Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method therefor

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240096389A1
Опубликовано: 21-03-2024
Автор(ы): Kunifumi Suzuki, Yuuichi Kamimuta
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190333580A1. Автор: Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Contactless array configuration for semiconductor memories

Номер патента: US6009013A. Автор: Guido Groeseneken,Herman Maes,Jan F. Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor memory device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Satoshi Nagashima,Yumi Nakajima,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP2067168A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20130341698A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20140315378A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US8803219B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008036371A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-27.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252291B2. Автор: Naoki Yasuda,Daisuke Matsushita,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus and method of producing the same

Номер патента: US7102931B2. Автор: Ichiro Fujiwara,Hiromi Nobukata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US10665605B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287996A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160087067A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ITS OPERATION METHOD, MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND SYSTEM

Номер патента: JP4537680B2. Автор: 史隆 荒井,正之 市毛,紀久子 杉前. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Nagashima Satoshi,FUJII Kotaro,NAKAJIMA Yumi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060131638A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US7183615B2. Автор: Hiroki Yamashita,Yoshio Ozawa,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229876A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140313829A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device including at least one memory block and allowing the number of selection signals to be reduced

Номер патента: US9666284B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20050067652A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device with block decoder

Номер патента: US9368213B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20150117102A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110280072A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US8218358B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287979A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120195121A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor storage device including a discharge transistor for discharging a bit line to a source line

Номер патента: US09830961B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09466373B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Nobuaki OKADA,Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315480A1. Автор: Seiichi Yamamoto,Tsuyoshi Okamoto,Kazuhisa Ukai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-11-01.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170092362A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Nonvolatile memory element, nonvolatile semiconductor memory apparatus, and reading method and writing method therefor

Номер патента: US7965539B2. Автор: Satoru Fujii,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: US20240248353A1. Автор: Huan Yang,Shengdong Zhang,Congwei Liao,Te-Chen Chung,Xiaoliang Zhou,Qingping LIN,Zhongfei Zou. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Array substrate and manufacturing method therefor, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: EP4443229A1. Автор: Feng Xiao,Toshifumi Yagi,Yanmei Luo,Guidong Yang. Владелец: Chengdu Boe Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nonvolatile semiconductor memory with a plurality of erase decoders connected to erase gates

Номер патента: US5761119A. Автор: Masamichi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Ferroelectric material-based three-dimensional flash memory, and manufacture thereof

Номер патента: US20220130863A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Wan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-04-28.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240329478A1. Автор: Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Hui Guo,Dongfang Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241828A1. Автор: Seung Hyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265426A1. Автор: Yuna NAKAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US12106722B2. Автор: Haigang Qing,Yunsheng Xiao,Quanyong GU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor storage device including cell transistor performance measuring cells

Номер патента: US09747979B2. Автор: Keita Takahashi,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Highly reliable nonvolatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09379322B2. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140021525A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140117431A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020074583A1. Автор: Seiki Ogura,Shinji Odanaka,Hiromasa Fujimoto,Nobuyo Sugiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140117434A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US11792992B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008276A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348437A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160190152A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364489A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220139955A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180197878A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200243560A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170148815A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA,Shigeta OOTA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5530276A. Автор: Shoichi Iwasa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140246717A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796755B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130341699A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8587051B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Metal oxide tft and manufacturing method therefor, and x-ray detector and display panel

Номер патента: EP4131424A1. Автор: Kun Zhao,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20190221673A1. Автор: Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4425568A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US12068409B2. Автор: Kai Cheng,Yu Zhu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor storage device having silicide in control gate electrode

Номер патента: US7705393B2. Автор: Shoichi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140061769A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9087910B2. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Nonvolatile semicondutor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070114580A1. Автор: Noriaki Kodama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Power semiconductor module, and manufacturing and inspection method therefor

Номер патента: WO2015136603A1. Автор: 安井　感,善章 豊田. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory array with buried drain lines and methods therefor

Номер патента: US5986934A. Автор: Loc B. Hoang,Albert Wu,Dah-Bin Kao,Tung-Yi Chan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030098485A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Transistor, 3d memory and manufacturing method therefor, electronic device

Номер патента: EP4380329A1. Автор: Jin Dai,Yong Yu,Jing Liang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170033118A1. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7560766B2. Автор: Hiroshi Maejima,Mitsuhiro Noguchi,Takahiko Hara,Minori Kajimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120181598A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Yoshihiko Saito,Ichiro Mizushima,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7414285B2. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9076722B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method

Номер патента: EP1536483A4. Автор: Mitsumasa Koyanagi,Shinji Kondoh,Masaaki Takata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8558302B2. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Silicon-on-insulator structure having bipolar stress, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190304998A1. Автор: Changfeng Wang,Duanquan LIAO,Yanfei Ma. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP3683839A1. Автор: Weiyun HUANG,Tianyi CHENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4436337A1. Автор: Sang Jin Park,Young Dae Kim,Young Seok Baek,Dong Hyun Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US7999306B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Nonvolatile multilayer gate semiconductor memory device

Номер патента: CA1188419A. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8247860B2. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150035045A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140061763A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150355424A1. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Silica-on-silicon-based hybrid integrated optoelectronic chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US09482831B2. Автор: Liang Zhou,Xiaoge Cao,Xianghong Yu. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nanostructure-based substrate for surface-enhanced raman spectroscopy, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148418A1. Автор: Sang Hwa Lee,Jun Ki Kim. Владелец: Asan Foundation. Дата публикации: 2023-03-15.

Fingerprint recognition module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180138103A1. Автор: Tsung-Yi Lu. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Pixel arrangement structure and driving method therefor, as well as display substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240244913A1. Автор: Guangru Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US11901394B2. Автор: Jie Ding,Je-Hao Hsu,En-Tsung Cho,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220037392A1. Автор: Jie Ding,Je-Hao Hsu,En-Tsung Cho,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Radiation detection probe and manufacturing method therefor, and radiation detection chip

Номер патента: US12072456B2. Автор: Huaqiang Zhong. Владелец: Ratection Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US12035593B2. Автор: Hongjun Zhou,Wen Tan. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Piezoelectric Sensor and Manufacturing Method Therefor, and Detection Apparatus

Номер патента: US20220364885A1. Автор: Tingting Zhou,Jing NIU,Fangzhen Zhang,Jintao PENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Pressure sensor having unevenness and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200209088A1. Автор: Joo Yong Kim,Min Ki Choi. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2020-07-02.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170186651A1. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Array substrate and manufacturing method therefor, display device and display substrate

Номер патента: US12069893B2. Автор: Xin Mou,Yongfu DIAO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Display apparatus, and display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355974A1. Автор: Dongsheng Li,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Zhijian Zhu,Shengji Yang,Yunlong Li,Dacheng Zhang,Kuanta YANG. Владелец: Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US09905470B2. Автор: Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Display module and manufacturing method therefor, and led display module and led display screen

Номер патента: EP4160688A1. Автор: Ming Sun,Zhiqiang Huang,Wenrong ZHUANG,Jingquan LU,Wuwen PANG. Владелец: Hcp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Electro discharge machining system with batch processing of holes and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150293521A1. Автор: Fatih Mert OZKESKIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Light-Emitting Substrate and Manufacturing Method Therefor, Backlight Module and Display Apparatus

Номер патента: US20240332469A1. Автор: BING ZHANG,Xiao Wang,Chenyang Wang,Liang Gao. Владелец: Hefei BOE Ruisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Array substrate and manufacturing method therefor, display device

Номер патента: US20240357864A1. Автор: Xin Mou,Yongfu DIAO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Pixel-level encapsulation structure of uncooled infrared detector, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4421871A1. Автор: Jie Shi,Jinhua Wang,Wenli CHEN,Jiwei Liu,Wenguang Zhao,Hanlin HU. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Electro discharge machining system with batch processing of holes and manufacturing method therefor

Номер патента: US09958855B2. Автор: Fatih Mert OZKESKIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Light-emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09923121B2. Автор: Hyun A Kim,Jong Kyu Kim,Se Hee OH,Jae Kwon Kim,Min Woo Kang. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Organic light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09793514B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Young Hwan Park,Jong Tae Je,Oun Gyu LEE. Владелец: SFC Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Array substrate and manufacturing method therefor and display device

Номер патента: EP3696600A1. Автор: Lu Yang,Fang Yan,Lei Yan,Lei Yao,Wentao Wang,Haifeng Xu,Jinfeng Wang,Dawei Shi,Zifeng Wang,Lin Hou,Jinjin XUE,Xiaowen SI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-19.

