반도체 메모리 셀의 구조 및 제조 방법.

반도체 메모리 셀의 구조 및 제조 방법

Номер патента: KR100879670B1
Опубликовано: 21-01-2009
Автор(ы): 안근옥
Принадлежит: 리디스 테크놀로지 인코포레이티드
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324213A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20080081413A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Chang-Sub Lee,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee,Dong-Yean Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276362A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268266A1. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09997531B2. Автор: Kotaro Noda,Kyoko NODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240114684A1. Автор: Kazuaki Tsunoda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09929212B2. Автор: Takeshi Sugimoto,Yoshihisa Iwata,Yusuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769808B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062704B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210091196A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230395671A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional semiconductor memory device including slit structures

Номер патента: US11744068B2. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20230389321A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for coating a semiconductor material using high remanent induction, coated superconductor material and the use thereof

Номер патента: CA2365437C. Автор: Michael Backer,Joachim Bock,Martin Ullrich,Herbert Freyhardt,Andreas Leenders,Heribert Walter. Владелец: Nexans Superconductors GmbH. Дата публикации: 2008-07-08.

Display panel including stack of light-converging structure and band-pass filtering structure, manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11895893B2. Автор: Qian Jin,Wei Huang,Qian Sun,Yichi ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389298A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307368A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US20130011988A1. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a laminated structure comprising a boron-doped silicon germanium film and a metal film

Номер патента: US8883601B2. Автор: Nobuyuki Sako. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5447877A. Автор: Hiroyuki Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor storage device and its manufacturing method

Номер патента: US20050248975A1. Автор: Toru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230389270A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240147692A1. Автор: Seungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory cell of charge-trapping non-volatile memory

Номер патента: US20230240075A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Tsung-Mu Lai,Chun-Hsiao Li,Cheng-Yen Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor structure and the forming method thereof

Номер патента: US20200152647A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Chih-Jung Ni,Chuan-Chi CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for forming a floating gate non-volatile memory cell

Номер патента: US8263459B2. Автор: Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-09-11.

Memory cell structure of dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TW302524B. Автор: Fang-Ching Jaw. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-04-11.

Semiconductor memory device using hemispherical grain silicon and method for the manufacture thereof

Номер патента: TW503588B. Автор: Tae-Woo Jung,Jung-Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-09-21.

Semiconductor memory device with stacked capacitor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970013368A. Автор: 카즈타카 마나베. Владелец: 닛폰 덴키주식회사. Дата публикации: 1997-03-29.

Flash memory cell of trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100486075B1. Автор: 김재영,최태호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-04-29.

Semiconductor memory device having plural cell capacitors stacked on one another and manufacturing method thereof

Номер патента: US8969935B2. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-03-03.

A semiconductor device with have buried gate electrode structure and a method for manufacturing the same

Номер патента: KR101557861B1. Автор: 염계희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor memory device composed of ferroelectric substance transistor storage cell and its manufacturing method

Номер патента: KR0183878B1. Автор: 이기홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Memory Cells Having Contact Structures and Related Intermediate Structures

Номер патента: US20100200926A1. Автор: Jeong-Ho Park,Hyun-Chul Shin,Jung-Young Lee,Kwang-Won Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Multi-bit memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090146129A1. Автор: Kwang-Jeon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory cell array in a semiconductor memory device

Номер патента: US20080251847A1. Автор: Keun Woo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240315000A1. Автор: Kai Jen,Yi-Hsun Chung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210135102A1. Автор: Chii-Ming Wu,Fu-Ting Sung,Hsing-Lien Lin,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240196600A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Dynamic Random Access Memory Cell and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100035389A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Dynamic random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US7754544B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-13.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US9859283B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US09859283B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180047741A1. Автор: Hideto Onuma,Masayuki Shishido,Akira KURAMOTO,Tatsuya Fujishima,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090090963A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US9985035B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory structure

Номер патента: US09985035B1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140070303A1. Автор: Kenichi Fujii,Tooru Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240349484A1. Автор: Hyungmin Ko,Taeyoung EOM,Boryeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure, manufacturing method thereof, and memory having bit line conducting layers covering the bit line contact layer and the insulating layer

Номер патента: US12069850B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240224502A1. Автор: Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180350817A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Integrated semiconductor memory and fabrication method

Номер патента: US20030011010A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory of good retention and its manufacture

Номер патента: US20020000577A1. Автор: Koichi Hashimoto,Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837430B2. Автор: Toshihiko Iinuma,Osamu Arisumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Electroluminescent device, production method thereof, and display device including the same

Номер патента: US20240224562A1. Автор: Sung Woo Kim,Moon Gyu Han,Chan Su Kim,You Jung Chung,Ilyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory cell having floating gate electrode and reduced bird's beak portions

Номер патента: US5854502A. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-12-29.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210366925A1. Автор: Ju Hun KIM,Bo Ram PARK,Min Jae HUR,Ji Hyeun SHIN,Ji Woong SUE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Electroluminescent device, production method thereof, and display device including the same

Номер патента: EP4395462A1. Автор: Sung Woo Kim,Moon Gyu Han,Chan Su Kim,You Jung Chung,Ilyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Manufacturing method of material of light emitting layer

Номер патента: US11753586B2. Автор: Yanan Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-volatile semiconductor memory having a cell structure which is suitable for high-speed operation and a low power supply voltage

Номер патента: DE4411442A1. Автор: Hyong-Gon Lee,Sang-Ki Hwang,Cheol-Ung Jang,Young-Wi Ko,Sung-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-10-06.

Semiconductor memory device incorporating therein ruthenium electrode and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20010031527A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-10-18.

Contact structure, electronic component comprising a contact structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2009146987A1. Автор: Carsten Schuh. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Techniques for providing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2012170409A2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa R. Banna. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11756632B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276713A1. Автор: Kyunghwan Lee,Juho Lee,Jeonil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US20090159969A1. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-06-25.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US8304311B2. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-11-06.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US9607859B2. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US09911810B2. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Flash memory cell with a gate having a flaring shape and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008140661A1. Автор: Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Shenqing Fang,YouSeok Suh. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-20.

Memory cell, capacitive memory structure, and methods thereof

Номер патента: US12075625B2. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having three-dimensional cell structure

Номер патента: US20230292638A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device having memory cell and staircase structure and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240365557A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device having three-dimensional structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11342353B2. Автор: Sang Woo Park,Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Chang Woon Choi,Soo Nam JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor memory device of 2t-1c structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20230101700A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim,Jongman Park,Minjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of producing a semiconductor device having spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: US11682703B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-06-20.

Method of producing a semiconductor device having spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: US20210234010A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US20120319191A1. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-12-20.

Process for manufacturing a semiconductor power device comprising charge-balance column structures and respective device

Номер патента: US20170141191A1. Автор: Ferruccio Frisina,Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Simona Lorenti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-18.

Memory cell, capacitive memory structure, and methods thereof

Номер патента: US11950430B2. Автор: Patrick Polakowski,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storge Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: EP4302332A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Woofer speaker and the rear sound cavity forming method thereof

Номер патента: US09866935B2. Автор: Bin Jiang,Chao Jiang,Jianbin YANG. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Large electric vehicle power structure and alternating-hibernation battery management and control method thereof

Номер патента: CA2910934C. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-06-04.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: WO2020117329A8. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-09-24.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,John Mark Meldrim,Scott M. Pook,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US09929173B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100665B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831093B2. Автор: Hideki Sugiyama,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11309436B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09825651B2. Автор: Sung-Gun CHO,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20150279795A1. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780104B2. Автор: Hisashi Kato,Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Battery cell structure of button battery and munufactuturn merhod thereof, and button battery

Номер патента: US20230141846A1. Автор: Yongwang Wang,Yuxiang Zeng. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11049870B2. Автор: Tsuyoshi Sugisaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US11917826B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160141303A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of controlling a semiconductor memory device

Номер патента: US20180175058A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200251493A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120320652A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170040341A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140293695A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

3D stacked semiconductor memory devices with sense amplifier electrically connected to a selecting circuit

Номер патента: US9281016B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

3D stacked semiconductor memory architecture with conductive layer arrangement

Номер патента: US9508740B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8787061B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US10332907B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US20240172442A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11942421B2. Автор: Hanae ISHIHARA,Kaito SHIRAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11778815B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371251A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240347442A1. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09859203B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With Thinned Side Edge Tunnel Oxide

Номер патента: US20210399127A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming split gate memory cells with thinned side edge tunnel oxide

Номер патента: EP4169071A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11462556B2. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10840257B2. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200066743A1. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210028185A1. Автор: Shinichi Watanabe,Hiroyasu Tanaka,Tetsuya Furukawa,Mitsuhiro Noguchi,Tomoaki Shino,Yukio Nishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Optoelectronic semiconductor component having a semiconductor contact layer and method for producing the optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US11764330B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hans-Jürgen Lugauer,Mohammad Tollabi Mazraehno,Mariel Grace Jama. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Image pickup module and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09844909B1. Автор: Jui-Hsin Chang. Владелец: Altek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Logic-compatible memory cell manufacturing method and structure thereof

Номер патента: US20180145085A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220271032A1. Автор: Po-Yu YANG,Yu-Wen Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Ncfet transistor comprising a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20240170577A1. Автор: Ionut Radu,Guillaume BESNARD,Sorin Cristoloveanu. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-05-23.

