半导体测试结构及半导体钝化层的质量测试方法
Номер патента: CN112103202B
Опубликовано: 12-02-2021
Автор(ы): 俞佩佩, 周山, 王丽雅
Принадлежит: Jingxincheng Beijing Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-02-2021
Автор(ы): 俞佩佩, 周山, 王丽雅
Принадлежит: Jingxincheng Beijing Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor test structure and method for forming the same
Номер патента: US20190139841A1. Автор: Anthony K. Stamper,Patrick S. Spinney,Jeffrey C. Stamm. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-09.