Array substrate, liquid crystal panel, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120113368A1. Автор: Peilin Zhang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Display substrate and manufacturing method therefor, and wiring load compensation method

Номер патента: EP4113495A1. Автор: Mengmeng Du,Xiaoqing SHU,Yulong WEI,Jiping Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140085976A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9019763B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100265770A1. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228733B2. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory and making method thereof

Номер патента: US7268042B2. Автор: Kan Yasui,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170229181A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050230748A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenji Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US7885106B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20080006869A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

ITC-IGBT and manufacturing method therefor

Номер патента: US09590083B2. Автор: Xiaoli Tian,Yangjun ZHU,Shuojin LU,Zhenxing WU. Владелец: Shanghai Lianxing Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Schottky diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220416092A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8598644B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220406949A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor storage device with charge storage layer and its manufacturing method

Номер патента: US8298900B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7875925B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Ohmic contact structure and manufacturing method therefor, and application thereof

Номер патента: US20240258395A1. Автор: Wangping WANG,Jieli TAN,Jiangshi XU. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US09917095B2. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nonvolatile semiconductor memory with a page mode

Номер патента: US20030136976A1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-24.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180175048A1. Автор: Masaru Kito,Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Nonvolatile semiconductor storage device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09691779B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Composite substrate and manufacturing method therefor, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240234514A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Atom phase-controlled double rephasing-based quantum memory and double-rephased photon echo method therefor

Номер патента: US20130182303A1. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2013-07-18.

MASS MEMORY AND MASS MEMORY MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2745973A1. Автор: Francois Bernard,Jean Marc Bureau,Myriam Oudart. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-09-12.

Atom phase-controlled double rephasing-based quantum memory and double-rephased photon echo method therefor

Номер патента: US8797621B2. Автор: Byoung Seung Ham. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20070075354A1. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7514738B2. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110115014A1. Автор: Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Three-dimensional flash memory comprising connection part, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240260272A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Memory system including a semiconductor memory having a memory cell and a write circuit configured to write data to the memory cell

Номер патента: US11869596B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Masanobu Shirakawa,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120061746A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8916923B2. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210257214A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3896724A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Semiconductor transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240128337A1. Автор: Kechuang Lin,Shenghou LIU,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09431290B2. Автор: Yasushi Niimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050207205A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060109703A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20050180192A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20040170045A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7184294B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7227770B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20060114710A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6934175B2. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Memory, usage method and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4432282A1. Автор: Yun Liu,Zhengbo Wang,Tianqiang HUANG,Jincan GUO,Rongbin LIU,Jieqiang Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5306963A. Автор: Kerry Tedrow,Sachidanandan Sambandan,David A. Leak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Circuit system and manufacturing and operating method therefor

Номер патента: US20240170943A1. Автор: Yi Sun,Yan-Cun Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Battery cell and manufacturing device and method therefor, battery, and electronic apparatus

Номер патента: EP4333195A1. Автор: PENG Wang,Quankun Li,Haizu Jin,Wenlin Zhou,Liangfan XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Secondary battery and manufacturing system and method therefor

Номер патента: US20040161663A1. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor memory, checking method and manufacturing method of semiconductor memory

Номер патента: TW546663B. Автор: Akira Seitoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120171856A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09437610B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020195647A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120132980A1. Автор: Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090072323A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

High-density nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5401992A. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200083204A1. Автор: Poho TAM. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device having stacked-gate type transistor

Номер патента: US5780894A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Light emitting diode substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: EP4174963A1. Автор: Xue Dong,XUAN Liang,Ke Wang,Fei Wang,Xiao Zhang,Guangcai Yuan,Xin Gu,Mingxing Wang,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Feng Qu,Junwei Yan,Shulei LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Conductive member and manufacturing method therefor, and photovoltaic assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3998640A1. Автор: Hui Chen,Tao Xu,Guoqiang Xing,Jingbing Dong,Shifeng DENG. Владелец: Canadian Solar Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Conductive member and manufacturing method therefor, and photovoltaic module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220293807A1. Автор: Hui Chen,Tao Xu,Guoqiang Xing,Jingbing Dong,Shifeng DENG. Владелец: Canadian Solar Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Composition, film manufacturing method, as well as functional device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09620719B2. Автор: Shunichi Seki,Sadao Kanbe. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US09589972B2. Автор: Tetsuo SOMEYA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Process for fabricating nonvolatile semiconductor memory with a selection transistor

Номер патента: US6492230B2. Автор: Ken-ichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11069701B2. Автор: Takeshi Murata,Mitsuhiko Noda,Kosei Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021365997A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Tech International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394898A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Technologies International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Perovskite silicon-based laminated solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4432810A1. Автор: Xin Dong,Lei DING,Bo He,Yongcai He,Yonglei Wang. Владелец: Xian Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Light-emitting solar energy collection device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363784A1. Автор: ZHEN Peng,Jusong Wang. Владелец: Mpw Technologies International Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Ultraviolet erasable nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4847667A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US5594688A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Back contact cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386868A1. Автор: Hua Li,Weiming Lu,Yupeng JIN,Zhonglan LI. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Emitter for electron-beam projection lithography system and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040178405A1. Автор: Dong-Wook Kim,Chang-wook Moon,Soo-Hwan Jeong,In-Keyong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Die and manufacturing method therefor, and chip packaging structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230268299A1. Автор: Weiyuan Yang. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Embedded and packaged heat dissipation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor

Номер патента: US20240266244A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Wenjian LIN. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Passivation contact structure and manufacturing method therefor and solar cell using same

Номер патента: US20240313132A1. Автор: Yifeng Chen,Yiqi CHEN,Jifan Gao,Peter Altermatt PIETRO. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Electrode manufacturing method, fuse device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09589837B2. Автор: Ying Li,GuanPing WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120319077A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Daisuke Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Emitter for electron-beam projection lithography system and manufacturing method thereof

Номер патента: US6953946B2. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Soo-Hwan Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-11.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2023349665A1. Автор: Jianbin Fan,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120273743A1. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8735859B2. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Light emitting diode package structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US8008100B2. Автор: Ming-Kuei Lin,Cheng-Yi Chang,Chih-Chia Tsai. Владелец: Everylight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Flexible crystalline silicon photovoltaic module and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4399746A1. Автор: Yen-Chuan Chen,Hong-Shiang Tang,Robert Christoph HÄNDEL,Fan-Wei HSU. Владелец: Opes Solutions Changzhou Co Ltd Factory. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Display devices, display panels and manufacturing methods therefor

Номер патента: US09680130B2. Автор: Zhengzhong CHEN,Liyuan LIU,Zhiyong XIONG,Canjun Xiao,Mu Lou. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09484485B2. Автор: Daisuke Adachi,Hisashi Uzu. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010050381A1. Автор: Hisamitsu Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Busbar-free assembly and manufacturing method therefor, and method for connecting battery to solder ribbon

Номер патента: EP4451349A1. Автор: Lei Shi,Shifeng DENG. Владелец: Zhejiang Znergy Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Light-emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09728670B2. Автор: Shaohua Huang,Jyh-Chiarng Wu. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Power module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240194581A1. Автор: Jihyung LEE. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electrostatic chuck heater and manufacturing method therefor

Номер патента: US12040209B2. Автор: Jin Young Choi,Chul Ho Jung. Владелец: Mico Ceramics Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Packaging device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4006967A1. Автор: Zhixiang Hu,Gang Ye,Weijian PAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Packaging device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20220148950A1. Автор: Zhixiang Hu,Gang Ye,Weijian PAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Array base plate and manufacturing method therefor

Номер патента: US11984456B2. Автор: Ling ZHAO,Juncheng Xiao,Weimin Chang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Organic light-emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210305540A1. Автор: Tao Wang,Ping Song,Yuanzheng GUO,Youwei Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Packaging cover plate, organic light-emitting diode display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210249632A1. Автор: Linlin Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411837A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Solar cell and manufacturing method therefor, and photovoltaic module

Номер патента: AU2024204909A1. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Polyester composition and film using same, sheet-like structure, electric insulation sheet, and solar cell back sheet, and manufacturing methods therefor

Номер патента: MY172240A. Автор: Shigeru Aoyama,Kozo Takahashi,Hiroji Kojima,Tadamasa Suzuki. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2019-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Photoelectric detector, detection substrate and manufacturing method therefor, and detection apparatus

Номер патента: US20240243141A1. Автор: HU Meng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: GB2627622A. Автор: Wang Ke,CAO Zhanfeng,Zhang JiaXiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447126A1. Автор: Pinru HUANG,Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Light emitting device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180331317A1. Автор: Do Hwan Kim,Sang Sik Park,Seok Hwan Kong,Moon Sung Kang. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2018-11-15.