Processes for forming electronic devices including a semiconductor layer

Номер патента: US7217667B2. Автор: Marius K. Orlowski,Victor H. Vartanian. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-05-15.

Processes for forming electronic devices including a semiconductor layer

Номер патента: US20060183288A1. Автор: Marius Orlowski,Victor Vartanian. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-08-17.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11282932B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Shunsuke Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230387261A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Hou-Yu Chen,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110582A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor package having a semiconductor element and a wiring structure

Номер патента: US12057324B2. Автор: Jie Zhang,Feng Qin,Tingting Cui,Kerui XI,Xuhui Peng. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof, and electronic appliance

Номер патента: US20100301346A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinobu Furukawa,Yasuhiro Jinbo,Takafumi Mizoguchi,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335596A1. Автор: Chih-hao Chen,Yi-Ru Shen. Владелец: Ganrich Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210143285A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7262100B2. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor test socket of hybrid coaxial structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210088578A1. Автор: Kai Liu,Yuanjun Shi,Lanyong YIN,Zongying GAO,Zongmao YANG. Владелец: Suzhou Taosheng Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210091108A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hidetoshi Saito,Shinichiro Shiratake,Mutsumi Okajima,Kiyomi Naruke. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for manufacturing a finger trench capacitor with a split-gate flash memory cell

Номер патента: US20160379988A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING A SENSE AMPLIFIER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, A MEMORY CELL INCLUDING A CAPACITOR AND A TRANSISTOR INCLUDING CONDUCTIVE LINES ELECTRICALLY CONNECTED TO THE SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Ikeda Keiji,Numata Toshinori,Tezuka Tsutomu,Ueda Yoshihiro,Tanaka Chika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240069277A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Yi Kuo,Tsung-Yuan Yu,Cheng-chieh Hsieh,Chung-Ming Weng,Che-Hsiang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200144368A1. Автор: Chia-Che Chung,Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Yu-Jiun PENG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2020-05-07.

Button battery cell structure and manufacturing method therefor, and button battery

Номер патента: EP4164021A1. Автор: Yongwang Wang,Yuxiang Zeng. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Thin film transistor, an organic light emitting device including the same, and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080197354A1. Автор: Joon-hoo Choi,Kyu-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device with superlattice-structured graded buffer layer and fabrication method thereof

Номер патента: US5847409A. Автор: Tatsuo Nakayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190131403A1. Автор: Chia-Che Chung,Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Yu-Jiun PENG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-05-02.

Metal pillar bump packaging strctures and fabrication methods thereof

Номер патента: US9324671B2. Автор: Guowei Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Semiconductor device with improved thermal dissipation and manufacturing methods

Номер патента: US20200083186A1. Автор: CAMERON NELSON. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20100214823A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device including memory cell having capacitor

Номер патента: US20120225531A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masato Takita,Hiroyoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: EP3893271A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Manufacturing method for crystal, crystal, and semiconductor device

Номер патента: US20110254017A1. Автор: Shin Harada,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor structure and layout thereof, and semiconductor device

Номер патента: EP4156187A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9159807B2. Автор: Yutaka Hoshino,Komaki INOUE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Alignment mark and semiconductor device, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200161251A1. Автор: Mengbin LIU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory and control method thereof

Номер патента: US11864379B2. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and method of etching a semiconductor substrate

Номер патента: US20080096393A1. Автор: Dae-hyuk Chung,Dae-hyuk Kang,In-Gi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor Structure, Layout of Semiconductor Structure and Semiconductor Device

Номер патента: US20230050145A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US11961797B2. Автор: Jae Yun Kim,Keun Soo Kim,Dae Byoung Kang,Byoung Jun Ahn,Dong Soo Ryu,Chel Woo Park. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor part for component mounting, mounting structure and mounting method

Номер патента: US6534875B1. Автор: Kazuo Nishiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Integrated circuit packaging substrate, semiconductor package, and manufacturing method

Номер патента: US20160240502A1. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Wei Lin,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor package and formation method thereof

Номер патента: US20230137800A1. Автор: Jie Zhang,Feng Qin,Tingting Cui,Kerui XI,Xuhui Peng. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210035890A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11935878B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Material of light emitting layer, manufacturing method thereof, and electroluminescent device

Номер патента: US20210309912A1. Автор: Yanan Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11961789B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Latch device and operation method thereof

Номер патента: US11764764B1. Автор: Joseph Iadanza. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

A method of forming a semiconductor or dielectric layer on a substrate

Номер патента: GB2624846A. Автор: Guiney Ivor,MORRIS Oliver,Dixon Sebastian. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

METHODS OF FORMING A MEMORY CELL MATERIAL, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, MEMORY CELL MATERIALS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150311437A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Smythe John A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

Manufacture method for semiconductor device having concave portions filled with conductor containing Cu as its main composition

Номер патента: US7507666B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka,Hideki Kitada,Yoshiyuki Nakao. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: WO2015164215A8. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory device and layout, manufacturing method of the same

Номер патента: US20230354572A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device Comprising Etching a Semiconductor Material

Номер патента: US20180277391A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Ingo Muri,Iris Moder,Sophia Friedler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756834B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238381A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor package structure and method for fabracating the same

Номер патента: US20240014190A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of material of light emitting layer

Номер патента: US20220380665A1. Автор: Yanan Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Image pickup module and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20170361539A1. Автор: Jui-Hsin Chang. Владелец: Altek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20190131310A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140162417A1. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10607891B2. Автор: Ta-Kang Lo,Chia-Chen Tsai,Jiun-Lin Yeh,Hsueh-Chih Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Metal Control Gate Structures And Air Gap Isolation In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130334587A1. Автор: Yuan Zhang,Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Henry Chien,Henry Chin,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai,Takashi W. Orimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Contactless card manufacturing apparatus and contactless card manufacturing method

Номер патента: US11948037B2. Автор: Xiaodong Li. Владелец: Shanghai Oriental Magnetic Card Engineering Co ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including a semiconductor fin comprising a silicon germanium portion and an isolation structure at a sidewall of the silicon germanium portion

Номер патента: US11978632B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic junction memory device and reading method thereof

Номер патента: US11889703B2. Автор: Jae Wook Joo,Tae Seong Kim,Eun Ji Lee,Chan Kyung Kim,Ji Yean KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Magnetic junction memory device and reading method thereof

Номер патента: US20210020692A1. Автор: Jae Wook Joo,Tae Seong Kim,Eun Ji Lee,Chan Kyung Kim,Ji Yean KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device with multi-layer connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220020636A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

A semiconductor device with a diffused source/drain structure, and a method thereof

Номер патента: KR100552808B1. Автор: 이상기. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-20.

Metallization system of a semiconductor device with metal columns with a smaller diameter at the bottom and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102009010885B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2014-12-31.

Bldc motor system with reduced power loss and the initial rotation direction judging method thereof

Номер патента: US20230318495A1. Автор: Qiming Zhao,Licheng Sheng,Hongqiang Qin,Yishan Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MEMORY CELLS, HIGH VOLTAGE DEVICES AND LOGIC DEVICES ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Wang Chunming,Do Nhan,Liu Xian,Song Guo Xiang,XING LEO. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Embedded component structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220287182A1. Автор: Ra-Min Tain,Tzyy-Jang Tseng,Yu-Hua Chen,Chun-Hsien Chien,Wen-Liang Yeh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Solid-state imaging apparatus, manufacturing method of the same, and electronic device

Номер патента: US11991468B2. Автор: Shinji Miyazawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Electrical connector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150085457A1. Автор: Ted Ju. Владелец: Lotes Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR ELEMENT FIXED TO A SUPPORT ELEMENT USING AN ORGANIC ELEMENT; AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2496984A1. Автор: A Suzuki,K Suzuki,H Inayoshi,K Tsubosaki,T Ueda,D Makino,N Ichimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-25.

METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING A STAIR STEP STRUCTURE, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180082940A1. Автор: Sorensen Troy R.,Akhtar Mohd Kamran. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

ARRAY SUBSTRATE WIRING AND THE MANUFACTURING AND REPAIRING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150348994A1. Автор: LIU CHAO,Chen Lei,Zhang Yujun,He Zengsheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and an elevationally-extending transistor and method thereof, methods of forming a tier of an array of memory cells

Номер патента: TW201826268A. Автор: 杜拉西沙尼爾摩拉瑪斯瓦米. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2018-07-16.

Methods of forming a semiconductor device structure including a stair step structure, and related semiconductor devices

Номер патента: KR102012085B1. Автор: 트로이 알. 소렌슨,모드 캄란 아크타르. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2019-08-19.

A circuit board with embedded passive components and the manufacturing and measuring method thereof

Номер патента: TW200810628A. Автор: Uei-Ming Jow,Min-Lin Lee,Chang-Sheng Chen,Chin-Sun Shyu,Shinn-Juh Lay,Ying Jiunn Lai. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-02-16.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US20130277833A1. Автор: Young-Min Lee,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

PAD STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE PAD STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE PAD STRUCTUR

Номер патента: US20160043045A1. Автор: Lee Young-Min,BAEK Nam-Gyu,Cho Yun-Rae,KIM Sun-Dae. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

MEMORY CELL, CAPACITIVE MEMORY STRUCTURE, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20220139932A1. Автор: Polakowski Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

MEMORY CELL, CAPACITIVE MEMORY STRUCTURE, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20220139934A1. Автор: Müller Stefan Ferdinand. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

MEMORY CELL, CAPACITIVE MEMORY STRUCTURE, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20220139937A1. Автор: Müller Stefan Ferdinand,Polakowski Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

CELL STRUCTURE OF RESISTIVE NON-VOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150279905A1. Автор: Lin Chrong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACT STRUCTURES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A LARGER METAL SILICIDE CONTACT AREA AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150340457A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: KR101933015B1. Автор: 이영민,김선대,조윤래,백남규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-27.

High frequency multilayer circuit structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20050045376A1. Автор: Yun Cho,Young Lee,Chul Park. Владелец: Information And Communications University Educational Foundation. Дата публикации: 2005-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY OF WHICH DEFECTIVE CELL IS REPLACEABLE WITH REDUNDANT CELL AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140321222A1. Автор: Higuchi Hiroyuki,Tomita Yoshinori,Matsuoka Hidetoshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor memory device having multi-chip package for implementing other termination and termination control method thereof

Номер патента: KR101606452B1. Автор: 이동양,조근수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-03-28.

A semiconductor device having a shallow trench isolation structure and a method for fabricating the same

Номер патента: TW339468B. Автор: HWANG Seong-min,RHO Kwang-Myoung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1998-09-01.

METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SPICULAR-SHAPED FIELD PLATE STRUCTURES AND A CURRENT SPREAD REGION

Номер патента: US20210234010A1. Автор: Hutzler Michael,Siemieniec Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor memory device with isolation trench structure and associated manufacturing method

Номер патента: DE102005022574A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jeong-uk Suwon Han,Sung-woo Gunpo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-08.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Field Electrode Structures, Gate Structures and Auxiliary Diode Structures

Номер патента: US20170125520A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-04.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR POWER DEVICE COMPRISING CHARGE-BALANCE COLUMN STRUCTURES AND RESPECTIVE DEVICE

Номер патента: US20170141191A1. Автор: Frisina Ferruccio,Saggio Mario Giuseppe,CAMALLERI CATENO MARCO,LORENTI SIMONA. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR POWER DEVICE COMPRISING CHARGE-BALANCE COLUMN STRUCTURES AND RESPECTIVE DEVICE

Номер патента: US20150325640A1. Автор: Frisina Ferruccio,Saggio Mario Giuseppe,CAMALLERI CATENO MARCO,LORENTI SIMONA. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH A LATERAL GATE STRUCTURE AND GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Hsiao Tsung-Chieh,Chang Ting-Fu,PENG Po-Chin,Liu Ya-Hsien. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-21.

The A/V stream intermediation system for intermediating A/V stream between the data network and the IEEE 1394 network and method thereof

Номер патента: KR100672054B1. Автор: 김준형,최문정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Foamed Nano Structure And Electrode Using It And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR101238082B1. Автор: 이종원,김광호,최우성,권세훈,신헌철. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-02-27.

Through via/the buried via elrctrolde material and the said via structure and the said via manufacturing method

Номер патента: US20130313687A1. Автор: Nakamura Hirofumi,Bonkohara Manabu,He Qiwei. Владелец: ZyCube Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-11-28.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20220037358A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: Micron Technology, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210036007A1. Автор: Kim Jin Ho,Park Sang Woo,OH Sung Lae,JUNG Soo Nam,SUNG Sang Hyun,CHOI Chang Woon. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING 3-DIMENSIONAL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180053782A1. Автор: Kim Jin-ho,OH Sung-Lae,LEE Go-Hyun,SON Chang-Man,HONG Young-Ock. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210066313A1. Автор: Kim Dong Hyuk,OH Sung Lae,PARK Tae Sung,JUNG Soo Nam. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20200075620A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-05.

Split Gate Non-volatile Memory Cells With FINFET Structure And HKMG Memory And Logic Gates, And Method Of Making Same

Номер патента: US20200176459A1. Автор: Zhou Feng,Kim Jinho,Do Nhan,Liu Xian,Jourba Serguei,Decobert Catherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Conductive Structures, Assemblies Having Vertically-Stacked Memory Cells Over Conductive Structures, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20190198518A1. Автор: Greenlee Jordan D.,Meldrim John Mark,Lomeli Nancy M.,George Tom,Pook Scott M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING A STEPPED STRUCTURE AND CONTACT WIRINGS FORMED THEREON

Номер патента: US20170271256A1. Автор: INATSUKA Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING 3-DIMENSIONAL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170323898A1. Автор: Kim Jin-ho,OH Sung-Lae,LEE Go-Hyun,SON Chang-Man,HONG Young-Ock. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor memory device with tripple well structure and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100705336B1. Автор: 이재영,이중화. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-09.

Semiconductor memory device including 3-dimensional structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9837433B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE,Young-Ock HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: CN112310108A. Автор: 金镇浩,吴星来,丁寿男,朴商佑,成象铉,崔畅云. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-02.

Semiconductor memory device having metal contact structure and method of manufacturing the same

Номер патента: TW493243B. Автор: Chunsuk Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-01.

Semiconductor memory including ferroelectric gate capacitor structure, and method of fabricating the same

Номер патента: US6642563B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Split gate non-volatile memory cells with finfet structure and hkmg memory and logic gates, and method of making same

Номер патента: EP3891804B1. Автор: FENG Zhou,Jinho Kim,Nhan Do,Serguei Jourba,Catherine Decobert,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

LARGE ELECTRIC VEHICLE POWER STRUCTURE AND ALTERNATING-HIBERNATION BATTERY MANAGEMENT AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160082859A1. Автор: Chen Gordon Ching,Yang An-Tao Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Apparatus and method for data embedding in light communication and the light communication system and method thereof

Номер патента: US20140178080A1. Автор: Chia-Pin Chen,Pei-Wei Hsu,Chang-Lung Hsiao,Ren-Jr Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-06-26.

MUSIC FLASHER CONTROLLER AND THE CONTROL SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20140191687A1. Автор: XIANG Wei. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

WOOFER SPEAKER AND THE REAR SOUND CAVITY FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160127824A1. Автор: Jiang Bin,Jiang Chao,YANG Jianbin. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Thermoplastic Compositions Containing Nanoscale-Sized Particle Additives For Laser Direct Structuring And Methods For The Manufacture And Use Thereof

Номер патента: US20140206800A1. Автор: Tong Wu,Yunan CHENG,Yangang YAN. Владелец: SABIC INNOVATIVE PLASTICS IP BV. Дата публикации: 2014-07-24.

Thermoplastic Compositions Containing Nanoscale-Sized Particle Additives For Laser Direct Structuring and Methods For the Manufacture and use Thereof

Номер патента: US20180268955A1. Автор: Wu Tong,Cheng Yunan,Yan Yangang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20190348422A1. Автор: Wang Nan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Large electric vehicle power structure and alternating-hibernation battery management and control method thereof

Номер патента: TW201443793A. Автор: 楊安陶,陳錚錚. Владелец: 台灣立凱綠能移動股份有限公司. Дата публикации: 2014-11-16.

