System and method of varying gate lengths of multiple cores
Номер патента: US09461040B2
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Chock Hing Gan, Ming Cai, PR Chidambaram, Samit Sengupta
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Chock Hing Gan, Ming Cai, PR Chidambaram, Samit Sengupta
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating transistor with short gate length by two-step photolithography
Номер патента: US11367615B2. Автор: YI Chang,Yueh-Chin Lin,Po-Sheng Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-06-21.