Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Transistor And Methods Of Forming Transistors

Номер патента: US20210043731A1
Опубликовано: 11-02-2021
Автор(ы): Hung-Wei Liu, Jeffery B. Hull, Kamal M. Karda, Manuj Nahar, Michael Mutch, Vassil N. Antonov
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09419003B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Polysilicon thin-film transistor array substrate and method for preparing the same, and display device

Номер патента: US09431544B2. Автор: Tao Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Thin Film Transistor and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110315980A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

For forming coating fluid, metal-oxide film, field-effect transistor and its manufacture method of metal-oxide film

Номер патента: CN107424910A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical high-voltage MOS transistor and method of forming the same

Номер патента: US09525035B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,John Manning Savidge Neilson,Simon John Molloy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Heterostructure oxide semiconductor vertical gate-all-around (vgaa) transistor and methods for making the same

Номер патента: US20230262953A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same

Номер патента: US09412771B2. Автор: Masataka Kano,Sangho Park,Myounghwa KIM,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09825180B2. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Shinya Aikawa,Kazuhito Tsukagoshi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor for transistor and method of manufacturing the transistor

Номер патента: US20110124152A1. Автор: Hong-Suk Yoo,Chang-Hoon Kim,Seon-Pil Jang,Bo-Kyoung Ahn,Gug-Rae Jo,Ju-han Bae,Min-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20200185510A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US09991294B2. Автор: Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing thin film transistor and pixel unit thereof

Номер патента: US09679995B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing thin film transistor and organic light emitting diode display

Номер патента: US09401418B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Thin film transistor, pixel structure, and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09741750B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Graphene transistor and method of manufacturing a graphene transistor

Номер патента: US12119388B2. Автор: SIMON Thomas,Robert Wallis,Ivor GUINEY,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage transistor and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060086992A1. Автор: Hwa-sook Shin,Mueng-Ryul Lee,Mi-Hyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Process for fabricating medium-voltage transistors and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20210035996A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-02-04.

Process for fabricating medium-voltage transistors and corresponding integrated circuit

Номер патента: US11183505B2. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-11-23.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09825033B2. Автор: Chul-ho Chung,Myoung-Kyu Park,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666689B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with backside routing and method of forming same

Номер патента: US11862561B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

The plough groove type transistor and its manufacture method of a kind of optimization

Номер патента: CN107302021A. Автор: 康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-27.

Backside gate contact, backside gate etch stop layer, and methods of forming same

Номер патента: US12119271B1. Автор: Wei-De Ho,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming a gate shield in an ED-CMOS transistor and a base of a bipolar transistor using BICMOS technologies

Номер патента: US9633995B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

CMOS thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030111691A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US09899387B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Cheng-Ting Chung,Wen-Hsing Hsieh,Ching-Fang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: EP3916762A1. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-12-01.

Superjunction transistor device and method for forming a superjunction transistor device

Номер патента: US12034040B2. Автор: Hans Weber,Ingo Muri,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-09.

A kind of forming method of MOS transistor and the forming method of cmos image sensor

Номер патента: CN109065456A. Автор: 秋沉沉,曹亚民,梅翠玉. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006516A1. Автор: Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-04.

The preparation method of oxide thin film transistor and the preparation method of array substrate

Номер патента: CN109524476A. Автор: 陈蕾,王治,姚琪,曹占锋,袁广才,宁策,许晨,关峰,李禹奉. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240371933A1. Автор: Chee Wee Liu,Hsin-cheng Lin,Ching-Wang YAO,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Tunneling field effect transistor and methods of making such a transistor

Номер патента: US09793384B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20130126963A1. Автор: Hiro Nishi,Elichirou Kakehashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US8487362B2. Автор: Hiro Nishi,Eiichirou Kakehashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

High performance and low power three-dimensional static random access memory and method of forming same

Номер патента: US20240373617A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-11-07.

LDMOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP2325892A3. Автор: Paul Moore,Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Method of making of plurality of 3D vertical logic elements integrated with 3D memory

Номер патента: US12114480B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor architecture and method of manufacturing semiconductor architecture

Номер патента: US20240250140A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit including backside contact and method of designing the integrated circuit

Номер патента: US20240363532A1. Автор: Jungho DO,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US11183546B2. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-23.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display panel, and display device

Номер патента: US20210043708A1. Автор: Chuni LIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device wtih an interconnecting semiconductor electrode between first and second semiconductor electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US09837526B2. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240314998A1. Автор: Wen-Yuan Chen,Ting-Yun Wu,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG,Tsung-Kai CHIU,Shao-Tse HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Lateral double-diffused transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100741B2. Автор: YANG LU,Guangtao Han,Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

The two-dimensional material field-effect transistor and its manufacture method of a kind of inverted T shape buried grid structure

Номер патента: CN106783623A. Автор: 吴云,曹正义. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-05-31.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Non-planar transistor and method of forming the same

Номер патента: US09627541B2. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Strained nanowire CMOS device and method of forming

Номер патента: US09853101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yee-Chia Yeo,Yu-Lin Yang,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20220216243A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050035378A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20200295057A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Parasitic capacitance reduction structure for nanowire transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09893161B2. Автор: Genji Nakamura,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149046A1. Автор: Takashi Okada,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi,Arichika Ishiba. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780227B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Wide band gap transistors on non-native semiconductor substrates and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09660085B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Seung Hoon Hoon SUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047587A1. Автор: Po-Hsin Lin,Xue-Hung TSAI,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634148B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of making structure having a gate stack

Номер патента: US09831235B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Ji Chen,Po-Nien Chen,Ming-Hsiang Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming drain extended mos transistors for high voltage circuits

Номер патента: US20190355583A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Igor G. Kouznetsov,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060038200A1. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Integrated Transistors and Methods of Forming Integrated Transistors

Номер патента: US20210233914A1. Автор: Takuya Imamoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US7307274B2. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Source/Drain Contacts and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240290852A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US12125920B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US20240379873A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming integrated circuit having plural transistors with work function metal gate structures

Номер патента: US09754841B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Yu-Ru Yang,Chih-Wei Yang,En-Chiuan Liou,Jian-Cun KE,Yu-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09748276B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Systems and devices including multi-transistor cells and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: US09449652B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080073715A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347105A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09559168B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09461066B2. Автор: Mian Zeng,Jaikwang Kim,Zhizhong TU,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Stackable memory devices with vertical channels and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357789A1. Автор: Oreste Madia,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Display device, array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685461B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US09806150B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Su-Hwa Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US09680010B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Su-Hwa Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: WO2020128508A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2020-06-25.

Schottky barrier thin film transistor and its method of manufacture

Номер патента: EP3884525A1. Автор: Aimin Song,Jiawei Zhang,Joshua Wilson. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2021-09-29.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110076812A1. Автор: Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647141B2. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Binbin CAO,Ling Han,Chengshao Yang,Junhao HAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823005B2. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120037913A1. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Three-dimensional transistor and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09627411B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,Hung-Yu Yeh,Jhih-Yang Yan,Da-Zhi Zhang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US20190157167A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing a display device having first transistor, second transistor and third transistor disposed on different layers

Номер патента: US12082443B2. Автор: Jong Woo Park,Tae Young Kim,Ki Ju Im,Hyun Cheol Hwang,June Hwan KIM,Ji Ho Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of making a semiconductor device with a stressor

Номер патента: US20080261355A1. Автор: Sinan Goktepeli,Venkat R. Kolagunta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US20180233418A1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US9647119B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US10002798B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09627269B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure and method for tensile and compressive strained silicon germanium with same germanium concentration by single epitaxy step

Номер патента: US09443873B1. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080064151A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Multinary bit cells for memory devices and network applications and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136457B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Array substrate, method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20230411528A1. Автор: Liang Hu,Bin Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of fabricating array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US20230230983A1. Автор: WEI YANG,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices with backside routing and method of forming same

Номер патента: US20240096805A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A3. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Thin film transistor and method for manufacturing the same array substrate and display device

Номер патента: US20180294361A1. Автор: Xianxue Duan,Hui An,Dezhi Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530854B2. Автор: Chaun-Gi Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

