Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device package comprising side walls connected with contact pads of a semiconductor die

Semiconductor device package comprising side walls connected with contact pads of a semiconductor die

Номер патента: US11978693B2
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Andreas Riegler, Petteri Palm, Ralf Otremba, Ulrich FROEHLER
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device and Method of Forming Ultra Thin Multi-Die Face-to-Face WLCSP

Номер патента: US20170309572A1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,Junwoo Myung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and method of forming ultra thin multi-die face-to-face WLCSP

Номер патента: US09735113B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,Junwoo Myung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7477523B2. Автор: Daisuke Tsuji. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming a wafer level package with RDL interconnection over encapsulant between bump and semiconductor die

Номер патента: US7888181B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor device with thin redistribution layers

Номер патента: US09818708B2. Автор: Dong Hoon Lee,Do Hyung Kim,Seung Chul Han. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Microelectronics device package and methods

Номер патента: US20230411262A1. Автор: Jose Carlos Arroyo,Jonathan Noquil,Osvaldo Lopez,Guangxu Li,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for Fabricating a Semiconductor Flip-Chip Package

Номер патента: US20200388561A1. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Pressel,Irmgard Escher-Poeppel,Bernd Rakow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor package including a circuit substrate having a cavity and a floor plate embedded in a dielectric material and a semiconductor die disposed in the cavity

Номер патента: US11908764B2. Автор: Shin-puu Jeng,Te-Chi Wong,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device package with thermal pad

Номер патента: US20240347441A1. Автор: Ming Li,Makoto Yoshino,Anindya Poddar,Hau Nguyen,Ashok Surendra Prabhu,Edgar Dorotyao Balidoy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Packaged semiconductor devices and methods of packaging thereof

Номер патента: US10269693B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Thin multiple semiconductor die package

Номер патента: US20060231937A1. Автор: Daniel Lau,Frank Juskey. Владелец: Core Networks LLC. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device comprising a can housing a semiconductor die which is embedded by an encapsulant

Номер патента: US11817418B2. Автор: Wei Lee Lim,Run Hong Toh,Peng Liang Yeap. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20190348394A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods for fabricating 3d semiconductor device packages, resulting packages and systems incorporating such packages

Номер патента: US20200266173A1. Автор: Eiichi Nakano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20170005070A1. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Electrical interconnect structure for an embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09653438B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US09627353B2. Автор: David Jon Hiner,Doo Hyun Park,Michael G. Kelly,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Ronald Huemoeller. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09991247B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09558966B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chien-Fu Tseng,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20110260301A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hsien Liao,Chih-Pin Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die on a Fan-Out WLCSP

Номер патента: US20150001709A1. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device package and methods of formation

Номер патента: US20240038682A1. Автор: Jun He,Chun-Jen Chen,Ming-Feng Wu,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Yung-Sheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154905A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09941146B2. Автор: Sukianto Rusli. Владелец: Chip Solutions LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230230856A1. Автор: JiSik MOON,YoungSang KIM,Jieun KWON. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230124778A1. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Packaged semiconductor devices, methods of packaging semiconductor devices, and PoP devices

Номер патента: US9355973B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20160276278A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Packaged semiconductor devices, methods of packaging semiconductor devices, and PoP devices

Номер патента: US9570401B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240136256A1. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: EP4358132A3. Автор: Sam Lai,Zhan-ying GUO,Yi-Tien Liao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device with thermal dissipation and method therefor

Номер патента: US20240234258A9. Автор: Sam Lai,Yi-Tien Liao,Frank.zy Guo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09786515B1. Автор: Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343649A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230114278A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Additive Manufacturing of a Frontside or Backside Interconnect of a Semiconductor Die

Номер патента: US20210225798A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Edward Fuergut,Irmgard Escher-Poeppel,Ivan Nikitin,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091144A1. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor die package

Номер патента: US20230282608A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Edward Fürgut,Irmgard Escher-Poeppel,Ivan Nikitin,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US9070659B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130725A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162485A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255369A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09905499B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09613883B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180068869A1. Автор: Yasuhiro Taguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Microelectronic device package with integrated antenna

Номер патента: US20240258683A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261880A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device packages with high angle wire bonding and non-gold bond wires

Номер патента: US11848297B2. Автор: Sheng-Wen Huang,Hung-Yu Chou,Chien-Chang LI,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Bo-Hsun PAN,Shawn Martin O'Connor,Zi-Xian Zhan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device, production method therefor, and automobile

Номер патента: US20200266117A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Номер патента: US11955415B2. Автор: Thorsten Meyer,Frank Singer,Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of forming a semiconductor device package with warpage control

Номер патента: US20240379640A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure for encapsulated die having pre-applied protective layer

Номер патента: US09559029B2. Автор: Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor Device Package Thermally Coupled to Passive Element

Номер патента: US20230369160A1. Автор: Angela Kessler,Eung San Cho,Marcel Rene Mueller,Kushal Kshirsagar,Wenkang Huang,Arun Kumar Gnanappa,Stephen Pullen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating a semiconductor device package comprising a pin in the form of a drilling screw

Номер патента: US20240186225A1. Автор: Thorsten Meyer,Frank Singer,Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220102292A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device packages and methods

Номер патента: US09935038B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Mirng-Ji Lii,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device assembly and method therefor

Номер патента: US12027485B2. Автор: Jinbang Tang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device assembly and method therefor

Номер патента: US20220149000A1. Автор: Jinbang Tang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and method to minimize stress on stack via

Номер патента: US12080600B2. Автор: Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210166993A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device packages with improved thermal management and related methods

Номер патента: US09899293B2. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200194327A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chi-Tsung Chiu,Cheng-Hsi CHUANG,Hui-Ying HSIEH,Hui Hua LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US12002739B2. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device with cavity carrier and method therefor

Номер патента: US20240234222A9. Автор: Zhiwei Gong,Kuan-Hsiang Mao,Neil Thomas Tracht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device package mold flow control system and method

Номер патента: US12062625B2. Автор: Hua Tan,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Kent Yang,Rosy Zhao,Yuequan Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US20190229050A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US20200365504A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US9287229B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Dongjin Kim,Jinyoung Kim,Jinhan Kim,SungKyu Kim,Yoonjoo Kim,JongSik Paek,SeWoong Cha,JaeHun Bae,DooHyun Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230386980A1. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09704739B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

EMI/RFI shielding for semiconductor device packages

Номер патента: US09673150B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device package with exposed bond wires

Номер патента: US11942459B2. Автор: Hua Tan,Cong Zhang,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Elley Zhang,Rosy Zhao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Stackable semiconductor device packages

Номер патента: US20120049338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Fa-Hao WU,Chi-Chih Shen,Wen-Hsiung Chang,Jen-Chuan Chen,Chi-Chih Chu,Cheng-Yi Weng,Hui-Shan Chang,Ya-Wen Hsu,Pei-Yu Hsu,Chen-Yu CHIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09953931B1. Автор: Wei-Hsuan Lee,Yu-Chih Lee,Chih Sheng Yao,Huan Wun Li. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor TSV device package to which other semiconductor device package can be later attached

Номер патента: US09818653B2. Автор: Richard Stephen Graf,David Justin West. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of making wafer level chip scale package

Номер патента: US09673093B2. Автор: Chien Chen Lee,Baw-Ching Perng,Ming-Che Hsieh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of forming inverted pyramid cavity semiconductor package

Номер патента: US09601461B2. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074118B2. Автор: Chun Chen CHEN,Chia Hsiu Huang,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor TSV device package to which other semiconductor device package can be later attached

Номер патента: US09721852B2. Автор: Richard Stephen Graf,David Justin West. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Package substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20240071880A1. Автор: Chin Hui Chong,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Method of Using Partial Wafer Singulation for Improved Wafer Level Embedded System in Package

Номер патента: US20140264817A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,SangMi Park,KyoungIl Huh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Discrete semiconductor device package

Номер патента: WO2024196575A1. Автор: Xiaoying Yuan,Jie Chang,KeunHyuk Lee. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Thin semiconductor device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20160284628A1. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding apparatus

Номер патента: EP3832702A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-09.

