Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20210210630A1
Опубликовано: 08-07-2021
Автор(ы): Darin Arthur Chan, Handoko Linewih, Pinghui Li, Ruchil Kumar JAIN
Принадлежит: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180337276A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-11-22.

Connection structure for vertical gate all around (VGAA) devices on semiconductor on insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09653563B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Hybrid High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130341719A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-12-26.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9012989B2. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-21.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9117901B2. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-08-25.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140045313A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Kuo-Hsuan Lo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-13.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853100B1. Автор: Tsung-Ying Tsai,Tsung-Yi Huang,Kun-Hun You. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

High voltage devices and methods of forming the same

Номер патента: US20200185521A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120280320A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-11-08.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150028417A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-01-29.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150123198A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120223384A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Kuo-Hsuan Lo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-09-06.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200220005A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-07-09.

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20230115000A1. Автор: Ruchil Kumar JAIN,Alban Zaka. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2023-04-13.

High-voltage devices integrated on semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US11984503B2. Автор: Ruchil Kumar JAIN,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Dresden Module One &co Kg LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062570B2. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yu Chen,Chih-Wen Hsiung,Chien-Wei Chiu,Kun-Huang Yu,Kuo-Chin Chiu,Chun-Lung Chang,Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu,Ting-Wei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-08-13.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297067A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yu Chen,Chih-Wen Hsiung,Chien-Wei Chiu,Kun-Huang Yu,Kuo-Chin Chiu,Chun-Lung Chang,Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu,Ting-Wei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-09-05.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10418482B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-09-17.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223464A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yu Chen,Chih-Wen Hsiung,Chien-Wei Chiu,Kun-Huang Yu,Kuo-Chin Chiu,Chun-Lung Chang,Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu,Ting-Wei Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-07-14.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210074851A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chien-Yu Chen,Chih-Wen Hsiung,Chien-Wei Chiu,Kun-Huang Yu,Kuo-Chin Chiu,Chun-Lung Chang,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-03-11.

High voltage device with low Rdson

Номер патента: US09698260B1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US20240136397A1. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral high-voltage device with high-aspect-ratio internal super junction and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111969042A. Автор: 张波,乔明,李肇基,章文通,何乃龙,祖健,朱旭晗. Владелец: Guangdong Electronic Information Engineering Research Institute of UESTC. Дата публикации: 2020-11-20.

High voltage device with gate extensions

Номер патента: US11908891B2. Автор: Ming Chyi Liu,Jhih-Bin CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

High voltage device having multi-field plates and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006530A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

High voltage device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071963A1. Автор: Ying-Chieh Tsai,Jeng Gong,Wing-Chor CHAN,Chia-Hui Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-10.

High voltage device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455339B2. Автор: Ying-Chieh Tsai,Jeng Gong,Wing-Chor CHAN,Chia-Hui Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Low cost and mask reduction method for high voltage devices

Номер патента: US09793153B2. Автор: Sik Lui,Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Super high voltage device and method for operating a super high voltage device

Номер патента: US20130307606A1. Автор: Yung-Hao Lin,Ming-Ying Kuo,Ming-Nan Chuang,Chi-Pin Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120319202A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-12-20.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150028417A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-01-29.

High Voltage Device and Method for the Same

Номер патента: KR100396703B1. Автор: 이다순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-02.

Complementary asymmetric high voltage devices and method of fabrication

Номер патента: EP1866969A2. Автор: Robert Cook,Theodore Letavic,Herman Effing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-12-19.

Complementary asymmetric high voltage devices and method of fabrication

Номер патента: CN101180738A. Автор: 西奥多·莱塔维奇,赫尔曼·埃芬,罗伯特·库克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-14.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201240083A. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-10-01.

Ncfet transistor comprising a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20240170577A1. Автор: Ionut Radu,Guillaume BESNARD,Sorin Cristoloveanu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020160572A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030201510A1. Автор: Da Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120217579A1. Автор: Ying-Shiou Lin,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-08-30.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130032880A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-02-07.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130217196A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-08-22.

Ultra-high voltage devices

Номер патента: US20180097108A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230253494A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chu-Feng CHEN,Kuo-Hsuan Lo,Wu-Te Weng,Yu-Ting Yeh. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-08-10.

Connection Structure for Vertical Gate All Around (VGAA) Devices on Semiconductor On Insulator (SOI) Substrate

Номер патента: US20170207239A1. Автор: Liaw Jhon-Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US20190058062A1. Автор: Jocelyne Gimbert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-02-21.

High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US09876110B2. Автор: Jocelyne Gimbert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-23.

High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US20230299202A1. Автор: Jocelyne Gimbert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2023-09-21.

High dose implantation for ultrathin semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US20160118498A1. Автор: Jocelyne Gimbert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor structure including high voltage device

Номер патента: SG151181A1. Автор: Zhu Chunlin,KOO Jeoung Mo,Li Yisuo,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

High voltage device with low Rdson

Номер патента: US09768054B2. Автор: Guowei Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure including high voltage device

Номер патента: SG170085A1. Автор: Zhu Chunlin,KOO Jeoung Mo,Li Yisuo,PURAKH Raj Verma,Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

High voltage device

Номер патента: US8450815B2. Автор: Bo-Seok Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-28.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859365B2. Автор: Bo-Seok Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage device

Номер патента: US11757034B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Yun-Ta TSAI,Hung-Sen Wang,Shih-Fen Huang,Ho-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210135005A1. Автор: Kun-Huang Yu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-05-06.

High voltage device and method for forming the same

Номер патента: US20230387211A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Yu-Ying Lai,Yu-Ting WEI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage device

Номер патента: US20210167205A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Yun-Ta TSAI,Hung-Sen Wang,Shih-Fen Huang,Ho-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105926A1. Автор: Kun-Huang Yu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-04-02.

High voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014815A1. Автор: Bo-Seok Oh. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

High voltage device, high voltage control device and manufacturing methods thereof

Номер патента: TWI786976B. Автор: 熊志文,楊大勇,游焜煌,翁武得,張鈞隆,邱國卿,邱建維. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-12-11.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200044022A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-06.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200052072A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-13.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067471A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of forming high voltage device

Номер патента: US20140197488A1. Автор: Eric Huang,Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Chun Lin Tsai,Chih-Wen Yao,Chia-Chin Shen,Fu Chin Yang,Chin Tuan HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20210167205A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,WANG Hung-Sen,Tsai Yun-Ta,Huang Shih-Fen,LIOU Ho-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

GATE ELECTRODE EXTENDING INTO A SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURE IN HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20220285551A1. Автор: Wu Yun-Chi,Yang Yuan-Cheng,Tu Shih-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811532B2. Автор: Chien-Yu Chen,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-10-20.

High-voltage device and method for fabricating the same

Номер патента: US10468494B2. Автор: Chin-Chia Kuo,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Su-Hua Tsai,Pai-Tsang Liu,Chiao-Yu Li,Chun-Ning Wu,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

High voltage devices and methods of forming the same

Номер патента: CN102117807B. Автор: 杨富智,蔡俊琳,段孝勤,郑志昌,柳瑞兴,沈佳青,姚智文,黄柏晟. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20230299196A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150357412A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Constrained epitaxial source/drain regions on semiconductor-on-insulator finfet device

Номер патента: US20150279958A1. Автор: Brian J. Greene,Arvind Kumar,Dan M. Mocuta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

CONSTRAINED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR FINFET DEVICE

Номер патента: US20150279958A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

CONDUCTIVE CONTACTS IN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180076220A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Rama. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

High voltage device

Номер патента: US8790966B2. Автор: Guowei Zhang,PURAKH Raj Verma,Baofu ZHU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor on insulator substrate with back bias

Номер патента: US09666615B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US20020013029A1. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US6706567B2. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-16.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US20040183154A1. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080054309A1. Автор: Wei Jung Chen,Cheng Yu Fang,Sheng Yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing high-voltage device

Номер патента: US20070026618A1. Автор: Dong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

High voltage device having polysilicon region in trench and fabricating method thereof

Номер патента: US7301201B2. Автор: Lee-Yeun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-27.

Formation of ultra-thin active device area on semiconductor on insulator (SOI) substrate

Номер патента: US6399427B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH LOW RDSON

Номер патента: US20170194491A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH LOW RDSON

Номер патента: US20170309745A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180337276A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Integration manufacturing method of high voltage device and low voltage device

Номер патента: US20230170262A1. Автор: Ta-Yung Yang,Chih-Wen Hsiung,Wu-Te Weng. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-06-01.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11961833B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Kuo-Chin Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-04-16.

Guarding ring structure of a high voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140353793A1. Автор: Deming Sun. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

HIGH-VOLTAGE DEVICES INTEGRATED ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20210210630A1. Автор: LI Pinghui,JAIN Ruchil Kumar,LINEWIH Handoko,CHAN DARIN ARTHUR. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US09806150B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Su-Hwa Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US09680010B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Su-Hwa Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Structure for leakage prevention of a high voltage device

Номер патента: US20060255429A1. Автор: Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170236899A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Su-Hwa Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Methods of forming semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: US5893745A. Автор: Kyu-Charn Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-13.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US09941268B2. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201236152A. Автор: Ying-Shiou Lin,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-09-01.

A transistor with embedded silicon/germanium material on a strained semiconductor on insulator substrate

Номер патента: TW200842983A. Автор: Manfred Horstmann,Andy Wei,Roman Boschke,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-01.

Conductive contacts in semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US09685535B1. Автор: Kangguo Cheng,Rama Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

CONDUCTIVE CONTACTS IN SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200058677A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Rama. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method of producing a semiconductor on insulating substrate, and a method of forming a transistor thereon

Номер патента: US5427976A. Автор: Risho Koh,Atsushi Ogura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Semiconductor-on-insulator substrate, semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: CN113206108A. Автор: 吴政达,陈秋桦. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for producing a strained semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US9899217B2. Автор: Yves Morand,Hubert Moriceau,Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-20.

A transistor with embedded silicon/germanium material on a strained semiconductor on insulator substrate

Номер патента: WO2008094699A1. Автор: Manfred Horstmann,Andy Wei,Roman Boschke,Thorsten Kammler. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-08-07.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20150262995A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

ULTRA-HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20180097108A1. Автор: Lin Wen-Hsin,LIN Shin-Cheng,HO Yu-Hao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200119189A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20210175227A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Symmetric high voltage device and fabrication method thereof

Номер патента: KR100660724B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-21.

Termination design for high voltage device

Номер патента: US9577072B2. Автор: Hamza Yilmaz,Anup Bhalla,Lingpeng Guan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20200027874A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20180226396A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20200043912A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US20210175227A1. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US10923467B2. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US10483259B2. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Series resistor over drain region in high voltage device

Номер патента: US10867990B2. Автор: Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Yi-Min Chen,Chih-Yuan Chan,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

High voltage device and method to produce the same

Номер патента: TW200725710A. Автор: Yao-Wen Chang,Hsiang-Wen Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

High voltage device and method to produce the same

Номер патента: TWI312537B. Автор: Yao Wen Chang,Hsing Wen Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-21.

TERMINATION DESIGN FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20170148910A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bhalla Anup,Guan Lingpeng. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2017-05-25.

Well structure in high voltage device

Номер патента: US20040178469A1. Автор: Sung Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Well structure in high voltage device

Номер патента: US7009260B2. Автор: Sung Kee Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-07.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Antifuses integrated on semiconductor-on-insulator (soi) substrates

Номер патента: US20190067304A1. Автор: Mark Douglas Hall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

ANTIFUSES INTEGRATED ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR (SOI) SUBSTRATES

Номер патента: US20190067304A1. Автор: HALL MARK DOUGLAS. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

CONSTRAINED EPITAXIAL SOURCE/DRAIN REGIONS ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR FINFET DEVICE

Номер патента: US20150357412A1. Автор: Greene Brian J.,Kumar Arvind,Mocuta Dan M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

HIGH DOSE IMPLANTATION FOR ULTRATHIN SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20190058062A1. Автор: Gimbert Jocelyne. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

High voltage device fabricated using low-voltage processes

Номер патента: US09755072B2. Автор: Fethi Dhaoui,John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-type high voltage devices fabrication for embedded memory

Номер патента: US12096621B2. Автор: Wei Cheng Wu,Li-Feng Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-type high voltage devices fabrication for embedded memory

Номер патента: US20240373627A1. Автор: Wei Cheng Wu,Li-Feng Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

High voltage device fabricated using low-voltage processes

Номер патента: US20150137233A1. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum,Fengliang Xue. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11942543B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

High voltage device

Номер патента: US20120280318A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guo Wei ZHANG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-08.

Stress enhanced high voltage device

Номер патента: US20150287780A1. Автор: Guowei Zhang,PURAKH Raj Verma. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

High voltage device fabricated using low-voltage processes

Номер патента: US20160204223A1. Автор: Fethi Dhaoui,John L. Mccollum,Fengliang Xue. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

High voltage devices, systems, and methods for forming the high voltage devices

Номер патента: US20110079846A1. Автор: HSIAO Chin Tuan,Chi-Chih Chen,Ruey-Hsin Liu,Puo-Yu Chiang,Chih-Wen Yao,Hsueh-Liang Chou,Robert S. J. Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Structure and Method for High-Voltage Device

Номер патента: US20240274669A1. Автор: Cheng-Chien Li,Huei-Shan Wu,YuYing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

FIN PITCH SCALING FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOW VOLTAGE DEVICES ON THE SAME WAFER

Номер патента: US20170372968A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

HIGH VOLTAGE DEVICE FABRICATED USING LOW-VOLTAGE PROCESSES

Номер патента: US20150137233A1. Автор: Dhaoui Fethi,McCollum John,Xue Fengliang. Владелец: Microsemi SoC Corporation. Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD OF FORMING A DEVICE WITH PLANAR SPLIT GATE NON-VOLATILE MEMORY CELLS, HIGH VOLTAGE DEVICES AND FINFET LOGIC DEVICES

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO,SUN JACK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

High voltage device

Номер патента: US20100213543A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guo Wei ZHANG. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20210159334A1. Автор: TSAI Chun Lin,Wu Kuo-Ming,Chiu Yi-Cheng,Chiang Wen-Chih,Lin Shiuan-Jeng,Chen Yi-Min,Lin Hung-Chou,Murukesan Karthick,Chan Chih-Yuan,Chang Chen-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20190165167A1. Автор: Tsai Chun-Lin,Wu Kuo-Ming,Chiu Yi-Cheng,Chiang Wen-Chih,Lin Shiuan-Jeng,Chen Yi-Min,Lin Hung-Chou,Murukesan Karthick,Chan Chih-Yuan,Chang Chen-Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: US11424359B2. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device structure with high voltage device

Номер патента: DE102018127473A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Yi-Min Chen,Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Karthick Murukesan,Shiuan-Jeng Lin,Wen-Chih Chiang,Chen-Chien Chang,Chih-Yuan Chan,Chun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of forming memory cells, high voltage devices and logic devices on a semiconductor substrate

Номер патента: US11968829B2. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming memory cells, high voltage devices and logic devices on a semiconductor substrate

Номер патента: US20230292504A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

High Voltage Device with Reduced Leakage

Номер патента: US20140179080A1. Автор: Kuo-Feng Yu,Shu-Wei Vanessa Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140045314A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-13.

Integrated Circuit for High-Voltage Device Protection

Номер патента: US20160064394A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,Chu Chen-Liang,Lei Ming-ta,Yao Chih-Wen Albert. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Multi-type high voltage devices fabrication for embedded memory

Номер патента: US20220181340A1. Автор: Wei Cheng Wu,Li-Feng Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

High Voltage Device with a Parallel Resistor

Номер патента: US20160260704A1. Автор: TSAI Chun Lin,Chiang Hsin-Chih,Chen Kevin,Chen Yi-Min,HUO KER-HSIAO. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Field plate structure for high voltage devices

Номер патента: US20040201078A1. Автор: Liping Ren. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-10-14.

Composite gate dielectric for high-voltage device

Номер патента: US20240113187A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Ying-Chou Chen,Fei-Yun Chen,Jhu-Min Song,Chi-Te Lin,Yi-Kai Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Structure in a high voltage path of an ultra-high voltage device for providing esd protection

Номер патента: US20110260287A1. Автор: Jian-Hsing Lee. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2011-10-27.

Power semiconductor devices integrated with clamp diodes having separated gate metal pads to avoid breakdown voltage degradation

Номер патента: US8148773B2. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20230282690A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Power semiconductor devices integrated with clamp diodes having separated gate metal pads to avoid breakdown voltage degradation

Номер патента: US20110169047A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Lateral high-voltage devices with optimum variation lateral flux by using field plate

Номер патента: US7659596B2. Автор: Xingbi Chen. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2010-02-09.

Isolation scheme for high voltage device

Номер патента: US09673084B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Ming Li,Kun Liu,Francis Benistant,Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming superjunction high voltage devices using wafer bonding

Номер патента: US09461109B1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20200144414A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming superjunction high voltage devices using wafer bonding

Номер патента: US20160268367A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH LOW RDSON

Номер патента: US20160155797A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200185521A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170236899A1. Автор: Hsiao Shih-Yin,Tsai Su-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

HIGH-VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190252513A1. Автор: Tsai Ming-Hua,CHANG Wei-Hsuan,Kuo Chin-Chia,Lin Chih-Mou,Tsai Su-Hua,Liu Pai-Tsang,Li Chiao-Yu,Wu Chun-Ning. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190378924A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHEN CHIEN-YU. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Nitride high-voltage device and manufacture method thereof

Номер патента: CN103117294B. Автор: 程凯. Владелец: SUZHOU JINGZHAN SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Integration of low and high voltage devices on substrate

Номер патента: US20230387209A1. Автор: Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage device with boosted breakdown voltage

Номер патента: US20240250116A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ultra high voltage device

Номер патента: US20160240668A1. Автор: Jen-Chou Tseng,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Ultra high voltage device

Номер патента: US09666713B2. Автор: Jen-Chou Tseng,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Ultra High Voltage Device

Номер патента: US20170005194A1. Автор: Jen-Chou Tseng,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Ultra high voltage device

Номер патента: US09472666B2. Автор: Jen-Chou Tseng,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

High voltage device with boosted breakdown voltage

Номер патента: US11935918B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tsung-Hao YEH,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

High-voltage device structure having high endurance capability of ESD

Номер патента: TW200522280A. Автор: Ming-Dou Ker,Geeng-Lih Lin,Kuen-Shien Lin. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2005-07-01.