3d complementary metal oxide semiconductor (cmos) device and method of forming the same

Номер патента: WO2021138528A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings. Дата публикации: 2021-07-08.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

VERTICAL STACK TRANSISTOR, A DISPLAY DEVICE INCLUDING THE VERTICAL STACK TRANSISTOR, AND A MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20190206967A1. Автор: Kim Tae Young,Kim Dae-Hwan,KIM Hee-Joong,PARK Jong Woo,KWON Hyuck-ln,HONG Sae-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Systems and devices including multi-gate transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: US20130240967A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09786779B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09601615B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

DRAM Circuitry And Method Of Forming DRAM Circuitry

Номер патента: US20240276714A1. Автор: Toshihiko Miyashita,Dan Mocuta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US9461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US20150303202A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuitry and methods of forming transistors

Номер патента: US09530837B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US09461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and Devices Including Multi-Gate Transistors and Methods of Using, Making, and Operating the Same

Номер патента: US20120018789A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Transistors and Methods of Forming Transistors

Номер патента: US20210050428A1. Автор: Yoichi Fukushima,Takuya Imamoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20130137231A1. Автор: Kazuhiro Onishi,Kazuhiro Tsukamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3881355A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US20120126884A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US09553193B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564426B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Yutaka Akiyama,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of reading an nvm cell that utilizes a gated diode

Номер патента: US20110007570A1. Автор: Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski,Roozbeh Parsa. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Method of erasing an nvm cell that utilizes a gated diode

Номер патента: US20110007574A1. Автор: Peter J. Hopper,Yuri Mirgorodski,Roozbeh Parsa. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09601620B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Schotiky barrier tunnel transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070034951A1. Автор: Seong Lee,Chel Choi,Moon Jang,Yark Kim,Myung Jun,Byoung Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-02-15.

A kind of transistor, the radiator structure of transistor and the production method of transistor

Номер патента: CN103887339B. Автор: 赵志勇,王大朋,曾武,崔亦军,宗柏青,穆学禄. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

A method for evaluating the quality of a laminate for evaluation of a thin film transistor, And quality management method of oxide semiconductor film

Номер патента: TWI652749B. Автор: 林和志,川上信之,三木綾. Владелец: 神戶製鋼所股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US7592659B2. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US20060223251A1. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

The manufacturing method of field effect transistor and the manufacturing method of wireless telecom equipment

Номер патента: CN109716491A. Автор: 村濑清一郎,清水浩二,河井翔太. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2019-05-03.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits having heterogeneous devices therein and methods of designing the same

Номер патента: US20230290779A1. Автор: Jungho DO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor structure for reducing stray capacitance and method of forming the same

Номер патента: US20240339461A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display substrate with frame area, display device with the display substrate, method of forming the display substrate, and method of forming the display device

Номер патента: US12041821B2. Автор: Masanobu Ikeda,Yasuhiro Kanaya. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4443516A2. Автор: Doo Na Kim,Sang Sub KIM,Keun Woo Kim,Hye Na KWAK,Bum Mo SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US20190237677A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US10985327B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317087A1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601497B1. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332321A1. Автор: Doo Na Kim,Sang Sub KIM,Keun Woo Kim,Hye Na KWAK,Bum Mo SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425419B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jin-Wook Seo,Yong-Duck Son,Jun-Seon Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110241123A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508752B2. Автор: Toshihiro Sato,Kazuhiro ODAKA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240268161A1. Автор: Hyo Jung Kim,Jeong Yong Lee,Ji Myoung SEO,Seung Bo SHIM,Ji Hyeon SON,Yoo Young PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301145A1. Автор: Ji-Hyun Ka,Dongsoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954047B2. Автор: Ji-Hyun Ka,Dongsoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Organic light emitting display with single crystalline silicon tft and method of fabricating the same

Номер патента: US20080272381A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020102773A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Display device and method of fabricating display device

Номер патента: EP4432361A1. Автор: Dong Yeon Cho,Ui Young Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Display device and method of fabricating display device

Номер патента: US20240315090A1. Автор: Dong Yeon Cho,Ui Young Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Pixel circuit, driving method of pixel circuit, and display device including pixel circuit

Номер патента: US12062320B2. Автор: Wookyu Sang,Hyoungsik Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Synapse device and method of operating the same

Номер патента: US20240203473A1. Автор: Yoonyoung CHUNG,Seongmin Park,Suwon SEONG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043093A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor

Номер патента: US09553201B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Shinya Morita,Je Hun Lee,Gun Hee Kim,Yeon Hong KIM,Yeon Gon Mo,Aya Miki,Byung Du Ahn,Kwang Suk Kim,Kyoung Won Lee,Ji Hun LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20240296881A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Elevationally-extending strings of memory cells individually comprising a programmable charge storage transistor and methods of processing silicon nitride-comprising materials

Номер патента: US09893083B1. Автор: Fei Wang,Kunal Shrotri,John D. Hopkins,Aaron R. Wilson,Tom J. John,Anish A. Khandekar,Derek F. Lundberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09412769B2. Автор: Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Sun-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

The manufacture method of bipolar junction transistor and the preparation method of semiconductor chip

Номер патента: CN107481930A. Автор: 吴健,张焕云. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated assemblies containing ferroelectric transistors, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12079415B2. Автор: Pankaj Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory array and methods of forming same

Номер патента: US12069864B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09978782B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: EP2005479A2. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Non-volatile memory in cmos logic process and method of operation thereof

Номер патента: WO2007120721A8. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Mosys Inc. Дата публикации: 2008-12-24.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991311B2. Автор: Michael Marrs,Joseph T. Smith. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09910330B2. Автор: Koichi Sugitani,Hoon Kang,Chul-Won PARK,Jin-Ho Ju. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US09905564B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240321205A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Susumu Kawashima,Yutaka Okazaki,Yuki Okamoto,Hidetomo Kobayashi,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin film transistor and method of driving same

Номер патента: US09660091B2. Автор: Kyoung-seok SON,Myung-kwan Ryu,Sung-hee Lee,Eok-su KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for I/O ESD protection with polysilicon regions fabricated by processes for making core transistors

Номер патента: US7642602B2. Автор: Ting Chieh Su,Min Chie Jeng,Chin Chang Liao,Jun Cheng Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Display device, display module, electronic device, and manufacturing method of display device

Номер патента: US20230369381A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shingo Eguchi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Vertical bipolar junction transistor and method

Номер патента: US20230268394A1. Автор: Qizhi Liu,Rajendran Krishnasamy,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Bipolar junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12068400B2. Автор: Chun-Tsung Kuo,Chuan-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20160181393A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Bipolar junction transistors and methods of fabrication

Номер патента: US09905668B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Fin-bipolar junction transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4386856A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong,Ziliang TIAN,Chengbo QIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09520388B2. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076402A1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9917268B1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234539A9. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

High-gain wide bandgap darlington transistors and related methods of fabrication

Номер патента: WO2011008919A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

High-gain wide bandgap darlington transistors and related methods of fabrication

Номер патента: EP2454751A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-05-23.

High-gain wide bandgap darlington transistors and related methods of fabrication

Номер патента: US09478537B2. Автор: Qingchun Zhang,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09947771B2. Автор: Byoung-Keon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12082388B2. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Eight-transistor static random access memory, layout thereof, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240373615A1. Автор: Hao Chang,Kuo-Hung Lo,Kun-Hsi Li,Yao-Chung Hu,Shau-Wei LU,Kang-Yu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a device with MOS transistors

Номер патента: US09876032B2. Автор: François Andrieu,Olivier Weber,Gregory Bidal,Emmanuel Josse,Jerome Mazurier,Dominique Golanski,Sonarith Chhun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09972703B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Transistor with charge enhanced field plate structure and method

Номер патента: US09425267B2. Автор: James A. Teplik,Jenn Hwa Huang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US7923732B2. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-12.

