRIER STRUCTURE AND DRUG CARRIER, AND PREPARING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200179286A1. Автор: WANG Chung-Hao,YANG SHU-JYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Carburized gear with uniform structure and refined grains and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111334722A. Автор: 王珏,孙建宇,赵灿,杨周,刘凯旋,毛向阳,赵秀明,汪杨鑫,冯宇阳. Владелец: Nanjing Institute Of Technology. Дата публикации: 2020-06-26.

Flow-guide-type composite wall board comprising foamed structure and prefabricated parts, and manufacture method thereof

Номер патента: PH12015501016A1. Автор: SHAO Feng,Zhao LianFang,Kang Baohua,Liang Guocheng. Владелец: Shenyang yuanda science and technology park co ltd. Дата публикации: 2015-07-27.

Nerve electrode structure and implantation method and manufacturing method thereof

Номер патента: CN114699087B. Автор: 方英,王晋芬,管寿梁. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2023-01-10.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498A. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Packaging bag heat sealing structure and production device and technological method thereof

Номер патента: CN112960203A. Автор: 吕庆,金昌飞,余凌云,陈懂华,汪胜启. Владелец: Anqing Hengchang Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Bio-iron-based alloy with optimized tissue structure and accelerated degradation and preparation method thereof

Номер патента: CN110699607A. Автор: 高成德,帅词俊. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-17.

Inverted step type vertical shaft structure and blowout reducing and avoiding method thereof

Номер патента: CN111705839B. Автор: 张宇,徐鹏,赵宇航,王小东,王芳芳,高昂,何建明,崔鹏飞,俞雷,杨倩倩,吴时强,吴修锋,戴江玉,黄标,徐准,沙海明,杜庭宝,樊顾飞. Владелец: Nanjing Hydraulic Research Institute of National Energy Administration Ministry of Transport Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2021-09-21.

Ceramic plate with net-shaped structure and production device and production method thereof

Номер патента: CN113771198A. Автор: 常松,许建方,胡继成,周杭阳,雷应飞,王之本. Владелец: Zhejiang Jinze Energy Saving Building Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498B. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Assembly type steel-concrete combined cast-in-place structure and on-site integral casting method thereof

Номер патента: CN111997183A. Автор: 杨琦,辛力,史生志. Владелец: China Northwest Architecture Design and Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-27.

The gold nano superlattice structure and its self-assembly preparation method thereof of a kind of close coupling

Номер патента: CN107699954A. Автор: 刘红,张海斌. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-16.

Marine engineering fan foundation single-pile scouring protection structure and scouring depth reduction calculation method thereof

Номер патента: CN111576470A. Автор: 杨帆,范成,屈丽丽,娄晓帆. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-08-25.

Cable-stayed bridge tower beam installation structure and space-ectopic interactive construction method thereof

Номер патента: CN114108475B. Автор: 刘勇,陈晓杰,司松闯,赵海江,于松聆,张留军,张徐鑫. Владелец: PowerChina Roadbridge Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

Variable-Rate Spray Control System Based On Annular Application Structure and Tree Canopy Volume Calculation Method Thereof

Номер патента: GB2616746B. Автор: Liu Hui,Zhang Xuan,SHEN Yue,CHEN Jinming,Duan Yunpeng. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-03-06.

Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US12121995B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09656855B1. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09567209B1. Автор: Chia-Hua Chu,Fei-Lung Lai,Shiang-Chi LIN,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11808975B2. Автор: Jun Liu,Hong Gang DAI,Dong Xiang CHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Double-lens structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09513411B2. Автор: Han-Lin Wu,Yu-Kun Hsiao,Yueh-Ching CHENG. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Radiation sensor having photonic crystal structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09377542B1. Автор: Vivek V. Nagarkar,Bipin Singh,Hamid Sabet,Jules Gardener. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with partial etching grid and making method thereof

Номер патента: CN1328763C. Автор: 董明圣,李岳川. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-25.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH PASSIVE ELEMENT NETWORK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120175731A1. Автор: . Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor structure with insulating buried layer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103022139A. Автор: 王全,范春晖. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: . Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163A. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-15.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163B. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Passivation layer structure, and forming method and etching method thereof

Номер патента: CN103378128A. Автор: 张海洋,张城龙. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Hot-pressed leather sheath keyboard structure and production equipment and machining method thereof

Номер патента: CN105045404A. Автор: 柴建波. Владелец: Dongguan Haojianxuan Electronic Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Offshore wind power submersible foundation structure and complete fan installation construction method thereof

Номер патента: CN102677694A. Автор: 丁红岩,练继建,张浦阳,朱奇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

A combined house plate wall structure and a digital printing production method thereof

Номер патента: CN104895215A. Автор: 马义和. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-09.

High-pressure liquid gun structure and high-pressure liquid manufacturing method thereof

Номер патента: TW201237351A. Автор: wen-jun Feng. Владелец: wen-jun Feng. Дата публикации: 2012-09-16.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.