Ultra High Voltage Device

Номер патента: US20170256643A1. Автор: Jen-Chou Tseng,Ming-Fu Tsai,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20150054076A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Silicon-on-insulator high voltage device structure

Номер патента: WO2003030262A3. Автор: Theodore J Letavic,Mark R Simpson. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-06-05.

High voltage device having reduced on-state resistance

Номер патента: US20100096697A1. Автор: Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Chien-Chih Chou,Jeng Gong,Tsung-Yi Huang,Pou-Yu Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200111906A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Yu Kun-Huang,Hung Chung-Yu,Chen Chu-Feng,Lin Ying-Shiou,Tu Yi-Rong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

A kind of lateral high-voltage device

Номер патента: CN107359192A. Автор: 张波,余洋,乔明,王正康,章文通,梁龙飞,詹珍雅. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-11-17.

Silicon-on-insulator high-voltage device structure

Номер патента: CN1561548B. Автор: M·R·辛普森,T·J·莱塔维. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-01-19.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor on insulator substrate with back bias

Номер патента: US20170110491A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor on insulator substrate and device formed therefrom

Номер патента: KR101093785B1. Автор: 퀴 시앙. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2011-12-19.

Semiconductor on insulator substrate and devices formed therefrom

Номер патента: WO2005101521A1. Автор: Qi Xiang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-10-27.

Dual work function high voltage devices

Номер патента: US20090090983A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Edward J. Nowak,Steven H. Voldman,James W. Adkisson,Michael J. Zierak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO,SUN JACK,YANG ANDY. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device, and high voltage device with self-electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200266188A1. Автор: Guangyang Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device, and high voltage device with self-electrostatic discharge protection

Номер патента: WO2019024917A1. Автор: 汪广羊. Владелец: 无锡华润上华科技有限公司. Дата публикации: 2019-02-07.

Ultra High Voltage Device

Номер патента: US20170005194A1. Автор: TSENG Jen-Chou,TSAI MING-FU,SU YU-TI. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

FIELD PLATE STRUCTURE FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20210074820A1. Автор: Ho Chia-Cheng,Lu Hui-Ting,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,JHOU Jyun-Guan. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210074851A1. Автор: YANG Ta-Yung,Chiu Chien-Wei,CHEN CHIEN-YU,Hsiung Chih-Wen,Yu Kun-Huang,Weng Wu-Te,Chang Chun-Lung,CHIU Kuo-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

ULTRA HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20160240668A1. Автор: TSENG Jen-Chou,TSAI MING-FU,SU YU-TI. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Ultra High Voltage Device

Номер патента: US20170256643A1. Автор: TSENG Jen-Chou,TSAI MING-FU,SU YU-TI. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

TERMINATION DESIGN FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20150279984A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bhalla Anup,Guan Lingpeng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

FIELD PLATE STRUCTURE FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20200373395A1. Автор: Ho Chia-Cheng,Lu Hui-Ting,Wang Pei-Lun,Jong Yu-Chang,JHOU Jyun-Guan. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor High Voltage Device

Номер патента: SE8106799L. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1982-05-18.

High-voltage device for realizing self electrostatic discharge protection

Номер патента: CN109390330B. Автор: 汪广羊. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

Lateral diffusion high-voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111883594B. Автор: 陈瑜. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

The lateral high-voltage device of more raceway grooves

Номер патента: CN107978632A. Автор: 李珂,乔明,周锌,袁章亦安. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-05-01.

High voltage device embedded non-volatile memory cell and fabrication method

Номер патента: TWI258216B. Автор: Hung-Chih Tsai,Chien-Chih Chou,Kuo-Chio Liu,Che-Jung Chu,Ying-Ting Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-07-11.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20230377950A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High voltage device embedded non-volatile memory cell and fabrication method

Номер патента: TW200531271A. Автор: Hung-Chih Tsai,Chien-Chih Chou,Kuo-Chio Liu,Che-Jung Chu,Ying-Ting Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-16.

Multi-Gate High Voltage Device

Номер патента: US20150130515A1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Multi-Gate High Voltage Device

Номер патента: US20160315079A1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Multi-gate high voltage device

Номер патента: US9385707B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Multi-gate high voltage device

Номер патента: US9768164B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

A structure for prevention leakage of a high voltage device

Номер патента: TW200640007A. Автор: Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Tech Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

High-voltage device and method for manufacturing high-voltage device

Номер патента: US6262459B1. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-17.

Integrated chip, high-voltage device and method for forming high-voltage transistor device

Номер патента: CN111987148A. Автор: 王培伦,何嘉政,钟于彰,卢卉庭,周君冠. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210134655A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Pip structure and manufacturing methods of high voltage device and capacitor device having pip structure

Номер патента: US20230238242A1. Автор: Chin-Chin Tsai,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-07-27.

HIGH VOLTAGE DEVICE HAVING SCHOTTKY DIODE

Номер патента: US20150054116A1. Автор: Tsai Min-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH GATE EXTENSIONS

Номер патента: US20210066451A1. Автор: Liu Ming Chyi,Chen Jhih-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Ballast resistor for super-high-voltage devices

Номер патента: US20150187754A1. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy,Siew Yong Chui. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

A HIGH VOLTAGE DEVICE WITH COMPOSITE STRUCTURE AND A STARTING CIRCUIT

Номер патента: US20150311280A1. Автор: Li Zhaohua. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190341491A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

A structure for current leakage prevention of a high voltage device

Номер патента: KR100734507B1. Автор: 찬량 우. Владелец: 하이맥스 테크놀로지스, 인코포레이션. Дата публикации: 2007-07-03.

Manufacturing method of high voltage device

Номер патента: US8501567B2. Автор: Tsung-Yi Huang,Yuh-Chyuan Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-08-06.

Ballast resistor for super-high-voltage devices

Номер патента: US20120326234A1. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy,Siew Yong Chui. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Ballast resistor for super-high-voltage devices

Номер патента: US20150187754A1. Автор: Sehat Sutardja,Ravishanker Krishnamoorthy,Siew Yong Chui. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-07-02.

Profile of deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US20210358800A1. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a deep trench isolation structure for isolation of high-voltage devices

Номер патента: US11830765B2. Автор: Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Field plate structure for high voltage device

Номер патента: US20210074820A1. Автор: Pei-Lun Wang,Jyun-Guan JHOU,Chia-Cheng Ho,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Field plate structure for high voltage device

Номер патента: US20200373395A1. Автор: Pei-Lun Wang,Jyun-Guan JHOU,Chia-Cheng Ho,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Field plate structure for high voltage device

Номер патента: US20220262908A1. Автор: Pei-Lun Wang,Jyun-Guan JHOU,Chia-Cheng Ho,Hui-Ting Lu,Yu-Chang Jong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Field plate and isolation structure for high voltage device

Номер патента: US20210296451A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chia-Cheng Ho,Kaochao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Multi-Gate High Voltage Device

Номер патента: US20160315079A1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

method for manufacturing high voltage device and the same

Номер патента: KR100899533B1. Автор: 홍대욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-05-27.

Method of manufacturing a high voltage device

Номер патента: KR100854892B1. Автор: 이동기,서지현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-28.

Field plate and isolation structure for high voltage device

Номер патента: US20220336593A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chia-Cheng Ho,Kaochao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170372968A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US09786563B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US09780091B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170148788A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170148681A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fin pitch scaling for high voltage devices and low voltage devices on the same wafer

Номер патента: US20170301671A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Epitaxial source and drain structures for high voltage devices

Номер патента: US20190096887A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200105926A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Yu Kun-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Zero Cost NVM Cell Using High Voltage Devices in Analog Process

Номер патента: US20160172505A1. Автор: Liu David. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140332884A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei,ZHU Baofu. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

STRESS ENHANCED HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20150287780A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

MULTI-TYPE HIGH VOLTAGE DEVICES FABRICATION FOR EMBEDDED MEMORY

Номер патента: US20200381442A1. Автор: Wu Wei Cheng,Teng Li-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method for fabricating high voltage device using double epi growth

Номер патента: KR100592225B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-23.

Lateral high-voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103904121A. Автор: 张波,乔明,李燕妃,周锌,王裕如,叶珂. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-07-02.

Semiconductor high-voltage devices

Номер патента: US7227197B2. Автор: Xingbi Chen. Владелец: Third Dimension 3D Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

LATERAL DOUBLE-DIFFUSED HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140264584A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

STRUCTURE FOR HIGH VOLTAGE DEVICE AND CORRESPONDING INTEGRATION PROCESS

Номер патента: US20150349052A1. Автор: Saggio Mario Giuseppe,Murabito Domenico,"MAGRI ANGELO". Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

High voltage device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN115241290A. Автор: 熊志文,邱国卿,游焜煌,张钧隆,翁武得. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-10-25.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140370683A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140367745A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

T-SHAPED COMPOUND SEMICONDUCTOR LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR

Номер патента: US20140367745A1. Автор: Cheng Cheng-Wei,Shiu Kuen-Ting,Ning Tak H.,Shahidi Ghavam G.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

T-shaped compound semiconductor lateral bipolar transistor on semiconductor-on-insulator

Номер патента: US20140370683A1. Автор: Ghavam G. Shahidi,Cheng-Wei Cheng,Tak H. Ning,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Structure in a high-voltage path of an ultra-high voltage device for providing esd protection

Номер патента: TWI395315B. Автор: Jian Hsing Lee. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-05-01.

High voltage device with constant current source and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315123A1. Автор: Wei-Kuo Wu. Владелец: Nanker Guangzhou Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Method of forming high voltage devices with retrograde well

Номер патента: TWI246769B. Автор: Ruey-Hsin Liu,Kuo-Ming Wu,Shun-Liang Hsu,Chen-Bau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-01-01.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: US20240204764A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage device with linearizing field plate configuration

Номер патента: EP4386843A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan Avraham Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: US09991225B2. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Breakdown voltage capability of high voltage device

Номер патента: US12027526B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: WO2016209934A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-03-01.

Breakdown voltage capability of high voltage device

Номер патента: US20240321894A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH MULTI-ELECTRODE CONTROL

Номер патента: US20180233481A1. Автор: Bahl Sandeep R.,Seeman Michael D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Method to improve the reliability of the breakdown voltage in high voltage devices

Номер патента: US8357562B2. Автор: Jifa Hao. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Method and apparatus to improve the reliability of the breakdown voltage in high voltage devices

Номер патента: US20090315155A1. Автор: Jifa Hao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Finfet device integrated with tfet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200006326A1. Автор: Deming Sun. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Device integrating trench type power device and source capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282636A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Device integrated with depletion-mode junction fielf-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190221560A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

High power spin torque oscillator integrated on a transistor

Номер патента: US20160013754A1. Автор: Jae Hyun Lee,Min Cheol Shin,Doo Hyung Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-01-14.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High-voltage device with improved punch through voltage and process for same compatible with low-voltage device process

Номер патента: US6875658B2. Автор: Hsiao-Ying Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

MULTI-GATE HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140184277A1. Автор: Lee Jam-Wem. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

High-voltage device of composite structure and starting circuit

Номер патента: EP2765604A1. Автор: Zhaohua Li. Владелец: Shenzhen Sunmoon Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

High-voltage device of composite structure and starting circuit

Номер патента: EP2765604A4. Автор: Zhaohua Li. Владелец: Shenzhen Sunmoon Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-27.

High-voltage device of composite structure and starting circuit

Номер патента: WO2014082469A1. Автор: 李照华. Владелец: 深圳市明微电子股份有限公司. Дата публикации: 2014-06-05.

Ultra-high voltage devices and method for fabricating the same

Номер патента: US09842896B1. Автор: Wen-Hsin Lin,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

CONNECTION STRUCTURE FOR VERTICAL GATE ALL AROUND (VGAA) DEVICES ON SEMICONDUCTOR ON INSULATOR (SOI) SUBSTRATE

Номер патента: US20150303270A1. Автор: Liaw Jhon-Jhy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-10-22.

Bipolar transistor on a semiconductor-on-insulator substrate and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100292905B1. Автор: 다까스께 하시모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-01-16.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: US20160380089A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

High Voltage Device with Reduced Leakage

Номер патента: US20130119466A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Chung Shu-Wei Vanessa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-16.

HYBRID HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140151796A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150123198A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-07.

ISOLATION SCHEME FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20160163583A1. Автор: Li Ming,LIU Kun,Ong Shiang Yang,VERMA Purakh Raj,Benistant Francis,MUN Namchil. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Zero Cost NVM Cell Using High Voltage Devices in Analog Process

Номер патента: US20160181436A1. Автор: Liu David. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

High voltage device with multi-electrode control

Номер патента: US20160380089A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Michael D. Seeman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

High voltage device

Номер патента: US20190006528A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

High voltage device

Номер патента: US10312379B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP3459107A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-03-27.

Semiconductor-on-insulator substrate for rf applications

Номер патента: US20230238274A1. Автор: Arnaud Castex,Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20230386896A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Groove grid high-voltage device based on composite drain electrode and method for manufacturing same

Номер патента: CN103839996A. Автор: 冯倩,代波,杜锴,马晓华,郑雪峰,郝跃. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2014-06-04.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US09825124B2. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US09412881B2. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US20230420497A1. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US11791377B2. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US20180069077A1. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Power device integration on a common substrate

Номер патента: US20140291762A1. Автор: Jacek Korec,Boyi Yang. Владелец: Silanna Semiconductor USA Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Trench Separation Diffusion for High Voltage Device

Номер патента: US20170178947A1. Автор: Wisotzki Elmar,Koerber Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160071963A1. Автор: Gong Jeng,Chan Wing-Chor,TSAI Ying-Chieh,Cheng Chia-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Manufacture of group iiia-nitride layers on semiconductor on insulator structures

Номер патента: US20190206675A1. Автор: Gang Wang,Michael R. Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Fabrication of Group IIIA Nitride Layers on Semiconductor-on-Insulator Structures

Номер патента: FR3087045B1. Автор: Gang Wang,Michael R Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-24.

Manufacture of group IIIA nitride layers on semiconductor on insulator structures

Номер патента: FR3087045A1. Автор: Gang Wang,Michael R Seacrist. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-10.

Deep isolation trench structure and deep trench capacitor on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20140120688A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

HIGH DOSE IMPLANTATION FOR ULTRATHIN SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20150221648A1. Автор: Gimbert Jocelyne. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2015-08-06.

High voltage devices

Номер патента: US20070290291A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Li-Huan Zhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate

Номер патента: US20210398995A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming memory cells, high voltage devices and logic devices on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2023172280A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

FIN PITCH SCALING FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOW VOLTAGE DEVICES ON THE SAME WAFER

Номер патента: US20170148681A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

FIN PITCH SCALING FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOW VOLTAGE DEVICES ON THE SAME WAFER

Номер патента: US20170148788A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Trench separation diffusion for high voltage device

Номер патента: US09922864B2. Автор: Elmar Wisotzki,Christoph Koerber. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Trench separation diffusion for high voltage device

Номер патента: US09590033B1. Автор: Elmar Wisotzki,Christoph Koerber. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Buffer structure with interlayer buffer layers for high voltage device

Номер патента: US20240266403A1. Автор: Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Trench Separation Diffusion for High Voltage Device

Номер патента: US20170178947A1. Автор: Elmar Wisotzki,Christoph Koerber. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-06-22.

Method and system for incorporating high voltage devices in an eeprom

Номер патента: US20090273883A1. Автор: Michael Graf,James Shen,Volker Dudek,Stefan Schwantes,Alan Renninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

METHOD OF FORMING SUPERJUNCTION HIGH VOLTAGE DEVICES USING WAFER BONDING

Номер патента: US20160268367A1. Автор: Anderson Samuel,Ishiguro Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: SE438577B. Автор: A R Hartman,T J Riley,P W Shackle,B T Murphy. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1985-04-22.

Method and system for incorporating high voltage devices in an EEPROM

Номер патента: US20070090432A1. Автор: Michael Graf,James Shen,Volker Dudek,Stefan Schwantes,Alan Renninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of fabricating high voltage device

Номер патента: US8114749B2. Автор: Joon-Tae Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-02-14.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20190006528A1. Автор: Chang Kai-Kuen,Hsiao Shih-Yin,Yang Ching-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

SERIES RESISTOR OVER DRAIN REGION IN HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20200043912A1. Автор: HUO Ker Hsiao,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,Chen Yi-Min,Chan Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

method for manufacturing high voltage device and the same

Номер патента: KR20010094722A. Автор: 양익석. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-01.

High voltage device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090065879A1. Автор: Hwi-Huang Chen,Ming-Tsung Lee,Yun-Han Ma,Shih-Ming Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

SERIES RESISTOR OVER DRAIN REGION IN HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20200027874A1. Автор: HUO Ker Hsiao,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,Chen Yi-Min,Chan Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

GUARDING RING STRUCTURE OF A HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140353793A1. Автор: Sun Deming. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

GaN power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure

Номер патента: US12027516B1. Автор: SHENG Li,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Mengli LIU,Yanfeng Ma. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Enhancement-mode N-channel and P-channel GaN device integration structure

Номер патента: US12051742B1. Автор: Long Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Peigang Liu. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Enhancement-mode n-channel and p-channel gan device integration structure

Номер патента: US20240266430A1. Автор: Long Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Peigang Liu. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: EP4302332A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Different-voltage device manufactured by a cmos compatible process and high-voltage device used in the different-voltage device

Номер патента: US20070178648A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for integrating high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: US20020197812A1. Автор: Yung-Chieh Fan. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: EP3893272A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: US20210289618A1. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Insulating medium and its use in high voltage devices

Номер патента: EP2252651A1. Автор: Ian Cotton,Jeffrey Robertson,Ningyan Wang,Sarah Follmann. Владелец: University of Manchester. Дата публикации: 2010-11-24.

Method for forming contact windows in the layer of the protective foundation of a high-voltage device

Номер патента: RU2645920C2. Автор: Алексей Николаевич Харин,Эвелина Павловна Домашевская,Александр Васильевич Коновалов,Алексей Александрович Скиданов,Юрий Леонидович Фоменко,Владимир Андреевич Терехов,Сергей Юрьевич Турищев. Владелец: Акционерное общество "ВЗПП-Микрон". Дата публикации: 2018-02-28.

Method for fabricating a high voltage device

Номер патента: US20030134463A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Insulating medium and its use in high voltage devices

Номер патента: WO2009103957A1. Автор: Ian Cotton,Jeffrey Robertson,Ningyan Wang,Sarah Follmann. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2009-08-27.