Thin film transistor and method for manufacturing a display panel

Номер патента: US20090152635A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Thin Film Transistor and Method for Manufacturing a Display Panel

Номер патента: US20140147947A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sang-Gab Kim,Ki-Hun Jeong,Hong-Kee Chin,Seung-Ha Choi,Young-Wook Lee,Min-Seok Oh,Jang-Soo Kim,Woo-Geun Lee,Yu-gwang Jeong,Shin-Il Choi,Seung-Hwan Shim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09899391B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09583497B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Electrostatic discharge protection device structures and methods of manufacture

Номер патента: US09704849B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Use disposable gate cap to form transistors, and split gate charge trapping memory cells

Номер патента: US09590079B2. Автор: Chun Chen,Mark Ramsbey,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of forming reduced resistance local interconnect structures and the resulting devices

Номер патента: US09553028B2. Автор: Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09666491B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming silicon-doped aluminum oxide, and methods of forming transistors and memory devices

Номер патента: US20020086556A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Device Having Pocketless Regions and Methods of Making the Device

Номер патента: US20090263946A1. Автор: Greg Baldwin,Shashank Ekbote,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220068720A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322008A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200194A1. Автор: Shuai ZHANG,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Methods of forming transistor gates

Номер патента: US09960258B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming transistor gates

Номер патента: US09396952B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515020B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Group iii nitride substrate, method of making, and method of use

Номер патента: US20230317444A1. Автор: Mark P. D'Evelyn,Dirk Ehrentraut,Wenkan Jiang,Derrick S. Kamber,Jonathan D. Cook,James Wenger. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Transistor with multi-level self-aligned gate and source/drain terminals and methods

Номер патента: US12119383B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Recessed transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20060278935A1. Автор: Gyong-Sub Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Fabricating method of dram structure

Номер патента: US20130052786A1. Автор: Chung-Lin Huang,Tzung-Han Lee,Ron Fu Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Monolithic bi-directional current conducting device and method of making the same

Номер патента: US09960159B2. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: WO2023161360A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-31.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: AU2023225130A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-22.

Gallium nitride material transistors and methods associated with the same

Номер патента: US20070120147A1. Автор: Jerry Johnson,John Roberts,Jeffrey Brown,James Cook,Edwin Piner,Ricardo Borges,Kevin Linthicum,Andrei Vescan,Pradeep Rajagopal,Allen Hanson,Sameer Singhal,Walter NAGY,Robert Therrien,Apurva Chaudhari. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Structure and method of fabricating high-density, trench-based non-volatile random access sonos memory cells for soc applications

Номер патента: WO2006110781A2. Автор: Herbert Ho,Jack Mandelman,Yoichi Otani,Tak Ning. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303347A1. Автор: Kazutaka Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Transistor and its method of manufacture

Номер патента: US20080029371A1. Автор: Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Young-Moon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Transistor and its method of manufacture

Номер патента: US7550791B2. Автор: Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Young-Moon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-23.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US8722480B2. Автор: F. Daniel Gealy,Cancheepuram V. Srividya,Suraj J. Mathew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US20110198708A1. Автор: Suraj Mathew,Dan Gealy,Cancheepuram V Srividya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-18.

Transistors having argon gate implants and methods of forming the same

Номер патента: US20130164897A1. Автор: F. Daniel Gealy,Suraj J. Mathew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Structure and method of MOS transistor having increased substrate resistance

Номер патента: US20030207543A1. Автор: Zhiqiang Wu,Craig Salling,Che-Jen Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US20100102325A1. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-29.

Nand flash memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070048922A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Ji-Hwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Organic light emitting diode display with improved on-current, and method for manufacturing the same

Номер патента: US8232123B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-31.

Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120262433A1. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho,Byoung-Seong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-18.

Transistor-based stress sensor and method for determining a gradient-compensated mechanical stress component

Номер патента: US12085462B2. Автор: Mario Motz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

A semiconductor integrated circuit device comprising an mos transistor and a bipolar transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: EP0139266B1. Автор: Hiroshi C/O Patent Division Iwasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-25.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09887374B2. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Methodology of forming cmos gates on the secondary axis using double-patterning technique

Номер патента: US20150170971A1. Автор: Scott William Jessen,Gregory Charles Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Fabricating method of transistors without dishing occurred during cmp process

Номер патента: US20220084878A1. Автор: Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yu-Lung Shih,Yang-Ju Lu,yong-yi Lin,Ching-Yang Chuang,Ji-Min LIN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20170237028A1. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170237028A1. Автор: XU Hongyuan,Su Changi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AT LEAST ONE BIPOLAR TRANSISTOR AND A CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Marzaki Abderrezak,GAY Romeric. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of fabricating an F-RAM

Номер патента: US09548348B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

SRAM Devices Utilizing Strained-Channel Transistors and Methods of Manufacture

Номер патента: US20140099758A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

SRAM devices utilizing strained-channel transistors and methods of manufacture

Номер патента: US9059310B2. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Hung-Chih Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200402933A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: EP3891791A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: WO2020117652A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200176402A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of forming SRAM cell

Номер патента: US20060088964A1. Автор: Hyuck-Chai Jung,Hyeong-Mo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

On-chip DC-DC power converters with fully integrated GaN power switches, silicon CMOS transistors and magnetic inductors

Номер патента: US09806615B1. Автор: Hariklia Deligianni,Devendra K. Sadana,Edmund J. Sprogis,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US12080647B2. Автор: Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Pochun Wang,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210043630A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021025797A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the device based on evaluation data of test transistors uniformly arranged on test wafer

Номер патента: US20060214164A1. Автор: Mikinori Oguni. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

System and method of varying gate lengths of multiple cores

Номер патента: US09461040B2. Автор: Ming Cai,Samit Sengupta,PR Chidambaram,Chock Hing Gan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20140197495A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200177830A1. Автор: CHIA Chun-Wei,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Display panel including active layers of transistors and photosensors disposed at a same layer, and method of manufacturing display panel

Номер патента: US12131573B2. Автор: Jiyue SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780104B2. Автор: Hisashi Kato,Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US8698248B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Integrated circuit device with antenna effect protection circuit and method of manufacturing

Номер патента: US12080658B2. Автор: Lei Pan,Xinyong Wang,Jialiang ZHONG,Yaqi Ma,Mingjian WANG,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Rf amplifier with conductor-less region underlying filter circuit inductor, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20190020314A1. Автор: David F. Abdo,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Methods of forming pairs of transistors, and methods of forming pairs of transistors having different voltage tolerances

Номер патента: US5989948A. Автор: Hunter Brugge,Landon Vines. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20170047333A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: US09502424B2. Автор: Xia Li,John Jianhong ZHU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Dual gate structure for imagers and method of formation

Номер патента: US7635624B2. Автор: Sungkwon C. Hong. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the integrated circuit

Номер патента: EP4432357A1. Автор: Dalhee Lee,Sangjung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030082866A1. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20150123180A1. Автор: Yoshihiro Sato,Junji Hirase,Ryohei Miyagawa,Yoshiyuki Matsunaga,Tokuhiko Tamaki,Yoshiyuki OHMORI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the device

Номер патента: US09881960B2. Автор: Yoshihiro Sato,Junji Hirase,Ryohei Miyagawa,Yoshiyuki Matsunaga,Tokuhiko Tamaki,Yoshiyuki OHMORI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Transistor package, amplification circuit including the same, and method of forming transistor

Номер патента: US09853605B2. Автор: Kazumi Shiikuma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US09680097B2. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20200295007A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20190181142A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20210343719A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Touch panel and method of forming the same

Номер патента: US09465475B2. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20160343754A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20180175088A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US09935140B2. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory cell and method of forming the memory cell

Номер патента: US11844209B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Rf power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming rf power transistor packages with internal harmonic frequency reduction

Номер патента: WO2009002387A3. Автор: Simon Wood,Donald Farrell. Владелец: Donald Farrell. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of forming memory cells in an array

Номер патента: US7378311B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-27.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US20170162628A1. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Organic luminescent display device and method of manufacturing at organic luminescent display device

Номер патента: US20140175412A1. Автор: Hirotsugu Sakamoto,Kohei Takahashi,Takeshi Ookawara,Hiroshi Oooka,Yuuko Matsumoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory devices and methods of manufacturing and operating thereof