Flexible Ti—In—Zn—O transparent electrode for dye-sensitized solar cell, and metal-inserted three-layer transparent electrode with high conductivity using same and manufacturing method therefor

Номер патента: US09570242B2. Автор: Tae Won Kim,Kwang Young Kim,Jae cheol Park,Gi Seok Heo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553060B2. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20240206234A1. Автор: Wei Zhang,RUI Zhou,Yi Zhang,Liang Song,Weiyun HUANG,Yue Long,Benlian WANG,Wuyang ZHAO,Quan Shi,Xiaoliang Guo,Zhongfei DONG,Chengjie Qin,Yuanjiang YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200277700A1. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-09-03.

Sequencing chip and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2019426202A1. Автор: YUAN Li,Handong Li,Shifeng Li,Zhaohui Wang,Wenwei Zhang,Tengyue Li,Aoli WANG,Xiaogang Song,Lingling Peng,Xueqin Jiang,Jiacheng Chen,Fuxing Huang. Владелец: BGI Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

LED Epitaxial Structure and Manufacturing Method Therefor, Light Emitting Device and Display Panel

Номер патента: US20230163235A1. Автор: Kuo-Tung Huang. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US11649545B2. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-05-16.

Display device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230089435A1. Автор: Yong Woon Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Display device using semiconductor light-emitting element, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266329A1. Автор: Wonseok Choi,Jeonghyo Kwon,Byoungkwon Cho,Junoh SHIN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-08.

Solar cell and manufacturing method therefor, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4425573A2. Автор: HONG Chen,Yifeng Chen,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Mcm package structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240274501A1. Автор: Weiyuan Yang. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Package carrier plate with embedded efficient heat dissipation module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240274491A1. Автор: Zhijun Zhang,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411834A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240363805A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Display device using micro LED, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12125830B2. Автор: Soohyun KIM,Wonseok Choi,Sungmin Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-10-22.

High-performance repair tape for backboard of photovoltaic module, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12024639B2. Автор: Xiaoping Wu,KEIICHI Uno,Hongye CHEN,Qiquan ZHOU. Владелец: Cybrid Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US09893233B2. Автор: Chang Mo KANG,Jun Youb LEE,Dong Seon LEE,Duk Jo KONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-02-13.

Bit line structure and manufacturing method therefor, and semiconductor memory

Номер патента: EP4002462A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Solar cell and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2022454569A1. Автор: Jianbin Fan,Guoqiang Xing,Xiajie Meng. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230010940A1. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-01-12.

Ultraviolet light emitting diode and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240243227A1. Автор: Gong Chen,Bin Jiang,Shao-Hua Huang,Chung-Ying Chang,Jianbin Chen,Yashu ZANG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20240213271A1. Автор: Chengzhi Ye,Binbin CAO,Hui An,Yanming LV,Jinnian MA. Владелец: Hefei Xinsheng Iptoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Fan-out packaging method, fan-out packaging structure, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4415032A1. Автор: Bochang CHEN. Владелец: Hygon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Chip stacked structure and manufacturing method therefor, and chip packaging structure, and electronic device

Номер патента: EP4372789A1. Автор: Eric Wu,Jifeng Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Metal plate for deposition mask, and deposition mask and manufacturing method therefor

Номер патента: US11732364B2. Автор: Dong Mug Seong,Su Hyeon Cho,Hae Sik Kim,Sang Beum Lee,Tae Hoon Han,Hyo Won Son,Sang Yu Lee,Jong Min YUN. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device for differential data amplification and method therefor

Номер патента: US6975540B2. Автор: Kenta Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-13.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US20190326630A1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US11631885B2. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Anti-direct-current nanocrystalline double-magnetic-core current transformer magnetic core and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394816A1. Автор: Xiaoyun Wang,Tianming JIN. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Sintered composite oxide, manufacturing method therefor, sputtering target, transparent conductive oxide film, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130181173A1. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Electrical apparatus, battery, heating film and manufacturing method therefor and manufacturing device therefor

Номер патента: EP4228059A1. Автор: FU He,Mengdong Liu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Antenna radiator having heterogeneous antennas cross-linked with each other and manufacturing method therefor

Номер патента: US09876274B2. Автор: Jae Beom Kim,Sung Woo BANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Porous aluminum body and manufacturing method therefor

Номер патента: US09764385B2. Автор: Koji Hoshino,Toshihiko SAIWAI,Ji-Bin Yang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic Composite Material Composition, Magnetic Core For Inductor And Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240363273A1. Автор: Kang Yi,Fei Wang,Quan Zhu,Leijie Wang,Yangdong YU. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Electrolytic copper foil having high-temperature dimensional stability and texture stability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210025067A1. Автор: Seung Min Kim,Shan Hua JIN,Joong Kyu AN. Владелец: SK Nexilis Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Coated silver nanoparticles and manufacturing method therefor

Номер патента: US09496068B2. Автор: Masato Kurihara,Masaomi Sakamoto. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrally formed inductor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240258028A1. Автор: Xiaobing Zhou,Pan Liu,Haibo LIU. Владелец: Mazo Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-inductive coil assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4395524A1. Автор: Bin He,Jianping He,Yu Xin Nie,Jun Zhao WU. Владелец: Siemens Healthcare Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Secondary battery cathode having improved thermal stability and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4358194A3. Автор: Hee Jin Kim,Kwan Soo LEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Cable assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240154401A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Lithium battery and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240266674A1. Автор: Jinwoo Kim,Hyunwook Jung,Suna LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4455342A1. Автор: Sangwoo Lee,Junesoo PARK,Daehyun SONG. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Battery and manufacturing method therefor, and electric apparatus

Номер патента: EP4391158A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Jianhuang KE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Electrode assembly and manufacturing method therefor, battery cell, battery, and electric apparatus

Номер патента: EP4280295A1. Автор: Xiaowen Zhang,Haizu Jin,Baiqing Li,Haihe XIAO. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Positive electrode of hybrid capacitor and manufacturing method therefor and use thereof

Номер патента: US20240242897A1. Автор: Yuan Zhu,Jianhua Liu,Jincheng LIU,Zhongzhi Yuan,Fang BU,Chuiyi LUO. Владелец: Eve Hyperpoiwer Batteries Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Iron core of transformer, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240282502A1. Автор: Ho-Kyung SHIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Battery cell and manufacturing method therefor, battery, and electric device

Номер патента: EP4447203A1. Автор: Haizu Jin,Hui GU,Fenggang Zhao,Baiqing Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Positive electrode for lithium secondary battery, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447141A1. Автор: Sang Hwan Park,Min Ji Lee,Ho Jun KANG,Sung Myung Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Polymer solid electrolyte and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4456241A1. Автор: Dong Kyu Kim,Sunghyun NAM,Jung Pil Lee,Hyeaeun HAN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Magnetic shielding sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: US12112882B2. Автор: Kil Jae Jang. Владелец: Amosense Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Highly conductive material formed by hybridization of metal nanomaterial and carbon nanomaterial having higher-order structure due to multiple hydrogen bonding, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09873811B2. Автор: Geon-Woong Lee,Kang-Jun Baeg,Seung-Yol JEONG,Joong-tark Han,Hee-Jin Jeong,Bo-hwa Jeong. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2018-01-23.

Composite membrane and manufacturing method therefor

Номер патента: US12095114B2. Автор: Hee Min Cho,Byung Hyun Kim,Pyung Yong PARK. Владелец: W Scope Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Electrode Assembly and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240258557A1. Автор: Hyunjung Kwon,Seongmin YUN,Tae Yoon Kong. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Grain-oriented electrical steel sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: US12040110B2. Автор: Hyun-Seok Ko,Jin-Wook Seo,Kyu-Seok Han,Hyung-Ki Park,Jae-Soo Lim,Hyung Don Joo. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Non-oriented electrical steel plate with good magnetic performance and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4450661A1. Автор: BO Wang,Feng Zhang,Guobao Li,Xianshi Fang,Xuejun LYU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor memory device and automatic bit line precharge method therefor

Номер патента: GB9605809D0. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-05-22.

Multi-port semiconductor memory device having variable access paths and method therefor

Номер патента: CN1988033A. Автор: 黄炯烈,权敬桓,李镐哲,金南钟,安孝珠. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-27.

Combined integrated memory and logic circuit and test method therefor

Номер патента: DE19807739A1. Автор: KIM Gyu-hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-21.

