压力传感器的封装结构及其制造方法
Номер патента: CN105609472B
Опубликовано: 23-02-2018
Автор(ы): 尤文胜
Принадлежит: Hefei Zuan Investment Partnership Enterprise
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-02-2018
Автор(ы): 尤文胜
Принадлежит: Hefei Zuan Investment Partnership Enterprise
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Light-emitting diode structure and light-emitting diode structure manufacturing method
Номер патента: CN102185082B. Автор: 张静,张光耀,胡哲彰. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.