Номер патента: US20240257866A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor package, method of forming semiconductor package, and power module

Номер патента: EP4456132A1. Автор: Qian Liu,Roberto Tiziani. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20210391362A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Micro light emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266387A1. Автор: Junhee Choi,Kiho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20220328538A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Image sensor and electronic device with active reset circuit, and method of operating the same

Номер патента: US09736413B1. Автор: Jinsuk Kang,Thomas Ayers,Noam Eshel,Brian Carey,Fred Brady. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor apparatus and method of controlling mos transistor

Номер патента: US20170155392A1. Автор: Tsuyoshi Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20240357788A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09620729B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic electroluminescent display device and method of driving the same

Номер патента: US09530353B2. Автор: Hak-Su Kim,Won-Kyu Ha,Ho-min Lim,Seung-Tae Kim,Han-Jin BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Image sensor controlling a conversion gain, imaging device having the same, and method of operating the same

Номер патента: US12052520B2. Автор: Kyungho Lee,Hongsuk LEE,Jungbin YUN,Eunsub Shim,Hwanwoong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Organic light-emitting display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755002B2. Автор: Seongmin Lee,Hyomin Kim,Jongdae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual side cooling integrated power device module and methods of manufacture

Номер патента: US20070267726A1. Автор: Jonathan A. Noquil. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090090963A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12088940B2. Автор: CHIA Chun-Wei,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20220310670A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Display substrate comprising silicon organic glass layer, display apparatus, and method of fabricating display substrate

Номер патента: US12075664B2. Автор: Ling Wang,Pan Xu,Ying Han,Xing Zhang,Zhen Song,Zhan Gao,Yicheng Lin,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

GaN TRANSISTOR WITH IMPROVED BONDING PAD STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150206847A1. Автор: Jong Won Lim,Ho Kyun Ahn,Hyung Sup Yoon,Hae Cheon Kim,Byoung Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-23.

Multiplexer circuit, semiconductor device for multiplexing voltages, and method of operating same

Номер патента: US20180331683A1. Автор: Bo-Ting Chen,Yang-Chi YEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234446A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Programmable logic device circuit and method of fabricating same

Номер патента: EP1370000A3. Автор: Roy Anirban,Luca Giovanni Fasoli. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2007-12-26.

Display substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09354478B2. Автор: Cheng Li,AN Seong Jun,Xueguang HAO,Xiangdong WEI,Bongyeol Ryu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20230255096A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090068787A1. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Broadband radio frequency power amplifiers, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170149392A1. Автор: Lei Zhao,Michael E. Watts,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Display apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US20240268207A1. Автор: Junyoung KIM,Seunggyu Tae,Kwangsoo Lee,Jongmoo Huh,Jonghyun YUN,Sangcheon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230309348A1. Автор: Yu-gwang Jeong,Subin BAE,SungWon Cho,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dongmin LEE,Sungjoo Kwon,Joonyong Park,Hyunah SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Display device and method of driving display device

Номер патента: US09886910B2. Автор: Ilin WU,Duzen PENG. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the device

Номер патента: US09773825B2. Автор: Yoshihiro Sato,Junji Hirase,Yoshiyuki Matsunaga. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

RF power transistors with video bandwidth circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09692363B2. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Display device comprising a plurality of microcavities and an encapsulation layer that seals the plurality of microcavities and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595549B2. Автор: Yong Seok Kim,Han Joon Yoo,Sung Hwan Won,Won Tae Kim,Pil Sook Kwon,Seon Uk LEE,Woo Jae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Broadband radio frequency power amplifiers, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09564861B2. Автор: Lei Zhao,Michael E. Watts,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Pixel unit and method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09508755B2. Автор: Jun Cheng,Dongfang Wang,Hongda Sun,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Solid-state image pickup device, image pickup system using solid-state image pickup device, and method of manufacturing solid-state image pickup device

Номер патента: US09466627B2. Автор: Seiichi Tamura,Aiko Kato,Kouhei Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027414A1. Автор: Shin Il Choi,Gyungmin BAEK,Taewook Kang,Hyunah SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Display device, electronic device, and method of manufacturing the display device

Номер патента: US20220406877A1. Автор: Sanggun Choi,Myounggeun Cha,Donghwan SHIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Solid state image pickup device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7749796B2. Автор: Keiji Mabuchi,Toshifumi Wakano,Kazunari Matsubayashi,Takashi Nakashikiryo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020004264A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020005518A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Integrated circuit layout and method

Номер патента: US12089402B2. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133414B2. Автор: Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09785002B2. Автор: Sang Il Kim,Yu Jin Kim,Kyung Tae CHAE,Kwang Soo BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Photoelectric conversion device and method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US09543340B2. Автор: Junji Iwata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496321B2. Автор: Jinwook Seo,Seihwan Jung,Taewook Kang,Kiyong Lee,Taehoon Yang,Byoungkeon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Voltage conversion circuit, solid-state imaging element, and method of controlling voltage conversion circuit

Номер патента: US20210359601A1. Автор: Yasunori Tsukuda,Kazutoshi Tomita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US12080375B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09935163B2. Автор: Binn Kim,Joonsoo HAN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for optically initiating collapse of a reverse biased P-type-N-type junction to cause a semiconductor switch to transition from a current blocking mode to a current conduction mode

Номер патента: US09520511B2. Автор: William C. Nunnally. Владелец: Applied Physical Electronics LC. Дата публикации: 2016-12-13.

Thin film transistor substrate, method of inspecting the same, and display device including the same

Номер патента: US09508274B2. Автор: Jaehak LEE,Seunghyun PARK,Hyangyul Kim,Sungin RO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09343514B2. Автор: Nam-jin Kim,Chul-Hwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049600A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386731A3. Автор: Jaeyong Lee,Wonkyu Kwak,Hwansoo JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US20140209883A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-07-31.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063817B2. Автор: Hyun Kim,HYUNSOO LEE,Jaehyun Lee,Kwangsoo Lee,Seulki Kim,Seungrae Kim,Kisu Jin,Youngrok Kim,Shoyeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US9331294B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of producing CMOS transistors and related devices

Номер патента: US6627489B1. Автор: Odile Huet,Carlo Reita,Francois Plais. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2003-09-30.

High density 3d rail stack arrays and method of making

Номер патента: US20040159860A1. Автор: Andrew Walker,Roy Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Kedar Patel. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653368B2. Автор: Jae-Yong Lee,Won-Kyu Kwak,Hwan-Soo Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive random access memory (RRAM) and method of making

Номер патента: US09431604B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Devices and methods for calibrating and operating a snapback clamp circuit

Номер патента: EP2973703A1. Автор: Ankit Srivastava,Eugene Robert Worley,Matthew David Sienko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238607A1. Автор: Seho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303469A1. Автор: Seho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347542A1. Автор: Seul-ki Kim,Jung Kyoung CHO,Jeongju PARK,Ilbae Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Display panels and methods of manufacturing a display panel

Номер патента: US20240332472A1. Автор: Yi Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Light emitting display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332313A1. Автор: Sung Chul Hong,Do Yeong PARK,Ki Hyun PYO,Kyung-Bae KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrostatic discharge circuits and methods for operating the same

Номер патента: US12094870B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Tzu-Heng Chang,Pin-Hsin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of recovery of MOTFT backplane after a-Si photodiode fabrication

Номер патента: US09947704B1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Guangming Wang. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728738B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory cell and method of forming the memory cell

Номер патента: US20230380150A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180308916A1. Автор: Sun Ho Kim,Sun Hee Lee,Young Gug Seol,Ju Chan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Slew-rate control apparatus and methods for a power transistor to reduce voltage transients during inductive flyback

Номер патента: WO2007143270A3. Автор: Randall C Gray,Paul T Bennett,Matthew D Thompson. Владелец: Matthew D Thompson. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210389369A1. Автор: Dae Han Kim,Jeong-Goo Lee,Ji Yun Kim,Jin Yub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Array substrate, liquid crystal display device and drive method of liquid crystal display device

Номер патента: US20180046000A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Display substrate and method for manufacturing the same, driving method and display device

