Integrated circuit, system and method of forming the same
Номер патента: US20240276696A1
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): Kao-Cheng LIN, Wei Min Chan, Yen Lin CHUNG CHUNG, Yen-Huei Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-08-2024
Автор(ы): Kao-Cheng LIN, Wei Min Chan, Yen Lin CHUNG CHUNG, Yen-Huei Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
System for designing integrated circuit using extracted model parameter and method of manufacturing integrated circuit using the same
Номер патента: US20200004911A1. Автор: Yo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.