Magnetic memory, shift register memory, and magnetic memory manufacturing method

Номер патента: JP6271350B2. Автор: 志保 中村,博史 森瀬,拓哉 島田,剛 近藤,泰章 大寺,ミカエル アルノー カンサ,中村　志保,大寺　泰章,ミカエル アルノー カンサ. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-31.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device with reduced variation in source potential of floating gate type memory transistors and operating method therefor

Номер патента: US5105386A. Автор: Shinichi Kobayashi,Kenji Noguchi,Kenji Kohda,Tsuyoshi Toyama,Nobuaki Andoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120239984A1. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8300474B2. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Nonvolatile semiconductor memory and data reading method

Номер патента: US20110044106A1. Автор: Yoshihiko Shindo,Susumu Fujimura,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060120156A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Electrically alterable nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US6000843A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100329033A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9311993B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6154391A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240005995A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150023109A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20120230133A1. Автор: Katsuaki Matsui,Junya Ogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus comprising charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100271882A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160071603A1. Автор: Yasushi Nakajima,Yuki Yamamura,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070532A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070525A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell

Номер патента: US20030161188A1. Автор: Satoshi Takahashi,Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5379262A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Yutaka Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device with advanced multi-page program operation

Номер патента: US20130003455A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20220310159A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100165735A1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6108259A. Автор: Young-Ho Lim,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130058170A1. Автор: Yuji Takeuchi,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for reading nonvolatile semiconductor memory configurations

Номер патента: US20020018366A1. Автор: Oskar Kowarik,Franz Schuler,Andreas von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Near-infrared-ray-absorbing composition, near-infrared-ray cut filter using same, manufacturing method therefor, camera module, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09826129B2. Автор: Takashi Kawashima,Seiichi Hitomi,Takeshi Inasaki,Kouitsu Sasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Optical data recording medium and manufacturing apparatus and method therefor.

Номер патента: DE68920380T2. Автор: Osamu Saito,Yoshitane Tsuburaya,Hisamitsu Kamezaki. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 1995-05-11.

Display panel and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4394846A1. Автор: Xia Li,Xiaotao DAI,Menghu SHEN,Xun LAO,Haisu HAN,Yuling XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Flexible display substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240268211A1. Автор: Liqiang Chen,Yixiang YANG,Shuquan YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Display panel and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20240341140A1. Автор: Xiaoxia Liu,Zheng BAO,Xiaoliang FU,Kang Wang,Xiangdong WEI,Haotian Yang,Seungyong OH,Miao Luo,Jiaming Shen. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device with readout test circuitry

Номер патента: US4819212A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device with a row redundancy circuit

Номер патента: US5548557A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Masaaki Mihara,Minoru Ohkawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: KR19980070869A. Автор: 스가와라히로시. Владелец: 닛뽕덴끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-10-26.

Graphite steel wire rod for tv pem nut parts, graphite steel, and manufacturing and machining method therefor

Номер патента: EP4421202A1. Автор: Sewon PARK,Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Calcium-containing graphite steel wire rod, graphite steel, and manufacturing and cutting method therefor

Номер патента: EP4421203A1. Автор: Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

A semiconductor memory cell structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100879670B1. Автор: 안근옥. Владелец: 리디스 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-01-21.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Nonvolatile memory and method of restoring of failure memory cell

Номер патента: US20040264245A1. Автор: Ken Matsubara,Tomoyuki Fujisawa,Takayuki Tamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20130135938A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20200273524A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20150213899A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20170330629A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20160365153A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20190074064A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20230260577A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device Cross-Reference to Related Applications

Номер патента: US20130265823A1. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5677874A. Автор: Kaname Yamano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240046974A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11430502B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11024360B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11842759B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210065770A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070165442A1. Автор: Isao Inoue,Nobuyoshi Awaya,Yasunari Hosoi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US09703486B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor storage device with volatile and nonvolatile memories to allocate blocks to a memory and release allocated blocks

Номер патента: US11960719B2. Автор: Shigehiro Asano,Shinichi Kanno,Hidenori Matsuzaki,Hirokuni Yano,Kazuya Kitsunai,Toshikatsu Hida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09773538B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5963474A. Автор: Takashi Onodera,Hiroaki Uno,Hideaki Miyashita,Yasutsugu Nagusa,Kenichi Kuwako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20230281078A1. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11947422B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11169875B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20140321194A1. Автор: Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4435788A. Автор: Norihisa Kitagawa,Hiroji Asahi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2016024632A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170117039A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110103128A1. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Hirofumi Inoue,Takayuki Tsukamoto,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140063906A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070242528A1. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20230409241A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device performing data writing in a toggle manner

Номер патента: US7652912B2. Автор: Hideto Hidaka,Jun Otani,Tomoya Kawagoe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11789656B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US20200401347A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11169742B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Testable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US6452847B2. Автор: Myong-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-17.

Nonvolatile semiconductor storage device and rewriting method thereof

Номер патента: US09679646B2. Автор: Hitoshi Suwa,Yuriko ISHITOBI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Storage device, semiconductor memory device, and method for controlling same

Номер патента: US10049042B2. Автор: Atsushi Kawamura,Akifumi Suzuki,Hideyuki Koseki,Masahiro TSURUYA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory with backing wirings and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070296021A1. Автор: Hideki Sugiyama,Hideki Hara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240114811A1. Автор: Tadaomi Daibou,Yosuke Matsushima,Katsuyoshi Komatsu,Jieqiong Zhang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20050003619A1. Автор: Hiroki Yamashita,Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Motor coil and manufacturing method therefor, motor stator and manufacturing method therefor, and motor

Номер патента: AU2020455722B2. Автор: Jing Xia,Yazhou GAO,Haitao He. Владелец: Beijing Goldwind Science and Creation Windpower Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Piezoelectric plate and manufacturing method therefor, saw device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240195382A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and storage system

Номер патента: EP4440277A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110309318A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8378331B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100237319A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Yasuhiro Satoh,Motoya Kishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120241872A1. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Mask and manufacturing method therefor, and manufacturing method for display substrate

Номер патента: US20240191338A1. Автор: Jianpeng Wu,Zhongying Yang,Fengli JI,Chang Luo. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100163944A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Speaker module and manufacturing method therefor

Номер патента: US09838816B2. Автор: XIN Wang,Yitao Liu. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Multilayer graphite sheet with excellent electromagnetic shielding capability and thermal conductivity and manufacturing method therefor

Номер патента: US11745463B2. Автор: Hoon Kim,Jung-Gyu Kim,Jung Doo Seo,Jonggab BAEK. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

High frequency resonator, and manufacturing method therefor

Номер патента: US6259189B1. Автор: Min Soo Kim,Jeong Ho Cho,Nak Cheol Sung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Quantum dot light-emitting device and manufacture method therefor

Номер патента: EP3910696A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: GB2629258A. Автор: Liu Ning,Wang Ming,Zhang Yang,Xia Yang,YAN Liangchen,WANG Shun,ZHANG Dongdong,Hu Yingbin,SONG Jiawen,Zhao Ce;. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Loudspeaker and manufacturing method therefor

Номер патента: US09906848B2. Автор: Hsinmin Huang. Владелец: Tang Band Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010052625A1. Автор: Kazuhiko Sanada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Expandable acoustic reinforcement member and manufacturing method therefor and use thereof

Номер патента: EP4391587A1. Автор: Lei Zhang,Junjie Zhao,Yuanhong Ma,Mingbo GUO,Renkun LIU,Zhendan ZHANG. Владелец: SSI New Material Zhenjiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Heat dissipation device for display, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240155819A1. Автор: Yong-Duck Lee. Владелец: TAEIN LEADING THERMAL SOLUTIONS CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Cylindrical impact linear motor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240195277A1. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Film Bulk Acoustic Resonator and Manufacturing Method therefor, and Film Bulk Acoustic Wave Filter

Номер патента: US20230091745A1. Автор: Feng Gao,Chengliang SUN,Yang Zou,Bangtao Chen,Bowoon SOON,Zhipeng DING,Liyan SIOW. Владелец: Wuhan Memsonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Thin film piezoelectric acoustic wave resonator and manufacturing method therefor, and filter

Номер патента: US12057820B2. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO,Fei Qi. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240298474A1. Автор: Cheng Xu,Ying Cui,Linlin Wang,Dandan Zhou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Quantum dot film layers, quantum dot light emitting devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240237508A1. Автор: ZHUO Li,Jingwen FENG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display apparatus, and display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240315089A1. Автор: LI Sun,Jun Liu,Haidong Wang,Bin Zhou,Liangchen YAN,Yongchao HUANG,Yuxuan Ma. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Quantum dot light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240298456A1. Автор: Yang Gao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Display panel and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20240334760A1. Автор: LU Zhang,Jinfang Zhang,Zhiwei Zhou. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Quantum dot light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240306412A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Electromagnetic wave-absorbing composite material comprising conductive wire and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240196581A1. Автор: Sang Bok Lee,Tae Hoon Kim,Seung Han RYU,Byung Mun JUNG,Byeong Jin Park,Yu Kyung HAN,Suk Jin KWON. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-06-13.