Thin semiconductor device packages

Номер патента: US09685398B2. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Wire bonded semiconductor device package

Номер патента: US20240258215A1. Автор: Huo Yun Duan,Tiange Xie,Mei Jiao,Zi Qi Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package with vertically stacked passive component

Номер патента: US20240258288A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package having thermal dissipation feature and method therefor

Номер патента: EP4084059A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20240178007A1. Автор: Marco ROVITTO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Molded packaging for wide band gap semiconductor devices

Номер патента: US12087677B2. Автор: Jerome Teysseyre,Romel N Manatad,Bigildis Dosdos,Erwin Ian Vamenta ALMAGRO,Maria Clemens Ypil QUINONES. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of assembling semiconductor devices of varying thicknesses

Номер патента: US09812339B1. Автор: Pitak Seantumpol,Pimpa Boonyatee,Paradee Jitrungruang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device packaging leadframe assembly and method therefor

Номер патента: US20220359350A1. Автор: Yeou Chian Chang,Chao Hui Huang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device package for press fit assembly

Номер патента: US20240332141A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim,Woochan Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming base leads from base substrate as standoff for stacking semiconductor die

Номер патента: US09589910B2. Автор: Dioscoro A. Merilo,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device package for debugging and related fabrication methods

Номер патента: US20160372405A1. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas R. Pachl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-22.

A semiconductor transistor package comprising electrical contact layers and a method for fabricating the same

Номер патента: EP4415031A1. Автор: Thorsten Meyer,Wolfgang Scholz,Edward Fuergut,Alexander Roth,Frank Zudock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device package with cap element

Номер патента: US20140357023A1. Автор: Junhua Luo,Baoguan Yin,Deguo Sun. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-12-04.

Methods of forming semiconductor device packages having alignment marks on a carrier substrate

Номер патента: US12020997B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Hui-Wen Liu,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor die with stepped side surface

Номер патента: US12062596B2. Автор: Bob Lee,Chien Hao WANG,Rongwei Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device including antistatic die attach material

Номер патента: US09741677B1. Автор: Volker Strutz,Franz-Peter Kalz,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: US20240178111A1. Автор: Scott M. Hayes,Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with attached battery and method therefor

Номер патента: EP4379796A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Scott M Hayes,Chayathorn Saklang,Namrata KANTH. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Flip chip semiconductor device package

Номер патента: US20240339384A1. Автор: Ymarson Algamas Bangaga,Patricio V. Ancheta, Jr.,Rachel F. Dulatre. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US20190326202A1. Автор: Stephen St. Germain,Roger M. Arbuthnot. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230378032A1. Автор: Takehiko Maeda,Masatoshi Sugiura,Yoshitaka Kyougoku,Keita Takada,Kosuke KITAICHI,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Tie bar removal for semiconductor device packaging

Номер патента: US20210202267A1. Автор: Zhiwei Gong,Richard Te GAN,Burton Jesse CARPENTER,Jinmei Liu,Rushik Prabhudas Tank. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20170117198A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11343915B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20200367361A1. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033970B2. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Hun Bae,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Seok Geun Ahn,Young Rae Kim,Min Yoo,Ah Ra Jo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device packages and stacked package assemblies including high density interconnections

Номер патента: US20190206684A1. Автор: Chen-Chao Wang,John Richard Hunt,Chih-Pin Hung,William T. Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method comprising redistribution layers

Номер патента: US09576919B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275005A1. Автор: Shogo Tokumaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US11990350B2. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112804A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device packages

Номер патента: US09653407B2. Автор: Cheng-Nan Lin,Shih-Ren CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for fabricating flip-attached an underfilled semiconductor devices

Номер патента: US20060214314A1. Автор: Masazumi Amagai,Masako Watanabe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for wafer-level semiconductor die attachment

Номер патента: WO2019073304A1. Автор: Yee Loy Lam. Владелец: Denselight Semiconductors Pte. Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230207427A1. Автор: Hideaki Takahashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Preparation method of a thin power device

Номер патента: US09854686B2. Автор: Ping Huang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yuping Gong,Yan Xun Xue,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Power semiconductor device package and method of assembling thereof

Номер патента: EP3944305A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Contact pads for silicon chip packages

Номер патента: US20090302453A1. Автор: Ashur S. Bet-Shliemoun. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device comprising a composite material clip

Номер патента: US10971457B2. Автор: Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US20220173064A1. Автор: Cristina SOMMA,Damian HALICKI,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11756852B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu,Jeng-Nan Hung,Po-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device comprising a composite material clip

Номер патента: US20190333874A1. Автор: Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: KR102525161B1. Автор: 이자연,강운병,허준영,고영권. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

Semiconductor device packages and stacked package assemblies including high density interconnections

Номер патента: US20190206683A1. Автор: Chen-Chao Wang,John Richard Hunt,Chih-Pin Hung,William T. Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Power semiconductor device package

Номер патента: EP4416759A2. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Power semiconductor device package

Номер патента: WO2023061625A3. Автор: Geraldo Nojima. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Heatable interposer for temperature-controlled testing of semiconductor devices

Номер патента: US20180074118A1. Автор: Xu Gao,Marshall Ryan Worrall,David Casimir Garges. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device package with semiconductive thermal pedestal

Номер патента: US12021003B2. Автор: Han GAO,Dwayne Richard Shirley,Roberto Coccioli,Ershad Ali,Shrinath Ramdas. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding semiconductor device and mounting assembly

Номер патента: US20240332033A1. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Device Package with Reduced Radio Frequency Losses

Номер патента: US20190259716A1. Автор: Andreas Wiesbauer,Bernd Goller,Pedro Augusto Borrego Lambin Torres Amaral,Ewa Brox-Napieralska. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device assemblies with conductive underfill dams for grounding EMI shields and methods for making the same

Номер патента: US11887938B2. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device assemblies with conductive underfill dams for grounding emi shields and methods for making the same

Номер патента: US20210391277A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device assemblies with conductive underfill dams for grounding emi shields and methods for making the same

Номер патента: US20220254732A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and method comprising thickened redistribution layers

Номер патента: WO2015138359A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200118965A1. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing a semiconductor device and a resin sealing device therefor

Номер патента: US20030180985A1. Автор: Itaru Matsuo,Yoshiyuki Mishima,Kiyoharu Katou. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079372A1. Автор: Shoichiro Omae,Takanori Kawashima,Tomomi Okumura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device for RF integrated circuit

Номер патента: US11557539B1. Автор: Brian Romanczyk,Matthew Guidry. Владелец: Monde Wireless Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Microelectronic device packages with emi shielding, methods of fabricating and related electronic systems

Номер патента: US20210384159A1. Автор: Jungbae Lee,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Integration structure for connecting a plurality of semiconductor devices, associated methods, assembly and system

Номер патента: US20230170305A1. Автор: Jean Charbonnier,Edouard Deschaseaux,Candice Thomas. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20170117198A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Kim Joung-Yeal,Kwon Dae-Hyun,WOO Mi-Young,YOON Joon-Sun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230009548A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230011041A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of forming duplex plated bump-on-lead pad over substrate for finer pitch between adjacent traces

Номер патента: US09799621B2. Автор: Kyu Won Lee,Soo Won Lee,Eun Jin Jeong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment

Номер патента: US20240250042A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Power overlay package for a semiconductor device

Номер патента: US20240266270A1. Автор: Christopher James Kapusta,Arun Virupaksha Gowda,Robert Dwayne Gossman,Risto Ilkka Sakari Tuominen,Ljubisa D. Stevanovic. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device package

Номер патента: US09991193B2. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kay Stefan ESSIG,Hui Hua LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device package having thermal dissipation feature and method therefor

Номер патента: US11817366B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device package having thermal dissipation feature and method therefor

Номер патента: US20220181230A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Betty Hill-Shan Yeung,Rushik P. Tank,Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Power overlay package for a semiconductor device