Woofer speaker and the rear sound cavity forming method thereof

Номер патента: WO2014190556A1. Автор: 姜滨,江超,杨健斌. Владелец: 歌尔声学股份有限公司. Дата публикации: 2014-12-04.

Thermoplastic compositions containing nanoscale-sized particle additives for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof

Номер патента: KR102183107B1. Автор: 얀강 얀,우 통,위난 쳉. Владелец: 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.. Дата публикации: 2020-11-26.

Apparatus and method for data embedding in light commnication and the light communication system and method thereof

Номер патента: EP2747308A1. Автор: Chia-Pin Chen,Pei-Wei Hsu,Chang-Lung Hsiao,Ren-Jr Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-06-25.

Micro-electromechanical resonator structure and design method, operation method, and use method thereof

Номер патента: JP4920681B2. Автор: ルッツ，マルクス,パートリッジ，アーロン. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-04-18.

Transmitting and receiving apparatus and method for light communication, and the light communication system and method thereof

Номер патента: TW201340630A. Автор: Chia-Pin Chen,Chang-Lung Hsiao,Ren-Jr Chen. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2013-10-01.

Bi ,B doped copper fluoride positive electrode material coated by gradient structure and used for lithium battery and preparation method thereof

Номер патента: CN105914348A. Автор: 陈超,李月,水淼,舒杰,任元龙,方敏华,李弯弯. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-31.

An electronic device controlling a property of a screen based on a distance between pen input device and the electronic device, and control method thereof

Номер патента: KR102540757B1. Автор: 이재한,이화준,황태희,신새벽. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-06-08.

Woofer speaker and the rear sound cavity forming method thereof

Номер патента: KR20160039156A. Автор: 차오 지앙,지안빈 양,빈 지앙. Владелец: 고어텍 인크. Дата публикации: 2016-04-08.

MICROELECTRONIC PACKAGES HAVING LAYERED INTERCONNECT STRUCTURES AND METHODS FOR THE MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150115454A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Wright Jason R.,Mitchell Douglas G.,Yap Weng F.,Vincent Michael B.,Magnus Alan J.,DUONG TRUNG Q.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Radiation hardened CMOS structure using an implanted P guard structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: EP0581085A1. Автор: Alexander H. Owens,Mike Lyu,Shahin Toutounchi,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1994-02-02.

Integrated ciruit structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: KR100396065B1. Автор: 클라우스-귄터 오퍼만. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2003-11-17.

Electro-forming master having a pin portion and the same master-manufacturing method, and metal minute pattern made by the master

Номер патента: AU2003289514A1. Автор: Jeong-Sik Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-10.

Light emitting element structure and method of fabricating a light emitting element

Номер патента: US11949045B2. Автор: Dae Hyun Kim,Hyun Min Cho,Dong Uk Kim,Jae Hoon Jung,Jung Hong MIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Light-emitting diode structure and light-emitting diode manufacturing method

Номер патента: EP3876292A1. Автор: Dae Hyun Kim,Hyun Min Cho,Dong Uk Kim,Jae Hoon Jung,Jung Hong MIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Multichip module, on board computer, sensor interface substrate, and the multichip module manufacturing method

Номер патента: US20170025383A1. Автор: Masahiro Kato,Yoshikatsu Kuroda. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

A wafer with alternation design form and the semiconductor package manufacturing method therefor

Номер патента: KR100479650B1. Автор: 윤수상. Владелец: 주식회사 다윈. Дата публикации: 2005-04-07.

Crimp terminal, crimp terminal manufacturing method, electric wire connection structure, and electric wire connection structure manufacturing method

Номер патента: JP5603524B1. Автор: 大輔高橋,智洋山崎,拓郎山田,幸大川村,翔外池,小澤　　正和,昌史川田,泰彰小林. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Lithium secondary battery active material firing fire resistant sagger and the active material manufacturing method using it

Номер патента: CN109311772A. Автор: 朴永敏,黃淳徹,梁忠模,金佑泽. Владелец: Research Institute of Industrial Science and Technology RIST. Дата публикации: 2019-02-05.

Display device and the display device manufacturing method

Номер патента: WO2019187380A1. Автор: 歴人鶴岡. Владелец: 株式会社ジャパンディスプレイ. Дата публикации: 2019-10-03.

manufacturing methods of a contact structure of wires and a thin film transistor array panel including the contact structure, and sputtering equipment used in manufacturing methods of them

Номер патента: KR100720089B1. Автор: 유춘기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-18.

Light-emitting diode structure and light-emitting diode structure manufacturing method

Номер патента: CN102185082B. Автор: 张静,张光耀,胡哲彰. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Cell string structure and photovoltaic modules and their manufacturing methods

Номер патента: JP6941252B1. Автор: 郭志球,黄世亮,朱加明,グゥオフェイハァォ,グゥオフェイハァォ. Владелец: ジンコソーラーカンパニーリミテッド. Дата публикации: 2021-09-29.

Circuit connection material, circuit member connection structure, and circuit member connection structure manufacturing method

Номер патента: JPWO2008023670A1. Автор: 克之増田,増田　克之,征宏有福,宏治小林,貴立澤,貴子江尻,孝中澤,有福　征宏,日臣望月,立澤　貴,小林　宏治. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2010-01-07.

A dielectric layer having bumps structure and its package body and manufacturing method

Номер патента: TW201001651A. Автор: Song-Ping Luh,Kun-Yung Huang,Yu-Kai Cheng. Владелец: FuPo Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-01.

Memory device, a memory controller, a storage device including the memory device and the memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20190294362A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung Ho Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device having ray detector, and electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9053792B2. Автор: Jin-Wook SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Semiconductor memory device having ray detector, and electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150098262A1. Автор: Jin-Wook SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290650A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Li-Hui Cheng,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068173B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Li-Hui Cheng,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305140A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Kai-Chiang Wu,Ching-Feng Yang,Tuan-Yu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230260885A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Kai-Chiang Wu,Ching-Feng Yang,Tuan-Yu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363365A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chih-hao Chen,Li-Hui Cheng,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor light-emitting device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20120025250A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chien-Yuan Wang,Wei-Yu Chen,Chiu-Lin Yao,Li-Ming Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Ballistic detonator stick bds (embodiments) and the detonator stick manufacturing method (embodiments)

Номер патента: RU2658740C2. Автор: Дмитрий Владимирович Переверзев,Игорь Леонидович Воронов,Ринат Азгатович Ибрагимов,Сайдаш Асылович Кабиров. Владелец: Сайдаш Асылович Кабиров. Дата публикации: 2018-06-22.

Smoking article, smoking article filter section and the smoking article manufacturing method

Номер патента: RU2666218C1. Автор: Карл КАЛДЖУРА,Марк ОСТИН,Лиза ХАРВЕЙ,Сидни ТАВЕРН,Марк Бейли,Тина ВИТТОН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-09-06.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Automatic ring valve, gates for the automatic ring valves and the said gates manufacturing method

Номер патента: RU2661987C2. Автор: Франческо БУФФА,Пьерлуиджи ТОЦЦИ,Альберто БАББИНИ. Владелец: Нуово Пиньоне СРЛ. Дата публикации: 2018-07-23.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240147739A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Ji Hong Kim,Tae-Seok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory cell, semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US09865693B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082476A1. Автор: Hiroyuki Hara,Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257876A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

A novel affinity peptide library of igg constructed based on protein a affinity model and the application of the design method thereof

Номер патента: US20150355192A1. Автор: Yan Sun,Weiwei Zhao,Fufeng LIU,Qinghong Shi. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor memory cell structure

Номер патента: US20180204848A1. Автор: Han Wang,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Application of Riemerella anatipestifer Imp gene and the PCR Assay Kit and Method thereof

Номер патента: AU2020104336A4. Автор: Anchun CHENG,Mingshu Wang,Hao Qiu. Владелец: Sichuan Agricultural University. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210225758A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110241225A1. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8085585B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8027188B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Low temperature poly silicon (LTPS) thin film transistor (TFT) and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09842935B2. Автор: Changming LU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09941332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Zeev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Roller structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: CA2468884C. Автор: Dario Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-19.