Deep trench isolation structure of a high-voltage device and method for forming thereof

Номер патента: US20040082140A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Jia-Wei Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Process Method for Improving Reliability of Metal Gate High-Voltage Device

Номер патента: US20230274931A1. Автор: Zhigang Zhang,Qiwei Wang,Yaoyu Zhan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

MANUFACTURE OF GROUP IIIA-NITRIDE LAYERS ON SEMICONDUCTOR ON INSULATOR STRUCTURES

Номер патента: US20180005815A1. Автор: Wang Gang,Seacrist Michael R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP1695377A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2005055290A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate for radiofrequency applications

Номер патента: WO2021234277A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20230411205A1. Автор: Didier Landru,Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-12-21.

Low-temperature method for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20220172984A1. Автор: Shay REBOH,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-06-02.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods and Integrated Circuitry

Номер патента: US20180301370A1. Автор: Wells David H.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-18.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20170352579A1. Автор: Wells David H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20170352580A1. Автор: Wells David H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20170372942A1. Автор: Wells David H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20170372943A1. Автор: Wells David H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor-on-insulator substrate coated with intrinsic and doped diamond films

Номер патента: EP2304788A1. Автор: Philippe Bergonzo,François Andrieu,Jean-Paul Mazellier,Samuel Saada. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-04-06.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate and methods of forming semiconductor-on-insulator substrates

Номер патента: TWI560740B. Автор: David H Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Methods of forming one or more covered voids in a semiconductor substrate, methods of forming field effect transistors, methods of forming semiconductor-on-insulator substrates, methods of forming a span comprising silicon dioxide, methods of cooling semiconductor devices, methods of forming electromagnetic radiation emitte

Номер патента: WO2008097448A3. Автор: David H Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of Forming One or More Covered Voids in a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Semiconductor-on-Insulator Substrates, Methods of Forming a Span Comprising Silicon Dioxide, Methods of Cooling Semiconductor Devices, Methods of Forming Electromagnetic Radiation Emitters and Conduits, Methods of Forming Imager Systems, Methods of Forming Nanofluidic Channels, Fluorimetry Methods, and Integrated Circuitry

Номер патента: US20240087948A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Process for fabricating a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09679799B2. Автор: Christophe Gourdel,Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of producing insulation trenches in a semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US20130189825A1. Автор: Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-07-25.

DEEP ISOLATION TRENCH STRUCTURE AND DEEP TRENCH CAPACITOR ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20140120688A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220139768A1. Автор: Broekaart Marcel,Castex Arnaud. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

LOW-TEMPERATURE METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220172984A1. Автор: Reboh Shay,HARTMANN Jean-Michel. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2022-06-02.

SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE FOR RF APPLICATIONS

Номер патента: US20190115248A1. Автор: Castex Arnaud,Kononchuk Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE HALO IMPLANTS HAVING EPITAXIAL LAYER OVER SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Saha Samar K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20190181035A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-06-13.

METHOD FOR FABRICATING A STRAINED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20210225695A1. Автор: Daval Nicolas,Schwarzenbach Walter,Chabanne Guillaume. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) AND NON-FET CIRCUIT ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Zang Hui,Wu Xusheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

METHODS OF FORMING THREE-DIMENSIONALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING PHOTOACTIVE DEVICES AND SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATES

Номер патента: US20140369646A1. Автор: Sadaka Mariam,Nguyen Bich-Yen. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180294158A1. Автор: Imthurn George,Lim Gary,Brawley Andrew. Владелец: THE SILANNA GROUP PTY LTD. Дата публикации: 2018-10-11.

PROCESS FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150311110A1. Автор: Gourdel Christophe,Kononchuk Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200321243A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2020-10-08.

PROCESS FOR SMOOTHING THE SURFACE OF A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190348319A1. Автор: Landru Didier,Kononchuk Oleg,Ben Mohamed Nadia. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A HIGH-RESISTIVITY SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160372484A1. Автор: Nguyen Bich-Yen,Allibert Frederic,MALEVILLE Christophe. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Process for fabricating a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2014080256A1. Автор: Christophe Gourdel,Oleg Kononchuk. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-05-30.

Semiconductor on insulator substrate for rf applications

Номер патента: WO2017167923A1. Автор: Arnaud Castex,Oleg Kononchuk. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor on insulator substrates for RF applications

Номер патента: KR102172705B1. Автор: 아르노 카스텍스,올레그 코논추크. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2020-11-02.

Process for fabricating a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: CN104798192A. Автор: C·古德尔,奥列格·科农丘克. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-07-22.

Process for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate for radiofrequency applications

Номер патента: FR3110282B1. Автор: Walter Schwarzenbach,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2022-04-15.

Manufacturing process of a semiconductor-on-insulator substrate for radiofrequency applications

Номер патента: FR3110282A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-11-19.

SEMICONDUCTOR-ON-INSULATION SUBSTRATE FOR RADIO FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: FR3091011A1. Автор: Kim Young Pil,Christelle Veytizou. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2020-06-26.

Semiconductor-on-insulator substrate and structure including multiple order radio frequency harmonic supressing region

Номер патента: US8299537B2. Автор: Randy L. Wolf,Joseph R. Greco,Kevin Munger,Richard A. Phelps,Jennifer C. Robbins,William Savaria,James A. Slinkman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor-on-insulator substrate for radio frequency applications

Номер патента: CN113196461A. Автор: 克里斯泰勒·维蒂佐,K·扬·皮尔. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-07-30.

Method for Manufacturing a Strained Semiconductor-on-Insulator Substrate

Номер патента: JP6949879B2. Автор: ウォルター、シュバルツェンバッハ,ギヨーム、シャバンヌ,ニコラ、ダバル. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-10-13.

Process for smoothing the surface of a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: TW201826402A. Автор: 那地雅 班穆罕默德,奧列格 科諾強克,迪迪爾 藍德盧. Владелец: 法商索泰克公司. Дата публикации: 2018-07-16.

Semiconductor-on-insulator substrate and structure including multiple order radio ferquency harmonic supressing region

Номер патента: US20100200927A1. Автор: Randy L. Wolf,Joseph R. Greco,Kevin Munger,Richard A. Phelps,Jennifer C. Robbins,William Savaria,James A. Slinkman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP3459106A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-03-27.

Method for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2020201003A1. Автор: Marcel Broekaart,Arnaud Castex. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2020-10-08.

Process for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate for radio frequency applications

Номер патента: FR3110283B1. Автор: Walter Schwarzenbach,Isabelle Bertrand,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2022-04-15.

Process for fabricating semiconductor structures useful for the production of semiconductor-on-insulator substrates, and its applications

Номер патента: US20090087961A1. Автор: Laurent Vandroux,Jean-Michel Hartmann. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for manufacturing semiconductor-on-insulator substrates for high frequency applications

Номер патента: JP2023526902A. Автор: フレデリック アリベール，,イザベル ベルトラン，,ウォルター シュヴァルツェンバッハ，. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-06-26.

Process for smoothing the surface of a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: TWI683371B. Автор: 那地雅 班穆罕默德,奧列格 科諾強克,迪迪爾 藍德盧. Владелец: 法商索泰克公司. Дата публикации: 2020-01-21.

Method for Manufacturing a Strained Semiconductor-on-Insulator Substrate

Номер патента: JP6888028B2. Автор: ウォルター、シュバルツェンバッハ,ギヨーム、シャバンヌ,ニコラ、ダバル. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-06-16.

Process for manufacturing semiconductor-on-insulator substrates for high-frequency applications

Номер патента: KR20230011264A. Автор: 프레데릭 알리베르,왈터 슈와젠바흐,이사벨 베르트랑. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2023-01-20.

Method of manufacturing a semiconductor-on-insulant substrate comprising a step with localised Ge enrichment

Номер патента: EP2075826A2. Автор: Benjamin Vincent,Laurent Clavelier,Jean-Francois Damlencourt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2009-07-01.

Method for manufacturing a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: CN113597668A. Автор: 阿诺德·卡斯泰,M·波卡特. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-11-02.

Method for fabricating a semiconductor on insulator substrate with reduced secco defect density

Номер патента: US20100052092A1. Автор: Oleg Kononchuk,Alexandra Abbadie,Walter Schwarzenbach,Luciana Capello,Eric Neyret. Владелец: ASPENGINES Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Photonic Device on a Semiconductor-on-Insulator Substrate and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20220342149A1. Автор: Tzu-Chung Tsai,Yueh Ying LEE,Chien-Ying WU,Jhih-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP3459106C0. Автор: Walter Schwarzenbach,Nicolas Daval,Guillaume Chabanne. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-07-19.

Crystalline semiconductors on insulating substrates

Номер патента: CA927252A. Автор: J. Dumin David. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-05-29.

High voltage device and method

Номер патента: US20020098632A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of high voltage device fabrication

Номер патента: US09966265B2. Автор: Bo Hong,Shuai ZHANG,Jui Lin Lu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

ISOLATION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF FOR HIGH-VOLTAGE DEVICE IN A HIGH-VOLTAGE BCD PROCESS

Номер патента: US20180033676A1. Автор: Yu Guoqiang,WEN Yongxiang,ZHANG Shaohua,JIANG Yulei,SUN Yanghui. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

ISOLATION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF FOR HIGH-VOLTAGE DEVICE IN A HIGH-VOLTAGE BCD PROCESS

Номер патента: US20150179497A1. Автор: Yu Guoqiang,WEN Yongxiang,ZHANG Shaohua,JIANG Yulei,SUN Yanghui. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

HIGH VOLTAGE DEVICE FABRICATED USING LOW-VOLTAGE PROCESSES

Номер патента: US20160204223A1. Автор: Dhaoui Fethi,McCollum John L.,Xue Fengliang. Владелец: Microsemi SoC Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of forming a junction for high voltage device in a semiconductor device

Номер патента: KR100739945B1. Автор: 곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Graded junction, high voltage device and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN109449083B. Автор: 赵东光,占琼. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-02.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130217196A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140045313A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Lo Kuo-Hsuan. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

ISOLATION TECHNIQUES FOR HIGH-VOLTAGE DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20200013679A1. Автор: Nowak Edward J.,SINGH Jagar. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

INTEGRATED CIRCUITS WITH HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180082999A1. Автор: Zhang Fan,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

High Voltage Device with Reduced Leakage

Номер патента: US20140179080A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Chung Shu-Wei Vanessa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-26.

LOW COST AND MASK REDUCTION METHOD FOR HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20170133458A9. Автор: Lui Sik,Tsuchiko Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

METHOD OF HIGH VOLTAGE DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20170221711A1. Автор: Zhang Shuai,Hong Bo,LU JUI LIN. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

LOW COST AND MASK REDUCTION METHOD FOR HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20160254347A1. Автор: Lui Sik,Tsuchiko Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD OF FABRICATING HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140370680A1. Автор: Chen Jung-Ching,Chen Yi-Hao,Liu Hsiao-Wen,Lee Wen-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

method for fabricating high voltage device

Номер патента: KR100596752B1. Автор: 김용국. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for fabricating high voltage device

Номер патента: KR20060053442A. Автор: 김용국. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-22.

Method and structure for high-voltage device with self-aligned graded junctions

Номер патента: US6531366B1. Автор: Igor Kouznetsov. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

High-voltage device structure

Номер патента: CN1969389A. Автор: T·莱塔维克,J·佩特鲁泽洛. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-23.

Method of ion implantation for a high voltage device

Номер патента: KR100840651B1. Автор: 장덕기. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-06-24.

Method of fabricating semiconductor high-voltage device comprising the steps of using photolithographic processes to form nitride spacer regions and dry etch process to form deep trench regions

Номер патента: US7687388B2. Автор: Seung-chul Ha. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130237027A1. Автор: OH Bo-Seok. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for providing fabrication process of high voltage device

Номер патента: KR20090002807A. Автор: 하승철. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-01-09.

Method for providing fabrication process of high voltage device

Номер патента: KR100895943B1. Автор: 하승철. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-05-07.

Power electronic device of multi-drain type integrated on a semiconductor substrate and relative manufacturing process

Номер патента: EP1851804A2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2007-11-07.

Structured resistive field shields for low-leakage high voltage devices

Номер патента: US4580156A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-04-01.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20200235197A1. Автор: SIZOV Victor,RESO Denis. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method for high voltage device

Номер патента: KR101167192B1. Автор: 오보석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-07-24.

Method for manufacturing high voltage device

Номер патента: KR100313954B1. Автор: 오한수. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Resistive field shields for high voltage devices

Номер патента: EP0313249A1. Автор: William Reynold Knolle,John William Osenbach. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1989-04-26.

Implanted isolation for device integration on a common substrate

Номер патента: US20220173233A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Implanted isolation for device integration on a common substrate

Номер патента: US12002878B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Process for forming differential spaces in electronics device integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US20100047980A1. Автор: Giulio Albini,Giorgio Servalli,Carlo Cremonesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-02-25.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US12087764B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220392888A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20220122963A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US20240222366A1. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor having a backside wafer cavity for radio frequency (RF) passive device integration and/or improved cooling and process of implementing the same

Номер патента: US11735538B2. Автор: Fabian Radulescu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor Having a Backside Wafer Cavity for Radio Frequency (RF) Passive Device Integration and/or Improved Cooling and Process of Implementing the Same

Номер патента: US20210257320A1. Автор: Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Integrated Circuit Comprising Group III-N Transistors Monolithically Integrated on a Silicon Substrate and a Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20160163695A1. Автор: Niels Posthuma,Stefaan Decoutere,Shuzhen You. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756B1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

High voltage devices and fabrication method thereof

Номер патента: TW200802863A. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Li-Huan Zhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-01-01.

High voltage devices and fabrication method thereof

Номер патента: TWI335673B. Автор: Jiann Tyng Tzeng,Li Huan Zhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-01-01.

FIN PITCH SCALING FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOW VOLTAGE DEVICES ON THE SAME WAFER

Номер патента: US20170301671A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

High-voltage device box

Номер патента: EP4087072A1. Автор: Tao Li,Xin Peng,Congjian JIANG,Chuanwen Luo,Fang HENG,Xiongbo WANG. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Device to reduce risk of dielectric breakthrough in high-voltage devices, high-voltage wall through insulator, comprising such device, and method to manufacture such device

Номер патента: RU2503106C2. Автор: Торстен ШЮТТЕ,Эндрю МАКСВЕЛЛ. Владелец: АББ Рисерч ЛТД. Дата публикации: 2013-12-27.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505C. Автор: Achim Langens. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-17.

High-voltage feedthrough, and electrical high-voltage device with high-voltage feedthrough

Номер патента: CA3123505A1. Автор: Achim Langens. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-12-30.

Cooling of high-voltage devices

Номер патента: RU2465668C2. Автор: Дэвид ЭМИЛЬССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2012-10-27.

High-voltage device

Номер патента: RU2531259C2. Автор: Томми ЛАРССОН,Дэвид ЭМИЛЬССОН,Ральф ХАРТИНГС. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2014-10-20.

Connection structure between main transformer and high-voltage device box and railcar including same

Номер патента: US09831644B2. Автор: Hiroyuki Kawasaki,Hiroyuki Sakurai,Ryoji Negi. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-11-28.

Switching circuit for medium- and high-voltage devices

Номер патента: RU2530541C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-10-10.

High-voltage device and safety system for high-voltage device

Номер патента: US20230391196A1. Автор: Yoshihiro Nishimura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Burst protector for high-voltage device

Номер патента: US09899134B2. Автор: Klaus Schlepp,Christian Boeger,Juergen Niesner,Dara ROY. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2018-02-20.

High-voltage device and method of producing high-voltage device

Номер патента: RU2613686C2. Автор: Петер ШЕБЕРГ,Рогер ХЕДЛУНД,Хокан ФАЛЕКЕ,Нильс ЛАВЕССОН,Харальд МАРТИНИ,Йоахим ШИССЛИНГ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2017-03-21.

High-voltage device

Номер патента: US20220053657A1. Автор: Thomas Maibrink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-02-17.

Spark gap arrangement with ignition apparatus for protecting a high-voltage device and ignition apparatus therefor

Номер патента: US12095237B2. Автор: Dennie Lange,Michael Soeder. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-17.

High-voltage device of high-pressure input

Номер патента: RU2460185C2. Автор: Харальд БЕНЕСТАД,Пол Георг БЕНЕСТАД. Владелец: Пол Георг БЕНЕСТАД. Дата публикации: 2012-08-27.

Method for monitoring an operating condition of a component of a high voltage device

Номер патента: WO2024133895A1. Автор: Thomas Christen,Kai Yuan,Angelos Garyfallos,Bernhard Deck,Lennart MERKERT,Felipe MACEDO,Caio DOREA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

High-voltage device

Номер патента: RU2540964C2. Автор: Себастьян ГЕШЕЛЬ,Андреас КЛЯЙНШМИДТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-02-10.

High-voltage device

Номер патента: US20240092195A1. Автор: Oliver Lehmann,Moritz Eitler. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2024-03-21.

High-voltage device featuring temperature measurement, and method for measuring the temperature of a high-voltage device

Номер патента: US11073430B2. Автор: Thomas Adams,Tim Schnitzler,Joachim Titze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for determining the overload capacity of a high-voltage device

Номер патента: US11894181B2. Автор: Thomas Hammer,Ronny Fritsche,Johannes Raith,Matthias Kuestermann. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-06.

High-voltage device and method for increasing the dielectric strength in the high-voltage device

Номер патента: US20230368989A1. Автор: Volker Lehmann,Dietmar Frank,Thomas Heinz,Martin KREHNKE,Armin Grund,Alexander Hartung. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-16.

High-voltage device

Номер патента: US11638358B2. Автор: Thomas Maibrink. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-25.

High-voltage device having ceramic spacer elements, and use thereof

Номер патента: CA3073999A1. Автор: Sebastian Müller,Robert Gopfert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-04-04.

High-voltage device having ceramic spacer elements, and use thereof

Номер патента: CA3073999C. Автор: Sebastian Müller,Robert Gopfert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-01-23.

High-Voltage Device

Номер патента: US20190252871A1. Автор: Tim Schnitzler,Joachim Titze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Coated conductor in a high-voltage device and method for increasing the dielectric strength

Номер патента: US20230377778A1. Автор: Volker Lehmann,Thomas Heinz,Armin Grund. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-23.

High voltage device, high voltage bushing and method of assembling said device

Номер патента: EP2057646A1. Автор: Erik Forsberg,Ralf Hartings,Dan G. Gustavsson,Tommy L. Larsson,Kerstin M. Ekeroth Reijm,Jacob Eltebo. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2009-05-13.

Composite materials for use in high voltage devices

Номер патента: WO2013124206A1. Автор: Jens Rocks,Walter Odermatt. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-08-29.