Номер патента: EP4428904A1. Автор: Christopher James Kapusta,Arun Virupaksha Gowda,Robert Dwayne Gossman,Ljubisa Stevanovic,Risto Ilkka Sakari Tuominen. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-09-11.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119323B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of forming protection and support structure for conductive interconnect structure

Номер патента: US09484259B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Isolated 3D semiconductor device package with transistors attached to opposing sides of leadframe sharing leads

Номер патента: US12074160B2. Автор: Jerome Teysseyre,KeunHyuk Lee,Tiburcio A. Maldo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

A semiconductor device comprising a leadframe adapted for higher current output or improved placement of additional devices

Номер патента: EP4345890A1. Автор: Stefan Schwab,Julian Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor package having an embedded electrical conductor connected between pins of a semiconductor die and a further device

Номер патента: US20230361009A1. Автор: Teck Sim Lee,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Lee Shuang Wang,Chii Shang Hong,Marta ALOMAR DOMINGUEZ,Marcus Böhm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device package and semiconductor device

Номер патента: US20220005751A1. Автор: Shingo Inoue,Kaname Ebihara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355713A1. Автор: Yushi Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Molded semiconductor device

Номер патента: US5495125A. Автор: Kazuyoshi Uemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Resin-molded semiconductor device having a lead on chip structure

Номер патента: MY119797A. Автор: Asao Nishimura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Akihiko Iwaya. Владелец: Hitachi Ulsi Eng Corp. Дата публикации: 2005-07-29.

Semiconductor device including means for dispersing and absorbing tensile forces acting on film tape

Номер патента: US5554885A. Автор: Nobuaki Hashimoto,Yasuo Yamasaki,Munenori Kurasawa,Norikata Hama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US09972562B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of forming conductive pillar having an expanded base

Номер патента: US09824923B2. Автор: Yung Kuan Hsiao,Dzafir Shariff,Kwong Loon Yam,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Contact pad for semiconductor device

Номер патента: US09691686B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Tsung-Shu Lin,Cheng-chieh Hsieh,Chang-Chia HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Stress-improved flip-chip semiconductor device having half-etched leadframe

Номер патента: WO2008073738A2. Автор: Anthony L. Coyle,Jie-Hua Zhao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410962B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200212000A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230223354A1. Автор: Meng-Jen Wang,wei da Lin,Hung Chen KUO,Wen Jin HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12080678B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068259B2. Автор: Meng-Jen Wang,wei da Lin,Hung Chen KUO,Wen Jin HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: US20180053713A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20150228560A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor die edge protection for semiconductor device assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US12100661B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having bit line structures disposed in trenches

Номер патента: US09666585B2. Автор: Myoung Soo Kim,Jin Ki Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240162150A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258236A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Heat sink apparatus and method for power semiconductor device module

Номер патента: US09730365B2. Автор: Tiziana Bertoncelli,Simon Schoewel,Alvaro Jorge Mari Curbelo. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG181228A1. Автор: Naoya Sugimoto,Shinya Akizuki,Tomoaki Ichikawa,Mitsuaki Fusumada,Tomohito Iwashige,Hiroyuki Hotehama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlling Flip-Chip Techniques for Concurrent Ball Bonds in Semiconductor Devices

Номер патента: US20090269883A1. Автор: Mark A. Gerber,Duy-Loan T. Le,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09679824B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor tsv device package for circuit board connection

Номер патента: US20160035701A1. Автор: Richard S. Graf,David J. West. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device package with open sensor cavity

Номер патента: US20240363466A1. Автор: Jeffrey Salvacion SOLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US20230076573A1. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor Device With Optimized Underfill Flow

Номер патента: US20230299034A1. Автор: Fen YU,Tim Huang,Hope Chiu,Rui YUan,Zengyu Zhou,Yihao Chen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor Device Package with Coupled Substrates

Номер патента: US20240203851A1. Автор: Guru Prasada Rao Amberkar,Mahesh A,Kuruba Anjaneyulu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device package with coupled substrates

Номер патента: WO2024129238A1. Автор: Guru Prasada Rao Amberkar,Mahesh A,Kuruba Anjaneyulu. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device package connector structure and method therefor

Номер патента: EP4105985A1. Автор: Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor device with reinforced integrated circuitry and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019245708A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device packages with angled pillars for decreasing stress

Номер патента: US11721658B2. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Packaged semiconductor devices and methods therefor

Номер патента: US12080601B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Land grid array semiconductor device packages, assemblies including same, and methods of fabrication

Номер патента: WO2007086937A2. Автор: Lee Choon Kuan,David J. Corisis,Chin Hui Chong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-02.

Land grid array semiconductor device packages

Номер патента: US20140342476A1. Автор: Lee Choon Kuan,David J. Corisis,Chin Hui Chong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device assemblies with cross-stack structures, and associated methods

Номер патента: US20240312890A1. Автор: Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device packaging

Номер патента: US09620457B2. Автор: Eva Wagner,Gottfried Beer,Ulrich Wachter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US11984440B2. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and corresponding method

Номер патента: EP4365944A1. Автор: Cristina SOMMA,Damian HALICKI,Auroroa SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-08.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including a suspended reinforcing layer and method of manufacturing same

Номер патента: US12033958B2. Автор: BO Yang,Cong Zhang,Ning Ye,Shenghua Huang,Yangming Liu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having non-circular connectors

Номер патента: US20150371963A1. Автор: Mark A. Gerber,Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US20160172306A1. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with delamination reduction mechanism and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282733A1. Автор: Jungbae Lee,Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of marking a semiconductor package

Номер патента: US09613912B2. Автор: Christopher M. Scanlan. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200402891A1. Автор: Chiang-Lin Shih,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09831214B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

A semiconductor package providing an even current distribution and stray inductance reduction and a semiconductor device module

Номер патента: EP4372810A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20160293564A1. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding ribbon, apparatus and device

Номер патента: US20240250058A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-25.

Embedded die packaging for power semiconductor devices

Номер патента: US20220246503A1. Автор: Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding ribbon, apparatus and device

Номер патента: EP4411814A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor Package Providing an Even Current Distribution and Stray Inductance Reduction and a Semiconductor Device Module

Номер патента: US20240170377A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device package comprising power module and passive elements

Номер патента: US11848296B2. Автор: Han-Chee Yen,Min-Yao CHENG,Ying-Nan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device package comprising power module and passive elements

Номер патента: US20210296278A1. Автор: Han-Chee Yen,Min-Yao CHENG,Ying-Nan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190139921A1. Автор: In Young Lee,Hyun Soo Chung,Ho Geon Song,Nam Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor Die, Heat Spreader, Semiconductor Package, Semiconductor Device, and Methods

Номер патента: US20230197566A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Peter Baumgärtner,Bernd Waidhas,Wolfgang Molzer,Joachim Singer,Michael LANGENBUCH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Stiffener frame for semiconductor device packages

Номер патента: EP4399740A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Giback Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220285330A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor substrate heating device, semiconductor device and temperature control method

Номер патента: US20240213080A1. Автор: YU Han,Xinglong Chen,Yuanbin SUN,Yunhe JIANG. Владелец: Shenyang Kingsemi Co ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203897A1. Автор: Cheng Kai Chang,Zheng Wei WU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device structures for burn-in testing and methods thereof

Номер патента: US20190064257A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410963B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

A semiconductor device including an integrated circuit housed in an array package having signal terminals arranged about centrally located power supply terminals

Номер патента: WO2001086721A2. Автор: Anthony Andric. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US11935848B2. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20170278765A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20200006177A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor devices with through silicon vias and package-level configurability

Номер патента: WO2020005543A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Warren L. Boyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US9785171B2. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor die edge protection for semiconductor device assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240006320A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor die edge protection for semiconductor device assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11776908B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180323168A1. Автор: Masaru Yamada,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Edge-structured leadframe for embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213125A1. Автор: Abhinandan DIXIT. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Power semiconductor module and discrete power semiconductor device having an active temperature sensor die, and corresponding methods of production

