Manufacturing method of semiconductor device, processing method of semiconductor wafer, semiconductor wafer
Номер патента: US8883613B2
Опубликовано: 11-11-2014
Автор(ы): Tamotsu Owada
Принадлежит: Fujitsu Semiconductor Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-11-2014
Автор(ы): Tamotsu Owada
Принадлежит: Fujitsu Semiconductor Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly
Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.