Номер патента: US20230095733A1. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09881941B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Display device and method of manufacturing display device

Номер патента: US09766522B2. Автор: Kikuo Ono. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Flexible organic light-emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09761816B2. Автор: Jonghyun Park,Mijung Lee,SooYoung Yoon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Solid-state image pick-up apparatus, image pick-up system, and method of driving solid-state image pick-up apparatus

Номер патента: US09748303B2. Автор: Daisuke Inoue,Yasuharu Ota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, and imaging system

Номер патента: US09661247B2. Автор: Fumihiro Inui. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09588367B2. Автор: Seung Ho Yang,Je Hyeong Park,Ki Kyung YOUK,Kyung-Bae KIM,Se Joon OH,Un Byoll KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371310A1. Автор: Wonkyu Kwak,Kwangmin Kim,Kiwook KIM,Doyeon Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for a switch having a normally-on transistor and a normally-off transistor

Номер патента: US09793260B2. Автор: Matteo-Alessandro Kutschak,Bernhard Zojer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09459495B2. Автор: Jun Woo Lee,Mi Hwa Lee,Sang Hee Yu,Baek Kyun Jeon,Suk Hoon KANG,Yeong Rong PARK,Pil Ho HUH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Array substrate and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234436A9. Автор: Rongrong Li,Shasha Li. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20130193420A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Display substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20220052139A1. Автор: Chen Xu. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path

Номер патента: US8530284B2. Автор: Stephen P. Robb,Francine Y. Robb. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2013-09-10.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384512A1. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor storage device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090085124A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4099387A2. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-07.

Sensor pixels, arrays and array systems and methods therefor

Номер патента: US20140091207A1. Автор: Arokia Nathan,G. Reza Chaji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of providing chipset

Номер патента: US20240312968A1. Автор: Toshiyuki Hata,Zen Tomizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit and method for generation of light emission control signal and pixel circuit driving method

Номер патента: US09997111B2. Автор: Wei Li,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Shengji Yang,Weijie Zhao,Hailin XUE,Hongjuan Liu,Chunlei Wang,Panhua WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Apparatus and methods for radio frequency amplifiers

Номер патента: US09806680B2. Автор: David C. Dening,Alan William Ake. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Apparatus and methods for radio frequency amplifiers

Номер патента: US09584078B2. Автор: David C. Dening,Alan William Ake. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Light-sensing apparatuses, methods of driving the light-sensing apparatuses, and optical touch screen apparatuses including the light-sensing apparatuses

Номер патента: US09576992B2. Автор: Young Kim,I-hun Song,Chang-Jung Kim,Sang-Hun Jeon,Seung-Eon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Amplifiers with a short phase path, packaged RF devices for use therein, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09531328B2. Автор: Jeffrey A. Frei,Enver Krvavac,Hussain H. Ladhani. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520578B2. Автор: Dohyung Kim,Taro Hasumi,Sangmoo Song,Jino Lee,Jungchul Kim,Sehwan NA. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US11735280B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Cutoff gate electrodes for switches for a three-dimensional memory device and method of making the same

Номер патента: US20210391351A1. Автор: Akira Inoue,Masayuki Hiroi,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12137294B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Imaging apparatus, method of driving imaging apparatus, and apparatus using the imaging apparatus

Номер патента: US09986190B2. Автор: Takamasa Sakuragi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09912891B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of fabricating an organic light emitting diode display device including a selective melting and drying process with an organic solvent

Номер патента: US09881980B2. Автор: Hyo-Dae Bae,Jeong-won Lee,Jong-Hoon Yeo,Seung-Han Paek,Young-Mu Oh,Heon-Il SONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Flexible display substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859525B2. Автор: LU LIU,Ming-Che Hsieh,Chunyan Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20240243492A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Switch circuit and method of switching radio frequency signals

Номер патента: US09780778B2. Автор: Mark L. Burgener,James S. Cable. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Power device for delivering power to electronic devices and methods of assembling same

Номер патента: US09729065B2. Автор: Mitchael C. Freeman,Brian Santee,Michael H. Freeman,Robert Dieter,W. J. “Jim” Weaver, Jr.. Владелец: Advanced Charging Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Power device for delivering power to electronic devices and methods of assembling same

Номер патента: US09379618B2. Автор: Mitchael C. Freeman,Brian Santee,Michael H. Freeman,Robert Dieter,W. J. “Jim” Weaver, Jr.. Владелец: Advanced Charging Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of using a field-effect transistor as a current sensing device

Номер патента: US09813063B2. Автор: Gary L. Stirk,Karthik Kadirvel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240276696A1. Автор: Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan,Yen Lin CHUNG CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit, system and method of forming the same

Номер патента: US20240331764A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Chien Hui Huang,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory cell for fast erasable programmable read-only memory and method of its programming

Номер патента: RU2481653C2. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Николай Алексеевич Шелепин. Владелец: Виктор Николаевич Мурашев. Дата публикации: 2013-05-10.

Semiconductor device with daisy-chained delay cells and method of forming same

Номер патента: US12015410B2. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Qingchao Meng,Zhang-Ying YAN,Huaixin XIAN,Longbiao LEI,Sinpei GOA. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Magnetic device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240324245A1. Автор: Yuan Hao Chang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Ping-Wei Wang,Chenchen Jacob WANG,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory Circuitry And Methods Used In Forming Memory Circuitry

Номер патента: US20240172412A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Vivek Yadav,Silvia Borsari,Li Wei Fang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Level shifters, methods for making the level shifters and methods of using integrated circuits

Номер патента: US20140103967A1. Автор: Yuwen Swei,Chih-Chang Lin,Chiang Pu,Tien Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196666A1. Автор: Byung Yong Ahn,Won So Son,Chang Hyeon Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit

Номер патента: US12112698B2. Автор: Junichi Yamashita,Tetsuro Yamamoto,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit

Номер патента: US09947270B2. Автор: Junichi Yamashita,Tetsuro Yamamoto,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Display substrate and method of driving the same, display panel and display device

Номер патента: US20240233644A1. Автор: Cheng Xu,LIU Wu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Luke Ding,Xiuting Liu. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method of operating the same

Номер патента: US20210091719A1. Автор: Po-Yu Chen,Chih-Sheng Hou,Nan-Hsin TSENG,Ping-Han Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Electrically programmable read only memory devices having uniform program characteristic and methods of programming the same

Номер патента: US09805800B1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Communication circuit and method of transferring a data signal

Номер патента: EP4002692A1. Автор: Wojciech Typrowicz. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Operational amplifier and method of driving liquid crystal display

Номер патента: US20080074405A1. Автор: Kazuo Suzuki,Kouichi Nishimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Active clamp power converter and method of reducing shoot-through current during soft start

Номер патента: US20170288528A1. Автор: Bryan Wayne McCoy,Ajay Karthik Hari. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-05.

Phase interpolator and method of implementing a phase interpolator

Номер патента: US09608611B1. Автор: Parag Upadhyaya,Kevin Geary,Catherine Hearne. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-level converter apparatus and methods using clamped node bias

Номер патента: US09397584B2. Автор: Haidong Yu,George William Oughton, JR.. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Control method of multi-zone rectifier-inverter converter of single-phase alternating current

Номер патента: RU2716493C1. Автор: Станислав Васильевич Власьевский,Виктор Васильевич Семченко,Олег Викторович Мельниченко. Владелец: Акционерное общество "ДОРОЖНЫЙ ЦЕНТР ВНЕДРЕНИЯ КРАСНОЯРСКОЙ ЖЕЛЕЗНОЙ ДОРОГИ". Дата публикации: 2020-03-12.

Display device and method of driving display device

Номер патента: US20240260439A1. Автор: Min-Seok Bae,Kanghee Lee,Byung Ki Chun,Changbin Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

System and method for a switched-mode power supply

Номер патента: US09590492B2. Автор: Chia Jui Chang,Jheng Bin Huang,Jin Hung Lin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-07.