Electronic power device integrated on a semiconductor material and related manufacturing process

Номер патента: US20020185677A1. Автор: Davide Patti,Vittorio Privitera,Francesco Priolo,Giorgia Franzo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-12.

Double-disc structure for self-biased circulators monolithically integrated on semiconductors

Номер патента: US12040525B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Soack Dae Yoon. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Double-disc structure for self-biased circulators monolithically integrated on semiconductors

Номер патента: US20220416390A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Soack Dae Yoon. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Resistor integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US4792840A. Автор: Bruno Nadd. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-12-20.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: WO2022226138A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: US20220367303A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: EP4327359A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Silicon die with integrated high voltage devices

Номер патента: EP3155654A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Donald W. Nelson,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

High voltage circuit board and high voltage device using same

Номер патента: EP3893272A4. Автор: Minoru Onodera,Tatsuya Sunamoto. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-31.

High voltage devices

Номер патента: US12119265B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

3DIC structure for high voltage device on a SOI substrate

Номер патента: US12136627B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Wen-Tuo Huang,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

High voltage device

Номер патента: US09735102B2. Автор: Donald Ray Disney,Lulu Peng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and apparatus for high voltage device crystal defect detection

Номер патента: US09658278B2. Автор: Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao,Po-Ju CHIU,Jun Yean CHIOU,Chao-Jen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of high-voltage device

Номер патента: TW519703B. Автор: Tzuo-Hung Fan,Yan-Hung Ye,Guang-Yang Jan,Mu-Yi Liou,Dau-Jeng Lu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-01.

Electrostatic discharge protection circuit structure for high voltage device

Номер патента: TW441074B. Автор: Ruei-Shiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-16.

Testing structure for an integrated chip having a high-voltage device

Номер патента: US20230170249A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Chung-Jen Huang,Chia-Sheng Lin,Wen-Tuo Huang,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Structures of high voltage device and low voltage device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040121547A1. Автор: Jong Kim,Dae Lee,Il Park,Tae Roh,Yil Yang,Byoung Yu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-06-24.

Integrated manufacturing method of high-voltage device and low-voltage device

Номер патента: TW451268B. Автор: Sheng-Lung Chen,Sheng-Shiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Method for forming high resistance resistor with integrated high voltage device process

Номер патента: US20030036276A1. Автор: Ralph Chen,Yuan-Li Tsai,Marcus Yang,Heng-Chun Kao,Ching-Chun Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

High voltage devices

Номер патента: US20220359304A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MEMORY CELLS, HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOGIC DEVICES ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Method and apparatus for high voltage device crystal defect detection

Номер патента: US20150212146A1. Автор: Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao,Po-Ju CHIU,Jun Yean CHIOU,Chao-Jen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

High voltage device and method

Номер патента: US20240079059A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir,Sai Srinivasa Krishna Anand Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Isolation techniques for high-voltage device structures

Номер патента: US20200013679A1. Автор: Edward J. Nowak,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

ESD protection circuit for high voltage device and semiconductor device comprising it

Номер патента: KR100638455B1. Автор: 이승호,정종척. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-10-24.

Method for fabricating semiconductor device having ONO structure and high voltage device

Номер патента: KR100591170B1. Автор: 최유성. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

SILICON DIE WITH INTEGRATED HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20170069597A1. Автор: Webb M. Clair,Jun Kimin,MORROW Patrick,Nelson Donald W.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150145055A1. Автор: KIM Jong-Sam. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

High Voltage Devices

Номер патента: US20210202321A1. Автор: JENG Jung-Chi,HSIAO Ru-Shang,Yang Sung-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Method and apparatus for high voltage device crystal defect detection

Номер патента: US20150212146A1. Автор: Chu Fu CHEN,Chun Hao Liao,Po-Ju CHIU,Jun Yean CHIOU,Chao-Jen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

SERIES RESISTOR OVER DRAIN REGION IN HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20180226396A1. Автор: HUO Ker Hsiao,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,Chen Yi-Min,Chan Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

SERIES RESISTOR OVER DRAIN REGION IN HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20150262995A1. Автор: HUO Ker Hsiao,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,Chen Yi-Min,Chan Chih-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

High voltage devices with multiple polyimide layers

Номер патента: US20200381342A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Byron Lovell Williams,Yongseok Park,Thomas Dyer BONIFIELD,Makarand Ramkrishna Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for improving the gate oxidation quality of high voltage device area

Номер патента: KR100629606B1. Автор: 김창남. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-27.

Method for etching gate insulate film of high voltage device

Номер патента: KR100587391B1. Автор: 정순욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor high-voltage device chip and manufacture method thereof

Номер патента: CN101866948A. Автор: 王琳,王成森,黎重林,薛治祥,颜呈祥. Владелец: QIDONG JIEJIE MICRO-ELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for manufacturing semiconductor circuit including high voltage device

Номер патента: KR100901689B1. Автор: 김상기,구진근,강진영,이주욱. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-06-08.

High voltage device with ESD protection

Номер патента: US20050098795A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yeh-Ning Jou,Geeng-Lih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

High voltage device

Номер патента: US11355578B2. Автор: Victor SIZOV,Denis Reso. Владелец: X Fab Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-07.

High voltage devices and method of fabricating the same

Номер патента: TW200620659A. Автор: Li-Che Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-16.

Method of forming a trench isolation for high voltage device

Номер патента: KR20070054879A. Автор: 나현철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

High voltage devices with multiple polyimide layers

Номер патента: US20200381342A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Byron Lovell Williams,Yongseok Park,Thomas Dyer BONIFIELD,Makarand Ramkrishna Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

HIGH-VOLTAGE DEVICE SIMULATION MODEL AND MODELING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20170011144A1. Автор: He Xiaodong,LIU Xinxin,HU Yifeng. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

High Voltage Device

Номер патента: US20220068721A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20220359304A1. Автор: JENG Jung-Chi,HSIAO Ru-Shang,Yang Sung-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

High Voltage Device and Method for the Same

Номер патента: KR100975971B1. Автор: 김용국. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-08-13.

Protection structure against electrostatic discharges (ESD) for an electronic device integrated on a SOI substrate, and corresponding integration process

Номер патента: US20030137009A1. Автор: Salvatore Leonardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-24.

Display device integrated with solar cell panel and methods for producing the same

Номер патента: WO2014182589A1. Автор: Guanglei DU,Chao Teng,Jingfei CHEN. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2014-11-13.

Display device integrated with solar cell panel and methods for producing the same

Номер патента: EP2994943A1. Автор: Guanglei DU,Chao Teng,Jingfei CHEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-03-16.

Circuit for the parallel supplying of power during testing of a plurality of electronic devices integrated on a semiconductor wafer

Номер патента: EP2324499A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-05-25.

Image forming device, integrated circuit for taking images and method for processing image data

Номер патента: RU2367107C2. Автор: Такахиро ФУКУХАРА,Тадакуни НАРАБУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2009-09-10.

Process for manufacturing an electronic device integrated on semiconductor substrate comprising non volatile floating gate memories and an associated circuitry and corresponding electronic device

Номер патента: US20080211009A1. Автор: Giorgio Servalli,Daniela Brazzelli,Sonia Costantini,Alessia Pavan. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-09-04.

Three dimensional device integration method and integrated device

Номер патента: US09564414B2. Автор: Paul M. Enquist,Gaius Gillman Fountain, Jr.. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US20140175607A1. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device integrating passive elements

Номер патента: US9147655B2. Автор: Chih-Wei Chang,Jin-Chern Chiou,Tzu Sen Yang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-09-29.

Light-emitting device, integrated light-emitting device and light-emitting module

Номер патента: RU2717381C2. Автор: Юити ЯМАДА,Мотоказу ЯМАДА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-23.

Cholesterol liquid crystal display device integrated with solar modules

Номер патента: US20240151999A1. Автор: Yao-Jen Hsieh,Chi-Chang Liao,Nien-Chieh Wang. Владелец: Iris Optronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Embedded magnetic device integrated structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332224A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Preparation method for high-voltage LED device integrated with pattern array

Номер патента: US09859331B2. Автор: Shihui Song,Hongyue ZHAO,Zhijiang SUN. Владелец: Haidike Suzhou Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Display device integrated with touch screen panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09536913B2. Автор: Minjoo KIM,Jungsun Beak,Jinbok Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Display device integrated with touch screen panel

Номер патента: US09465462B2. Автор: Hwan-Hee Jeong,Mi-kyoung Seo,Deok-Jung Kim,In-Young HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Three dimensional device integration method and integrated device

Номер патента: CA2404270C. Автор: Paul M. Enquist. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Electrostatic discharge device integrated with pad

Номер патента: US20060157790A1. Автор: Ta-Yung Yang,Jenn-yu G. Lin,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Trench power device integrated with inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222420A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao,Bing MEI. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory and logic device-integrated soft electronic system

Номер патента: US20190355787A1. Автор: Sung Yool Choi,Byung Chul Jang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-11-21.

Tunable capacitor integrated on one semiconductor die or on one module

Номер патента: US09712132B2. Автор: Bonkee Kim,Youngho Cho,Donggu Im,Bumkyum KIM. Владелец: HiDeep Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Tunable capacitor integrated on one semiconductor die or on one module

Номер патента: US09520854B2. Автор: Bonkee Kim,Youngho Cho,Donggu Im,Bumkyum KIM. Владелец: HiDeep Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Electroluminescent display device integrated with image sensor

Номер патента: US20180151656A1. Автор: Manhyeop Han,Guensik Lee,Kyoseop CHOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Display screens and display devices integrated with the same

Номер патента: US20200006442A1. Автор: Zhihua Zhang,Xiaofei XUE. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Hall effect devices integrated with junction transistors

Номер патента: US20230403949A1. Автор: Xinfu Liu,Wensheng Deng,Jason Kin Wei Wong,Qianqian Meng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Manufacturing method for non-active electrically structures in order to optimize the definition of active electrically structures in an electronic circuit integrated on a semiconductor substrate and corresponding circuit

Номер патента: US20050032278A1. Автор: Alfonso Maurelli,Paolo Cappelletti,Paola Zabberoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-02-10.

Routing structure and method of wafer substrate with standard integration zone for integration on-wafer

Номер патента: US12112115B2. Автор: Jianliang Shen,Ruyun Zhang,Shunbin Li,Weihao Wang,Qinrang Liu,Zhiquan WAN. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-10-08.

Antenna feed integrated on multi-layer PCB

Номер патента: US09391370B2. Автор: Robert Monroe,Ioannis TZANIDIS. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Light sensor having ir cut and color pass interference filter integrated on-chip

Номер патента: US20140027876A1. Автор: Zhihai Wang,Nicole D. Kerness,Prashanth Holenarsipur. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

High voltage resistive structure integrated on a semiconductor substrate

Номер патента: US20030205780A1. Автор: Salvatore Leonardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-11-06.

Routing structure and method of wafer substrate with standard integration zone for integration on-wafer

Номер патента: US20240012977A1. Автор: Jianliang Shen,Ruyun Zhang,Shunbin Li,Weihao Wang,Qinrang Liu,Zhiquan WAN. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2024-01-11.

Antenna feed integrated on multi-layer printed circuit board

Номер патента: EP3161901A1. Автор: Robert Monroe,Ioannis TZANIDIS. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-03.

Antenna feed integrated on multi-layer printed circuit board

Номер патента: EP3761445A1. Автор: Ioannis TZANIDIS,Robert William MONROE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-06.

Large-Scale Interleaved Transmitters and Receivers Heterogeneously Integrated on a Common Substrate

Номер патента: US20230317702A1. Автор: J. Israel Ramirez,Keith Behrman. Владелец: Fathom Radiant PBC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for providing a gas-insulated high voltage device with increased dielectric strength and gas-insulated high voltage device provided by said method

Номер патента: EP4412010A1. Автор: Michael GATZSCHE,Ulrich Straumann. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

High voltage device and a method of manufacturing a high voltage device

Номер патента: US09870847B2. Автор: Harald Martini,Joachim Schiessling,Nils Lavesson,Peter SJÖBERG,Roger Hedlund,Hakan Faleke. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Substrate treating apparatus, substrate treating method, and method for manufacturing high-voltage device

Номер патента: US8012772B2. Автор: Akira Ishii,Satoshi Koide,Yasushi Iseki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Substrate treating apparatus, substrate treating method, and method for manufacturing high-voltage device

Номер патента: US20090163107A1. Автор: Akira Ishii,Satoshi Koide,Yasushi Iseki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

High-voltage device and method for ascertaining the risk of condensation in cabinets in a high-voltage device of this kind

Номер патента: US12021356B2. Автор: Matthias Heinecke,Robert Knuth,Thomas Hilker. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-06-25.

High-voltage devices

Номер патента: US20240304399A1. Автор: Maher F. El-Kady,Richard Barry KANER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-12.

DEVICE TO REDUCE THE HAZARD OF BREAKDOWN DIELECTRICS IN HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: RU2010154442A. Автор: Торстен ШЮТТЕ,Эндрю МАКСВЕЛЛ,Торстен ШЮТТЕ (SE),Эндрю МАКСВЕЛЛ (SE). Владелец: Абб Рисерч Лтд (Ch). Дата публикации: 2012-07-20.

High-voltage device

Номер патента: CA1161886A. Автор: Roy T. Swanson,Robert H. Harner,Gary J. Zvanut. Владелец: S&C Electric Co. Дата публикации: 1984-02-07.

High-voltage device

Номер патента: RU2536862C2. Автор: Вальтер ХОЛАУС,Жасмин СМАДЖИК,Ядран КОСТОВИЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-12-27.

Draw rod mounting arrangement for a high voltage bushing, high voltage bushing comprising such arrangement and high voltage device comprising bushing with such arrangement

Номер патента: EP2117016A1. Автор: David Emilsson. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-11-11.

High voltage bushing contact, high voltage bushing and high voltage device

Номер патента: CN101577375A. Автор: 托马斯·埃里克松,大卫·埃米尔松. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2009-11-11.

High-voltage device box

Номер патента: EP4087072B1. Автор: Tao Li,Xin Peng,Congjian JIANG,Chuanwen Luo,Fang HENG,Xiongbo WANG. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

High-voltage devices

Номер патента: EP3405966B1. Автор: Maher F. El-Kady,Richard Barry KANER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-10-02.

High voltage device built from modular low voltage devices and operation methods thereof

Номер патента: EP4084317A1. Автор: Chi Zhang,Ruxi Wang,Peter Mantovanelli BARBOSA,Tomas Sadilek,Zhiyu Shen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

HIGH-VOLTAGE DEVICE FEATURING TEMPERATURE MEASUREMENT, AND METHOD FOR MEASURING THE TEMPERATURE OF A HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20190094081A1. Автор: Adams Thomas,SCHNITZLER TIM,TITZE JOACHIM. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEM FOR PREVENTING GAS BUBBLES IN OIL FLOW TO ENTER A HIGH-VOLTAGE DEVICE AND A METHOD FOR PREVENTING GAS BUBBLES TO ENTER A HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20210121797A1. Автор: Virtanen Sami. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

High Voltage Device And A Method Of Manufacturing A High Voltage Device

Номер патента: US20150325341A1. Автор: Martini Harald,Sjöberg Peter,Hedlund Roger,Schiessling Joachim,Lavesson Nils,Faleke Håkan. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Barrier system for a high-voltage device and high-voltage device with a barrier system

Номер патента: DE102012203714A1. Автор: Michael Koch,Dietmar Jahnel,Achim Langens,Tim Schnitzler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2013-09-12.

High voltage device containing a flexible prepreg

Номер патента: US4105984A. Автор: James D. B. Smith,Robert N. Kauffman. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-08-08.

High-voltage device and method for increasing the dielectric strength in the high-voltage device

Номер патента: WO2022069202A1. Автор: Volker Lehmann,Dietmar Frank,Thomas Heinz,Martin KREHNKE,Armin Grund,Alexander Hartung. Владелец: Siemens Energy Global GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2022-04-07.

High-voltage device and method for measuring temperature on a high-voltage device

Номер патента: DE102019204305A1. Автор: Matthias Heinecke,Thomas Hilker,Benjamin Zaedow. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-10-01.

High-voltage device

Номер патента: GB2624504A. Автор: Lehmann Oliver,Eitler Moritz. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2024-05-22.

Apparatus and method for damping vibrations in high-voltage devices

Номер патента: NZ772364A. Автор: Dirk Lehmann,Frank Riedel,Ulf Heinrich,Cordero Edgar Armando Ramos. Владелец: Siemens Energy Global Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2023-08-25.

Apparatus and method for damping vibrations in high-voltage devices

Номер патента: US11817692B2. Автор: Dirk Lehmann,Frank Riedel,Ulf Heinrich,Edgar Armando RAMOS CORDERO. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for damping vibrations in high-voltage devices

Номер патента: NZ772364B2. Автор: Dirk Lehmann,Frank Riedel,Ulf Heinrich,Cordero Edgar Armando Ramos. Владелец: Siemens Energy Global Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2023-11-28.

High voltage bushing and high voltage device comprising such bushing

Номер патента: EP2117015A1. Автор: Thomas Eriksson,Fredrik Graas,Kerstin Ekeroth Reijm. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-11-11.

High voltage bushing and high voltage device comprising such bushing

Номер патента: CA2633580A1. Автор: Bjoern Jacobson,Ralf Hartings,Olof Heyman,Dan G. Gustavsson,Rutger Johansson. Владелец: Rutger Johansson. Дата публикации: 2007-07-12.

High voltage bushing and high voltage device comprising such bushing

Номер патента: ZA200805415B. Автор: Hartings Raff,Jacobson Bjoern,Heyman Olof,Dan G Gustavssoh,Johansson Rutger. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2009-04-29.

High-voltage bushing and high-voltage device that comprises such bushing

Номер патента: RU2380777C1. Автор: Бьерн ЯКОБСОН,Ральф ХАРТИНГС,Олоф ХЕЙМАН,Дан Г. ГУСТАВССОН,Рутгер ЙОХАНССОН. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД.. Дата публикации: 2010-01-27.

Method and system for monitoring the operating state of high-voltage devices of an energy supply network

Номер патента: CA3134927A1. Автор: Puneet Harminder Singh,Saskia Baumann,Marcel Elmer,Beatrix Natter,Johannes Raith. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and system for monitoring the operating state of high-voltage devices of an energy supply network

Номер патента: CA3134927C. Автор: Puneet Harminder Singh,Saskia Baumann,Marcel Elmer,Beatrix Natter,Johannes Raith. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-20.

