Memory structure having novel circuit routing and method for manufacturing the same
Номер патента: US20230238303A1
Опубликовано: 27-07-2023
Автор(ы): Chia-En HUANG, Meng-Han LIN, Yi-Ching Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-07-2023
Автор(ы): Chia-En HUANG, Meng-Han LIN, Yi-Ching Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of estimating warpage of interposers and methods of manufacturing semiconductor package by using the same
Номер патента: US11429777B2. Автор: Jihyung KIM,JaeHee Oh,Jeonghoon Ahn,Yunki Choi,Wonji Park,Minguk KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-30.