Номер патента: US20240243042A1. Автор: Christian SCHWEIKERT,Markus Neubert,Andrey KRAVCHENKO,Tillmann Walther. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Die being Connected with a Clip and a Wire which is Partially Disposed Under the Clip

Номер патента: US20210175200A1. Автор: Mark Pavier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor die being connected with a clip and a wire which is partially disposed under the clip

Номер патента: US12068274B2. Автор: Mark Pavier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20030178712A1. Автор: Yasutoshi Nakazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device assembly and method therefor

Номер патента: US20220108973A1. Автор: Jinbang Tang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Lead frames including inner-digitized bond fingers on bus bars and semiconductor device package including same

Номер патента: US20020109212A1. Автор: David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device package with isolation

Номер патента: US20240258211A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri,Ryan Thorpe,Hank M. Sung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device package with clip interconnect and dual side cooling

Номер патента: US12051635B2. Автор: Maria Cristina Estacio,Elsie Agdon Cabahug,Romel N. Manatad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Power semiconductor device package

Номер патента: US3839660A. Автор: H Stryker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1974-10-01.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Balanced semiconductor device packages including lead frame with floating leads and associated methods

Номер патента: US20080122072A1. Автор: Teck Kheng Lee,Kian Chai Lee,Vanessa Chong Hui Van. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor Device Comprising a Leadframe Adapted for Higher Current Output or Improved Placement of Additional Devices

Номер патента: US20240112993A1. Автор: Stefan Schwab,Julian Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device package having solder-mounted conductive clip on leadframe

Номер патента: US09941193B1. Автор: Gerald Adriano,Lalgudi MG Sundaram. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating a semiconductor device by using different connection methods for the semiconductor die and the clip

Номер патента: US11804424B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Lee Shuang Wang,Jo Ean Joanna Chye,Chii Shang Hong,Wei-Shan Wang,Hui Kin Lit,Ke Yan Tean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240234504A9. Автор: Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Kazuhiro Kawahara,Seiya SUGIMACHI,Okinori Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having a metal clip with a solder volume balancing reservoir

Номер патента: US20230094794A1. Автор: Michael Stadler,Thomas Stoek,Mohd Hasrul Zulkifli. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device having a metal clip with a solder volume balancing reservoir

Номер патента: US11769748B2. Автор: Michael Stadler,Thomas Stoek,Mohd Hasrul Zulkifli. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09887151B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Sato,Ryo Kanda,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20110233738A1. Автор: Takahiro Yurino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Plastic-packaged semiconductor device including a plurality of chips

Номер патента: US20020000672A1. Автор: Ryuichiro Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11908759B2. Автор: Che-Hung KUO,Che-Ya Chou,Nan-Cheng Chen,Hsing-Chih Liu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Clamping device for a semiconductor element

Номер патента: GB1524331A. Автор: . Владелец: Brown Boveri und Cie AG Germany. Дата публикации: 1978-09-13.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20240379617A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device package comprising thermal interface layer and method of fabricating of the same

Номер патента: US20210118771A1. Автор: SunYong Lee,Sarah Eunkyung Kim,Tae Hyeob Im. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Underfill Using Dispensing Needle Having Same Width as Semiconductor Die

Номер патента: US20120061858A1. Автор: Dongsoo Moon,SooMoon Park,ByoungWook Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Mold Underfill Using Dispensing Needle Having Same Width as Semiconductor Die

Номер патента: US20140004659A1. Автор: Dongsoo Moon,SooMoon Park,ByoungWook Jang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Multi-die package comprising unit specific alignment and unit specific routing

Номер патента: US09818659B2. Автор: Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor Devices and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20150123131A1. Автор: Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Krotscheck Ostermann,Peter Maier Brandl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor Devices and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20180012819A1. Автор: Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Krotscheck Ostermann,Peter Maier Brandl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US9799583B2. Автор: Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Krotscheck Ostermann,Peter Maier Brandl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09799583B2. Автор: Andrew Christopher Graeme Wood,Thomas Krotscheck Ostermann,Peter Maier Brandl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Bumpless semiconductor device

Номер патента: US20040217460A1. Автор: Yukio Yamada,Masayuki Nakamura,Hiroyuki Hishinuma. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230105626A1. Автор: Koji Ito,Atsushi Ogasawara,Ryota Murai. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Packaging structure and method of a photosensitive module

Номер патента: US20240021650A1. Автор: Chien-Wei Chang,Ming-Yao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US11990406B2. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of producing a semiconductor device with protruding contacts

Номер патента: WO2015117800A1. Автор: Jochen Kraft,Martin Schrems,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-08-13.

Manufacturing method of a semiconductor device and method for creating a layout thereof

Номер патента: US20240258234A1. Автор: Chikaaki Kodama,Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of producing a semiconductor device with protruding contacts

Номер патента: US20160351515A1. Автор: Jochen Kraft,Martin Schrems,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09837365B2. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4322222A1. Автор: Alessandro Ferrara,Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device including double spacers formed on the side wall of a contact

Номер патента: KR100475118B1. Автор: 진범준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming semiconductor device including deep vias

Номер патента: US20210384121A1. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180145080A1. Автор: Hiroshi Takeda,Jung Hoon Han,Ji Hun Kim,Dong Wan Kim,Jae Joon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200051932A1. Автор: Han Seung Hun,CHO YUN RAE,BAEK NAM GYU,JANG AE NEE. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: KR102378837B1. Автор: 윤준호,김윤희,김윤성,최중호,심현수,배병문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20240055459A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu,Beibei SHENG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411229A1. Автор: Yuko Nakamata,Yuta Tamai,Takamitsu YOSHIHARA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20230326846A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180082872A1. Автор: Yohei Hamaguchi,Sakae Terakado. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Collar positionable about a periphery of a contact pad and around a conductive structure secured to the contact pads, semiconductor device components including same, and methods for fabricating same

Номер патента: US20020105074A1. Автор: Salman Akram,Syed Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method of controlling warpage during LAB

Номер патента: US12074135B2. Автор: KyungOe Kim,Wagno Alves Braganca, JR.. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Flip chip semiconductor device package with mold compound seal

Номер патента: US20230102688A1. Автор: Amit Sureshkumar Nangia,Gregory Thomas Ostrowicki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Fabrication method of semiconductor devices and fabrication system of semiconductor devices

Номер патента: US09711383B2. Автор: Yoko Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device packages having stacked semiconductor dice

Номер патента: US20220199601A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020048961A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device

Номер патента: US8928072B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09741725B2. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20140110756A1. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8030711B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240258099A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of glass deposition for semiconductor device fabrication

Номер патента: EP4415053A1. Автор: Lei He,Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor Device

Номер патента: US20090321832A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akinobu Teramoto. Владелец: Foundation for Advancement of International Science of Tohoku University. Дата публикации: 2009-12-31.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8697583B2. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Oxidation-promoting compositions, methods of forming oxide layers, and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120058647A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eunkee Hong,Kyung-Seok Oh,Deok-Young Jung,Kyung-Mun Byun,Shin-Hye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100006939A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8115255B2. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor device having channel stop regions

Номер патента: US6124623A. Автор: Yutaka Kamata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP2629333A3. Автор: Shoji Yokoi,Naohiro Shimizu. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2014-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887263B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793356B2. Автор: Yong-Kook Park,Byeong-Chan Lee,Bon-young Koo,Jeong-Ho Yoo,Jin-Yeong JOE,Hyun-Ho NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786763B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US5750429A. Автор: Tomoyoshi Kushida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for Manufacturing Planar Thin Packages for Semiconductor Devices and Planar Thin Packages

Номер патента: US20190135618A1. Автор: Indranil BOSE,Christof Landesberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Floating gate semiconductor device

Номер патента: US6646301B2. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080111201A1. Автор: Yong Ho Oh. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09825037B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2650350C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11855135B2. Автор: Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa,Hideaki Yanagida. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6015726A. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130119459A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200006154A1. Автор: I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11824058B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20160099358A1. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Production method for semiconductor structure and production method for semiconductor device

