Semiconductor devices and methods of forming the same
Номер патента: US20240088033A1
Опубликовано: 14-03-2024
Автор(ы): Chao-Kai Chan, Chuei-Tang Wang, Chung-Hao Tsai, Wei-Ting Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-03-2024
Автор(ы): Chao-Kai Chan, Chuei-Tang Wang, Chung-Hao Tsai, Wei-Ting Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Via structure connecting front side structure of semiconductor device to bspdn, and method of manufacturing the same using sacrificial via structure
Номер патента: US20230343839A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Eun Sung Kim,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.