Insulation device placed between windings of different voltages made up of coils in wafer form for high voltage devices

Номер патента: FR1225716A. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1960-07-04.

Spark gap assembly with ignition device for protecting a high voltage device and ignition device for same

Номер патента: EP3972064A1. Автор: Dennie Lange,Michael SÖDER. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-23.

X-ray diagnostic device, X-ray high voltage device and X-ray irradiation device

Номер патента: JP7204410B2. Автор: 章夫 手塚,祐希 戸塚. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2023-01-16.

High-voltage devices

Номер патента: US11842850B2. Автор: Maher F. El-Kady,Richard Barry KANER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-12.

Burst device for high voltage devices

Номер патента: JP6379193B2. Автор: ベーガー・クリスティアン,シュレップ・クラウス,ロイ・ダーラ,ニースナー・ユルゲン. Владелец: マシイネンフアブリーク・ラインハウゼン・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング. Дата публикации: 2018-08-22.

X-ray high-voltage device and medical image diagnostic device

Номер патента: JP2018092820A. Автор: 文雄 石山,Fumio Ishiyama. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

High-voltage device, radiation source including the same, and radiographic imaging device

Номер патента: JP5582137B2. Автор: 英樹 藤井,祐 齊藤. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2014-09-03.

Device for measuring the temperatures occurring locally in the operating state on and in components of electrical high-voltage devices

Номер патента: DE2454669C3. Автор: Erich Dr. 8500 Nuernberg Reiplinger. Владелец: Transformatoren Union AG. Дата публикации: 1980-08-07.

DEVICE FOR PREVENTING GLIMM CHARGES AT THE ELECTRODES OF ELECTRIC HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: SE414093B. Автор: Heribert Schneider. Владелец: Heribert Schneider. Дата публикации: 1980-07-07.

High-voltage device, radiation source including the same, and radiographic imaging device

Номер патента: JPWO2010122602A1. Автор: 藤井　英樹,英樹 藤井,祐 齊藤. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2012-10-22.

High voltage device protection device

Номер патента: FR672158A. Автор: . Владелец: METRUM. Дата публикации: 1929-12-24.

X-ray high voltage device and medical diagnostic imaging device

Номер патента: JP6906936B2. Автор: 文雄 石山. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

HIGH VOLTAGE DEVICE SYSTEM OF RAILCAR AND RAILCAR

Номер патента: US20140008169A1. Автор: Kawasaki Hiroyuki,Sakurai Hiroyuki,Negi Ryoji,Imanishi Shin,Sema Nobuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

COMPOSITE MATERIALS FOR USE IN HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20150031798A1. Автор: Rocks Jens,Odermatt Walter. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

REDUCING AGEING OF AN INSULATION MATERIAL OF A WINDING, IN PARTICULAR OF AN OIL-IMPREGNATED HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20220076882A1. Автор: Scala Mario. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SPARK GAP ARRANGEMENT WITH IGNITION APPARATUS FOR PROTECTING A HIGH-VOLTAGE DEVICE AND IGNITION APPARATUS THEREFOR

Номер патента: US20220085579A1. Автор: Lange Dennie,Soeder Michael. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

HIGH-VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20200090880A1. Автор: El-Kady Maher F.,Kaner Richard Barry. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Burst protector for high-voltage device

Номер патента: US20160148742A1. Автор: Klaus Schlepp,Christian Boeger,Juergen Niesner,Dara ROY. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2016-05-26.

HIGH-VOLTAGE DEVICE AND MEDICAL-IMAGE DIAGNOSTIC APPARATUS

Номер патента: US20180153500A1. Автор: ISHIYAMA Fumio. Владелец: Toshiba Medical Systems Corporation. Дата публикации: 2018-06-07.

HIGH-VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20170213657A1. Автор: El-Kady Maher F.,Kaner Richard Barry. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

HIGH-VOLTAGE DEVICE HAVING CERAMIC SPACER ELEMENTS, AND USE THEREOF

Номер патента: US20200219642A1. Автор: GOEPFERT ROBERT,MUELLER SEBASTIAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

High-Voltage Device

Номер патента: US20190252871A1. Автор: Tim Schnitzler,Joachim Titze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for determining the overload capacity of a high-voltage device

Номер патента: US20200312538A1. Автор: Thomas Hammer,Ronny Fritsche,Johannes Raith,Matthias Kuestermann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-10-01.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: RU2012102025A. Автор: Себастьян ГЕШЕЛЬ,Андреас КЛЯЙНШМИДТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-07-27.

FEED-THROUGH INSULATOR FOR HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2327629A1. Автор: Peter Massek,Guenther Matthaeus,Peter Dr Penczynski. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-12-12.

Improvements to bushings for high voltage devices

Номер патента: FR1273425A. Автор: . Владелец: Compagnie Generale dElectricite SA. Дата публикации: 1961-10-13.

Insulating material and high voltage device using same

Номер патента: EP2863395A1. Автор: Atsushi Otake,Tetsuji Kato,Akihiro Sano,Kinya Kobayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-04-22.

High voltage device with electrical conductor termination

Номер патента: DE19738702C1. Автор: Peter Menke,Thomas Seeger,Thomas Dr Ing Bosselmann,Dieter Dipl Ing Lorenz,Walter Dipl Ing Ortner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-11-19.

Arrangement for preventing glow discharges on the electrodes of electrical high-voltage devices

Номер патента: DE2513218C2. Автор: Heribert Dipl.-Ing. Dr.techn. 1190 Wien Schneider. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-07-05.

high voltage device

Номер патента: BRPI1001839A2. Автор: Tommy Larsson,David Emilsson,Ralf Hartings. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Coated conductor in a high-voltage device and method for increasing the dielectric strength

Номер патента: EP4197073A1. Автор: Volker Lehmann,Thomas Heinz,Armin Grund. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-21.

High-voltage devices

Номер патента: AU2017209117A1. Автор: Maher F. El-Kady,Richard Barry KANER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-07-19.

high voltage device

Номер патента: JP7150328B2. Автор: エル－カディ，マハー・エフ,カナー，リチャード・バリー. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-10-11.

COOLING HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: RU2008131323A. Автор: Урбан ОСТРЕМ,Петер ШЕБЕРГ,Дан ГУСТАВССОН,Фредрик ПЕТРИСИ,Ларс СВЕДЬЕХЕД,Петер ШЕБЕРГ (SE),Урбан ОСТРЕМ (SE),Дан ГУСТАВССОН (SE),Фредрик ПЕТРИСИ (SE),Ларс СВЕДЬЕХЕД (SE). Владелец: Абб Текнолоджи Лтд (Ch). Дата публикации: 2010-02-10.

Flexible nontacky prepreg for bonding coils in high voltage devices and method of making said prepeg

Номер патента: CA1025736A. Автор: Robert N. Kauffman,James D.B. Smith. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-02-07.

Cooling of high voltage devices

Номер патента: ZA200908824B. Автор: David Emilsson. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Active part for an electrical high-voltage device

Номер патента: EP3577665B1. Автор: Markus Baumann,David Weber,Klaus Delatron,Julian Kraus,Manfred Montag,Erwin Sauer,Christer Vogt. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-15.

High voltage device

Номер патента: CN108475590A. Автор: 马厄·F·埃尔-卡迪,理查德·贝利·卡内尔. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-08-31.

Electrical high-voltage device with a regulating winding group

Номер патента: EP3420570A1. Автор: Jens Hoppe,Frank Trautmann,Johann Kohl,Carsten Koczula,Manfred Biegel,Zsolt Teli,Klaus Welss. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2019-01-02.

Method to filter and dry insulation of fluid-filled high voltage device, e.g. transformer; involves contacting fluid with molecular sieve, e.g. zeolite, so that water or dirt can be drawn from fluid

Номер патента: DE10000147A1. Автор: Hossein Borsi,Ernst Gockenbach,Issouf Fofana,Volker Wasserberg. Владелец: Ernst Gockenbach. Дата публикации: 2001-07-12.

High-voltage device box

Номер патента: EP4087072A4. Автор: Tao Li,Xin Peng,Congjian JIANG,Chuanwen Luo,Fang HENG,Xiongbo WANG. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Method for determining the overload capacity of a high-voltage device

Номер патента: DE102020212254A1. Автор: Ronny Fritsche,Matthias KÜSTERMANN,Johannes Raith,Ryad Boucherit,Stefan Boschert. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for determining the overload capacity of a high-voltage device

Номер патента: US20230273270A1. Автор: Ronny Fritsche,Matthias KÜSTERMANN,Johannes Raith,Ryad Boucherit,Stefan Boschert. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-08-31.

INSULATING COMPONENT FOR HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: DE59601505D1. Автор: Norbert Trapp,Frank Reincke. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-04-29.

APPARATUS FOR CONNECTION AND DISCONNECTION OF HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: FR2438930A1. Автор: . Владелец: Amerace Corp. Дата публикации: 1980-05-09.

INDUCTIVE ELECTRIC HIGH VOLTAGE DEVICE, IN PARTICULAR CURRENT CONVERTER

Номер патента: DE2242011A1. Автор: Heinz Schiemann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1974-02-28.

Connecting structure of main transformer and high-voltage device box, and railroad vehicle comprising said structure

Номер патента: HK1205069A1. Автор: 川崎洋行,根木良二,櫻井宏幸. Владелец: Kawasaki Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2015-12-11.

Reducing ageing of an insulation material of a winding, in particular of an oil-impregnated high-voltage device

Номер патента: US20220076882A1. Автор: Mario Scala. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-03-10.

Actuator mechanism for a load break switch as well as a load break switch and a high-voltage device comprising such an actuator mechanism

Номер патента: SE1951345A1. Автор: Marcin Chromniak,Francesco Medea,Carlo Camporeale. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-11-25.

Leadthrough with an optical sensor, for a high voltage device

Номер патента: AU2001226614A1. Автор: Klaus Bohnert,Felix Greuter,Thomas Christen,Hubert Brändle. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2001-08-20.

High-voltage device

Номер патента: GB202313966D0. Автор: . Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2023-10-25.

A selector switch arrangement for a high voltage device

Номер патента: WO2011134528A1. Автор: Martin Johansson,Harald Hedsten,Johan Kemppi,Martin Larsson. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2011-11-03.

High voltage device

Номер патента: JPS53103178A. Автор: Beeru Haintsu. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-09-08.

Selector switch assembly for a high voltage device

Номер патента: DE202011000963U1. Автор: . Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-10-24.

COOLING HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: RU2010103670A. Автор: Дэвид ЭМИЛЬССОН,Дэвид ЭМИЛЬССОН (SE). Владелец: Абб Текнолоджи Лтд (Ch). Дата публикации: 2011-08-10.

Burst arrangement for a high voltage device

Номер патента: EP3022745B1. Автор: Christian Böger,Klaus Schlepp,Dara ROY,Jürgen Niesner. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-19.

INSULATING ELEMENT FOR HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: FR2568716B1. Автор: Otto Potocnik. Владелец: Weidmann H Ag. Дата публикации: 1987-12-18.

High voltage device, especially a surge diverter

Номер патента: AU4132299A. Автор: Matthias Schubert,Volker Hinrichsen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-18.

Optoelectronics integration using semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US10690853B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Christopher Heidelberger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Chip package structure with integrated device integrated beneath the semiconductor chip

Номер патента: US11948914B2. Автор: Shin-puu Jeng,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Communication device integrally formed with antenna and mask

Номер патента: US09455490B2. Автор: Ching-Lin Chu,Chung-Yen Hsiao,Yuan-Heng Huang. Владелец: Sercomm Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated illumination and signaling system for navigation purposes, method for integrating illumination and signaling for navigation purposes, and device integrating illumination and signaling for navigation purposes

Номер патента: US20190092436A1. Автор: Elio José FERRONATO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-03-28.

Electronic device integrating an antenna and method of fabricating such a device

Номер патента: US20230402745A1. Автор: Karine Saxod,Florian Perminjat. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Direct view display device integration techniques

Номер патента: US5771039A. Автор: Richard J. Ditzik. Владелец: Ditzik; Richard J.. Дата публикации: 1998-06-23.

Device integrating both the digital switch and hand switch

Номер патента: US20120086529A1. Автор: HUNG-YI LIN. Владелец: Ammamsic Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of tuning optical components integrated on a monolithic chip

Номер патента: US7079719B2. Автор: David F. Welch,Fred A. Kish, Jr.,Charles H. Joyner,Robert B. Taylor,Jonas Webjorn,Alan C. Nilsson. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2006-07-18.

Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die

Номер патента: US11769768B2. Автор: Daniel Namishia,Fabian Radulescu,Terry Alcorn. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die

Номер патента: EP4158775A2. Автор: Daniel Namishia,Fabian Radulescu,Terry Alcorn. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Methods for pillar connection on frontside and passive device integration on backside of die

Номер патента: US11842997B2. Автор: Daniel Namishia,Fabian Radulescu,Terry Alcorn. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated light emitting device, integrated sensor device, and manufacturing method

Номер патента: US20180351027A1. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, integrated circuit element, and integrated circuit element manufacturing method

Номер патента: US20240170447A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Micro device integration into system substrate

Номер патента: US20170345867A1. Автор: Gholamreza Chaji,Ehsanollah Fathi. Владелец: Vuereal Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH HIGH FREQUENCY COMMUNICATION DEVICES INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES INTEGRATED ON AN INTER DIE FABRIC ON PACKAGE

Номер патента: US20180323159A1. Автор: Kamgaing Telesphor,DOGIAMIS Georgios C.,NAIR Vijay K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

MICROELECTRONIC DEVICES DESIGNED WITH HIGH FREQUENCY COMMUNICATION DEVICES INCLUDING COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES INTEGRATED ON A DIE FABRIC ON PACKAGE

Номер патента: US20180331051A1. Автор: TOMITA Yoshihiro,Liff Shawna M.,Li,Kamgaing Telesphor,Falcon Javier A.,DOGIAMIS Georgios C.,NAIR Vijay K.,Sr. Eric J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Microelectronic devices designed with high frequency communication devices including compound semiconductor devices integrated on an inter die fabric on package

Номер патента: EP3394889A4. Автор: Georgios C. Dogiamis,Telesphor Kamgaing,Vijay K. Nair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-04.

Microelectronic devices designed with high frequency communication devices including compound semiconductor devices integrated on an inter die fabric on package

Номер патента: EP3394889A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Telesphor Kamgaing,Vijay K. Nair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Microelectronic devices designed with high frequency communication devices including compound semiconductor devices integrated on an inter die fabric on package

Номер патента: EP3394889B1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Telesphor Kamgaing,Vijay K. Nair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Method and device for measuring high voltage devices using a correction factor

Номер патента: WO2023128858A1. Автор: Peter Werelius. Владелец: Megger Sweden Ab. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and device for measuring high voltage devices using a correction factor

Номер патента: SE545723C2. Автор: Peter Werelius. Владелец: Megger Sweden Ab. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of predicting substrate current in high voltage device

Номер патента: US20090235211A1. Автор: Sang-Hun Kwak. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Capacitance measurement of high voltage device

Номер патента: WO2014042821A1. Автор: Michel Alain Chevroulet. Владелец: SEMTECH CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Capacitance measurement of high voltage device

Номер патента: US20140184248A1. Автор: Michel Alain Chevroulet. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Capacitance measurement of high voltage device

Номер патента: EP2895870A1. Автор: Michel Alain Chevroulet. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2015-07-22.

Interlock diagnosing system and method for a high voltage device

Номер патента: US20230358824A1. Автор: Keun Bong Ham. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Interlock diagnosing system and method for a high voltage device

Номер патента: US11747406B2. Автор: Keun Bong Ham. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Partial-discharge measurement method and high-voltage device inspected using same

Номер патента: US9851394B2. Автор: Hiroaki Kojima,Koji Obata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Analysis of a gas dissolved in an insulating medium of a high-voltage device

Номер патента: CA3109321A1. Автор: Marcell Klinkert,Patrick Ruoff. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2020-03-12.

OPTOELECTRONICS INTEGRATION USING SEMICONDUCTOR ON INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190391328A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Inverter device and x-ray high-voltage device using the inverter device

Номер патента: US20100254515A1. Автор: Takuya Domoto,Hirokazu Iijima,Takayuki Masaki. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

High-voltage device

Номер патента: US11837965B2. Автор: Yufeng Liu,Guoping Zhu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Potential control for high-voltage devices

Номер патента: US8155271B2. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Sabine Missel,Werner Kuhnel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-04-10.

HIGH VOLTAGE DEVICE FOR RAIL VEHICLE

Номер патента: RU2017103522A. Автор: Манфред ДЕТТЕРБЕК. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2018-08-06.

Common gate drive circuit for switching high voltage device

Номер патента: US20240195401A1. Автор: Tetsuo Sato. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

SUPER HIGH VOLTAGE DEVICE AND METHOD FOR OPERATING A SUPER HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20160149561A1. Автор: Chen Chi-Pin,Lin Yung-Hao,Chuang Ming-Nan,Kuo Ming-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

HIGH VOLTAGE DEVICE INCLUDING HIGH VOLTAGE ELECTRIC APPARATUS

Номер патента: FR2452809A1. Автор: . Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1980-10-24.

AC high-voltage device, image forming apparatus, and AC high-voltage output controlling method

Номер патента: EP1780879A2. Автор: Yoshihisa Ashikawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Decreasing pcb voltage voltages in high voltage devices.

Номер патента: TR201910190T4. Автор: C Jr Woodward Robert. Владелец: Doble Eng Company. Дата публикации: 2019-07-22.

Low voltage esd clamping using high voltage devices

Номер патента: US20130258534A1. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS AND CIRCUIT STRUCTURES FOR MITIGATING VOLTAGE STRESSES ON PRINTED CIRCUIT BOARD (PCB) IN HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20140262445A1. Автор: Woodward,JR. Robert Clark. Владелец: Doble Engineering Company. Дата публикации: 2014-09-18.

Voltage resonance type x-ray high voltage device

Номер патента: JPS6171600A. Автор: Shigeru Tanaka,茂 田中,文雄 石山,Fumio Ishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-04-12.

VOLTAGE MEASURING CIRCUIT FOR A SHIELDED HIGH VOLTAGE DEVICE.

Номер патента: DE3676661D1. Автор: Jean Kieffer,Georges Henry,Robert Girard. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1991-02-07.

Selective current pumping to enhance low-voltage ESD clamping using high voltage devices

Номер патента: US8681461B2. Автор: Harald Gossner,Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2014-03-25.