Номер патента: US20180182615A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373072A1. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor devices formed using a sacrificial layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9147745B2. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Tatsuya Naito,Tatsuya Ishida,Takayuki Ito,Kenichi Yoshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device a burried wiring structure and process for fabricating the same

Номер патента: US6395627B1. Автор: Takeshi Nogami,Kazuhiro Hoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-28.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162221A1. Автор: Hiroyoshi Kudou,Hideki Niwayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device fabrication apparatus and semiconductor device fabrication method using the same

Номер патента: US20240071768A1. Автор: Seong Gi Jeon,Sang - Il CHOI,Yeong Jun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050130418A1. Автор: Kyoichi Suguro,Kazuaki Nakajima,Yasushi Akasaka,Kiyotaka Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for manufacturing semiconductor device with passivation film

Номер патента: US3615941A. Автор: Eiichi Yamada,Masayuki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6162741A. Автор: Kyoichi Suguro,Kazuaki Nakajima,Yasushi Akasaka,Kiyotaka Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Crystalline silicon semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US6777714B2. Автор: Susumu Takahashi,Shinichi Muramatsu,Yasushi Minagawa,Fumihito Oka,Yoshiaki Yazawa. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230386844A1. Автор: Takeshi Aiba,Suguru YACHI. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Electrode material for organic semiconductor device, method for forming electrode pattern, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20180233684A1. Автор: Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240224492A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing semiconductor device including a refractory metal pattern

Номер патента: US4957880A. Автор: Hitoshi Itoh,Takahiko Moriya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5426064A. Автор: Yasuhiko Takemura,Toru Takayama,Hideki Uochi,Hognyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device including alignment marks

Номер патента: US5949145A. Автор: Masahiro Komuro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20240087947A1. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Kuo-Chin Liu,Yu-Cheng Shiau,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including a fin-fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303260A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Yu-Ming Lin,Cheng-Yi Peng,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Akira Mineji,Meng-Hsuan Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090311840A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170133482A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387135A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135929A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120061760A1. Автор: Joong Sik Kim,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190362985A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11925018B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Formation of contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20210296178A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Su Chen Fan,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130062695A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: WO2012102539A3. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240172435A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: EP2668662A2. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Methods relating to trench-based support structures for semiconductor devices

Номер патента: US7923345B2. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US5942450A. Автор: Du-Heon Song. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Gate structure with desired profile for semiconductor devices

Номер патента: US20190288084A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Ricky Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20110104879A1. Автор: Takeo Hanashima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-05-05.

Gate Structure with Desired Profile for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200373401A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Jr-Jung LIN,Chi-Wei Yang,Chih Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8389423B2. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120178269A1. Автор: Hiroshi Ohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US10811342B2. Автор: Petteri Palm,Robert Fehler,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape

Номер патента: US20110254146A1. Автор: Daesik Choi,Taewoo Lee,SungWon Cho,KyuWon Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12125756B2. Автор: Yuko Nakamata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, display device, photoelectric conversion device, electronic equipment, illuminating device, and mobile object

Номер патента: US20230309361A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with contact pads and arrangement of such a semiconductor chip on a substrate

Номер патента: EP1424730A1. Автор: Holger Hübner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-02.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Tsv semiconductor device including inductive compensation loops

Номер патента: WO2024144917A1. Автор: John T. Contreras,Nagesh Vodrahalli,Md. Sayed Mobin,Narayanan Terizhandur Varadharajan. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4322045A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device package with warpage control structure

Номер патента: US09831190B2. Автор: Ming-Chih Yew,Kuo-Chuan Liu,Po-Yao Lin,Fu-Jen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having ceramic package incorporated with a heat-radiator

Номер патента: US4876588A. Автор: Takashi Miyamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-10-24.

Embedded cooling assemblies for advanced device packaging and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240222226A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Embedded cooling assemblies for advanced device packaging and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024145243A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US09923011B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200066650A1. Автор: Kim Yun Hee,Kim Yoon Sung,CHOI JUNG HO,YOON Jun Ho,BAE BYUNG MOON,SIM HYUN SU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Embedded cooling systems for advanced device packaging

Номер патента: WO2024138186A1. Автор: Belgacem Haba,Guilian Gao,Laura Mirkarimi. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Embedded cooling systems for advanced device packaging

Номер патента: US20240249998A1. Автор: Belgacem Haba,Guilian Gao,Laura Mirkarimi. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435851A2. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432365A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having an air gap between a contact pad and a sidewall of contact hole

Номер патента: US12057396B2. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A3. Автор: Martin Standing,Andrew N Sawle. Владелец: Andrew N Sawle. Дата публикации: 2008-01-24.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: EP1961043A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-08-27.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device having contacts in drawing area and the contacts connected to word lines extending from element formation area

Номер патента: US09917049B2. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343658A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013097A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods and assemblies for cooling semiconductor devices using carbon allotropes

Номер патента: US20240258197A1. Автор: Michael Roberg,Christo Bojkov,zhi-qi Li,Harold Isom. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device packages and method of making the same

Номер патента: US09653415B2. Автор: Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: EP1603155A4. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-08-06.

Semiconductor device including air spacer

Номер патента: US09972527B2. Автор: Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Yong-Kwan Kim,Se-Myeong Jang,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers

Номер патента: US5554864A. Автор: Kuniaki Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor die offset compensation variation

Номер патента: US20200301404A1. Автор: Charles Andrew Coots,John Joseph Pichura,Maxim Factourovich. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321963A1. Автор: Kazutoshi Nakamura,Daiki Yoshikawa,Shunta MURAI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09666664B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Naohiro Tsurumi,Ryo KAJITANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194771A1. Автор: Takayuki Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240258267A1. Автор: Hiroyuki Masumoto,Norikazu Sakai,Naoki Yoshimatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

High-Heat-Resistant Semiconductor Device

Номер патента: US20090072356A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US7554114B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-06-30.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20080087898A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20070096081A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332445A1. Автор: Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask

Номер патента: US09825177B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09755648B2. Автор: Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680040B2. Автор: Takashi Ishizuka,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor die offset compensation variation

Номер патента: SE1851419A1. Автор: Charles Andrew Coots,John Joseph Pichura,Maxim Factourovich. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2018-11-14.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for producing a semiconductor device by means of computer-aided development of test scenarios

Номер патента: US10761140B2. Автор: Oliver Frank,Florian STARZER,Georg KREBELDER,Christoph Hazott,Bruno MARIACHER,Otto PFABIGAN,Sebastian POINTNER,Ralf REITERER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US20030116821A1. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US6642605B2. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor device with transistor cells and a drift structure and method of manufacturing

Номер патента: US10700182B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device with function of modulating gain coefficient and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20030006438A1. Автор: Yutaka Arima. Владелец: Exploitation of Next Generation Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230189528A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20070228483A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09659653B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device package

Номер патента: US20190288168A1. Автор: Sung Min Kong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09755036B2. Автор: Tadayoshi Miyamoto,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Driver circuit comprising semiconductor device

Номер патента: US09947695B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282822A1. Автор: Masahiro Takahashi,Hideki Horita,Tatsurou Maeda. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023241788A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227406A1. Автор: Shigeki Takahashi,Masakiyo Sumitomo,Koichi Murakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20100264416A1. Автор: Masahiro Tamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor device including a memory cell

Номер патента: US09613964B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Prediction Of Semiconductor Device Performance

Номер патента: US20230268236A1. Автор: Vladimir Bulovic,Anthony T. TROUPE,Brandon T. MOTES,Dane William DEQUILETTES. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-24.

