Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks
Номер патента: US20220052059A1
Опубликовано: 17-02-2022
Автор(ы): Andy Yang, Chunming Wang, Guo Xiang Song, Jack Sun, Leo XING, Nhan Do, Xian Liu
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-02-2022
Автор(ы): Andy Yang, Chunming Wang, Guo Xiang Song, Jack Sun, Leo XING, Nhan Do, Xian Liu
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure including a split gate nonvolatile memory cell and a high voltage transistor, and method for the formation thereof
Номер патента: US9368605B2. Автор: Ralf van Bentum,Igor Lusetsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-14.