Blue-light-emitting device and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240147751A1. Автор: Dongxu Zhang,Yuqian SUN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Stator structure, micromotor having the same and manufacturing method therefor

Номер патента: US20110037354A1. Автор: Liang-Yi Hsu,Mi-Ching Tsai,Guo-Jhih YAN,Guang-Miao Huang,Jing-Hui Wang,Sheng-Zhan Yan. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2011-02-17.

Carrier-foil-attached ultra-thin copper foil facilitating micro-hole processing, copper clad laminate comprising same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4408135A1. Автор: Hyung Cheol Kim,Won Jin Beom,Chang Yol Yang,Kideok Song. Владелец: Lotte Energy Materials Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Display apparatus, and display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4426084A1. Автор: Lu Li,QIAN CHEN,Liang Xia,Yao Hu,Ruoxiang LI,Qifu RAN,Chenbiao YANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Organopolysiloxane composition for transducer, laminate comprising cured film thereof, use therefor, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240301144A1. Автор: Hiroshi Fukui. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20240306457A1. Автор: LIU Wu,Jun Liu,Tao Sun,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Chuanchuan Chang. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240341136A1. Автор: FAN He,Rong Wang,Xiangdan Dong. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Expandable acoustic reinforcement member and manufacturing method therefor and use thereof

Номер патента: US20240334116A1. Автор: Lei Zhang,Junjie Zhao,Yuanhong Ma,Mingbo GUO,Renkun LIU,Zhendan ZHANG. Владелец: SSI New Material Zhenjiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US11980101B2. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-05-07.

Printed circuit board assembly and design and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4391740A1. Автор: Alexander Müller,Qing Ye,Min Luo,Xiaopeng Yu,Frank HOGE. Владелец: Phoenix Contact Asia Pacific Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Electronic device, and circuit board and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447622A1. Автор: Zhongjian CHEN,Shaofei ZHOU,Wanglin LU,Xuanling LIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Storage system and control method therefor

Номер патента: US20130297856A1. Автор: Go UEHARA,Koji Sonoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor storage system

Номер патента: US09335929B2. Автор: Go UEHARA,Atsushi Ishikawa,Junji Ogawa,Koji Sonoda,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20180150238A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20200341654A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Dimming panel and manufacturing method therefor, and dimming glass and manufacturing method therefor

Номер патента: US12072589B2. Автор: Bin Zhao,Chuncheng CHE,Shuai Xu. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Storage apparatus provided with a plurality of nonvolatile semiconductor storage media and storage control method

Номер патента: US09405478B2. Автор: Junji Ogawa,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Spectral function-equipped imaging element and manufacturing method therefor, manufacturing method for pixelated optical filter array, and product comprising spectral function-equipped imaging element

Номер патента: US20240248241A1. Автор: Yoshiaki Kanamori. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-25.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Optical laminate comprising thermochromic layer having excellent optical properties due to control of photonic evaporation and photonic sintering conditions, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12055677B2. Автор: Kwang Seok Kim,Dae Up Kim,Seung Bae Son,Ji Won YOUN,Eun Won SON. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2024-08-06.

High-durability and long-scale-distance fiber grating sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09846105B2. Автор: Wan Hong,Caiqian Yang,Zhishen Wu,An Sun,Yongsheng Tang. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Housing and manufacturing method therefor, and terminal device

Номер патента: EP4406674A1. Автор: Kuang Li,Shaohui Zhang,Guoliang HUO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Signal transmission device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Yoshiaki Nakano,Shurong Wang,Xueliang Song,Foo Cheong Yit,Katsumasa Horiguchi. Владелец: Advanced Photonics Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Array substrate and manufacturing method therefor, display panel, and display device

Номер патента: US20240272502A1. Автор: Jia Zhang,Xiang Li,Tao Wang,Jincheng GAO,Wentao Lu,Guanyong ZHANG,Zexu Liu,Shuhan LIU,Lixing ZHAO. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Catalytic combustion type hydrogen sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240345013A1. Автор: Jun Hu,Bo Xie,Shengjie Xia,Wenjing YAN,Bosheng DING,Yingzhu LI. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2024-10-17.

Imprinting mother-template and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394505A1. Автор: Ying Li,Lu Cai,Yuliang Zhang,Yi Rao,Weixiang Wang,Xingjun HAN,Peiliang Guo. Владелец: Goertek Optical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Contact lens and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4431564A1. Автор: Hsiu-Yi CHENG,Kuen-Tsan LEE. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Imprinting master-template and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240345476A1. Автор: Ying Li,Lu Cai,Yuliang Zhang,Yi Rao,Weixiang Wang,Peiliang Guo,Xingiun Han. Владелец: Goertek Optical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Touch panel and manufacturing method therefor, and display touch device

Номер патента: US20240211083A1. Автор: Xinglong He,Zhangmin WU,Changshuai FANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Double-sided adhesive tape for display and manufacturing method therefor

Номер патента: US12017432B2. Автор: Ji-Hye Kim,Jang-Soon Kim,Joon-Seung Lee,Woo-Joo Han,Hong-June CHOI,Ki-Seung Seo. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US11609443B2. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-03-21.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and vehicle and building window or door employing same

Номер патента: EP4394494A1. Автор: Sung-su Kim,Seung-sin Lee,Dong-Hwi Kim. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Optical stack and manufacturing method therefor, and smart window comprising same and vehicle or building window to which same is applied

Номер патента: EP4350428A1. Автор: Yu-jin Lee,Dong-Hwi Kim,Seung-Won Song,Hong-Jun Ahn,Pyoung-Yun OH. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window including same, and window and door for vehicle or building to which same is applied

Номер патента: US20240272486A1. Автор: Sung-su Kim,Dong-Hwi Kim,Seung-Won Song. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Display substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: EP4418249A1. Автор: Dachao Li,MINGHUA XUAN,Xiaochuan Chen,Ning Cong,Can Zhang,Longfei FAN. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Touch display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240302926A1. Автор: Chung-Chun Lee,Bo RAO,Liusong NI,Xiaoxi Sun. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Electronic paper display screen and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US12124148B2. Автор: Li Tian,Jian Wang,Yong Zhang,Zhichao Yang,Jian Lin,Limin Zhang,Jinshuai DUAN,Lingfang NIE,Yashuai AN,Xianglei QIN,Zepeng SUN,Liangzhen TANG,Zhilong DUAN,Honggui JIN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Chalcogenide phase change material based all-optical switch and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200379276A1. Автор: Yi Wang,Hao Tong,Xiangshui Miao,Yitao LU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-03.

Display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230018660A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Band-pass filter and manufacturing method therefor

Номер патента: US12032187B2. Автор: Tsutomu Imamura,Yasutaka Tanabe,Masaaki Imura,Keiichi Sahara. Владелец: Nippon Electric Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and vehicle and building window or door employing same

Номер патента: US20240248343A1. Автор: Sung-su Kim,Seung-sin Lee,Dong-Hwi Kim. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic tag sensor and manufacturing method therefor, and river bed scouring measurement device

Номер патента: AU2019441279A1. Автор: Li Tian,KE Wu,Jie Liu,Peng Zhang,Haoze Yu,Zhenyu Zhao,Shucai Li,Zhi GE,Qingsong ZHANG,Minghao SUN,Hetao Hou,Zeying YANG,Jianbo QU,Fengjin ZHAO,Yuhui SHAN,Yinglin Sun,Qianyi YANG,Xinzhuang CUI,Tianmin WANG,Weisong QU,Cuiping QU,Yuntong GUO. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-11-18.

Flexible display panel and manufacturing method therefor

Номер патента: US12020600B2. Автор: Jiangjiang JIN,Simin PENG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and door and window for automobile and building using same

Номер патента: EP4411470A1. Автор: Hyun-Sun Ryu. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Optical stack and manufacturing method therefor, and smart window comprising same and vehicle or building window to which same is applied

Номер патента: US20240280854A1. Автор: Yu-jin Lee,Dong-Hwi Kim,Seung-Won Song,Hong-Jun Ahn,Pyoung-Yun OH. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and door and window for automobile and building employing same

Номер патента: EP4424506A1. Автор: Dong-Hwi Kim,Hong-Jun Ahn,Pyoung-Yun OH. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240168326A1. Автор: Yue Yang,Jianhua Huang,Seungmin Lee,Jiantao Liu,Dongchuan CHEN,Qiujie Su,Yanping Liao,Ting Dong,Yingying Qu,Lingdan BO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bacteriophage-based sers-active gold nanohalo structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240255431A1. Автор: Sang Jun Sim,Xingyi Ma,Myoungjin JEON. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Optical wavelength dispersion device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10620445B2. Автор: Cheng-Hao KO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-14.