Light-emitting device package

Номер патента: US20180212117A1. Автор: Bong Kul MIN,Dong Hyun Yu. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090294917A1. Автор: Ayako YAJIMA. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110101366A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Naoto Kusumoto,Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Kaori Ogita,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Package structure and method for manufacturing same, semiconductor device

Номер патента: US20230005851A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method

Номер патента: SG119281A1. Автор: . Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4044255A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180233212A1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor member, method for manufacturing semiconductor processing material, and semiconductor device

Номер патента: US11965109B2. Автор: Koji Inoue,Hirofumi Tanaka,Yasuhisa Kayaba. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021605A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307501A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka,Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8039322B2. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rectifying Junction at the Side Wall of a Trench

Номер патента: US20150349097A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Werner Wolfgang,Rupp Roland,Pfirsch Frank,Konrath Jens. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US9245902B2. Автор: Kil-Su JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2010046794A1. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of making semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5234857A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hyeung-gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects

Номер патента: US5481137A. Автор: Shigeru Harada,Hisao Masuda,Reiji Tamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11923443B2. Автор: Shoko HANAGATA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230307450A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20060091387A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20170345919A1. Автор: Masaki Matsui,Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Youngshin Eum,Seigo Oosawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and field effect transistor

Номер патента: US20120199889A1. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Kazuomi Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: EP2200076A4. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Keiichi Kimura. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2012-06-06.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20050202645A1. Автор: Gyu Kim,Hyo Yoon,Geun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180277658A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor Device with Transistor Cells and a Drift Structure and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180331204A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Bernd Zippelius,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20190363206A1. Автор: Takao Someya,Kenjiro Fukuda. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190198652A1. Автор: Tomoyoshi Kushida,Naotaka Iwata,Hiroyuki Sakaki,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US11935922B2. Автор: KANG Ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050001250A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7018854B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US10680091B2. Автор: Tomoyoshi Kushida,Naotaka Iwata,Hiroyuki Sakaki,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota School Foundation. Дата публикации: 2020-06-09.

Test handler for semiconductor device

Номер патента: WO2008054186A1. Автор: Hong-Jun You,Won-Jin Jang,Woon-Joung Yoon. Владелец: Jt Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US20230037833A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Kang III SEO,lnchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090023266A1. Автор: Masaaki Hatano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-22.

High breakdown voltage semiconductor device

Номер патента: CA1242533A. Автор: Wirojana Tantraporn,Victor A.K. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-09-27.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US8339837B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

System and method pertaining to semiconductor dies

Номер патента: SG150557A1. Автор: Howard Lee Marks,Brian S Schieck. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2009-03-30.

Support structures and clamping systems for semiconductor devices during wire and ribbon bonding operations

Номер патента: US20120274014A1. Автор: Jonathan Michael Byars. Владелец: Orthodyne Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20190165183A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US9780738B2. Автор: Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device using MIS capacitor

Номер патента: US5018000A. Автор: Toshio Yamada,Hiroyuki Itoh,Hirotaka Nishizawa,Tohru Kobayashi,Tatsuya Saitoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US20180076332A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Isolated fin structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220285531A1. Автор: Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US20170033226A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

DRAM semiconductor device having reduced parasitic capacitance between capacitor contacts and bit line structures and method for manufacturing the same

Номер патента: US10797057B2. Автор: Wei-Che Chang,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190312037A1. Автор: Wei-Che Chang,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20150070056A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20170336820A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20180364749A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Embedded cooling systems for device packages and methods of cooling packaged devices

Номер патента: US20240332128A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Rajesh Katkar. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat spreader and semiconductor device package having the same

Номер патента: US20050104201A1. Автор: Yaw-Yuh Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290782A1. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062654B2. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device including Fin-FET and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882029B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chia-Jung Hsu,Gin-Chen Huang,Feng-Cheng Yang,Tzu-Hsiang HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Process for fabrication and assembly of semiconductor devices

Номер патента: US3965568A. Автор: Roland W. Gooch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-06-29.

High voltage transistor having side-wall width different from side-wall width of a low voltage transistor

Номер патента: US7148552B2. Автор: Masayuki Fujio,Motoharu Arimura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-12.

Capacitor of a DRAM having a wall protection structure

Номер патента: US20020109169A1. Автор: Ching-ming Lee,Kuo-Yuh Yang,Yu-Ju Yang,Yu-Hong Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor devices having self-aligned contact pads and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150311276A1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020197782A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices having self-aligned contact pads

Номер патента: US9184227B1. Автор: In-seak Hwang,Young-Kuk Kim,Han-jin Lim,Ki-Vin Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Methods of and apparatus for manufacturing ball grid array semiconductor device packages

Номер патента: US20030059977A1. Автор: Ferdinand Arabe,Arthur Bayor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985043B2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US09704839B2. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor die, integrated circuits and driver circuits, and methods of maufacturing the same

Номер патента: US20150194421A1. Автор: Rob Van Dalen,Erik Spaan,Priscilla Boos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Semiconductor device having MISFETs

Номер патента: US20030203605A1. Автор: Seiichi Mori,Masataka Takebuchi,Toshiharu Watanabe,Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device with high-temperature-stable gate electrode for sub-micron applications and fabrication thereof

Номер патента: US20010013600A1. Автор: James Cunningham. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20180061937A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device with both memories and logic circuits and its manufacture

Номер патента: US20020185662A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor dies with rounded or chamfered edges

Номер патента: US20240339496A1. Автор: Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831092B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234259A1. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160254349A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: US20140327130A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150380508A1. Автор: Dae-Ik Kim,Hyoung-Sub Kim,Sung-eui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device package, electronic device and method of manufacturing electronic devices using wafer level chip scale package technology

Номер патента: US09711471B2. Автор: Charaf-Eddine Souria,Stephane Damien Thuries,Gilles Montoriol. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device package with die cavity substrate

Номер патента: US11923258B2. Автор: William Robert Morrison,Bradley Morgan Haskett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device package

Номер патента: US20070096343A1. Автор: Dong Kim,Jin Park,Young Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device package

Номер патента: US7629685B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Woo Park,Young Bok Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Structure Around Semiconductor Die for Localized Planarization of Insulating Layer

Номер патента: US20120074534A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device with reinforced dielectric and method therefor

Номер патента: EP4372808A2. Автор: Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Chip scale surface mount packages for semiconductor device and process of fabricating the same

Номер патента: EP1085569A3. Автор: Felix Zandman,Yueh-Se Ho,Mohammed Y. Kasem. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Semiconductor devices having a double-layer interconnection structure

Номер патента: US5198884A. Автор: Tetsuya Ueda,Hiroshi Nishimura,Teruhito Ohnishi,Kohsaku Yano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-30.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device package and acoustic device having the same

Номер патента: US20230039552A1. Автор: Hung-I Lin,Ming-Tau HUANG,Kuei-Hao TSENG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device package

Номер патента: US20230268638A1. Автор: Cheng-Yu Ho,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321674A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240339403A1. Автор: Taeyong KIM,Minhee Lee,Sunil Shim,Moorym CHOI,Hayoung JEONG,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Packages for encapsulated semiconductor devices and method of making same

Номер патента: US20060131704A1. Автор: Patrick Carberry,Jeffery Gilbert,George Libricz,Ralph Moyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09613966B2. Автор: Dae-Ik Kim,Hyoung-Sub Kim,Sung-eui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device package with mirror mode

Номер патента: US09786332B2. Автор: Scott R. Cyr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor die stack having heightened contact for wire bond

Номер патента: WO2008121552A3. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: Shrikar Bhagath. Дата публикации: 2008-12-31.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method of Laser-Marking Laminate Layer Formed Over EWLB With Tape Applied to Opposite Surface

Номер патента: US20130127039A9. Автор: Yaojian Lin,Glenn Omandam,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200350468A1. Автор: Min Ji Jin,Koh Eun LEE,Hui Seong KANG. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160155851A1. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device package and light irradiation device comprising the same

Номер патента: US12021167B2. Автор: Ki Cheol Kim,Jung Hun Oh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09825060B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09653612B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09559214B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Edge seals for semiconductor devices

Номер патента: US20230361139A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Swarnal Borthakur. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A3. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A2. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09853059B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Optical semiconductor device

Номер патента: US09983363B2. Автор: Yasuyuki Kimura. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods, apparatus, and systems for contacting semiconductor dies that are electrically coupled to test access interface positioned in scribe lines of a wafer

Номер патента: US09632109B2. Автор: Larry John Dibattista,Duncan Packard Gurley. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with circuit components formed through inter-die connections

Номер патента: US20240072004A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device having increased capacitance of capacitor for data storage and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070161177A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Hybrid semiconductor device assembly interconnection pillars and associated methods