Roller structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: CA2468884A1. Автор: Dario Toncelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Fibrous structures and process for the manufacture thereof

Номер патента: CA1055669A. Автор: Hemant Mehta,Johannes C. M. Theulings. Владелец: Shell Canada Ltd. Дата публикации: 1979-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Ultraviolet light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240243227A1. Автор: Gong Chen,Bin Jiang,Shao-Hua Huang,Chung-Ying Chang,Jianbin Chen,Yashu ZANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory

Номер патента: US20230253054A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor memory device thereby

Номер патента: US20120187471A1. Автор: Seong-soo Lee,Dae-hyun Jang,Gyung-Jin Min,Suk-Ho Joo,Yoo-Chul Kong,Han-Geun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240296895A1. Автор: Noboru Shibata,Hironori Uchikawa,Taira SHIBUYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11810624B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030137002A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Evans Yang,Lein-Yi Leu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Pixel structure and manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20100314634A1. Автор: Hsien-Kun Chiu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240057349A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030047766A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Bin-Shing Chen,Len-Yi Leu,Evans Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304602A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomoya Sanuki,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Techniques for refreshing a semiconductor memory device

Номер патента: WO2011140033A2. Автор: Yogesh Luthra. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070247889A1. Автор: Takashi Miki,Yasuo Murakuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090121281A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Mounting means for (releasably and movably) mounting devices on a wall, particularly in clinics, first aid or surgery rooms, and the like; and manufacturing method for said mounting means

Номер патента: US4589557A. Автор: Armin A. Bollmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-05-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083204A1. Автор: Poho TAM. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100124117A1. Автор: Koji KATO,Masato Endo,Mitsuhiro Noguchi,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama,Kenji Gomikawa,Hiroyuki Kutsukake,Kanae Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11744067B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020640A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Kai-Chiang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180082733A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11189348B2. Автор: Takeshi Hioka,Masaki UNNO,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302127A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09865656B2. Автор: Takashi Izumida,Takahisa Kanemura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170271522A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364607A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150097183A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240096389A1. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341369A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Shang-Yu Chang Chien,Nan-Chun Lin. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749594B2. Автор: Yu-Min LIANG,Wei-Yu Chen,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Jiun-Yi Wu,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140241029A1. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US20200342939A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12087753B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131979B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09978450B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory cells, memory cell arrays, methods of using and methods of making

Номер патента: US09847131B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180331193A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yen-Chen Chen,Wei-Ning Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor interconnect structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170025360A1. Автор: Po-Wen Chiu,Chao-Hui Yeh,Zheng-Yong Liang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020559A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Kai-Chiang Wu,Ching-Feng Yang,Tuan-Yu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20130105882A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan,Jyun-Siang Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: MY138802A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Toru Takayama,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2009-07-31.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20180047441A1. Автор: Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006270A1. Автор: Chang-Man SON,Go-Hyun LEE,Jae-Taek KIM,Jun-Youp KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100078685A1. Автор: Satoshi Miyazaki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240170074A1. Автор: Tadahiko Horiuchi,Kazuhiko Oyama. Владелец: NSCore Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Micro light-emitting component, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369543A1. Автор: Zheng Wu,Zhiyuan WANG,Chiaen Lee,Zhilei QIN. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and manufacturing the same

Номер патента: US09917098B2. Автор: Hideaki Aochi,Jun Fujiki,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780170B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Daisuke Matsushita,Tomoya Kawai,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773696B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure having a dummy contact and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653558B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11887648B2. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Hyeoungwon Seo,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220108741A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Iigweon Kim,Hyeongwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240119984A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Hyeoungwon Seo,Sungwon Yoo,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory devices and memory systems with enhanced error detection and correction

Номер патента: US20210191810A1. Автор: Kijun Lee,Sanguhn CHA,Sunghye CHO,Chanki Kim,Myungkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308781A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190006419A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210351235A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230187396A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190371382A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125824B2. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371828A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory having volatile and multi-bit non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09928910B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method for semiconductor substrate

Номер патента: US09761479B2. Автор: Naoki Hatta,Takamitsu Kawahara,Tomoatsu Makino,Motoki Kobayashi,Hideki Takagi,Kuniaki Yagi,Hidetsugu Uchida,Ko Imaoka,Toyokazu Sakata,Akiyuki Minami,Yuuichi KURASHIMA. Владелец: Sicoxs Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350214A1. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Iuan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Light emitting diode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060102925A1. Автор: Shen-Jie Wang,Cheng-Yi Liu,Yuan-Tai Lai. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Image sensor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20200295076A1. Автор: Bo-Ray LEE. Владелец: Silicon Optronics Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264227A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351621A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory

Номер патента: US20200302993A1. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240324250A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Yoshikazu HOSOMURA,Shouichi Ozaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087843B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304257A1. Автор: Hidehiro Shiga,Yuki Inuzuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09978866B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905467B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09825098B2. Автор: Masato SHINI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device including cell isolation structure using inactive transistors

Номер патента: US8022499B2. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290886A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

Номер патента: US20070241391A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258287A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tzu-Chun Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240222489A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343674A1. Автор: Jeffrey Wang,Kun-Yung Huang,Jen-I Huang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Leadframe, semiconductor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090243055A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094860B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tzu-Chun Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: EP3758065A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor apparatus and manufacturing method

Номер патента: US20240290741A1. Автор: Shuji Uehara,Takayuki Ohba,Masaki Takakuwa,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12058863B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US09953942B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device which reads by decreasing effective threshold voltage of selector gate transistor

Номер патента: US20070014182A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US4799193A. Автор: Fumio Horiguchi,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190304544A1. Автор: Naoki Takizawa,Tomoya Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device and memory card

Номер патента: US20060133142A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8873301B2. Автор: Tae Heui Kwon,Hwang Huh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor memory devices including a discharge circuit

Номер патента: US20140101395A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song,Gi Young Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140233309A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor memory device with program/erase verification

Номер патента: US5761122A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshihisa Iwata,Junichi Miyamoto,Keniti Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor memory module and device having power management unit

Номер патента: US20230298658A1. Автор: Sang Seok Kang,Sung Yun RYU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Pulling a semiconductor single crystal according to the Czochralski method

Номер патента: US09856576B2. Автор: Thomas Kayser,Walter Lehmann,Michael Hünermann. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Method and system for discharging the bit lines of a memory cell array after erase operation

Номер патента: US20020091893A1. Автор: Cetin Kaya,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Resistive memory device and forming method thereof with improved forming time and improved forming uniformity

Номер патента: US11915749B2. Автор: I-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with waveguide structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240151900A1. Автор: Chih-Ming Chen,Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Wei-Li LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Phosphorus-free reverse osmosis scale inhibitor per-pamam and preparation methods thereof

Номер патента: LU501613B1. Автор: Shuguang Zhang,FeiFei Shi. Владелец: Univ Shandong Technology. Дата публикации: 2023-09-08.

Control circuit, memory device and voltage control method thereof

Номер патента: US20140112088A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Device and method for associating information concerning memory cells of a memory with an external memory

Номер патента: US20030120891A1. Автор: Martin Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Manufacturing method of optical sheets for displays

Номер патента: EP1924423A1. Автор: Akihiko Takeda,Keisuke Endo. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Variable-rate spray control system based on annular application structure and tree canopy volume calculation method thereof

Номер патента: US20240299966A1. Автор: Hui Liu,Xuan Zhang,Yue Shen,Yunpeng Duan,Jinming Chen. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-09-12.

Techniques for precharging a memory cell

Номер патента: US11887689B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Disturb-free static random access memory cell

Номер патента: US20130064007A1. Автор: Xiaowei Deng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Nozzle with a plurality of channels,particularly burner nozzle for a welding apparatus and the like and manufacturing method thereof

Номер патента: DE3050327D2. Автор: H Klees. Владелец: Eberhard Jaeger GmbH and Co KG. Дата публикации: 1982-06-16.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Slip proof pad for a car and the the manufacturing method thereof

Номер патента: KR0132182B1. Автор: 박효덕. Владелец: 동해케미칼공업주식회사. Дата публикации: 1998-04-13.

Memory cell array circuit and method of forming the same

Номер патента: US20210407594A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin,Chin-I Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

An edible coating for the preservation of pieces of fruit, the manufacturing and application process thereof

Номер патента: CA2935018A1. Автор: Maria Alejandra Rojas Grau,Raquel URRUTIA LARRAZ,Maite ROYO LIZARBE,Javier OSÉS FERNÁNDEZ. Владелец: Production And Innovation On Edible Coatings SL. Дата публикации: 2015-07-02.

Pixle structure and thin film transistor array and repairing method thereof

Номер патента: TW200615611A. Автор: Han-Chung Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-05-16.

Synchronous semiconductor memory device having wave pipeline structure and wave pipeline control method thereof

Номер патента: KR100438778B1. Автор: 정대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-05.

MRAM having memory cell array in which cross-point memory cells are arranged by hierarchical bit line scheme and data read method thereof

Номер патента: CN100447894C. Автор: 岩田佳久,东知辉,土田贤二. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-31.