Phase shift inverter, x-ray high-voltage device using same, x-ray ct device, and x-ray imaging device

Номер патента: CN102204077A. Автор: 小川美奈,安东至,大石洁,进藤将太郎. Владелец: Nagaoka University of Technology NUC. Дата публикации: 2011-09-28.

Power-converting device, inversion X line high voltage device, X line fluoroscopic, x-ray ct device, MRI device

Номер патента: CN100553086C. Автор: 桶田隆继,高桥顺,高野博司. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

X-ray ct apparatus, x-ray high-voltage device, and x-ray scanning device

Номер патента: US20160143120A1. Автор: Shotaro Shindo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

X-ray CT apparatus, X-ray high-voltage device, and X-ray scanning device

Номер патента: US9900971B2. Автор: Shotaro Shindo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

An extra high voltage device and a power receiving and transforming apparatus with the device

Номер патента: KR100754769B1. Автор: 전민숙,홍정애. Владелец: 홍정애. Дата публикации: 2007-09-04.

Method and device for monitoring the gas of a compressed gas-insulated high-voltage device.

Номер патента: DE59204366D1. Автор: Felix Bachofen,Guido Hux. Владелец: GEC Alsthom T&D AG. Дата публикации: 1995-12-21.

Method of making memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: TW202218126A. Автор: 王春明,邢精成,祥 劉,恩漢 杜,宋國祥,孫士禎,楊榮華. Владелец: 美商超捷公司. Дата публикации: 2022-05-01.

HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20220053657A1. Автор: Maibrink Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

X-RAY HIGH VOLTAGE DEVICE AND X-RAY IMAGE DIAGNOSIS APPARATUS

Номер патента: US20190059844A1. Автор: TANAKA Kimio. Владелец: Canon Medical Systems Corporation. Дата публикации: 2019-02-28.

Level Translator Circuit, Driving Circuit for Driving High-Voltage Device and Method Thereof

Номер патента: US20140152369A1. Автор: WEI Qi. Владелец: iWatt Integraged Circuits Technology Tianjin Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING THE OPERATING STATE OF HIGH-VOLTAGE DEVICES OF AN ENERGY SUPPLY NETWORK

Номер патента: US20220181908A1. Автор: Singh Puneet Harminder,Natter Beatrix,Baumann Saskia,Elmer Marcel,Raith Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Multi-Gate High Voltage Device

Номер патента: US20150130515A1. Автор: Lee Jam-Wem. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Potential control in high-voltage devices

Номер патента: DE102007032808A1. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Werner Prof. Kühnel,Sabine Missel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-01-15.

High-voltage device

Номер патента: SU575049A3. Автор: Дюршнер Рольф,Леманн Вернер. Владелец: Сименс Аг (Фирма). Дата публикации: 1977-09-30.

High voltage device with compressed gas isolation

Номер патента: SU547180A3. Автор: Дюршнер Рольф. Владелец: Сименс Аг (Фирма). Дата публикации: 1977-02-15.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: RU2010111713A. Автор: Вальтер ХОЛАУС,Жасмин СМАДЖИК,Ядран КОСТОВИЧ,Вальтер ХОЛАУС (CH),Жасмин СМАДЖИК (CH),Ядран КОСТОВИЧ (CH). Владелец: Абб Текнолоджи Аг (Ch). Дата публикации: 2011-10-10.

Controlling circuit for high voltage device

Номер патента: KR900007411B1. Автор: 함중걸. Владелец: 서주인. Дата публикации: 1990-10-08.

HIGH VOLTAGE DEVICES FOR AVOIDING PASSAGE-VS-TYPE FAILURES -VS (THE NEGATIVE POLE OF POWER SUPPLY)

Номер патента: FR2739735A1. Автор: Ajit Dubhashi,Leon Aftandilian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-04-11.

Plasma generator incorporating a smaller high voltage device for igniting a propulsive charge for the projectile of a tubular weapon

Номер патента: FR2859065A1. Автор: Dieter Rosch. Владелец: Institut Franco Allemand de Recherches de Saint Louis ISL. Дата публикации: 2005-02-25.

Capacitor-type high voltage device for x-rays

Номер патента: JPS61267300A. Автор: 文雄 石山,Fumio Ishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-26.

Negative power supply generating circuit of high-voltage device control circuit

Номер патента: CN108566085B. Автор: 罗敏,鲁勇. Владелец: Chengdu Kecheng Chuangxin Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

X-ray high voltage device and X-ray image diagnosis apparatus

Номер патента: US10722206B2. Автор: Kimio Tanaka. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2020-07-28.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: SE443068B. Автор: F Tol,A B A Baggermans. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1986-02-10.

ENCAPSULATED HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: DE2211987A1. Автор: Armin Dipl Ing Diessner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-09-13.

X-ray high voltage device and power factor correction circuit

Номер патента: JP7291523B2. Автор: 文雄 石山. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Controlling circuit for high voltage device

Номер патента: KR900009236Y1. Автор: 함중걸. Владелец: 서주인. Дата публикации: 1990-10-06.

X-ray high-voltage device

Номер патента: JPS6489198A. Автор: Shigeru Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-03.

High-voltage device

Номер патента: RU94045804A. Автор: De],Хербст Инго,Пич Ральф-Дитер. Владелец: Абб Рисерч Лтд. (Ch). Дата публикации: 1997-02-20.

High-voltage device having a measuring resistor

Номер патента: US20050036344A1. Автор: Laurence Abonneau,Denis Perillat-Amede,Georges Baptiste. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Apparatus and method for damping vibrations in high-voltage devices.

Номер патента: MX2021001490A. Автор: Dirk Lehmann,Frank Riedel,Ulf Heinrich,Cordero Edgar Armando Ramos. Владелец: Siemens Energy Global Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2021-04-28.

High voltage device mounting structure of vehicle

Номер патента: US20230406083A1. Автор: Shuji Kuroda,Nobutaka Fukamizu. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

X-ray high voltage device

Номер патента: KR920001701B1. Автор: Fumio Ishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-02-22.

HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20220103087A1. Автор: Liu YuFeng,Zhu Guoping. Владелец: SHANGHAI UNITED IMAGING HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

CONNECTION STRUCTURE BETWEEN MAIN TRANSFORMER AND HIGH-VOLTAGE DEVICE BOX AND RAILCAR INCLUDING SAME

Номер патента: US20150171604A1. Автор: Kawasaki Hiroyuki,Sakurai Hiroyuki,Negi Ryoji. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

High-voltage device

Номер патента: US20180281595A1. Автор: Akihisa Kato,Naoki Taniguchi,Yoshio Hiraiwa,Kohei HIGASHITANI,Akihiro KAGITANI. Владелец: Mitsubishi Automotive Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Reliable level shifter of ultra-high voltage device used in low power application

Номер патента: US7710182B2. Автор: Liang Choo Hsia,Fei Xu,Hung Chang Yu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2010-05-04.

Procedure for avoiding the bundle discharge in inhomogeneous fields in high-voltage devices

Номер патента: DE974052C. Автор: Heinz Dr-Ing Papen. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1960-08-25.

High-voltage device

Номер патента: US20100246085A1. Автор: Jadran Kostovic,Jasmin Smajic,Walter Holaus. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated optoelectronic device with optical interconnect structure for improved beol device integration

Номер патента: US20240266801A1. Автор: Christian Mai,Lars Zimmermann,Karsten Voigt,Jochen Kreissl. Владелец: Ihp Innovations For High Performance Microelectronics/leibniz InstitFuer Innovative GmbH. Дата публикации: 2024-08-08.

Imaging device, integrated circuit, and flicker reduction method

Номер патента: US20150229824A1. Автор: Yoshiteru Tanaka,Tsuyoshi Nakamura,Ikuo Fuchigami. Владелец: Panasonic Intellectual Property Corp of America. Дата публикации: 2015-08-13.

Multimedia device integration system

Номер патента: RU2450444C2. Автор: Ира М. МАРЛОУИ. Владелец: Ира М. МАРЛОУИ. Дата публикации: 2012-05-10.

System and method for controlling devices integrated into network through open field bus

Номер патента: RU2446597C2. Автор: Георг РАЙДТ. Владелец: Мёллер ГмбХ. Дата публикации: 2012-03-27.

Audio Device Integration System

Номер патента: US20080247563A1. Автор: Ira Marlowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of assembling complete electrical product into railway car, device integrated into self-contained electrical product, fastening assembly and flooring for implementation thereof

Номер патента: RU2725115C1. Автор: Вячеслав Анатольевич Ушаков,Владислав Борисович Сохачевский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью &#34;Уральские локомотивы&#34;. Дата публикации: 2020-06-29.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Audio device integration system

Номер патента: EP1586049A1. Автор: Ira Marlow. Владелец: BLITZSAFE OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2005-10-19.

Method and device for device integrity detection

Номер патента: RU2354054C2. Автор: Иван Хью МАКЛИН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-04-27.

Control device-integrated rotating electric machine which prevents entrance of drive belt abrasion powder

Номер патента: US09570954B2. Автор: Yoshinobu Utsumi,Toshiaki Kashihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Recording medium, playback device, encoding device, integrated circuit and playback output device

Номер патента: RU2533300C2. Автор: Томоки ОГАВА,Хироси ЯХАТА,Такахиро Ниси,Ватару ИКЕДА,Тадамаса ТОМА,Таидзи САСАКИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2014-11-20.

Multimedia device integration system

Номер патента: CA2538053A1. Автор: Ira M. Marlowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-03.

A portable electronic device integrated with a key

Номер патента: WO2015052696A1. Автор: Lior Shabtay. Владелец: OPHIR, Eli. Дата публикации: 2015-04-16.

Pre-cooling device integrated liquid cooling distributor and its server liquid cooling system

Номер патента: US20240147665A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kun-Chieh LIAO,Yueh-Ming Liu. Владелец: Super Micro Computer Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

A portable electronic device integrated with a key

Номер патента: EP3055468A1. Автор: Lior Shabtay. Владелец: Ophir Eli. Дата публикации: 2016-08-17.

A portable electronic device integrated with a key

Номер патента: US20160251875A1. Автор: Lior Shabtay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Mobile Device Integration of a Portable Metal Detector

Номер патента: US20200213434A1. Автор: Oleksandr Kravchenko,Oleksii Samkov,Semen Protsenko,Kostiantyn Tymonkin,Vilen Blinkov. Владелец: Air Md Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods to provide pre-deployment assessment for device integrity

Номер патента: US20240305632A1. Автор: Rama Rao Bisa,Dharma Bhushan Ramaiah,Shinose Abdul RAHIMAN,Vineeth Radhakrishnan,Mini Thottunkal Thankappan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-12.

Passive sounding device integrated into flat panel display

Номер патента: US12052535B2. Автор: Hsiao-Yi Lin,Yao-Sheng Chou,Yi-Feng WEI. Владелец: Glass Acoustic Innovations Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Portable electronic device integrated with a key

Номер патента: US09605446B2. Автор: Lior Shabtay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Impedance matching device-integrated network signal processing circuit

Номер патента: US09425995B2. Автор: You-Chi Liu,Chia-Ping Mo. Владелец: Ajoho Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Disk device integral type television receiver set and reproducing apparatus integral type television receiver set

Номер патента: US20050162554A1. Автор: Ryuji Takahashi. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Ducted fan device integrated with permanent magnet synchronous disc flat wire motor

Номер патента: US11897623B2. Автор: Bin Jiao,Yanbing Zhang,Yaoyan WU,Tiehua MA,Changxin Chen. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-02-13.

System for providing iot device integrated control service through ai server

Номер патента: EP4297344A1. Автор: Jae In Lee,Kyung Taek Park,Hyun Sun Cho,Seong Kuk Mun. Владелец: Mindwareworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

System for providing IoT device integrated control service through AI server

Номер патента: US11805028B1. Автор: Jae In Lee,Kyung Taek Park,Hyun Sun Cho,Seong Kuk Mun. Владелец: Mindwareworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Recording medium, playback device, integrated circuit, playback method and programme

Номер патента: RU2533057C2. Автор: Джермано ЛЕЙЧСЕНРИНГ,Хидетака ОТО. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2014-11-20.

Automated attestation of device integrity using the block chain

Номер патента: AU2016235539A1. Автор: Michael Sprague,Steven Sprague. Владелец: Rivetz Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Illumination device integrated into a projection type display, and projection type projector

Номер патента: US20050219475A1. Автор: Hisayuki Mihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Impedance matching device-integrated network signal processing circuit

Номер патента: US20150236874A1. Автор: You-Chi Liu,Chia-Ping Mo. Владелец: Ajoho Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Passive sounding device integrated into flat panel display

Номер патента: EP4138409A1. Автор: Hsiao-Yi Lin,Yao-Sheng Chou,Yi-Feng WEI. Владелец: Glass Acoustic Innovations Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Device integration for a network access control server based on device mappings and testing verification

Номер патента: US20200314098A1. Автор: Jeffrey S. Hilfiker,Eric P. Dupont. Владелец: Fortinet Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Passive sounding device integrated into flat panel display

Номер патента: EP4138409A8. Автор: Hsiao-Yi Lin,Yao-Sheng Chou,Yi-Feng WEI. Владелец: Glass Acoustic Innovations Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Controlling device integrated rotating electric machine

Номер патента: US10170957B2. Автор: Masahiko Fujita,Yosuke Uno,Tomoaki SHIMANO,Mitsunori Ishizaki,Tomohiro Kurita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Passive Sounding Device Integrated into Flat Panel Display

Номер патента: US20230054536A1. Автор: Hsiao-Yi Lin,Yao-Sheng Chou,Yi-Feng WEI. Владелец: Glass Acoustic Innovations Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Controlling device integrated rotating electric machine

Номер патента: US20170133903A1. Автор: Masahiko Fujita,Yosuke Uno,Tomoaki SHIMANO,Mitsunori Ishizaki,Tomohiro Kurita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Method and system for optoelectronics transceivers integrated on a CMOS chip

Номер патента: US09813152B2. Автор: Lawrence C. Gunn, III,Peter De Dobbelaere,Thierry Pinguet,Steffen Gloeckner,Sherif Abdalla,Sina Mirsaidi. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Piezoelectric device comprising flexible single crystalline piezoelectric linbo3 and/or litao3 films integrated on flexible substrate and methods for producing the same

Номер патента: EP4233099A1. Автор: Ausrine Bartasyte,Florent Bassignot,Ludovic Gauthier-Manuel,Samuel MARGUERON,Giacomo CLEMENTI,Merieme OUHABAZ. Владелец: Ecole Nationale Superieure De Mecanique Et Des Microtechniques Ensmm. Дата публикации: 2023-08-30.

Asynchronous electric drive with integration on gearbox and differential

Номер патента: RU2681611C2. Автор: Вальдемар Олегович Вагнер,Денис Васильевич Щуровский. Владелец: Денис Васильевич Щуровский. Дата публикации: 2019-03-11.

Service integration on a network

Номер патента: CA2685175A1. Автор: Vikram Saksena,Ashish Nagpal,Sunil Menon,Arjun Cholkar,Fardad Farahmand,Nagesh Kumar Bollapalli Venkata,Nagesh S. Shekar. Владелец: Nagesh S. Shekar. Дата публикации: 2008-11-13.

Motor drive integrated on-board charger for electric vehicle and control method thereof

Номер патента: EP4308410A1. Автор: Ruxi Wang,Peter Mantovanelli BARBOSA,Tomas Sadilek,Hui-Hsin Lin,Chung-Hwa Wei,Satyaki MUKHERJEE. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Motor drive integrated on-board charger for electric vehicle and control method thereof

Номер патента: US20240157823A1. Автор: Ruxi Wang,Peter Mantovanelli BARBOSA,Tomas Sadilek,Hui-Hsin Lin,Chung-Hwa Wei,Satyaki MUKHERJEE. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method, apparatus and system for verifying code integrity on clients

Номер патента: US20180329703A1. Автор: Fei Cao,Zhigang Zhou,Hejun Hu,Zhaohui Yin. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Piezoelectric device comprising flexible single crystalline piezoelectric linbo3 and/or litao3 films integrated on flexible substrate and methods for producing the same

Номер патента: US20240022186A1. Автор: Ausrine Bartasyte,Florent Bassignot,Ludovic Gauthier-Manuel,Samuel MARGUERON,Giacomo CLEMENTI,Merieme OUHABAZ. Владелец: Ecole Nationale Superieure De Mecanique Et Des Microtechniques Ensmm. Дата публикации: 2024-01-18.

Apparatus and method for testing insulated high voltage devices

Номер патента: EP4137828B1. Автор: Pablo Andrei HERNANDEZ GOMEZ JR.. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method and energy transfer circuit for transferring electrical energy between a vehicle-side high-voltage battery and a vehicle-external high-voltage device

Номер патента: DE102021119236A1. Автор: Marc Neitz,Alexander Matthias. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2023-01-26.

Method and energy transfer circuit for transferring electrical energy between a vehicle-side high-voltage battery and a vehicle-external high-voltage device

Номер патента: DE102021119236B4. Автор: Marc Neitz,Alexander Matthias. Владелец: PREH GMBH. Дата публикации: 2023-06-29.

X-ray high voltage device and X-ray diagnostic imaging device

Номер патента: JP7123538B2. Автор: 文雄 石山. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Method for operating e.g. hybrid vehicle, involves releasing optical and acoustic warning notices on presence of high voltage device by warning device during accident of vehicle and controlling actuator by collision sensor

Номер патента: DE102010023372A1. Автор: Wolfang Dipl.-Ing. Dürr. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2011-01-27.

LOCKING DEVICE FOR HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: DE112018005169T5. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Sanden Automotive Components Corp. Дата публикации: 2020-06-10.

CAPACITANCE MEASUREMENT OF HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20150102828A1. Автор: Chevroulet Michel Alain. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

CAPACITANCE MEASUREMENT OF HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140184248A1. Автор: Chevroulet Michel Alain. Владелец: SEMTECH CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Partial-Discharge Measurement Method and High-Voltage Device Inspected Using Same

Номер патента: US20160216309A1. Автор: Hiroaki Kojima,Koji Obata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Method for forming gate insulation layer of high voltage device

Номер патента: KR100632000B1. Автор: 박천일,정진철,홍대욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-10-04.

High Voltage Device and Method for the same

Номер патента: KR100935249B1. Автор: 김용국. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-01-06.

Apparatus and method for testing insulated high voltage devices

Номер патента: US20230048584A1. Автор: Pablo Andrei Hernandez Gomez, Jr.. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: SE8100726L. Автор: S L Bentley. Владелец: Ransburg Corp. Дата публикации: 1981-11-30.