Номер патента: US20240038704A1. Автор: Hong Wan Ng,Faxing Che,Yeow Chon Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Unattached contained semiconductor devices

Номер патента: US20130093030A1. Автор: Nghia T. Dinh,Scott D. Isebrand,Andrew S. Paule,Ben P. Fok. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Low-cost semiconductor device package and process

Номер патента: US4535350A. Автор: Gary B. Goodrich,Jadish G. Belani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Die interconnect substrates, a semiconductor device and a method for forming a die interconnect substrate

Номер патента: US20240063173A1. Автор: Ji Yong Park,Rahul Jain,Kyu Oh Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20200152620A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20190148358A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US20190148359A1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with package-level configurability

Номер патента: US10312232B1. Автор: James E. Davis,Kevin G. Duesman,Zhiping Yin,John B. Pusey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with contact groove arrangements providing improved performance

Номер патента: US09786771B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09711637B2. Автор: Hirokazu Kato,Tomoaki Uno,Nobuyuki Shirai,Kazuyuki Umezu,Hideo Numabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Bond pad rerouting element and stacked semiconductor device assemblies including the rerouting element

Номер патента: US20040036182A1. Автор: Jerry Brooks,David Corisis,Matt Schwab,Tracy Reynolds. Владелец: Brooks Jerry M.. Дата публикации: 2004-02-26.

Electronic device, package and semiconductor chip therefore

Номер патента: WO2022043033A3. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-16.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240222493A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220093544A1. Автор: Yasuki Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20120193722A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180158795A1. Автор: Yasuhiko Tanaka,Masaki Nakayama,Takashi Matsui,Motoji Shiota,Seiji Muraoka,Hiroki Miyazaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Power module with improved semiconductor die arrangement for active clamping

Номер патента: US20240297148A1. Автор: Martin Schulz. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240306403A1. Автор: Yeon Seung Jung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Field plate trench semiconductor device with planar gate

Номер патента: US09818827B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming MEMS package

Номер патента: US09701534B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09653599B2. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Substrate for vertically assembled semiconductor dies

Номер патента: US20240055400A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street,Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device circuitry formed from remote reservoirs

Номер патента: US20240071989A1. Автор: Kyle K. Kirby,Terrence B. Mcdaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound sn/sb

Номер патента: US20200105704A1. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound Sn/Sb

Номер патента: US11069644B2. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask

Номер патента: US20060071183A1. Автор: Takeshi Shibata,Hisanori Misawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Variable capacitor comprised of first and second comb structures having first and second sets of switchably connected fingers, a reflection phase shifter, and a semiconductor device

Номер патента: US12057818B2. Автор: Shuo Wang,Rong PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Cable alignment apparatus and method for aligning assembled cable ends of two cables of a cable harness in the correct rotational position

Номер патента: US20240257997A1. Автор: Pietro Fiorentino. Владелец: KOMAX HOLDING AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Variable capacitor, reflective phase shifter, and semiconductor device

Номер патента: EP4016567A1. Автор: Shuo Wang,Rong PENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Method for enhanced performance and/or efficiency in connection with performing a positioning or location procedure of a user equipment in a mobile communication network, mobile communication network, specific network node, computer program and computer program product

Номер патента: EP3840524A1. Автор: Arndt Dr. KADELKA,Yassine Amraue. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2021-06-23.

Method for enhanced performance and/or efficiency in connection with performing a positioning or location procedure of a user equipment in a mobile communication network, mobile communication network, specific network node, computer program and computer program product

Номер патента: WO2021122171A1. Автор: Arndt Kadelka,Yassine Amraue. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and delay control methods

Номер патента: US20240171164A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and control method of switch transistor thereof

Номер патента: US20100164598A1. Автор: Tetsuya Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and control method of switch transistor thereof

Номер патента: US8198751B2. Автор: Tetsuya Katou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Piezoelectric microphone with contact for a control device of a clockwork movement

Номер патента: CH541183A. Автор: Bonny Jean-Pierre. Владелец: Portescap. Дата публикации: 1973-04-30.

Electrical apparatus connected with a battery charger system

Номер патента: CA1235178A. Автор: Kiyotaka Mukai. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

Circuit arrangement for varying the phase of a reference signal in transmission path distortion measuring apparatus

Номер патента: US3965293A. Автор: Erwin Schenk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-06-22.

System and method for automatically establishing a concurrent data connection with respect to the voice dial features of a communications device

Номер патента: US20120117510A1. Автор: R. Victor Klassen,Stephen C. Morgana,James Sweet. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

System and method for automatically estabilishing a concurrent data connection with respect to the voice dial features of a communications device

Номер патента: GB201118805D0. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-12-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device test apparatuses

Номер патента: US09733304B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of automated determination of thermal resistance transition - body of packed power semiconductor devices

Номер патента: RU2653962C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-05-15.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor Device Testing with Lead Extender

Номер патента: US20240302426A1. Автор: Nee Wan Khoo,Soon Lai Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and measurement method

Номер патента: US09606007B2. Автор: Yosuke IWASA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160196865A1. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Seok-Young Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09830972B2. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Suk Yong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device including a rectification circuit

Номер патента: US9881246B2. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160055406A1. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240337919A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo,Kenta Tsukagoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems and methods for protection of electrolyser side walls

Номер патента: RU2642782C2. Автор: Синхуа Лю,Роберт А. ДИМИЛИЯ,Джозеф М. ДАЙНИС,Фрэнки Э. ФЕЛПС,Джонелл М. КЕРКХОФФ,Дуглас А. ВЕЙРОЧ. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2018-01-26.

Method to measure thickness of side wall of non-round transparent containers and device for its realisation

Номер патента: RU2430878C2. Автор: Джеймс А. РИНГЛАЙЕН. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2011-10-10.

A device for securing items in a cargo area of a car

Номер патента: EP2958772A1. Автор: Alan Harrison,Ben Millett,Michael Culleton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-30.

A device for securing items in a cargo area of a car

Номер патента: WO2014128633A1. Автор: Alan Harrison,Ben Millett,Michael Culleton. Владелец: Michael Culleton. Дата публикации: 2014-08-28.

A device for securing items in a cargo area of a car

Номер патента: MY181217A. Автор: Alan Harrison,Ben Millett,Michael Culleton. Владелец: Michael Culleton. Дата публикации: 2020-12-21.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US09543021B2. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Side Wall Component of Railway Vehicle, and Railway Vehicle

Номер патента: US20190168781A1. Автор: Bo Song,Haiyang Yu,Honglei Tian,Longxi LIU,Renyuan LV. Владелец: CRRC Qingdao Sifang Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatus for measuring the elongation of the penis under the impact of a discretely increasing force

Номер патента: RU2754496C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Хубезов,Александр Иванович Улитенко,Андрей Анатольевич Фефелов,Алексей Николаевич Стрелков,Николай Семенович Потапов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-09-02.

Lift truck load clamp having nonresilient contact pad surfaces textured for directionally variable resistance to slippage

Номер патента: US4209280A. Автор: Edward D. Bittner. Владелец: Cascade Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Array and method for standardizing cartridge location within storage cells of a data storage library

Номер патента: WO2001009887A1. Автор: David R. Millhiser,Daniel L. Plutt. Владелец: STORAGE TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2001-02-08.

Method and arrangement in connection with separate sample taken from process liquid

Номер патента: US09766176B2. Автор: Esko Kamrat. Владелец: JANESKO Oy. Дата публикации: 2017-09-19.

Operating a pipeline flattener in a semiconductor device

Номер патента: US20190303166A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Operating a Pipeline Flattener in a Semiconductor Device

Номер патента: US20130046962A1. Автор: Johann Zipperer,Christian Wiencke,Markus Koesler,Wolfgang Lutsch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-21.

Arrangement and method in connection with an impingement dryer of a fiber web

Номер патента: WO2011077015A2. Автор: Olli Huhtala,Petri Norri,Tom Thorn,Kari Välilä,Timo Peltonen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2011-06-30.