Solar cell structure with wide spectrum high absorption and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102569444B. Автор: 徐文清,金兰,曲胜春,谭付瑞,刘孔,唐爱伟,张君梦. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2014-10-15.

Light sensing touch panel and low-power driving control method thereof

Номер патента: US9601042B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Light Sensing Touch Panel and Low-Power Driving Control Method Thereof

Номер патента: US20150187245A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING RAY DETECTOR, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150098262A1. Автор: SHIN Jin-Wook. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor Memory Device for applying temperature-compensated word line voltage in read operation and method thereof

Номер патента: KR102083496B1. Автор: 이응석,송영선,박일한. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-02.

Semiconductor memory device having sense amplifier control circuit for detecting bit line bridge and method thereof

Номер патента: KR100343143B1. Автор: 박충선,이형용,전석배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-07-05.

Semiconductor memory device having external data load signal and serial-to-parallel data prefetch method thereof

Номер патента: KR100496857B1. Автор: 곽진석,장성진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-22.

Rim based on dh structure and dw structure combination and manufacturing method for rim

Номер патента: ZA202212360B. Автор: Yong Gao,Changhong XU,Encheng Xu. Владелец: Jining Lianwei Wheel Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Salt radiating far infrared rays, the manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR101094497B1. Автор: 류창열,민경현. Владелец: 주식회사 에너지닥터. Дата публикации: 2011-12-19.

Apparatus With Closed Housing And The Isolation And Manufacture Method Thereof

Номер патента: US20140355253A1. Автор: Zeng SiXiong,Chen WeiHuang,YANG Longshan,Wang Baisong. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor memory device involving built-in test circuit and the testing method

Номер патента: KR930009543B1. Автор: 고오노 도오루. Владелец: 세끼사와 요시. Дата публикации: 1993-10-06.

MEMORY DEVICE, A MEMORY CONTROLLER, A STORAGE DEVICE INCLUDING THE MEMORY DEVICE AND THE MEMORY CONTROLLER AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190294362A1. Автор: LEE Hee Youl,BAE Sung Ho. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

A NOVEL AFFINITY PEPTIDE LIBRARY OF IGG CONSTRUCTED BASED ON PROTEIN A AFFINITY MODEL AND THE APPLICATION OF THE DESIGN METHOD THEREOF

Номер патента: US20150355192A1. Автор: Sun Yan,Shi Qinghong,ZHAO Weiwei,LIU Fufeng. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-10.

A producing method for the light-weighted and deep emboss patterened wallpaper and the wallpaper produced by the method thereof

Номер патента: KR101735871B1. Автор: 남윤우,이시영,정근수,변희진. Владелец: (주)엘지하우시스. Дата публикации: 2017-05-15.

The waterproofing method using a thin waterproof sheet and waterproofing agent having acryl resin and the waterproof structure using the method thereof

Номер патента: KR101244156B1. Автор: 강용석. Владелец: 아진레이어 주식회사. Дата публикации: 2013-03-25.

Method of co-forming metal foam articles and the articles formed by the method thereof

Номер патента: US6706239B2. Автор: David P. Haack,Chi-Li Lin,Michael Speckert. Владелец: PORVAIR PLC. Дата публикации: 2004-03-16.

Anti-counterfeit structure and anti-fake product and manufacture method thereof

Номер патента: CN106228901A. Автор: 程鑫,闵思怡,李维昊. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-12-14.

Helicopter landing skid is divided into separate part-sections, with legs linked to the cell structure base plate and the dynamic system to take up impact forces on a hard landing and compensate for rough ground

Номер патента: DE10150807A1. Автор: Horst Bansemir,Juergen Roehrdanz,Christof Well. Владелец: EUROCOPTER DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2003-04-30.

Flat product having a relief structure and a pressed pattern,and manufacturing method thereof

Номер патента: DE2953360D2. Автор: B Johnard. Владелец: Forbo Betriebs AG. Дата публикации: 1980-12-18.

Method For Producing Coffee Caviar Using Milk As Solvent and the Caviar produced by the method thereof

Номер патента: KR20210048741A. Автор: 전지호. Владелец: 전지호. Дата публикации: 2021-05-04.

Strand and the polymer netting of the first ribbon and the second ribbon and preparation method thereof

Номер патента: CN106029350B. Автор: 张伟,R·W·奥森,L·E·伍德,M·L·拉加特,W·J·科佩基,L-A·S·普里奥勒奥,D·L·兰格-安德森,T·B·加鲁施. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-05-22.

High-speed synchronous semiconductor memory having multi-stage pipeline structure and operating method

Номер патента: US6490206B2. Автор: Kook-Hwan Kwon,Young-Ho Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor memory device having three dimension structure and cell array structure

Номер патента: KR100827697B1. Автор: 강상범,조우영,김두응. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-07.

MULTIPLE PHYSIOLOGICAL SIGNALS SENSING CHIP AND THE MULTIPLE PHYSIOLOGICAL SIGNALS SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180000393A1. Автор: HSIEH Chih-Cheng,Chiou Albert Yen-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

LARGE ELECTRIC VEHICLE POWER STRUCTURE AND ALTERNATING-HIBERNATION BATTERY MANAGEMENT AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160075254A1. Автор: Chen Gordon Ching,Yang An-Tao Anthony,CHANG Hsin-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof

Номер патента: US20140194561A1. Автор: Wu Tong,Anirban GANGULY,Susanta MITRA,Liu SHUIPING. Владелец: SABIC INNOVATIVE PLASTICS IP BV. Дата публикации: 2014-07-10.

Thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof

Номер патента: US20190153216A1. Автор: Feng Gong,Yunan CHENG,Shijie Song. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2019-05-23.

THERMOPLASTIC COMPOSITIONS FOR LASER DIRECT STRUCTURING AND METHODS FOR THE MANUFACTURE AND USE THEREOF

Номер патента: US20180362758A1. Автор: Wu Tong,Wen Liang,MITRA Susanta,Ganguly Anirban. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Structurally and functionally bionic urethral stent and preparation method thereof

Номер патента: CN113750297A. Автор: 王华平,陈仕艳,盛楠,王宝秀,欧康康,张茗皓,吴擢彤,韩志良,梁欠倩,贾宇航. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-07.

A kind of Recombinant Swine long-acting interferon γ and the fusion protein and preparation method thereof for preparing this long-acting interferon γ

Номер патента: CN108794640A. Автор: 周炜,付超,赵雨,杨建伟,徐文俊,高耀辉,徐慕珍,王红朵,郭志燕. Владелец: ANHUI JIUCHUAN BIOTECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

A concrete structures seismic reinforcing and repairing composition and the seismic reinforcing and repairing method thereof

Номер патента: KR102063118B1. Автор: 이재화,김성수,곽은구,원철현. Владелец: 주식회사 비엔씨. Дата публикации: 2020-01-07.

Eco-friendly acrylic paint composition for road traffic lane with excellent adhesion of glassbeads and wear resistance and the road traffic lane construction method thereof

Номер патента: KR102196705B1. Автор: 정한구. Владелец: 정한구. Дата публикации: 2020-12-30.

Improved thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof

Номер патента: KR102012857B1. Автор: 아니르반 간굴리,수산타 미트라,우 통,리우 수이핑. Владелец: 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.. Дата публикации: 2019-08-22.

Improved thermoplastic compositions for laser direct structuring and methods for the manufacture and use thereof

Номер патента: EP2941457B1. Автор: Wu Tong,Anirban GANGULY,Susanta MITRA,Liu SHUIPING. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2018-08-15.

A kind of recombination chicken long-acting interferon γ and the fusion protein and preparation method thereof for preparing this long-acting interferon γ

Номер патента: CN108840943A. Автор: 王亚男,周炜,赵雨,杨建伟,高耀辉,徐慕珍,王红朵,郭志燕. Владелец: ANHUI JIUCHUAN BIOTECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Electrocatalysis with nano-wire structure and carbon dioxide reduction function and preparation method thereof

Номер патента: CN113458408A. Автор: 杨林,张庆,白正宇,刘永鹏,常方方,苗瑞芳. Владелец: Henan Normal University. Дата публикации: 2021-10-01.

Flow-guide-type foamed structure and prefab composite wall panel, and preparation method thereof

Номер патента: WO2014094343A1. Автор: 邵峰,梁国成,康宝华,赵连方. Владелец: 沈阳瑞福工业住宅有限公司. Дата публикации: 2014-06-26.