Color filter having quantum dot color conversion structure, display device including same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230015760A1. Автор: Jung Hyun Kim,Jaeyeon PYO,Seung Kwon Seol,Jongcheon BAE. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2023-01-19.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and vehicle and building windows and doors to which same are applied

Номер патента: US20240319548A1. Автор: Dong-Hwi Kim,Geo-San Lim. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and window and door for vehicle and building, having same applied thereto

Номер патента: US20240302691A1. Автор: Sung-su Kim,Dong-Hwi Kim. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Touch display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus

Номер патента: US20240319813A1. Автор: Yuan Yao,Mingxing Liu,Bo RAO,Liusong NI,Xiaoxi Sun. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Optical laminate and manufacturing method therefor, smart window comprising same, and window and door for vehicle and building, having same applied thereto

Номер патента: US20240329457A1. Автор: Dong-Hwi Kim,Dong-Duk Choi. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Guide pin and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200183096A1. Автор: Xueyun HUANG. Владелец: Chaozhou Three Circle Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Composite lens and manufacturing method therefor, and infrared detector

Номер патента: US20230358921A1. Автор: PENG Wang,Chuanqing Yu. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Composite lens and manufacturing method therefor, and infrared detector

Номер патента: EP4224221A1. Автор: PENG Wang,Chuanqing Yu. Владелец: YANTAI RAYTRON TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

High-temperature-resistant metal-packaged fiber bragg grating sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09551596B2. Автор: Peng Han,Shandong Tu,Fuzhen Xuan,Xiancheng Zhang,Yun Tu,Yihua Qi. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-24.

Wire mesh products and manufacturing systems and methods therefore

Номер патента: GB2626415A. Автор: M Knott James. Владелец: Riverdale Mills Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Physical-health tuning means, and manufacturing and use methods therefor

Номер патента: US20020041185A1. Автор: Masakazu Karita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Wire mesh products and manufacturing systems and methods therefore

Номер патента: US20240165692A1. Автор: James M. Knott, JR.. Владелец: Riverdale Mills Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Physical-health tuning means, and manufacturing and use methods therefor

Номер патента: US7104946B2. Автор: Masakazu Karita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-12.

Wire mesh products and manufacturing systems and methods therefore

Номер патента: CA3220911A1. Автор: James M. Knott Jr.. Владелец: Riverdale Mills Corp. Дата публикации: 2024-05-22.

Concrete shear wall vertical connection joint and manufacturing and installation method therefor

Номер патента: ZA202304911B. Автор: Ma Lili,SHEN Hua. Владелец: Nantong Vocational Univ. Дата публикации: 2024-01-31.

COMPOSITION CONTAINING REDUCED COENZYME Q10, AND MANUFACTURING AND STABILISING METHODS THEREFOR

Номер патента: US20130142767A1. Автор: YAMAGUCHI Takao,Kitamura Shiro,Ueda Yasuyoshi. Владелец: Keneka Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

Implant capable of releasing drug, and manufacturing and usage methods therefor

Номер патента: US20210008358A1. Автор: Christian Xinshuo FANG,Wing Fung Edmond YAU,Sze Yi MAK,Ching Hang Bob YUNG. Владелец: Koln Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

COMPACT GAS-GAS HEAT EXCHANGE TUBE AND MANUFACTURING AND USE METHODS THEREFOR

Номер патента: US20210310752A1. Автор: HUANG Zhiqiang,ZHENG Kaiyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

INSULATED PRODUCT WITH FASTENERS AND MANUFACTURING AND FIXING METHOD THEREFOR

Номер патента: DE60020835D1. Автор: Ian Cridland. Владелец: Rockwool International AS. Дата публикации: 2005-07-21.

Compact gas-gas heat exchange tube and manufacturing and use methods therefor

Номер патента: EP3848664A1. Автор: Zhiqiang Huang,Kaiyun ZHENG. Владелец: Shanghai Power Equipment Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Integrated chemical microreactor, thermally insulated from detection electrodes, and manufacturing and operating methods therefor

Номер патента: US6770471B2. Автор: Flavio Villa,Gabriele Barlocchi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-08-03.

Composition containing reduced coenzyme q10, and manufacturing and stabilising methods therefor

Номер патента: WO2011132718A1. Автор: 志郎 北村,上田　恭義,貴生 山口. Владелец: 株式会社カネカ. Дата публикации: 2011-10-27.

Integrated chemical microreactor, thermally insulated from detection electrodes, and manufacturing and operating methods therefor

Номер патента: US6974693B2. Автор: Flavio Villa,Gabriele Barlocchi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-12-13.

Implant capable of releasing drug, and manufacturing and usage methods therefor

Номер патента: EP3753530B1. Автор: Christian Xinshuo FANG,Wing Fung Edmond YAU,Sze Yi MAK,Ching Hang Bob YUNG. Владелец: Koln Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Implant capable of releasing drug, and manufacturing and usage methods therefor

Номер патента: EP3753530C0. Автор: Christian Xinshuo FANG,Wing Fung Edmond YAU,Sze Yi MAK,Ching Hang Bob YUNG. Владелец: Koln Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Steel plate for torsion beam and manufacturing method therefor, and torsion beam and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230295787A1. Автор: FENG Yang,Jintao Wang,Jun Han,Yulong Zhang,Chunsu LIU,Yaping NI,Ruodong LU,Tongwen YU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Sulfur-added graphite steel wire rod, steel wire and graphite steel, which have excellent cutting performance, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4394072A1. Автор: Sangwoo CHOI. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Vehicle seat and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180001807A1. Автор: Hideki Kamata,Ayaru Sasaki. Владелец: Tachi S Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Steel plate for torsion beam and manufacturing method therefor, and torsion beam and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4180548A1. Автор: FENG Yang,Jintao Wang,Jun Han,Yulong Zhang,Chunsu LIU,Yaping NI,Ruodong LU,Tongwen YU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Microneedle patch, manufacturing mold therefor, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240091515A1. Автор: Yun-Pei Yang. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Steel sheet having high strength and high toughness, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386102A1. Автор: Young-Jae Park,Je-Wook JANG,Sun-Woo Lim,Seong-Ju Hong. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Anhydrous sugar alcohol flakes and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200262841A1. Автор: Hoon Ryu,Jun Seop Im,Hyuk Min Park. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Anhydrous sugar alcohol flakes and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3689880A1. Автор: Hoon Ryu,Jun Seop Im,Hyuk Min Park. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Anhydrous sugar alcohol flakes and manufacturing method therefor

Номер патента: US10919907B2. Автор: Hoon Ryu,Jun Seop Im,Hyuk Min Park. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Anisotropic nanoparticles containing semiconductor compounds of group iii and group v elements and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230331553A1. Автор: Sungjee Kim,Yongju Kwon,Gyuhyun BANG. Владелец: Postech Research And Business Development Foudation. Дата публикации: 2023-10-19.

Calcium-containing graphite steel having excellent machinability, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4421201A1. Автор: Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Novel supramolecular self-assembly, carbon nitride and photocatalyst using same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240123431A1. Автор: Byeong Kyu Lee,Milad JOURSHABANI. Владелец: UNIVERSITY OF ULSAN FOUNDATION FOR INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2024-04-18.

Plated steel sheet having excellent strength, formability and surface quality, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4249619A1. Автор: Yu-Mi Ha,Jun-Sung YEOM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Composition for tissue repair and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3100186C. Автор: Jun Bae Kim,Jae Won Yu,Myung Seob Shim. Владелец: Dexlevo Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Highly thick steel material having excellent low-temperature impact toughness and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021410309A9. Автор: Dae-woo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Eco-friendly heat-shielding film using non-radioactive stable isotope and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3778733A1. Автор: Tai-Gyeong Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-17.