Device for producing flake ice, has container provided with inner cavity for receiving water or such freezable liquid exhibiting container, and side walls that are connected with container wall by welding seam

Номер патента: DE102008062422A1. Автор: Hartmut Higel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Device for reducing and homogenizing residual stress of a metal frame

Номер патента: US11814714B2. Автор: PENG Yin,Chunguang Xu,Wenyuan Song,Peilu LI,Yuren Lu,Shuangyi Li. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20150262678A1. Автор: Se Jun Kim,Kyung Hwan Park,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Pharmaceutical packaging receptacle with a lubricant layer for removal of a charge

Номер патента: US11964135B2. Автор: Raymond Moser,Stephanie Mangold. Владелец: Schott Pharma AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-04-23.

Pharmaceutical packaging receptacle with a lubricant layer for removal of a charge

Номер патента: US20210275748A1. Автор: Raymond Moser,Stephanie Mangold. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-09-09.

Package made of foldable material such as corrugated cardboard, has side walls which are connected with hinge element via fold lines, and locking tab that is fixed to one of side walls

Номер патента: DE102012018758A1. Автор: Yücel Metin. Владелец: Thimm Verpackung GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-03-27.

Strap`s stress state indicating device, has housing and reset unit that experiences stress proportional deflection through strap, where housing has two side walls that are connected with each other and unit is arranged between walls

Номер патента: DE202006002613U1. Автор: . Владелец: Westdeutscher Drahtseil Verkauf Dolezych GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-04-27.

Rotor for the treatment of a fluid such as a metal melt

Номер патента: US20010017434A1. Автор: Eddy Dale,Karl Venås,Bjarne Heggseth,John Fagerli,Per Strand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Construction element for floor and ceilings - has hollow body with side walls shaped to connect with supports

Номер патента: DE2360219A1. Автор: Valentin Emmerich. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-06-12.

Arrangement for support of a motor vehicle drive unit

Номер патента: US3998290A. Автор: Erich Stotz,Wolfgang Hanisch,Reimer Pilgrim,Rolf V. Sivers. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 1976-12-21.

System in connection with a stirrup

Номер патента: US20050060967A1. Автор: Rolf Sjosward. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-24.

Cosmetic product replacement unit for a base stick module of a cosmetic stick as well as a set including a cosmetic product replacement unit of this type and a plurality of base stick modules

Номер патента: AU2007202903A1. Автор: Detlev Gutberlet. Владелец: H&M Gutberlet GmbH. Дата публикации: 2008-01-17.

Method and apparatus in connection with the spinnaker pole or similar of a sailing boat

Номер патента: EP2167375A1. Автор: Juho Lemminkäinen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-31.

Apparatus for the parallel guidance of the bucket of a hydraulic excavator

Номер патента: US4343099A. Автор: Mario Ziegler,Ulrich Ziegler. Владелец: ZIEGLER AG. Дата публикации: 1982-08-10.

Method and arrangement in connection with separate sample taken from process liquid

Номер патента: US20150362429A1. Автор: Esko Kamrat. Владелец: JANESKO Oy. Дата публикации: 2015-12-17.

Electronic marking of a medication cartridge

Номер патента: US7614545B2. Автор: Preben Mikael Nielsen,Bo Erik Lennart Berggren,Lasse Wengel Christoffersen. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 2009-11-10.

Improvements in or connected with the Means of Driving Grinding Wheels and other Weighty Devices which Revolve at High Speeds.

Номер патента: GB191128435A. Автор: . Владелец: JOHN THOMAS WALTON. Дата публикации: 1912-12-18.

An uptake device for use in connection with kitchen range and like boilers

Номер патента: GB163204A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-05-19.

Arrangement and method in connection with an impingement dryer for drying a fiber web

Номер патента: WO2011077015A3. Автор: Olli Huhtala,Petri Norri,Tom Thorn,Kari Välilä,Timo Peltonen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Arrangement and method in connection with an impingement dryer for drying a fiber web

Номер патента: WO2011077015A9. Автор: Olli Huhtala,Petri Norri,Tom Thorn,Kari Välilä,Timo Peltonen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

BASE STATION FOR CONNECTION WITH A SURFACE TREATMENT DEVICE, SYSTEM COMPRISED OF A SURFACE TREATMENT DEVICE AND BASE STATION, AND METHOD FOR OPERATING A BASE STATION

Номер патента: US20180225943A1. Автор: Meyer Frank. Владелец: Vorwerk & Co. Interholding GmbH. Дата публикации: 2018-08-09.

Method and a device intended for simplifying the use of a plurality of credit cards, or the like

Номер патента: CA2011090C. Автор: Hartmut Hennige. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-07-18.

Electronic marking of a medication cartridge

Номер патента: EP1705603A1. Автор: Michael Eilersen. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 2006-09-27.

Method and device for simplifying the use of a plurality of credit cards, or the like

Номер патента: US5276311A. Автор: Hartmut Hennige. Владелец: Hartmut Hennige. Дата публикации: 1994-01-04.

Electronic marking of a medication cartridge

Номер патента: US6669090B2. Автор: Michael Eilersen. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 2003-12-30.

Method for controlling and limiting a speed of a turbocharger

Номер патента: US20210355842A1. Автор: Sven Mueller,Mauro Calabria,Tobias NOESSELT. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and device in connection with impingement drying and/or through-drying of a paper web or of an equivalent web-like material

Номер патента: CA2256615A1. Автор: Hans Sundqvist. Владелец: Hans Sundqvist. Дата публикации: 1997-12-24.

Method and device in connection with impingement drying and/or through-drying of a paper web or of an equivalent web-like material

Номер патента: EP0906470A1. Автор: Hans Sundqvist. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 1999-04-07.

Device for connecting with the axle of the rear end of a "cantilever" spring or of the so-called "half-pincer" type

Номер патента: FR526417A. Автор: . Владелец: NOUVEAUX SIZAIR Ets. Дата публикации: 1921-10-08.

Probe sheet with contact tip on stacked multi-layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240230717A1. Автор: Tae Kyun Kim,Yong Ho Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Methods and apparatus for releasably mounting a semiconductor device to a printed circuit board

Номер патента: WO2008014194A2. Автор: Francis Rapheal Thamarayoor. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method and apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US12066460B2. Автор: Benfei YE,Zhengpeng ZHU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Thermoelectric semiconductor device for contrast thermoodontometry with removable radiator

Номер патента: RU2616999C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Олег Викторович Евдулов,Тамила Арслановна Рагимова,Меджид Нисрединович Меджидов,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-19.

Improvements in or connected with Vessels for Storing and Distributing Materials of a Creamy or Semi-fluid Consistence more particularly applicable to Mustard Pots.

Номер патента: GB190401280A. Автор: Georges Lakhovsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-02-18.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: NZ784891A. Автор: KANDA Ryo. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

Improvements in or connected with Means for Ascertaining the Predetermined Speed of a Revolving Part more especially applicable to Electrical Measuring or Testing Apparatus.

Номер патента: GB190607811A. Автор: . Владелец: NALDER BROTHERS AND THOMPSON L. Дата публикации: 1906-12-31.

Improvements in Apparatus for Electric Signalling in connection with Mine Haulage and Winding or Operations of a similar Nature.

Номер патента: GB190821693A. Автор: Robert Rutherford. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-11-15.

A part for connecting with a column and a connecting structure of a column

Номер патента: HK1170012A1. Автор: 高橋秀明,田中秀宣,北野隆司,伊藤倫夫,中野建藏,新飯田匠. Владелец: 日立機材株式會社. Дата публикации: 2013-02-15.

Improvements in connection with Radiators and Fittings for use therewith.

Номер патента: GB190517791A. Автор: . Владелец: Ashwell & Nesbit Ltd. Дата публикации: 1906-08-16.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001216A1. Автор: YOON JaeJoon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING MODULE

Номер патента: US20120001538A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in connection with Kitchen Ranges.

Номер патента: GB190904869A. Автор: William John Gibson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-08-12.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.