A kind of antibacterial and the Graphene towel and preparation method thereof to promote blood circulation

Номер патента: CN109629080A. Автор: 赵刚,孙尧,冯红光,高长胜,吕凤兰. Владелец: Zibo Feishi Texitiles Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Positioning device capable of detecting three dimensional trace and the three dimensional trace detecting method thereof

Номер патента: TWI477800B. Автор: Wen Hsin Lo,Chia Chin Tsai. Владелец: Kinpo Elect Inc. Дата публикации: 2015-03-21.

Multi functional asphalt composition for road pavement with fine dust absorption, waterproof, snow removing and insulation effect and the asphalt road pavement construction method thereof

Номер патента: KR102289428B1. Автор: 조동민. Владелец: 주식회사 이레하이테크이앤씨. Дата публикации: 2021-08-13.

Cell transplantation eucaryotic cell structure body, bioaffinity polymer block and their manufacture method

Номер патента: CN105025940B. Автор: 中村健太郎,伏见英生,三好隼人,岩泽玲子,山口雄大. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

A kind of recombinant bovine long-acting interferon α and the fusion protein and preparation method thereof for preparing this long-acting interferon

Номер патента: CN108794638A. Автор: 徐文俊,何志远,徐慕珍,郭志燕,蒋敏之,夏兵兵,单雪芹. Владелец: Wuhu Phil Biological Products Industry Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

A cylinder of air pressure using elastic gum and the location control system and method thereof

Номер патента: KR100553253B1. Автор: 김봉석,박정규. Владелец: 지 . 텍 (주). Дата публикации: 2006-02-20.

Flow-guide-type foamed structure and prefab composite wall panel, and preparation method thereof

Номер патента: AU2013362686B2. Автор: Feng Shao,Baohua KANG,Guocheng LIANG,Lianfang ZHAO. Владелец: Shenyang yuanda science and technology park co ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Cold-hot compensation semiconductor coupling structure and vacuum temperature control test platform and method thereof

Номер патента: CN113064045A. Автор: 闫丽君,王红霞,张益宁,张帅一,王厚浩,郭广海. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-07-02.

Composition to enhance proliferation of dermal papilla cells and the pharmaceutical combination and preparation method thereof

Номер патента: CN105505851A. Автор: 蔡政宪,席宇廷. Владелец: Xunlian Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Positioning device capable of detecting three dimensional trace and the three dimensional trace detecting method thereof

Номер патента: TW201418748A. Автор: Wen-Hsin Lo,Chia-Chin Tsai. Владелец: Kinpo Elect Inc. Дата публикации: 2014-05-16.

FOAM WALL STRUCTURES AND METHODS FOR THE MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20180112394A1. Автор: Giles Eric C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Turbine blade with lamellar structure and method for the manufacture of the same

Номер патента: EP2863012A1. Автор: Sebastian Piegert,Thomas Malow,Nikolai Arjakine,Bernd Burbaum,Britta Laux. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-04-22.

Footwear bottom with composite structure and process for the manufacturing of said bottom

Номер патента: EP4046519A1. Автор: Elvio Silvagni. Владелец: Silver 1 Srl. Дата публикации: 2022-08-24.

GLASS COMPOSITE SHEET FOR FRAMES INCORPORATING A DECORATIVE WOOD STRUCTURE AND PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF THE SAME

Номер патента: IT1135421B. Автор: Amleto Ruggeri. Владелец: Ruggeri Albino Di Bornati Rina. Дата публикации: 1986-08-20.

Porous structures and process for the manufacture thereof

Номер патента: CA2265878A1. Автор: Wei-Chih Chen,Ronald V. Repetti,Jack Slovak. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-19.

Foam wall structures and methods for the manufacture thereof

Номер патента: CA3040478A1. Автор: Eric C. Giles. Владелец: Covestro LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

Sandwich plate with integrated stiffening structure and method for the manufacture thereof

Номер патента: CN102143839B. Автор: 马努埃拉·里希特. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2014-08-27.

Foam wall structures and methods for the manufacture thereof

Номер патента: WO2018080741A1. Автор: Eric C. Giles. Владелец: Covestro LLC. Дата публикации: 2018-05-03.

The anchor nut for deck plate and the fixation pin manufacturing method

Номер патента: KR20130128531A. Автор: 조성우. Владелец: 조성우. Дата публикации: 2013-11-27.

MgF with amorphous silicon oxide binder 2 An optical film and an optical element provided with the thin film, and the MgF 2 Manufacturing method of optical film

Номер патента: TWI459022B. Автор: 石澤均,新坂俊輔,村田剛. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2014-11-01.

Composition for lusterless layer and the lusterless film manufacturing method using the composition

Номер патента: KR102187020B1. Автор: 김미영. Владелец: 김미영. Дата публикации: 2020-12-04.

Three-dimensional culture method, three-dimensional culture structure, and three-dimensional culture structure manufacturing method

Номер патента: US20210363482A1. Автор: Yasuhiro Shibai,Mitsuaki Sugine,Tokio Taguchi,Yuko Sugimoto,Isao TAKEBAYASHI. Владелец: Tottori Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2021-11-25.

CONSTRUCTION ELEMENT FOR RAISED FLOORS AND THE LIKE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150375473A1. Автор: Concepcion Heydorn Carlos,Sanmiguel Roche Francisco,MIRALLES TORLA Francisco Javier. Владелец: TORRECID, S.A.. Дата публикации: 2015-12-31.

Sand mold manufacturing apparatus without upper mold and the sand mold manufacturing method

Номер патента: KR101696614B1. Автор: 이진용,권창수. Владелец: 삼영엔지니어링(주). Дата публикации: 2017-01-18.

golf tee and the golf tee manufacture method

Номер патента: KR100730023B1. Автор: 이형춘. Владелец: 주식회사 코비스 스포츠. Дата публикации: 2007-07-06.

Pinion shaft and the pinion shaft manufacturing method for a steering system

Номер патента: KR101701769B1. Автор: 이세민,이선민. Владелец: 주식회사 보은금속. Дата публикации: 2017-02-03.

FABRIC STRUCTURE FOR BAGS AND THE LIKE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2833516B3. Автор: Chun Wei Lin. Владелец: Epitech Inc. Дата публикации: 2003-11-14.

Air bag polyester base fabric, polyester air bag and the air bag manufacturing method of polyester base fabric

Номер патента: CN107407016B. Автор: 田中伸明,山田陆. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2019-06-07.

Smoking article, smoking article filter section and the smoking article manufacturing method

Номер патента: RU2672304C1. Автор: Карл КАЛДЖУРА,Марк ОСТИН,Лиза ХАРВЕЙ,Сидни ТАВЕРН,Марк Бейли,Тина ВИТТОН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-11-13.

Construction element for raised floors and the like and manufacturing method

Номер патента: EP2952650A4. Автор: Torla Francisco Javier Miralles,Heydorn Carlos Concepción,Roche Francisco Sanmiguel. Владелец: Torrecid SA. Дата публикации: 2016-10-05.

Resistance to sucker rod and the sucker rod manufacture method of circumnutating of closed type

Номер патента: CN106837204A. Автор: 李森,李季,林燕,张学斌,杨野,付尧,丁新建,王凤山,李振国,孙延安,张德实,康建宏,曹洪亮,黄志钢,张凯波,任成峰,赵君峰,钟永海,王秀彬,杨堪阳. Владелец: Jiangsu Hengrui Petroleum Equipment Machinery Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Sand mold manufacturing apparatus without upper mold and the sand mold manufacturing method

Номер патента: KR102047888B1. Автор: 이진용,권창수. Владелец: 삼영엔지니어링(주). Дата публикации: 2019-12-04.