Metal material for storage container for high-purity hydrogen fluoride, having improved scratch resistance, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240052494A1. Автор: Young-Ha SONG,Young-Bom KIM. Владелец: Sk Specialty Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

High-yield ratio high-strength steel plate having excellent impact resistance after cold forming and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4435135A1. Автор: Sung-il Kim,Hyun-taek NA. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Ultrahigh-strength steel sheet with excellent bendability and stretch flangeability, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4431630A1. Автор: Dong-wan Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Austenitic stainless steel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4431631A1. Автор: Seokweon SONG,Minam PARK. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Wire rod for concrete reinforced steel fiber, steel fiber, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4265769A1. Автор: Jaeseung LEE,Yo-Sep Yang,Manjae LEE,Je-Wook JANG. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Highly thick steel material having excellent low-temperature impact toughness and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021410309B2. Автор: Dae-woo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Steel sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4450665A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Seong-Ho Han,Yong-Hoon Choi. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Highly thick steel material having excellent low-temperature impact toughness and manufacturing method therefor

Номер патента: US12134800B2. Автор: Dae-woo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Golf ball having formed therein hit line for making fade shot or draw shot, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09925421B2. Автор: Young Jun Kim. Владелец: ACEGOLF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Recycled asphalt concrete with minimized amount of flat and elongated particles, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09884786B2. Автор: Hee Jung PARK. Владелец: JUNGANG ASCON Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Carbon frame and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4043191A1. Автор: Eui Bae Moon. Владелец: GET2GET COM. Дата публикации: 2022-08-17.

Epoxy resin laminate reinforced by means of carbon-basalt hybrid fibers and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240343869A1. Автор: Weifu SUN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2024-10-17.

Automatic Forming Machine for Paper-Plastic Product and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240018727A1. Автор: Tzung-Shen Lai,Ri-Hua Rao,Zhen-Jian Li. Владелец: Foshan City Meiwanbang Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Structural energy-saving, heat-insulated and decorative integrated plate and manufacturing method therefor

Номер патента: US12031326B2. Автор: Chengyun Zhao. Владелец: Changda Construction Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Low-carbon low-alloy q&p steel or hot-dip galvanized q&p steel with tensile strength greater than or equal to 1180 mpa, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240167130A1. Автор: Jun Li,Jian Wang,Junfei Wang,Xiaofeng Du,Geng Liu,Zhanhong MAO. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

High-strength anti-collapse oil casing and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4130327A1. Автор: Zhonghua Zhang,Jiaming LIU,Weiguo Yang,Xiaoming Dong. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Anti-Collapse Oil Casing with High Strength and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20230211396A1. Автор: Zhonghua Zhang,Jiaming LIU,Weiguo Yang,Xiaoming Dong. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Environment-Friendly Heat Shielding Film Using Non-radioactive Stable Isotope and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210246278A1. Автор: Tai-Gyeong Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-12.

Sealing device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4403803A1. Автор: Xin Liu,Yuelin Zhang. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-07-24.

High strength cold rolled steel sheet having excellent surface quality and low mechanical property deviation and manufacturing method of same

Номер патента: EP4407059A1. Автор: Sung-il Kim,Chang-Hyo Seo,Joo-Hyun Ryu. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Wire rod having excellent drawability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240254588A1. Автор: Dae-Hwan Kim,Jae-Seung Lee,In-Gyu Park,Byoung-Gab LEE,Se-hee Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Strip steel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4446451A1. Автор: XING Wei,Yanliang ZHAO,Yigang DAI. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Tin plate and manufacturing method therefore

Номер патента: EP4459001A1. Автор: Yifeng Song,Chongxiang YUE,Xiaohan XU,Haotian Lan. Владелец: Zhangjiagang Yangtze River Cold Rolled Plate Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Biodegradable cross-linked polymer, vascular stent and manufacturing methods therefor

Номер патента: US09951178B2. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Qiyi Luo,Hongyan Jiang,Juan HOU,Yahong Kang. Владелец: Shanghai Micoport Medical (group) Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal matrix self-lubricating composite and manufacturing method therefor

Номер патента: US09835199B2. Автор: Zhihua Sun,Zhongquan LU. Владелец: Zhejiang Changsheng Sliding Bearings Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Carboxylic acid ester/carbamate compound with polymerizable functional group and fluorine atom group, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09604918B2. Автор: Sunao Ikeda,Takuhiro MIYAMURA,Keisuke KOKINN. Владелец: Unimatec Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Ceramic microfluidic reactor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4000726A1. Автор: Oh Jin Ho,Do Hyun Kim,Hyung Il Choi. Владелец: M O P Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Retainer for rolling bearing and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020003912A1. Автор: Junya Ooitsu. Владелец: Koyo Seiko Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Aramid dope-dyed yarn and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4353879A1. Автор: Ju Hyun Lee,Jeong Sam Kim. Владелец: Toray Advanced Materials Korea Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Low-carbon low-cost ultra-high-strength multiphase steel plate/steel strip and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020416427A1. Автор: LI Wang,Cheng Wang,Yulong Zhang,Xinyan JIN,Hanlong ZHANG,Xinping MAO,Yiqiang Sun,Shuize WANG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Low-carbon low-cost ultra-high-strength multiphase steel plate/steel strip and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4086363A1. Автор: LI Wang,Cheng Wang,Yulong Zhang,Xinyan JIN,Hanlong ZHANG,Xinping MAO,Yiqiang Sun,Shuize WANG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bump stopper and manufacturing method therefor

Номер патента: US20140284859A1. Автор: Tatsuo Yamada,Kenji Nobusue. Владелец: Fukoku Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Dental orthodontic appliance and design method and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020419367A1. Автор: Gang Shen,Gang Wu,Tao Guo,Xingxing Wang,Sensen Yang,Jianyu JIANG,Te WANG,Ziqing Xu,Huimin ZHUANG,Tingting WEI. Владелец: Taikang Bybo Dental Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Lyocell material with modified cross section, cigarette filter, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3241436A1. Автор: Jeong Hun Lee,Bong Su Cheong,Yeong Nam Hwang,Jong Cheol Jeong,Sang Woo Jin,Kyengbae MA,Seung Dong SEO,Sunghoon HA,Jin-Chul YANG. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Ferritic stainless steel having improved corrosion resistance and magnetic properties, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4407061A1. Автор: Kyunghun KIM,Munsoo LEE,Kayoung CHOI. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Aramid dope-dyed yarn and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240271330A1. Автор: Ju Hyun Lee,Jeong Sam Kim. Владелец: Toray Advanced Materials Korea Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated flywheel with together cylinders and manufacturing method therefor

Номер патента: US11745826B2. Автор: Tao Xie,Hui Xue,Lang WANG,Xiaoran ZHENG,Jizhou OU,Yaoyao HUANG. Владелец: Hunan Sroad Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

High-strength cold rolled steel sheet having high hole expansion ratio, highstrength hot-dip galvanized steel sheet, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US11753693B2. Автор: Young-Roc Im,Jong-Chan Park,Min-Seo KOO,Jai-Hyun Kwak. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Large-size diesel engine air valve and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4424857A1. Автор: Xiaolin Zhang,Hong Lu,Weiwei Dai,Lihe JIANG,Guozheng QUAN. Владелец: Cosco Shipping Marine Equipment & Spares Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Airboat and manufacturing method therefor

Номер патента: LU503847B1. Автор: Lin Jia,Ye Tian,Shu Wang,Dandan Wang,Xiaodan Wang,Zhongyang Zhang. Владелец: Fushun Fuyun Anyi Lifesaving Equip Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-05.

High-magnetic-induction low-iron-loss non-oriented silicon steel sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: US12104215B2. Автор: Feng Zhang,Shishu Xie,Zhenyu Zong,Xianshi Fang. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Low-yield-ratio, easy-to-weld and weather-proof bridge steel and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2022457248A1. Автор: Tao Zhang,Zhe Zhang,Ying Yang,Wenbo Ji,Yiqing Chen,Yubo Wang,Xinling LI,Huaxing HOU,Tianzi LIN,Ruogang WANG. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semipermeable membrane and manufacturing method therefor

Номер патента: US09486745B2. Автор: Takao Sasaki,Takashi Yoshino,Kentaro Takagi,Kiyohiko Takaya,Yutaro Suzuki,Takeharu Inoue,Tomoko Mitsuhata. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Paper handle for box, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12024344B2. Автор: Soung Yeob KIM. Владелец: Dong Bang Plus Paper. Дата публикации: 2024-07-02.

Pipeline assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: ZA202310445B. Автор: Ratnam Sri Skanda Rajah S. Владелец: Ratnam Sri Skanda Rajah S. Дата публикации: 2024-05-30.

Heart valve clamp and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4382080A1. Автор: YANG Zhao,Xiaojian LIU,Yuxin Zhang. Владелец: Shanghai Shape Memory Alloy Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Heat sink paste, heat sink film and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240182769A1. Автор: Ji Hye Kim,Hyung Jun Koo,Akyildiz KUBRA. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-06-06.