System and method for measuring current in hybrid power over ethernet architecture

Номер патента: US09438430B2. Автор: Marius Ionel VLADAN. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Clock gating circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240372537A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Seid Hadi Rasouli,Yung-Chen CHIEN,Chi-Lin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

System and method for a gate driver

Номер патента: US09948289B2. Автор: Kennith Kin Leong,Chris Notsch,Hadiuzzaman Syed. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Low noise amplifier having transformer feedback and method of using the same

Номер патента: US09831832B2. Автор: Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Yi-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Current mirror circuit and method

Номер патента: US09713212B2. Автор: Sinan Li,Ron Shu Yuen Hui. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09568615B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Inverter driving apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20230412109A1. Автор: Sang Cheol Shin,Myung Ho Kim,Kang Ho Jeong,Young Seul Lim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349477A1. Автор: Jae-Joon Kim,Munhyeon Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for a switch transistor driver

Номер патента: US09793890B2. Автор: Uwe Kirchner,Karl Norling,Harald Christian Koffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Solid-state imaging element, imaging device, and method of controlling solid-state imaging element for correcting a potential of an input node of a differential amplifier

Номер патента: US12041369B2. Автор: Satoshi Azuhata. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Solid-state imaging device and method of driving the same

Номер патента: US8259204B2. Автор: Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Output circuit, system including output circuit, and method of controlling output circuit

Номер патента: US20120206186A1. Автор: HIROSHI Miyazaki,Kenichi Konishi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Organic light emitting diode display and method of driving the same

Номер патента: US09491829B2. Автор: Sang Hyeon Kwak,Juhn Suk Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure of SRAM having asymmetric silicide layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040014277A1. Автор: Byung-Ho Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

System and method of producing direct audio from a power supply

Номер патента: EP1269624A4. Автор: Manuel D Rodriguez. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2004-10-06.

System and method of producing direct audio from a power supply

Номер патента: EP1269624A2. Автор: Manuel D. Rodriguez. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240357840A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flipped gate current reference and method of using

Номер патента: US09590504B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Display panel and method of manufacturing display panel

Номер патента: US20240237441A9. Автор: Jonghee PARK,Chung Sock Choi,Hyewon Kim,Sunho Kim,Juchan Park,SungJin Hong,Pilsuk Lee,Yoomin KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Organic light-emitting diode display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260419A1. Автор: Ho-Jin Kim,Ji-Yeon Park,Bong-Choon Kwak. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US12075636B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Apparatus and method in apparatus

Номер патента: US09762190B2. Автор: Lei Li. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US8723165B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-05-13.

Circuits and methods for reducing kickback noise in a comparator

Номер патента: US12047075B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Chin-Ho Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Control circuit and method for controlling a multiphase motor

Номер патента: US20150311834A1. Автор: Viktor Petri,Heiko GRIMM,Sandro Purfuerst. Владелец: Drivexpert GmbH. Дата публикации: 2015-10-29.

Vertical electro-optical component and method of fabricating the same

Номер патента: US20120235120A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Yu-Chiang Chao,Hsiao-Wen Zan,Wu-Wei Tsai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-09-20.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: US20090290437A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-26.

Circuit for and an electronic device including a nonvolatile memory cell and a process of forming the electronic device

Номер патента: WO2009142824A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-11-26.

Charge pumps, logic circuits including charge pumps, logic devices including logic circuits, and methods of operating logic circuits

Номер патента: US20240275385A1. Автор: Santosh Sharma,Mei Yu Soh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Charge pumps, logic circuits including charge pumps, logic devices including logic circuits, and methods of operating logic circuits

Номер патента: EP4415266A1. Автор: Santosh Sharma,Mei Yu Soh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

DA converter, solid-state imaging device, driving method of solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09681080B2. Автор: Yusuke Oike,Yuri Kato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of driving semiconductor device

Номер патента: US09503087B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Control circuit and method for controlling a multiphase motor

Номер патента: US09490730B2. Автор: Viktor Petri,Heiko GRIMM,Sandro Purfuerst. Владелец: Driveexpert GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Current Mirror Circuit and Driving Method of the Current Mirror Circuit

Номер патента: US20180364751A1. Автор: Tangxiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Methods of forming transistors having raised extension regions

Номер патента: US11756624B2. Автор: Haitao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Display device and method of making display device

Номер патента: US20090256474A1. Автор: Dong-Won Lee,Jung-Soo Rhee,Joon-Chul Goh,Song-Mi Hong,Jianpu Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor

Номер патента: US12100238B2. Автор: Toru Sakai,Michael Cowin,Henricus Derckx,Wilhelmus Van Lier. Владелец: Touch Biometrix Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatuses and methods for a voltage level shifting

Номер патента: US20120001672A1. Автор: Jeffrey G. Barrow. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Pull up and pulldown stabiliser circuits and methods for gate drivers

Номер патента: US20230299765A1. Автор: Pascal Kamel Abouda,Badr GUENDOUZ,Nicolas Roger Michel Claude BAPTISTAT. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Variable gain low noise amplifier and method for controlling gain of variable gain low noise amplifier

Номер патента: US20230318556A1. Автор: Li Gao,Zhiming Deng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Pull up and pulldown stabiliser circuits and methods for gate drivers

Номер патента: US12081205B2. Автор: Pascal Kamel Abouda,Badr GUENDOUZ,Nicolas Roger Michel Claude BAPTISTAT. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel, method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240331609A1. Автор: Haigang Qing,Yunsheng Xiao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatuses and methods for reducing off state leakage currents

Номер патента: US09893723B1. Автор: Pierguido Garofalo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method for signal amplification using a resistance network

Номер патента: US09806687B2. Автор: Richard Gaggl,Benno Muehlbacher,Luca Valli. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240224721A1. Автор: Jongbum CHOI,Jaehyun Lee,Seulki Kim,Seungrae Kim,Yeeun KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240237420A9. Автор: Chung Sock Choi,Hyewon Kim,Sunho Kim,Juchan Park,SungJin Hong,Pilsuk Lee,Yoomin KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Gain equalizer and method for controlling tunable gain of gain equalizer

Номер патента: US20230412136A1. Автор: Li Gao,Qian Zhong,Zhiming Deng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200265893A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of fabricating organic fets

Номер патента: WO2007022130A2. Автор: Klaus Dimmler,Robert R. Rotzoll. Владелец: Organicid, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

Gain equalizer and method for controlling tunable gain of gain equalizer

Номер патента: EP4293903A1. Автор: Li Gao,Qian Zhong,Zhiming Deng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Low-Phase-Shift Variable-Gain Amplifier and Method for Processing Radio Frequency Signal

Номер патента: US20240322772A1. Автор: Yi Liu,Yong Wang. Владелец: Sanechips Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12127443B2. Автор: Gun Hee Kim,Sung Jin Hong,Tae Hoon Yang,Joo Hee Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches

Номер патента: US09887695B2. Автор: Tae Youn Kim,Dylan J. Kelly,Alexander Dribinsky,Christopher N. Brindle. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for controlling common mode voltage via replica circuit and feedback control

Номер патента: US09647618B1. Автор: Xiaobin Yuan,Joseph Natonio,Mangal Prasad,Todd Morgan Rasmus. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device using comparator in analog-to-digital converter

Номер патента: US09549138B2. Автор: Daisuke Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Liquid discharging apparatus, head unit, capacitive load driving circuit, and control method of capacitive load driving circuit

Номер патента: US09475284B2. Автор: Takafumi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US20120199836A1. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8742409B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Thin film transistor and method for producing the same

Номер патента: US8253133B2. Автор: Nobuhide Yoneya,Mao Katsuhara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-28.

Mixer circuits and methods with improved spectral purity

Номер патента: US20060234665A1. Автор: Masoud Djafari,Rahim Bagheri. Владелец: WiLinx Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Circuit comprising a current mirror circuit and method for operating a circuit

Номер патента: US20240250640A1. Автор: Luigi Grimaldi,Dmytro Cherniak,Fabio Padovan,Giovanni Boi,Saleh Karman. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Circuits and methods to minimize thermally generated offset voltages

Номер патента: US7948297B1. Автор: Albert E. Cosand. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2011-05-24.