Optical fiber bundle structure, optical fiber connection structure, and optical fiber bundle structure manufacturing method

Номер патента: US20230314700A1. Автор: Koichi Maeda,Masanori Takahashi,Ryuichi Sugizaki,Kengo Watanabe,Shigehiro Takasaka. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Bone trabecula structure and prosthesis using same and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2019393104A1. Автор: Zhenguo Wang,Zeyu DONG,Xiaoqiang LU,Chunbao SHI,Wenchao SHI,Fengbao XIE,Kuixue XU. Владелец: Beijing Chunlizhengda Medical Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Bone trabecula structure and prosthesis using same and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210282930A1. Автор: Wang Zhenguo,Zeyu DONG,Xiaoqiang LU,Chunbao SHI,Wenchao SHI,Fengbao XIE,Kuixue XU. Владелец: Beijing Chunlizhengda Medical Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Temperature sensor including a filler in a two-layer structure and a thermosensitive element, and manufacturing method for the same

Номер патента: DE112015001343B4. Автор: Kouichi Yoshida,Koji Jono,Toshiya Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Bone trabecula structure and prosthesis using same and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3799840B1. Автор: Zhenguo Wang,Zeyu DONG,Xiaoqiang LU,Chunbao SHI,Wenchao SHI,Fengbao XIE,Kuixue XU. Владелец: Beijing Chunlizhengda Medical Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Bone trabecula structure and prosthesis using same and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3799840C0. Автор: Zhenguo Wang,Zeyu DONG,Xiaoqiang LU,Chunbao SHI,Wenchao SHI,Fengbao XIE,Kuixue XU. Владелец: Beijing Chunlizhengda Medical Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20240282397A1. Автор: Shao-Ching Liao,Chien-Min Wu,Kuang-Chih Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory

Номер патента: US20100080073A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory

Номер патента: US7978550B2. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor memory circuit

Номер патента: US20110128781A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120155209A1. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory and operating method thereof

Номер патента: US20210104281A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8503214B2. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8611174B2. Автор: Hiroyuki Imoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device which stores multilevel data

Номер патента: US20130286730A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09953725B2. Автор: Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ye-sin Ryu,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory with current distributor

Номер патента: US20020036929A1. Автор: Masayuki Koizumi,Hiroyuki Shibayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170117057A1. Автор: Ga-Ram Park,Jun-Cheol Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050047225A1. Автор: Hidekazu Noguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769535B2. Автор: Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070002656A1. Автор: Yong-Bok An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory system

Номер патента: US20020196662A1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09984761B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono,Noboru Shibata,Tadashi Yasufuku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09899082B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09779812B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20200381038A1. Автор: Chang Ki Baek,Joon Woo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory and method for operating a semiconductor memory

Номер патента: US7936628B2. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor Memory and Method for Operating a Semiconductor Memory

Номер патента: US20090040803A1. Автор: Helmut Schneider,Roland Thewes. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11762736B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12066893B2. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device with a redundant decoder having a small scale in circuitry

Номер патента: US6023433A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240370335A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Sungrae Kim,Jinhoon Jang,Isak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device, image processing system, and image processing method

Номер патента: US20090244077A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160267992A1. Автор: Hiroshi Maejima,Tomonori KUROSAWA,Hidehiro Shiga,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040078515A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080291742A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290382A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device having increased read margin by compensating for sneak current and operating method thereof

Номер патента: US09830986B2. Автор: Hyun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory and a column redundancy discrimination circuit applied therein

Номер патента: US5896326A. Автор: Shunichi Akashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060023512A1. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for testing semiconductor memory device

Номер патента: US6034905A. Автор: Kunihiko Suzuki,Kazuhiro Shibano. Владелец: Asia Electronics Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device including refresh operations having first and second cycles

Номер патента: US09786352B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1005046A2. Автор: Fumihiro Kohno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-31.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020057616A1. Автор: Tomonori Fujimoto,Yuji Yamasaki,Hidefumi Ohtsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory with charge transfer reduction transistor

Номер патента: US12094539B2. Автор: Toru Mori,Taku Shibaguchi,Kenji Oonuki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory

Номер патента: US20210074370A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Mario Sako. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050195977A1. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277201A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Megumu HORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140003128A1. Автор: Kei Sakamoto,Masaki Kondo,Takayuki Okamura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory

Номер патента: US20020041534A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni,Roberto Gastaldi,Giulio Casagrande,Paolo Cappelletti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040095824A1. Автор: Hironori Akamatsu,Marefusa Kurumada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor memory device with low power consumption

Номер патента: US20020118590A1. Автор: Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor memory and its test method

Номер патента: US20020054526A1. Автор: Kiyoshi Adachi,Takashi Utsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Номер патента: US09767883B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulsung Park,Suyeon Doo,Namjong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US20060140033A1. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-06-29.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200251153A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277171A1. Автор: Katsuyuki Fujita,Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US7260005B2. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100296345A1. Автор: Hiroshi Maejima,Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory device having ram and rom areas

Номер патента: US20080016306A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL SENSOR, AND SOLAR CELL

Номер патента: US20120001163A1. Автор: Nakamura Shin,Nakahara Kentaro,Kobayashi Kenji,Suguro Masahiro. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELLS

Номер патента: US20120001270A1. Автор: Kenneth Trevor Monk. Владелец: ICERA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Flash memory cell without field oxide isolation and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI222181B. Автор: Wen-Pin Lu,Ming-Shang Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-11.

Flash memory cell without field oxide isolation and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200427003A. Автор: Wen-Pin Lu,Ming-Shang Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-01.

RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE, A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE RADIATION-HARDENED SEMICODUCTOR STRUCTURE, AND METHODS OF FORMING THE RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025311A1. Автор: . Владелец: ALLIANT TECHSYSTEMS INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

Light source structure and holding element and lamp wire fixing method thereof

Номер патента: TW201028593A. Автор: Tsung-Hsien Lin,Chih-Kang Wu,Yung-Chy Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-01.

Methods of Forming a Gate Cap Layer Above a Replacement Gate Structure and a Semiconductor Device That Includes Such a Gate Structure and Cap Layer

Номер патента: US20130181265A1. Автор: GRASSHOFF Gunter,Labelle Catherine. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-18.

Phase change memory cell storage of high reading speed, low operating interference and operating method thereof

Номер патента: CN101339805A. Автор: 林殷茵,徐乐,廖启宏,张佶,薛晓勇,吴雨欣,胡倍源. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-07.

Memory cell of multi-value phase-change random access memory and operating method thereof

Номер патента: CN103093815A. Автор: 缪向水,周文利,吴游,鄢俊兵. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR POWER DEVICE COMPRISING CHARGE-BALANCE COLUMN STRUCTURES AND RESPECTIVE DEVICE

Номер патента: US20120319191A1. Автор: Frisina Ferruccio,Saggio Mario Giuseppe,CAMALLERI CATENO MARCO,LORENTI SIMONA. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-12-20.

Manufacturing method of member having fine structure, and exposure method used for manufacturing method thereof

Номер патента: JP4417881B2. Автор: 和宏山田,梅谷　　誠,康弘田中,道弘山形,隆正田村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-17.

A kind of catalyst and the purposes in preparing thymol method thereof

Номер патента: CN104190391B. Автор: 俞俊,毛东森,卢冠忠,郭晓明,毛海舫,解凤贤. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2016-08-17.

Raw zirconia ceramic powder with composite crystalline phase structure and high thermal shock resistance and preparation method thereof

Номер патента: CN104557031A. Автор: 郑炜,徐卫东. Владелец: FUJIAN JOHNSON MINING Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Modular battery pack and the energy management system and method thereof

Номер патента: TW201203785A. Автор: Jun-zhong LI. Владелец: Hua Chuang Automobile Information Technical Ct Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-16.

With a compound of the flat capillary tissue forming structure and the heat pipe manufacturing method

Номер патента: TWI476359B. Автор: Yen Chen Chen,Sin Wei He,Ming Cyuan Shih. Владелец: Forcecon Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

FLIGHT VEHICLES INCLUDING ELECTRICALLY-INTERCONNECTIVE SUPPORT STRUCTURES AND METHODS FOR THE MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120117941A1. Автор: Olden Thomas A.,Wrigglesworth Walter. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-05-17.

Post-equalization cell physical therapy cabin and the method for manufacture method and post-equalization cell physical therapy

Номер патента: CN104117152B. Автор: 王志勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-05.

For making bamboo fiber composite base material and the inside gadget manufacture method of automotive upholstery

Номер патента: CN102896843B. Автор: 李立君,喻云水. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-03.

LOW GATE CHARGING RECTIFIER HAVING MOS STRUCTURE AND P-N JUNCTION, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120007152A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

DIE PACKAGE STRUCTURE AND RELATED DIE PACKAGE STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120013018A1. Автор: Chen Jen-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

FUEL CELL STACK STRUCTURE AND FUEL CELL STACK STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120282538A1. Автор: NAKAJIMA Yasushi,YAGUCHI Tatsuya,SAKAMOTO Hiroki,OWADA Yu,SAKURAI Hiroshi,YASUDA Yoshiteru. Владелец: NISSAN MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-08.

Flexible graphite paper material stack structure and flexible graphite paper material manufacturing method

Номер патента: CN103568418A. Автор: 李宏元,翁明生,萧龙达,曾哲律. Владелец: Green Crystal Energy Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Lead-free solder material, electronic component mounting structure, and lead-free solder material manufacturing method

Номер патента: JP5304514B2. Автор: 勝治胡,正寿竹野内. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-02.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

반도체 메모리 셀의 구조 및 제조 방법

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты