Semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240203831A1
Опубликовано: 20-06-2024
Автор(ы): Anthony Dongick LEE, Guk Hee KIM, Hidenobu Fukutome, Jin Kyu Kim, Kyoung Woo Lee, Min Chan Gwak, Sang Cheol Na, Young Woo Kim, Yun Suk NAM
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-06-2024
Автор(ы): Anthony Dongick LEE, Guk Hee KIM, Hidenobu Fukutome, Jin Kyu Kim, Kyoung Woo Lee, Min Chan Gwak, Sang Cheol Na, Young Woo Kim, Yun Suk NAM
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Analog-cells-boundary region with buried power grid segment, semiconductor device including same and method of manufacturing same
Номер патента: US20240014136A1. Автор: Amit KUNDU,Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Yu-tao YANG,Chung-Ting Lu,Wen-Shen Chou,Ming-Cheng SYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.