Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: EP3002777A3
Опубликовано: 20-04-2016
Автор(ы): Kenichi Hisada, Koichi Arai
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-04-2016
Автор(ы): Kenichi Hisada, Koichi Arai
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Elevated source drain semiconductor device with L-shaped spacers and fabricating method thereof
Номер патента: US09831240B2. Автор: Leonelli Daniele,Shigenobu Maeda,Jong-hyuk Lee,Woong-Gi Kim,Han-Su Oh,Min-Yeop Park,Ju-Seob Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.