Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process
Номер патента: US09824913B2
Опубликовано: 21-11-2017
Автор(ы): Guoqiang Yu, Shaohua Zhang, Yanghui Sun, Yongxiang Wen, Yulei Jiang
Принадлежит: Hangzhou Silan Integrated Circuit Co Ltd, Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-11-2017
Автор(ы): Guoqiang Yu, Shaohua Zhang, Yanghui Sun, Yongxiang Wen, Yulei Jiang
Принадлежит: Hangzhou Silan Integrated Circuit Co Ltd, Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Boundary design for high-voltage integration on hkmg technology
Номер патента: US20240088154A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Ming Chyi Liu,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Shih-Chung Hsiao,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.