Rectifier circuit, apparatus and method

Номер патента: EP4422058A1. Автор: JIA Jia,Jingjing Huang,Zihan WU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Switch-mode power converters with demagnetization detection and methods thereof

Номер патента: US20240322695A1. Автор: YUAN LIN,QIAN Fang,Yun Sun,Xiuhong Zhang,Tuofu Liu. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for real-time inductor current simulation for a switching converter

Номер патента: US09966855B2. Автор: Scott E. Ragona,Rengang Chen,David Jauregui. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic control circuit comprising power transistors and method for monitoring the service life of the power transistors

Номер патента: US09529038B2. Автор: Martin Burkert,Günter Haas,Helmut Lipp. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-12-27.

Circuit and method for detection and compensation of transistor mismatch

Номер патента: US09425795B2. Автор: Tobias Gemmeke,Maryam Ashouei. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-08-23.

Amplifier and method for controlling common mode voltage of the same

Номер патента: US20230246613A1. Автор: Shih-Hsiung Huang,Wei-Cian Hong. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20230298650A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Pixel arrangement with two transfer transistors and method for operating the pixel arrangement

Номер патента: WO2024158634A1. Автор: Denver Lloyd. Владелец: ams Sensors USA Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Apparatus and methods for voltage comparison

Номер патента: US20140176356A1. Автор: Hongxing Li. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Amplifier and method for controlling the same

Номер патента: US20240356505A1. Автор: Shih-Hsiung Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Switch-mode power converters in discontinuous conduction mode and methods thereof

Номер патента: US20240333164A1. Автор: QIAN Fang,Xiuhong Zhang,Tuofu Lin. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for improving total harmonic distortion of an amplifier

Номер патента: US09985589B2. Автор: Steven G. Brantley,Srinivas K. Pulijala,Bharath K. VASAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Amplifier and method of operating same

Номер патента: US09917555B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Jun-De JIN,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US09423707B2. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Circuit arrangement and method of forming the same

Номер патента: US9030865B2. Автор: Fei Li,Kit Ho Melvin CHOW. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2015-05-12.

Liquid crystal display panel, liquid crystal display, photodetector and method of regulating illumination

Номер патента: RU2444771C2. Автор: Чих-Чианг ЧЕН. Владелец: Асер Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-03-10.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Liquid crystal display panel and method for driving the same

Номер патента: US09448434B2. Автор: XIANG Liu,Jianshe XUE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

System and method for automatic generation of standard cells using satisfiability modulo theory solver

Номер патента: EP4264477A1. Автор: Osvaldo MARTINELLO,Guilherme SCHLINKER,Marcos BACKES. Владелец: Silvaco Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

System and method for automatic generation of standard cells using satisfiability modulo theory solver

Номер патента: WO2022132937A1. Автор: Osvaldo MARTINELLO,Guilherme SCHLINKER,Marcos BACKES. Владелец: Silvaco, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Pixel circuit, organic light emitting display device, and method of driving the pixel circuit

Номер патента: US9165500B2. Автор: Yong-sung Park,Chul-Kyu Kang,Seong-Il Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Pixel, display device, and method of driving display device

Номер патента: US12112705B2. Автор: Doo-Na KIM,Taewook Kang,Hanbit Kim,Jaehwan Chu,Sangsub KIM,Yunjung OH,Dokyeong Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of adequate measurement of s-parameters of transistors on the imitator-analyzer of amplifiers and shf active oscillator

Номер патента: RU2652650C1. Автор: Сергей Викторович Савелькаев,Светлана Владимировна Ромасько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий". Дата публикации: 2018-04-28.

Flipped gate voltage reference and method of using

Номер патента: US12038773B2. Автор: Alex Kalnitsky,Mohammad Al-Shyoukh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20230282277A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Delamination tracking systems and methods

Номер патента: US20190206039A1. Автор: Thomas J. Cummings,Joseph D. Cipollina. Владелец: BAE Systems Controls Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Scan circuit, display apparatus, and method of operating scan circuit

Номер патента: US20240265875A1. Автор: Zhiqiang Xu,Weixing Liu,Wanpeng TENG,Chunfang Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light-emitting display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20160148572A1. Автор: NAOAKI Komiya,Youngwook Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Display device and method of driving display device

Номер патента: US09786220B2. Автор: Il-Nam Kim,Jong-In Baek,Byeong-Hee Won,Min-Gyeong JO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device and method of controlling the same

Номер патента: US09454932B2. Автор: Hitoshi Tsuge,Shinya Ono,Kouhei EBISUNO,Arinobu Kanegae. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Shift Register and Method of Driving the Same, Scan Driving Circuit and Display Device

Номер патента: US20240203360A1. Автор: Haigang Qing,Yunsheng Xiao,Quanyong GU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Display device, electronic device, and method of driving display device

Номер патента: US20100118014A1. Автор: Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Display device, electronic device, and method of driving display device

Номер патента: US20120133633A1. Автор: Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Pixel circuit and display device and method of driving same

Номер патента: US12067938B2. Автор: Liang Sun,Mian Zeng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electro-optical device, electronic device and method of driving electro-optical device

Номер патента: US12080235B2. Автор: Takehiko Kubota,Hitoshi Ota. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display device, electronic device, and method of driving display device

Номер патента: US20140028737A1. Автор: Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Display device, electronic device, and method of driving display device

Номер патента: US8648846B2. Автор: Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Multiply accumulate modules and parallel multipliers and methods of designing multiply accumulate modules and parallel multipliers

Номер патента: US20020116433A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Akihiro Takegama,Kaoru Awaka,Shigetoshi Muramatsu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Plasma display device, apparatus for driving the same, and method of driving the same

Номер патента: US20080088531A1. Автор: Sung-Soo Hong,Hak-cheol Yang,Joon-Yeon Kim,Hyun-Gu Heo,Chung-Wook Roh,Yon-Goo Park,Jong-Ki Choi,Yong-Jin Jeong,Sang-Kyoo Han,Suk-Chin Sakong,Won-Seok Nam. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Display apparatus and method of driving pixel

Номер патента: US20240321208A1. Автор: Jaehoon Lee,Joosun Yoon,Byunghyuk SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanobody functionalized electrochemical transistors and methods of making and using thereof

Номер патента: US20240280570A1. Автор: Sahika Inal,Anil Koklu,Stefan T. Arold,Raik Grunberg,Shofarul Wustoni,Keying Guo. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2024-08-22.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20080186775A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20100135084A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US8174900B2. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Pixel, organic light emitting display device including pixel, and method of driving organic light emitting display device

Номер патента: US09966001B2. Автор: Myung Ho Lee,Jong Soo Kim,Bon Seog GU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US20230402008A1. Автор: Dong-Hoon Lee,Jangmi KANG,Byungchang Yu,Myunghoon PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200090742A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Shingo Yanagawa,Ryo Sekiguchi,Eriko AKAIHATA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and method of operating a display device

Номер патента: US20240233619A9. Автор: Marc Philippens,Igor Stanke,Julia Stolz. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Nonvolatile memory device and method of programming/reading the same

Номер патента: US20060152977A1. Автор: Seok Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-13.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US09812062B2. Автор: Hyungryul KANG,Cheolmin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Organic light-emitting display device and method of driving the same

Номер патента: US09685118B2. Автор: Young Jin Cho,Young In Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US20240257752A1. Автор: Min-Seok Bae,Byung Ki Chun,Changbin Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Low power circuits for active matrix emissive displays and methods of operating the same

Номер патента: EP1743313A2. Автор: W. Edward Naugler, Jr.. Владелец: Nuelight Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Magnetic random access memory (MRAM) and method of operation

Номер патента: US09520173B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd,Frank K. Baker, Jr.,Bruce L. Morton. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of driving a transistor, a driving element using the same, and a display panel and a display apparatus having the driving element

Номер патента: US7760172B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Beohm-Rock Choi,In-Su Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-20.

Power switching transistor and method of manufacture for a fluid ejection device

Номер патента: US20030202023A1. Автор: George Corrigan,Stanley Wang,Tim Koch. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-10-30.

Pixel driving method of a display panel and display panel thereof

Номер патента: US09779656B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Chih-Cheng Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-03.

Pixel circuit, display device including the same and driving method of the display device

Номер патента: US09633599B2. Автор: Noboru Noguchi,Noritaka Kishi,Masanori Ohara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device, pixel circuit, electronic apparatus, and method of driving display device

Номер патента: US09552764B2. Автор: Junichi Yamashita,Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US20220180813A1. Автор: Dong Gyu Lee,Ji Hye Kim,Jae Hyeon Jeon,Jin Wook Yang,Young Ha SOHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of detecting transistors mismatch in a sram cell

Номер патента: US20150029783A1. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of detecting transistors mismatch in a SRAM cell

Номер патента: US9058902B2. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US12073767B2. Автор: Seung Ho Park,Chang Hun Kim,Sang Myeon Han,Seok Gyu BAN,Byoung Kwan AN,Joon Hyeok JEON,Nam Jae LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Array substrate, display panel, and method of controlling display panel

Номер патента: US20200209663A1. Автор: Wei Cheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Biometric skin contact sensor and methods of operating a biometric skin contact sensor

Номер патента: US12125307B2. Автор: Toru Sakai,Michael Cowin,Henricus Derckx,Wilhelmus Van Lier. Владелец: Touch Biometrix Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Pixel circuit of active matrix organic light emitting diode, driving method of the same, and display apparatus

Номер патента: US09424780B2. Автор: YING Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Circuits and methods for determining the temperature of a transistor

Номер патента: US09335223B2. Автор: Paul Kimelman,Krishnaswamy Nagaraj,Steve Vu,Mikel K. Ash. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Pixel circuit and method for driving pixel circut

Номер патента: US20200111414A1. Автор: Yuanyuan HAN,Long Wang,Xiaozhao ZHU,Chaogan CAO,Man-keung FUNG,Liangsheng LIAO. Владелец: Jiangsu Jicui Institute of Organic Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Electro-optical device, method of measuring characteristics of electro-optical device, and semiconductor chip

Номер патента: US09741276B2. Автор: Akimasa Maruo,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid ejecting apparatus, head unit, and method of controlling liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09656461B2. Автор: Akira Abe,Hiroshi Sugita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09625753B2. Автор: Jung Wook Lee,Koichi Sugitani,Min Su Kim,Hoon Kang,Seon-Il Kim,Hee-Keun Lee,Yeun Tae KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09443596B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Liquid crystal display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09429796B2. Автор: Nak Cho CHOI,Tae Gyun Kim,Woo Yong Sung,Si Kwang Kim,Tae Woon CHA,Sang Gun Choi,Hyoung Sub LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor-based particle detection systems and methods

Номер патента: US20130187200A1. Автор: Ankit Jain,Muhammad Ashraful Alam,Pradeep R. Nair. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Organic light emitting diode display device including compensating unit and method driving the same

Номер патента: GB2614393A. Автор: Lee Min-Jic,HAN Ye-Seul,Jo Jeong-Ok,Choi Kwang-Hyun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use

Номер патента: US12091771B2. Автор: Mark P. D'Evelyn,Drew W. CARDWELL. Владелец: SLT Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for integrated circuit layout

Номер патента: US12131108B2. Автор: Kenan Yu,Qingwen Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

AMOLED pixel driving circuit and method for compensating nonuniform brightness

Номер патента: US09875688B2. Автор: Baixiang Han. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09733520B2. Автор: Il-Gon Kim,Mee-Hye Jung,Se-Hyoung Cho,Sang-Hyeon SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09671633B2. Автор: Dae Ho Lee,Hee Keun Lee,Seong Gyu KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Display device and driving method of the display device

Номер патента: US20210065619A1. Автор: Ji Hye Kim,Jin-Wook Yang,Jae-Hyeon JEON,Yu-chol KIM,Young Ha SOHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Display apparatus and method for driving the same

Номер патента: US11756483B2. Автор: Xingyao Zhou,Yana GAO. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of driving electro-optic device and electro-optic device in which light emitting elements emit light concurrently in a period during one frame

Номер патента: US9236001B2. Автор: NAOAKI Komiya,Takeshi Okuno,Ryo Ishii,Hirofumi Katsuse. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Organic light emitting diode display device including compensating unit and method driving the same

Номер патента: US11749197B2. Автор: Jeong-Hwan Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of driving display panel, driving circuit, and display unit

Номер патента: US20200027395A1. Автор: Hiroaki Ishii,Atsushi Hyodo,Teppei Isobe. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Pixel, organic light emitting display device including the pixel, and method of driving the pixel

Номер патента: US09858863B2. Автор: Tae Jin Kim,Myung Ho Lee,Hui Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Display device and method for driving same

Номер патента: US20240233633A1. Автор: Ryo Yonebayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit and method for driving AMOLED pixel to reduce residual images

Номер патента: US10223976B2. Автор: Limin Wang,Tai Jiun Hwang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-05.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuit and method for driving amoled pixel

Номер патента: US20180218689A1. Автор: Limin Wang,Tai Jiun Hwang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Bandgap reference circuit and method for producing the circuit

Номер патента: US8305069B2. Автор: Leon C. M. Van Den Oever,Jeroen Bouwman. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2012-11-06.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US20020003739A1. Автор: Baher Haroun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Pixel unit circuit, method of driving the same, pixel circuit and display device

Номер патента: US20200105196A1. Автор: MINGHUA XUAN,Xiaochuan Chen,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

System and method for storing data in read-only memory

Номер патента: US6418047B2. Автор: Baher S. Haroun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-09.

System and method for generating cascode current source bias voltage

Номер патента: US20150160679A1. Автор: Nasrin Jaffari. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

The preparation method of MOS transistor and the preparation method of semiconductor devices

Номер патента: CN104900522B. Автор: 何永根. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-03.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Prevention of Open Loop Damage During or Immediately After Manufacturing

Номер патента: US20120000515A1. Автор: Kikinis Dan,Hadar Ron,Arditi Shmuel. Владелец: TIGO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002128A1. Автор: NAKAGAWA Hidetoshi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making selective gas pickup on basis of system of oscillating carbon nano-pipes

Номер патента: RU2314252C1. Автор: Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РПСЛ". Дата публикации: 2008-01-10.

SYSTEM AND METHOD FOR INPUT PIN ESD PROTECTION WITH FLOATING AND/OR BIASED POLYSILICON REGIONS

Номер патента: US20120001261A1. Автор: Su Ting Chieh,Jeng Min Chie,Liao Chin Chang,Huang Jun Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of output voltage control in multi-cell frequency converter

Номер патента: RU2331151C1. Автор: Святослав Константинович Земан,Александр Владимирович Осипов,Св тослав Константинович Земан. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Магнит". Дата публикации: 2008-08-10.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR TREATING LYMPHOMA

Номер патента: US20120003297A1. Автор: Goldie James H.,SARRIS Andreas,CABANILLAS Fernando,LOGAN Patricia M.,BURGE Clive T.R.,WEBB Murray S.. Владелец: Talon Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADATION RESISTANT IMPLANTABLE MATERIALS AND METHODS

Номер патента: US20120004722A1. Автор: . Владелец: ALLERGAN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Pipeline Weighting Device and Method

Номер патента: US20120003049A1. Автор: Sprague Ian,McKay Charles Frederick. Владелец: CRC-EVANS CANADA LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBE/SIRNA COMPLEXES AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003278A1. Автор: . Владелец: ENSYSCE BIOSCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURGICAL ACCESS APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120004510A1. Автор: Brustad John R.,Hilal Nabil,Ewers Richard C.,Pingleton Edward D.,Dulak Gary R.,Adlparvar Payam,Bowes Robert R.. Владелец: APPLIED MEDICAL RESOURCES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR CONTROLLING BLOOD GLUCOSE LEVELS

Номер патента: US20120003339A1. Автор: MINACAPELLI Pompeo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Means and Methods for Rapid Droplet, Aerosols and Swab Infection Analysis

Номер патента: US20120002199A1. Автор: Ben-David Moshe,Eruv Tomer,Gannot Gallya. Владелец: OPTICUL DIAGNOSTICS LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.