Circuit arrangement for the power supply of high-voltage devices

Номер патента: DE3200458C2. Автор: Bruno Ing.(Grad.) May,Horst Ing.(grad.) 4788 Warstein Scholz,Wilhelm Ing.(grad.) 4770 Soest Sölter. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1986-08-14.

Interlock diagnosing system and method for high voltage device

Номер патента: KR20220059785A. Автор: 함근봉. Владелец: 기아 주식회사. Дата публикации: 2022-05-10.

INTERLOCK DIAGNOSING SYSTEM AND METHOD FOR A HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20220137156A1. Автор: Ham Keun Bong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

HIGH VOLTAGE DEVICE FOR A RAIL VEHICLE

Номер патента: US20170136884A1. Автор: Detterbeck Manfred. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

ANALYSIS OF A GAS DISSOLVED IN AN INSULATING MEDIUM OF A HIGH-VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20210341456A1. Автор: Klinkert Marcell,Ruoff Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

Prefabricated building for an internal high-voltage device

Номер патента: FR2578886A1. Автор: Jean-Pierre Boudiak,Jean-Claude Dalban Moreynas,Gilles De La Selle. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1986-09-19.

Method and apparatus for monitoring high voltage devices

Номер патента: JP5972389B2. Автор: アーノルト ハンス−ペーター,ラハムント ウーヴェ. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2016-08-17.

Vehicle high-voltage device and automobile

Номер патента: CN215097406U. Автор: 彭爽,赵文强,李宏涛,韩政达,刘崇威,董福田,申大鹏. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Further training in high voltage devices for painting and the like

Номер патента: FR1378410A. Автор: Neil Rudolph Wallis. Владелец: . Дата публикации: 1964-11-13.

Process for controlling the correct positioning of test probes on terminations of electronic devices integrated on a semiconductor and corresponding electronic device

Номер патента: US20110156732A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-30.

Process for controlling the correct positioning of test probes on terminations of electronic devices integrated on a semiconductor and corresponding electronic device

Номер патента: US20160018461A1. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-01-21.

Process for controlling the correct positioning of test probes on terminations of electronic devices integrated on a semiconductor and corresponding electronic device

Номер патента: US09823300B2. Автор: Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

System, method, apparatus, and computer program product for utilizing machine learning to process an image of a mobile device to determine a mobile device integrity status

Номер патента: EP4032017A1. Автор: Stuart Saunders,Mircea Ionescu,Anthony Coble,Nathan Breitsch. Владелец: Assurant Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

System, method, apparatus, and computer program product for utilizing machine learning to process an image of a mobile device to determine a mobile device integrity status

Номер патента: US20230360353A1. Автор: Stuart Saunders,Mircea Ionescu,Anthony Coble,Nathan Breitsch. Владелец: Assurant Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

System, method, apparatus, and computer program product for utilizing machine learning to process an image of a mobile device to determine a mobile device integrity status

Номер патента: US12125254B2. Автор: Stuart Saunders,Mircea Ionescu,Anthony Coble,Nathan Breitsch. Владелец: Assurant Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

System of audio devices integration

Номер патента: RU2400808C2. Автор: Ира МАРЛОУ. Владелец: Ира МАРЛОУ. Дата публикации: 2010-09-27.

Air spring comprising level-measuring device integrated into the bellows

Номер патента: US09879745B2. Автор: Stefan Prams. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Electronic device with integration function and multiple devices integrating control method

Номер патента: US09684609B2. Автор: Hung-Chi Huang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Extensible industrial internet of things platform for integrating sensors using a device integration definition that contains edited code hooks

Номер патента: US11675346B2. Автор: Marquis Blount,Justin Ferrara,Adam Hickey,Duke Nguyen. Владелец: Bentley Systems Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Hardware device integrity validation using platform configuration values

Номер патента: US11853417B2. Автор: Yevgeni Gehtman,Tomer Shachar,Maxim Balin. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Mobile device integrated visual enhancement system

Номер патента: EP3909042A1. Автор: Fuyao Zhang,Gonglue Jiang,Weiqi ZHAO. Владелец: Yutou Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Mobile device integrated visual enhancement system

Номер патента: US20220121411A1. Автор: Fuyao Zhang,Gonglue Jiang,Weiqi ZHAO. Владелец: Yutou Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Display Device Integrated with Touch Screen Panel and Method of Driving the Same

Номер патента: US20150301639A1. Автор: Deuksu Lee,Seungrok Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Paint mixing device integrated with storage and adjustment

Номер патента: US20230347306A1. Автор: Kunkun ZHANG,Xianwu REN. Владелец: Zhengzhou Sanhua Technology and Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and compositions for paper-based and hybrid microfluidic devices integrated with nucleic acid amplification for disease diagnosis

Номер патента: US20160008809A1. Автор: Xiujun Li,Maowei DOU,Delfina Dominguez. Владелец: University of Texas at EI Paso. Дата публикации: 2016-01-14.

Hybridization device integrated into a vehicle

Номер патента: GB2628473A. Автор: Murray Mack,Annamalai Lee,Ramsingh Kamal. Владелец: Adgero Uk Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Display device integrated with touch screen

Номер патента: US09952694B2. Автор: Tae Hwan Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Chemical-analysis device integrated with metallic-nanofinger device for chemical sensing

Номер патента: US09594022B2. Автор: Zhiyong Li,R. Stanley Williams. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-03-14.

Display device integrated with touch screen panel and driving method thereof

Номер патента: US09501162B2. Автор: Sang-Hyun Jun,Se-Il Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Liquid crystal display device integrated with touch screen panel

Номер патента: US09436309B2. Автор: Wee-Joon Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Display device integrated with touch screen panel and method of driving the same

Номер патента: US09430963B2. Автор: Deuksu Lee,Seungrok Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Display device integrated with touch screen and method of driving the same

Номер патента: US09405411B2. Автор: Sungchul Kim,JungHan LEE,Yangsik Lee,Seungeun Pyo,JeongSeop Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Image input device-integrated type display device

Номер патента: US5430462A. Автор: Masayuki Katagiri,Takao Tagawa,Noritoshi Kako. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Device integrity based assessment of a user action associated with an advertisement

Номер патента: WO2017036607A1. Автор: David Karlsson. Владелец: SONY MOBILE COMMUNICATIONS INC.. Дата публикации: 2017-03-09.

Device integrity based assessment of a user action associated with an advertisement

Номер патента: EP3345147A1. Автор: David Karlsson. Владелец: Sony Mobile Communications Inc. Дата публикации: 2018-07-11.

Xylitol preparation device integrating evaporation, crystallization and centrifugal separation and control method thereof

Номер патента: US11840501B2. Автор: Yi Zheng,Jian Yang,Zhiqiang Liu,Mian Li,Xiaojian Zhang,Weiwei Fan,Han GAO,Yuguo ZHENG,Taogang ZHANG,Baoxing MAO. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan. Владелец: Mark T Chan. Дата публикации: 2009-04-23.

Lamp device-integrated rearview mirror

Номер патента: EP2151351A1. Автор: Tsuyoshi Tsuda,Jun Morimoto. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-10.

System configured to change the mach number for different angles of attack with different speeds for achieving changing aerodynamic forces and velocity with a deceleration device integrated with a blunt body

Номер патента: US20190163850A1. Автор: Khaled Abdullah Alhussan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods and systems for integrated on-chip single-molecule detection

Номер патента: EP3963091A1. Автор: David Stern,Pierre Indermuhle,Sujal M. Patel,Elliott SORELLE,Parag Mallick. Владелец: Nautilus Biotechnology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Methods and systems for integrated on-chip single-molecule detection

Номер патента: US20230221243A1. Автор: David Stern,Pierre Indermuhle,Sujal M. Patel,Elliott SORELLE,Parag Mallick. Владелец: Nautilus Subsidiary Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method, device and computer software providing search solution for mobile device integrated with applications and using context information

Номер патента: RU2390824C2. Автор: ВЕНКАТА Мурали Кришна ПУНАГАНТИ,Чанд МАЛУ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2010-05-27.

Set of units for a device integrated in an extracorporeal blood circuit

Номер патента: CA2591506C. Автор: Nicola Ghelli,Edgardo Costa Maianti,Roberto Balanzoni. Владелец: Eurosets SRL. Дата публикации: 2016-02-02.

Mobile device integrated visual enhancement system

Номер патента: US11487492B2. Автор: Fuyao Zhang,Gonglue Jiang,Weiqi ZHAO. Владелец: Yutou Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Active suspension and body wearable device integration

Номер патента: US20230331333A1. Автор: Everet Owen Ericksen,Wesley E. Allinger,Evan Peterson. Владелец: Fox Factory Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Processing auxiliary device integrated with clamping and blanking functions

Номер патента: US11311927B2. Автор: Weipeng Duan,Meiping WU,Xiaojin MIAO,Yiqing MA,Peipei Lu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-26.

Rechargeable pumping up device integrated into the cylinder supporting the saddle of a bicycle

Номер патента: AU2003209675A1. Автор: Roberto Di Blasio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-10.

Display device integrated with touch screen panel and driving method thereof

Номер патента: US20140253502A1. Автор: Sang-Hyun Jun,Se-Il Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Helicopter active noise suppression device integrating sound array and on-propeller control

Номер патента: US20240034463A1. Автор: Yang Liu,Zhiyuan Hu,Guohua XU,Yongjie SHI,Taihang MA. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2024-02-01.

Optical coupler integrated on a substrate and comprising three elements

Номер патента: US09547137B2. Автор: Salim BOUTAMI,Mickael Brun,Julien Favreau. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for integrating on-board radar station of manned aircraft and on-board radar stations of unmanned aerial vehicles when determining delay time for triggering payload of unmanned aerial vehicles

Номер патента: RU2750884C1. Автор: Сергей Михайлович Мужичек,Владимир Иванович Павлов,Андрей Александрович Скрынников,Герман Георгиевич СЕБРЯКОВ,Александр Юрьевич Федотов,Олег Владимирович Ермолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие «Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем» (ФГУП «ГосНИИАС»). Дата публикации: 2021-07-05.

Fully integrated, on-line interactive frequency and award redemption program

Номер патента: US5774870A. Автор: Thomas W. Storey. Владелец: Netcentives Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Fully integrated on-line interactive frequency and award redemption program

Номер патента: US6009412A. Автор: Thomas W. Storey. Владелец: Netcentives Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

System integrated on a chip of semiconductor material

Номер патента: EP1158305A1. Автор: Daniele Zanzottera,Giuseppe Bosisio. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 2001-11-28.

System and method for integrated on-demand delivery of operating system and applications

Номер патента: CA2566107C. Автор: Amit Deshpande,Satya Mylvara,Andrew Kin Ning Tsui,Mark Calomeni,Andy Fausak. Владелец: Wyse Technology LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated on-line monitoring and thermostatic heating apparatus for bioartificial liver device

Номер патента: US20180117235A1. Автор: LU LIU,Ping Zhou. Владелец: Wuhan Togo Meditech Co ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Integrated on-demand placarding

Номер патента: US11883853B2. Автор: Robert Charles Moran,Marlon Guy Wells. Владелец: US Postal Service (USPS). Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated on-demand placarding

Номер патента: US20240116080A1. Автор: Robert Charles Moran,Marlon Guy Wells. Владелец: US Postal Service (USPS). Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated on-chip polarization rotation splitter

Номер патента: EP4174539A1. Автор: Dr.-Ing. Sandeep Ummethala. Владелец: Scantinel Photonics GmbH. Дата публикации: 2023-05-03.

Integrated shuffle validity proving device, proof integrating device, integrated shuffle validity verifying device, and mix network system

Номер патента: CA2609459A1. Автор: Jun Furukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Pedestal for solar power generation devices integrated with solar power generation panels

Номер патента: US12107532B2. Автор: Mitsuhiro Higashi. Владелец: Shimin Enerugi Chiba KK. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated shuffle validity proving device, proof integrating device, integrated shuffle validity verifying device, and mix network system

Номер патента: EP1890421A4. Автор: Jun Furukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Telecommunication device integrated with a scanner

Номер патента: WO2000035183A3. Автор: Amir Loloee,Ali Majid,Emani Arman. Владелец: Emani Arman. Дата публикации: 2000-11-09.

Telecommunication device integrated with a scanner

Номер патента: WO2000035183A2. Автор: Amir Loloee,Ali Majid,Emani Arman. Владелец: Emani Arman. Дата публикации: 2000-06-15.

Vibration control device integrating passive control, semi-active control and active control

Номер патента: US11815151B2. Автор: Jun TENG,Zuohua LI,Qinggui WU. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-14.

Integration device, integration method, and integration program

Номер патента: US20220138603A1. Автор: Wataru Takeuchi,Shinji Tarumi,Hideyuki Ban,Shuntaro Yui. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit designing device, integrated circuit designing method, and integrated circuit designing program

Номер патента: US20080184179A1. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Power steering system with a retractable steering column according to an improved recoil travel by means of a lower target, for an angle measuring device, integrated into a tangent wheel of the reducer

Номер патента: US20210009188A1. Автор: Laurent Rey,Philippe Chauvrat,Roch Monnet,Boris Catherin,Philippe Vercoustre,Raphaël Vadon. Владелец: JTEKT Europe SAS. Дата публикации: 2021-01-14.

Sled-Table For Radiographic Imaging And Medical Device Integration

Номер патента: US20240260912A1. Автор: Robert F. Wilson,John P. Gainor,Uma S. VALETI,James MONTAGUE. Владелец: Egg Medical Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrating security protection tools with computer device integrity and privacy policy

Номер патента: US20080022093A1. Автор: Thekkthalackal Varugis Kurien,Scott Field,Peter T. Brundrett,Jeffrey B. Hamblin,Narasimha Rao Nagampalli. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Integrated circuit verification device, integrated circuit verification method, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220405451A1. Автор: Yohei Kojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Electronic device, integrated circuit, and input system

Номер патента: US20240281084A1. Автор: Noriyuki Kitahara,Yuhi Hatano. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

PROCESS FOR CONTROLLING THE CORRECT POSITIONING OF TEST PROBES ON TERMINATIONS OF ELECTRONIC DEVICES INTEGRATED ON A SEMICONDUCTOR AND CORRESPONDING ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160018461A1. Автор: PAGANI Alberto. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2016-01-21.

Power source noise measuring device, integrated circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20100052726A1. Автор: Kazuhiro Furuya,Akihiko Harada,Takahito TAKEMOTO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Power source noise measuring device, integrated circuit, and semiconductor devide

Номер патента: US20080106324A1. Автор: Kazuhiro Furuya,Akihiko Harada,Takahito TAKEMOTO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Aircraft comprising at least one fluidic propulsion device integrated into an airframe element and method of use

Номер патента: US20230249805A1. Автор: Laurent Georges Valleroy,Solène Valleroy. Владелец: Safran Nacelles SAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for cleaning gas-insulated high-voltage device

Номер патента: RU2443031C2. Автор: Валентин Александрович Романов,Константин Анатольевич Резвых. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского&#34;. Дата публикации: 2012-02-20.

Device for continuously monitoring partial discharge signals in insulation of three-phase high voltage devices under operation conditions

Номер патента: RU2393494C1. Автор: Валерий Сергеевич Поляков,Валерий Сергеевич Поляков (RU). Владелец: Валерий Сергеевич Поляков. Дата публикации: 2010-06-27.

METHOD AND STRUCTURE FOR FORMING CAPACITORS AND MEMORY DEVICES ON SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR (SOI) SUBSTRATES

Номер патента: US20120171821A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

STRAINED THIN BODY SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE AND DEVICE

Номер патента: US20120074494A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-29.

SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE AND STRUCTURE INCLUDING MULTIPLE ORDER RADIO FREQUENCY HARMONIC SUPRESSING REGION

Номер патента: US20130005157A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

THREE DIMENSIONALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING PHOTOACTIVE DEVICES AND SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATES, AND METHODS OF FORMING SUCH THREE DIMENSIONALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR SYSTEMS

Номер патента: US20130039615A1. Автор: Sadaka Mariam,Nguyen Bich-Yen. Владелец: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2013-02-14.

NOBLE GAS IMPLANTATION REGION IN TOP SILICON LAYER OF SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130134518A1. Автор: Clark,JR. WILLIAM F.,Botula Alan B.,Slinkman James A.,Shi Yun,Phelps Richard A.,Rainey BethAnn. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

DEEP ISOLATION TRENCH STRUCTURE AND DEEP TRENCH CAPACITOR ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130147007A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

Self-carrying coil unit as well as by it formed rejector built-up in single stag, connectable to an overhead line, high-voltage cable or applicable in high-voltage device

Номер патента: HUT42212A. Автор: Ferenc Agardi,Andras Bely,Nondas Hatzimihalis. Владелец: Nondas Hatzimihalis. Дата публикации: 1987-06-29.

Integral manufacturing method for high voltage device and low voltage device

Номер патента: TW476153B. Автор: Yung-Jie Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-02-11.

Manufacturing a high voltage device compatible with low voltage device

Номер патента: TW403973B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

Integrating the high-voltage device and low-voltage device by using trench isolation structure

Номер патента: TW434787B. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Adopting the shallow trench isolation structure to integrate high voltage device and low voltage device

Номер патента: TW409349B. Автор: Ming-Tzung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Ion implantation method and structure for increasing the breakdown voltage of the high voltage device

Номер патента: TW430925B. Автор: Hung-Jeng Sung,Wen-Ding Ju,Hung-De Su,Chung-Rung Lin,Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-04-21.

METHOD FOR CLEANING A GAS-ISOLATED HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: RU2009148810A. Автор: Валентин Александрович Романов,Константин Анатольевич Резвых,Константин Анатольевич Резвых (RU),Валентин Александрович Романов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научный центр Российской Федерации-Физико-энергетический институ. Дата публикации: 2011-07-10.

High voltage device

Номер патента: TW201112337A. Автор: Guowei Zhang,PURAKH Raj Verma. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-01.

Method for manufacturing high voltage device

Номер патента: TW394999B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-21.

Structure and manufacturing of high voltage devices

Номер патента: TW388940B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-01.

Structure of high voltage device and method for making the same

Номер патента: TW426903B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-21.

High voltage device structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW464985B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Electrostatic discharge protection circuit structure of high voltage device

Номер патента: TW471153B. Автор: Ruei-Shiang Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

High voltage device structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW448571B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

High voltage device structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW448573B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor Arrangement with a Power Transistor and a High Voltage Device Integrated in a Common Semiconductor Body

Номер патента: US20130249602A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Weyers Joachim,Wahl Uwe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Level shifter for application of high voltage device

Номер патента: TW574706B. Автор: Yuan-Tai Lin,You-Ming Shiu,Jian-Hung He. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-01.

Improved structure of an ultra-high voltage device

Номер патента: TW201248824A. Автор: Jian-Hsing Lee,Hung-Der Su,Tzu-Cheng Kao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-12-01.

High voltage device structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW448574B. Автор: Sheng-Shiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

High voltage device structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW448572B. Автор: Sheng-Shiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

METHOD AND MANUFACTURE FOR EMBEDDED FLASH TO ACHIEVE HIGH QUALITY SPACERS FOR CORE AND HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOW TEMPERATURE SPACERS FOR HIGH PERFORMANCE LOGIC DEVICES

Номер патента: US20130023101A1. Автор: Ohtsuka Kenichi,LIN CHUAN,Xue Lei,CHAN Simon Siu-Sing,Hui Angela Tai,SHIRAIWA Hidehiko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-01-24.

Integration manufacturing method of high voltage device and low voltage device

Номер патента: TW202324610A. Автор: 熊志文,楊大勇,翁武得. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-06-16.

Method for producing high voltage device compatible with low voltage device

Номер патента: TW389987B. Автор: Ming-Jung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-11.

Selective Current Pumping to Enhance Low-Voltage ESD Clamping Using High Voltage Devices

Номер патента: US20130250461A1. Автор: Shrivastava Mayank,Russ Christian,Gossner Harald. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-09-26.

High-voltage device manufacturing method for elevating the breakdown voltage

Номер патента: TW403971B. Автор: Sheng-Shiung Yang,Fang-Sheng Liau,Yue-Ching Jeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

HIGH-VOLTAGE DEVICES WITH INTEGRATED OVER-VOLTAGE PROTECTION AND ASSOCIATED METHODS

Номер патента: US20120320476A1. Автор: DISNEY Donald R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

LOW VOLTAGE ESD CLAMPING USING HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20130258534A1. Автор: Shrivastava Mayank,Russ Christian,Gossner Harald. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-10-03.

Low voltage to high voltage device

Номер патента: TWI448059B. Автор: . Владелец: Univ Nat Taipei Technology. Дата публикации: 2014-08-01.

High Voltage Device and Method for Optical Devices

Номер патента: US20120007102A1. Автор: Chakraborty Arpan,Sharma Rajat,Feezell Daniel,Trottier Troy Anthony,Katona Thomas,"DEvelyn Mark". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-12.

POWER LDMOS DEVICE AND HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20120261752A1. Автор: . Владелец: EPISIL TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

LEAKAGE RESISTANCE DETECTION DEVICE FOR AN ON-BOARD HIGH VOLTAGE DEVICE AND LEAKAGE RESISTANCE DETECTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130245869A1. Автор: ZUSHI Yuji,NISHIDA Mitsunori,YASUKAWA Kouichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-09-19.

A temperature rise online monitoring device of a high-voltage device cable connector

Номер патента: CN203132720U. Автор: 张志强,王立辉,王宇鹏,王孟男,郝晖,颜延武. Владелец: FUXIN POWER SUPPLY Co OF LIAONING ELECTRIC POWER Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Device for mechanical blocking of sliding blocks and fences of high-voltage devices

Номер патента: SU546028A1. Автор: Владимир Константинович Коршунов,Сергей Иванович Ревин. Владелец: Предприятие П/Я Г-4492. Дата публикации: 1977-02-05.

A kind of ultrasonic detection device for partial discharge for small size high voltage devices

Номер патента: CN104569760B. Автор: 王波,徐倩,史晓东,刘大永,史丽萍. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-16.

Oil-immersed and high-voltage device maintenance method and device

Номер патента: CN103675518B. Автор: 刘静,李聃,陆国俊,张德智,吴培伟,黄慧红,黄青丹,宋浩永,赵崇智,徐诗颖,林满堂,戴月容. Владелец: Guangzhou Power Supply Bureau Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-07.

Mold device packaged by high-voltage device

Номер патента: CN201645752U. Автор: 康金,陈天祥,罗云华,吴梓明,章青春. Владелец: Dongguan Langcheng Mould Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-24.

HIGH VOLTAGE DEVICE HAVING SCHOTTKY DIODE

Номер патента: US20120068297A1. Автор: Tsai Min-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120217579A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Lin Ying-Shiou. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120223384A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120273883A1. Автор: Chen Chi-Chih,Wu Kuo-Ming,CHEN SHIANG-YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-01.

POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND HIGH VOLTAGE DEVICE THEREIN

Номер патента: US20120275072A1. Автор: SU YU-TI,CHEN Che-Hung. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20120280318A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-11-08.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120280320A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120286361A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

Zero Cost NVM Cell Using High Voltage Devices in Analog Process

Номер патента: US20120287715A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

BALLAST RESISTOR FOR SUPER-HIGH-VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20120326234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

Manufacturing method of high voltage device

Номер патента: US20130045577A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Wang Yuh-Chyuan. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130069153A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD OF INTEGRATING HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20130071994A1. Автор: Tsuchiko Hideaki. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-03-21.

METHOD OF INTEGRATING HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: US20130072004A1. Автор: Tsuchiko Hideaki. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2013-03-21.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130093011A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-18.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20130093012A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei,ZHU Baofu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20130181286A1. Автор: ZHANG Guowei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20130181287A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

Hybrid High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130341719A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Huang Chien-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

TERMINATION DESIGN FOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140027840A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bhalla Anup,Guan Lingpeng. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2014-01-30.

STRESS ENHANCED HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140042499A1. Автор: VERMA Purakh Raj,ZHANG Guowei. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

High-voltage device

Номер патента: SU888217A2. Автор: Юрий Васильевич Образцов,Олег Владимирович Аносов,Фатима Ибрагимовна Крылова,Александр Гаврилович Мирзоев,Александр Васильевич Ромашкин,Петр Васильевич Фурсов,Валентина Михайловна Шокина. Владелец: Предприятие П/Я А-7186. Дата публикации: 1981-12-07.

Method of improving shallow trench isolating performance of high-voltage device

Номер патента: CN103227144A. Автор: 孙昌,王艳生,范洋洋. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

High-voltage device

Номер патента: SU1053177A1. Автор: Юрий Иосифович Вишневский,Сергей Михайлович Крижанский,Леонид Яковлевич Шур. Владелец: Научно-Исследовательский Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Высоковольтного Аппаратостроения Ленинградского Производственного Объединения &#34;Электроаппарат&#34;. Дата публикации: 1983-11-07.

Complete distributing high-voltage device cabinet

Номер патента: SU873322A1. Автор: Александр Владимирович Душкин,Евгений Петрович Половинкин,Валентин Георгиевич Гасюк,Юрий Анатольевич Апольцев,Сергей Викторович Трегубов. Владелец: Куйбышевский Завод &#34;Электрощит&#34;. Дата публикации: 1981-10-15.

High-voltage device for synchronized switching of load

Номер патента: SU1739396A1. Автор: Владимир Игоревич Гуревич,Василий Васильевич Кривцов. Владелец: В.В.Кривцов и В.И.Гуревич. Дата публикации: 1992-06-07.

Method of instantaneous spark connection of high-voltage devices

Номер патента: SU523465A1. Автор: Юрий Иосифович Вишневский,Виктор Самуилович Рашкес. Владелец: Предприятие П/Я В-8360. Дата публикации: 1976-07-30.

High-voltage device with gas insulation

Номер патента: SU758264A1. Автор: Aleksandr A Filippov,Elena S Majzel,Lyudmila B Slivkina,Nina Stepina. Владелец: Inst Postoyannogo Toka. Дата публикации: 1980-08-23.

Support-insulation structure of high-voltage device

Номер патента: SU1292059A1. Автор: Георгий Николаевич Александров,Эдуард Николаевич Якунин,Юрий Иванович Трифонов,Виктор Леонтьевич Иванов,Александр Иванович Афанасьев. Владелец: Специальное Проектно-Конструкторское И Технологическое Бюро По Высоковольтной Аппаратуре Великолукского Завода Высоковольтной Аппаратуры. Дата публикации: 1987-02-23.

High-voltage device for secondary power supply

Номер патента: RU1786515C. Автор: Станислав Антонович Соколовский,Юрий Валентинович Романенко,Игорь Алексеевич Криштафович,Анатолий Николаевич Титов,Борис Борисович Лебедев. Владелец: Специальное конструкторско-технологическое бюро Института электродинамики АН УССР. Дата публикации: 1993-01-07.

Inverter X-ray high voltage device

Номер патента: JP3669794B2. Автор: 敬信 畠山,和彦 坂本. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

High-voltage device and connection point temperature online monitoring apparatus

Номер патента: CN203869784U. Автор: 张于,王桂祥,王雪利. Владелец: BAODING XUKAI ELECTRIC Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

Inverter x-ray high voltage device

Номер патента: JP2013030325A. Автор: Takatsugu Oketa,隆継 桶田. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Gas-insulated high-voltage device

Номер патента: SU654960A1. Автор: Иван Михайлович Бортник,Валерий Иванович Гаврилов,Валентин Николаевич Борин. Владелец: Предприятие П/Я Р-6517. Дата публикации: 1979-03-30.

High-voltage device with compressed gas isolation

Номер патента: SU544034A1. Автор: Валерий Иванович Гаврилов,Валентин Николаевич Борин. Владелец: Предприятие П/Я Р-6517. Дата публикации: 1977-01-25.

High voltage device and its manufacturing method

Номер патента: CN105374883B. Автор: 蔡英杰,龚正,陈永初,郑家慧. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-08.

Gas-insulated high-voltage device

Номер патента: SU879693A1. Автор: Валерий Иванович Гаврилов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6517. Дата публикации: 1981-11-07.

Panel-display high-voltage device structure for driving chip

Номер патента: CN2522970Y. Автор: 孙伟锋,时龙兴,易扬波. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-11-27.

Inverter type X-ray high voltage device

Номер патента: JP3202058B2. Автор: 一郎 小林,秀記 植村,光一 大原. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2001-08-27.

Door outflow for mechanical interlocking in high voltage devices

Номер патента: SU68504A1. Автор: П.В. Шабанов. Владелец: П.В. Шабанов. Дата публикации: 1946-11-30.

Inverter X-ray high voltage device

Номер патента: JP4318779B2. Автор: 順 高橋,和彦 坂本. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2009-08-26.

Electrostatic adsorption dustproof high-voltage device for diesel machinery

Номер патента: CN213775490U. Автор: 蒋旭东,李炜,王远书,莫志远,丁树科. Владелец: Hefei Baofa Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Method for determining breakdown potential of clearance of high-voltage device

Номер патента: RU2497137C2. Автор: Валентин Александрович Романов,Константин Анатольевич Резвых,Александр Иванович Глотов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Государственный научный центр Российской Федерации-Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского&#34;. Дата публикации: 2013-10-27.

Novel integrated mounting structure of high-voltage device

Номер патента: CN214044402U. Автор: 赵珊珊. Владелец: Hebei Yongwei Special Equipment Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for embedding high-voltage device in silicon oxide-nitride-oxide semiconductor (SONOS) nonvolatile memory process

Номер патента: CN102446851B. Автор: 陈瑜,熊涛,罗啸. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Power supply circuit for control circuit in high voltage device

Номер патента: CN201041956Y. Автор: 竺伟,柳毛继. Владелец: SHANGHAI IPER ELECTRIC POWER ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI503892B. Автор: Tsung Yi Huang,Chien Wei Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-10-11.

Inverter type x-ray high voltage device

Номер патента: JPH10199695A. Автор: Jun Takahashi,順 高橋. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 1998-07-31.

X-ray high voltage device

Номер патента: JP4662518B2. Автор: 和彦 坂本,圭一 茶畑,和祐 俵谷. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2011-03-30.

Inverter type x-ray high-voltage device

Номер патента: JPH10162989A. Автор: Koichi Ohara,光一 大原. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 1998-06-19.

Gas well long-distance high-voltage device for opening and closing well

Номер патента: CN202954781U. Автор: 陈勇,杨旭东,李耀德,张书平,于志刚,陈德见,程小莉,肖述琴,卫亚明,张明禄. Владелец: China Petroleum and Natural Gas Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-29.

METHOD FOR CONTROLLING THE OPERATING BEHAVIOR OF OILISOLATED HIGH VOLTAGE DEVICES

Номер патента: DD144327A1. Автор: Bernd Witte,Hermann Koeppen. Владелец: Hermann Koeppen. Дата публикации: 1980-10-08.

Inverter type x-ray high voltage device

Номер патента: JPH10189287A. Автор: Ichiro Kobayashi,一郎 小林. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Structure and manufacturing method for high voltage device

Номер патента: TW434833B. Автор: Sheng-Shiung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201244087A. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-11-01.

High-voltage device for electro-shock therapy with direct or remote action ?? ?? ?? ??

Номер патента: UA60071C2. Автор: Georgii Gennadiiovych Gubariev. Владелец: Nat University Of Internal Aff. Дата публикации: 2005-07-15.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TW201234590A. Автор: Tsung-Yi Huang,Kuo-Hsuan Lo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2012-08-16.

Structure and manufacturing method for high voltage device

Номер патента: TW392365B. Автор: Ming-Tzung Dung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-01.

High Voltage Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130020636A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130032880A1. Автор: Huang Tsung-Yi,CHU Huan-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

HIGH VOLTAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130270634A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

HIGH VOLTAGE DEVICE WITH A PARALLEL RESISTOR

Номер патента: US20140021560A1. Автор: Hsu Chun-Wei,HUO Ker Hsiao,SU Ru-Yi,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,YEH Jen-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-23.

HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: US20140042515A1. Автор: TSENG Pei-Kai,TANG Chien-Fu,CHEN Issac Y.. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

High-voltage device provided with air treating function

Номер патента: JP2002143634A. Автор: Toshio Tanaka,利夫 田中. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Distributing high voltage device

Номер патента: SU909752A1. Автор: Сергей Максимович Кремнев. Владелец: Новосибирское Отделение Всесоюзного Государственного Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Проектного Института &#34;Теплоэлектропроект&#34;. Дата публикации: 1982-02-28.

Control unit for high-voltage devices

Номер патента: SU1083249A1. Автор: Всеволод Павлович Герасимов,Владимир Игоревич Гуревич,Виктор Алексеевич Скосарев,Петр Ильич Савченко,Сергей Васильевич Промышляев. Владелец: Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.Д.В.Ефремова. Дата публикации: 1984-03-30.

High voltage device

Номер патента: SU576634A1. Автор: Юрий Николаевич Семенов,Федор Иванович Кузнецов,Генрих Лейбович Троянский. Владелец: Предприятие П/Я М-5659. Дата публикации: 1977-10-15.

High-voltage device

Номер патента: SU1353192A1. Автор: В.Н. Борин,М.А. Аушев. Владелец: Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1996-11-27.

High voltage device and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI451574B. Автор: Tsung Yi Huang,Chien Wei Chiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-09-01.

Insulating element of gas-filled high-voltage device

Номер патента: SU684621A1. Автор: Валентин Иванович Абдулов,Иван Михайлович Бортник,Василий Владимирович Афанасьев,Александр Алексеевич Панов,Александр Львович Виленчук,Борис Михайлович Сушков,Вадим Гарешнович Аракелян,Борис Борисович Качарава. Владелец: Научно-Производственное Объединение &#34;Электроаппарат&#34;. Дата публикации: 1979-09-05.

Fluid-tight expander for high-voltage device

Номер патента: SU955229A1. Автор: Владимир Петрович Колесников,Анатолий Алексеевич Капустин,Владимир Матвеевич Шурупов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6324. Дата публикации: 1982-08-30.

HIGH VOLTAGE DEVICE FILLED AGAINST PRESSURE WAVES, FILLED WITH INSULATING LIQUID AND / OR GAS, IN PARTICULAR CONVERTERS.

Номер патента: DE1721316U. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1956-05-03.

High voltage devices

Номер патента: CA743501A. Автор: R. Wallis Neil. Владелец: Individual. Дата публикации: 1966-09-27.

X-ray high voltage device

Номер патента: JPS63241897A. Автор: Hidefumi Suzuki,英文 鈴木. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1988-10-07.

Clamp for heating treatment at connecting point of high voltage device

Номер патента: CN201904444U. Автор: 李鹏,张银喜,苏学军,崔满意,卢桂霞,陶福孝. Владелец: Zhongwei Power Supply Bureau Of Ningxia Electric Power Co. Дата публикации: 2011-07-20.

Method for raising insulation electric strength of high-voltage devices with liquid dielectric

Номер патента: RU1824653C. Автор: Владимир Степанович Комельков,Евгений Павлович Афиногенов. Владелец: Государственный Научно-Исследовательский Энергетический Институт Им.Г.М.Кржижановского. Дата публикации: 1993-06-30.

High voltage device

Номер патента: JPS5619340A. Автор: Shiyouji Katou,Riyuuzou Aihara. Владелец: Nihon Denshi KK. Дата публикации: 1981-02-24.

System and method for device integration in a combined centralized and distributed unit

Номер патента: WO2024201488A1. Автор: Shakti Singh,Aayush Bhatnagar,Pradeep Kumar Bhatnagar,Amrish Bansal,Brijesh Shah,Narender Kumar,Bajinder Pal Singh,Selvakumar -. Владелец: Jio Platforms Limited. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrode device integrated into individual suit and ways of its application

Номер патента: RU2338455C2. Автор: Михаил Александрович Рык. Владелец: Михаил Александрович Рык. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of determining diffusion coefficient in powder materials and method of determining thickness and index of coating integrity on particles of powder materials

Номер патента: RU2522757C1. Автор: Валерий Вадимович Мокрушин,Максим Владимирович Царев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие &#34;Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики&#34;-ФГУП &#34;РФЯЦ-ВНИИЭФ&#34;. Дата публикации: 2014-07-20.

Multi-position integrated on-board radio-electronic equipment complex for light multi-purpose aircraft possessing high maneuvering capabilities

Номер патента: RU2252900C1. Автор: О.Ф. Демченко,К.Ф. Попович,В.П. Школин,В.Н. Никитин,В.Г. Кодола,Ю.Н. Виноградов,П.П. Парамонов,Н.С. Копорский,Ю.И. Сабо. Владелец: ОКБ &#34;Электроавтоматика&#34;. Дата публикации: 2005-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.