Cover and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020355366A1. Автор: JI Tong,Jinmeng LI,Zhijia Liu. Владелец: Be Green Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Hot-rolled steel sheet for hyper tube and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4397780A1. Автор: Han-Sung Kim,Hong-Seok Yang,Jeong-Uk Lee,Heung-ju KIM,Seung-Min La. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Steel with excellent weather resistance at the seaside atmosphere, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP1825014A1. Автор: Hwan-Gyo POSCO JUNG,Jang-Yong POSCO YOO,Kyung-Keun POSCO UM,Eui-Gyeong POSCO JUNG,Jong-Kyo POSCO CHOI,Jae-Sang POSCO LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

980 mpa-grade ultra-low-carbon martensite and retained austenite ultra-high hole expansion steel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230304121A1. Автор: Chen Zhang,FENG Yang,Huanrong WANG,Ana YANG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

High-strength low-carbon martensitic high hole expansion steel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4206350A1. Автор: Chen Zhang,FENG Yang,Ming Wang,Huanrong WANG,Yaping NI,Ana YANG,Mingzhuo BAI. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Real-Time Blood Glucose Monitoring Apparatus and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240156373A1. Автор: PAN Zheng,FEI Yu,Guodong Wang,Zhe Song. Владелец: Microtech Medical Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Iron-aluminum-based plated steel sheet for hot press forming, having excellent hydrogen delayed fracture properties and spot welding properties, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230041587A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Yeol-Rae Cho. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-polymeric tacrolimus drug-eluting stent and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210170076A1. Автор: Jun Kyu Park,In Soo Kim,Jae Won Shim,Dae Sung Park,So Youn Lee,Myung Ho Jeong,Doo Sun SIM,Kyung Seob Lim,In-Ho Bae,Eun Jae Jang. Владелец: CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY HOSPITAL. Дата публикации: 2021-06-10.

High strength hot-rolled steel sheet having excellent formability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240254585A1. Автор: Tae-Jin Song,Won Hur. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Rubber particles, composite particles, and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP4414396A1. Автор: Shunji Aoki,Shoji Okabe,Yoshinori Inokuchi,Kazuyuki Takewaki,Takahito OKI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

High strength synthetic bone for bone replacement for increasing ompressive strength and facilitating blood circulation, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170065740A1. Автор: Kyeong Jun Park,Seok Bong Park,Jae Oh Shin. Владелец: Ossein Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Zinc plated steel sheet having excellent surface quality and spot weldability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12054801B2. Автор: Ki-Cheol KANG,Sang-Ho UHM,Chung-Hwan LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Ultra-high-strength hot-rolled steel sheet, steel pipe, member, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240209467A1. Автор: Yeol-Rae Cho,Hwan-Goo Seong,Seong-Beom BAE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Air exhaust or air-and-smoke exhaust pipe for clean room and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200208003A1. Автор: WEI Liu,Chang-Tzu Yu,Jiuxiao SUN. Владелец: Changzhou Bamstone Composites Co ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Wire rod for concrete reinforcing steel fiber, steel fiber, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240043949A1. Автор: Jaeseung LEE,Yo-Sep Yang,Manjae LEE,Je-Wook JANG. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Easy-print packaging sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240278965A1. Автор: Kongmeng Ye. Владелец: Jiangsu Qingyun New Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Highly corrosion-resistant plated steel sheet having excellent corrosion resistance and surface quality, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240263291A1. Автор: Il-Ryoung Sohn,Kwang-Won Kim,Myung-Soo Kim,Tae-Chul Kim,Sung-Joo Kim,Yong-Kyun Cho,Sang-Tae Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Steel wire with improved drawability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240117459A1. Автор: Choongyeol LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Hot rolled steel having low compressive strength loss after being processed into steel pipe, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230416861A1. Автор: Hong-Seok Yang,Seok-Jong SEO,Hak-Jun KIM,Jun-Hak PAK. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nickel-free lpg marine steel plate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230103684A1. Автор: Donghui Li,DongMing DUAN,Yantang Chen. Владелец: Nanjing Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Austenitic steel having excellent ultra-low temperature toughness in weld heat-affected zone, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3239334A1. Автор: Sang-Deok Kang,Soon-Gi Lee. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Heat exchanger and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240310131A1. Автор: Kaijian WANG. Владелец: Zhejiang Ascenrise Heat Pump Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Composite steel plate and concrete structure of tube joint for immersed tube tunnel and manufacturing method therefor

Номер патента: ZA202400579B. Автор: Yong Wang,YU Xu,Guoping Xu,Minghu Liu,Yaopu Ren,Haijia Zhang. Владелец: Cccc Highway Planning And Design Inst Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Steel wire with improved drawability, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4265768A1. Автор: Choongyeol LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Hot-rolled steel for hyper tube and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3241605A1. Автор: Hong-Seok Yang,Seok-Jong SEO,Nam-Il Jo,Jin-Joo CHOI,Seung-Gohn KIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated harness assembly and manufacturing method therefor, automobile, and vehicle

Номер патента: US20240343210A1. Автор: Chao Wang,Yun Miao. Владелец: Jilin Zhong Ying High Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Polyimide powder with improved conductivity using graphene and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4442730A1. Автор: Ho Sung Lee,Ik Sang LEE,Min Seok Yang. Владелец: PI Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Thick low-carbon-equivalent high-toughness wear-resistant steel plate and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020467306A9. Автор: XIN Wang,Xin Ge,Jianfeng JIN,Qiangjun YAN,Qingchun LI,Biaokai HUANG,XiaoRong LEI. Владелец: Nanjing Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Worm wheel of steering system speed reducer, and manufacturing method therefor

Номер патента: US12103606B2. Автор: Jong Han Kim. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Zinc plated steel sheet having excellent surface quality and spot weldability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240368724A1. Автор: Ki-Cheol KANG,Sang-Ho UHM,Chung-Hwan LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Calcium carbonate composition for ameliorating, preventing and treating osteoporosis, and manufacturing method therefor

Номер патента: US09694031B2. Автор: Sang Jae Park. Владелец: MEDIENCE Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Galvanized steel sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200024744A1. Автор: Hiroyuki Masuoka,Shinichi Furuya,Akira Matsuzaki,Katsuya Hoshino. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Cover and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4035570A1. Автор: JI Tong,Jinmeng LI,Zhijia Liu. Владелец: Be Green Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

High strength hot-rolled steel sheet having excellent formability, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386103A1. Автор: Tae-Jin Song,Won Hur. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Cover and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3152094A1. Автор: JI Tong,Jinmeng LI,Zhijia Liu. Владелец: Be Green Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

The processed tofu containing raw materials other than soybeans and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200375209A1. Автор: Su Jin Bae,Yeo Jin Kim,Hong Wook Park,Woo Kyung CHUNG. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2020-12-03.

High-yield-ratio ultra-high-strength steel sheet having excellent thermal stability, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230392228A1. Автор: Sung-il Kim,Hyun-taek NA,Chan-Woo BANG. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

980 mpa-grade full-bainite ultra-high hole expansion steel and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230323502A1. Автор: Chen Zhang,FENG Yang,Huanrong WANG,Yaping NI,Ana YANG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Real-time blood glucose monitoring apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4316369A1. Автор: PAN Zheng,FEI Yu,Guodong Wang,Zhe Song. Владелец: Microtech Medical Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Pipeline assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4337880A1. Автор: Sri Skanda Rajah S. Ratnam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-20.

Ferritic stainless steel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4403663A1. Автор: Sooho Park,Jiwoong JUN,Jeehyun YU,Hoihun KIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Environmentally-friendly quartz composite board and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240208863A1. Автор: Cheng-Hsuan Lai. Владелец: Queen Ceramic Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Heat exchanger and manufacturing method therefor, electric control box, and air conditioning system

Номер патента: EP4283201A1. Автор: Feng Li,Zhaohui Li,Yuzhao LUO. Владелец: GD Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Fire extinguishing air bubble film filled with gaseous fire-extinguishing medium, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230150224A1. Автор: Haijun Zhang. Владелец: Civil Aviation University of China. Дата публикации: 2023-05-18.

Pipeline assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240218945A1. Автор: Sri Skanda Rajah S. Ratnam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Iron-aluminum-based plated steel sheet for hot press forming, having excellent hydrogen delayed fracture properties and spot welding properties, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220040957A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Yeol-Rae Cho. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Lightweight sandwich steel sheet using polyamide, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200384725A1. Автор: Do Kyoung Kim,Jin Seo Lee,Kyoung Won YIM,Seung Hoe Do,Hye Yeon Lee,Dae Hak Kim,Kyung Ho Kwon. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Lightweight sandwich steel sheet using polyamide, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3711944A1. Автор: Do Kyoung Kim,Jin Seo Lee,Kyoung Won YIM,Seung Hoe Do,Hye Yeon Lee,Dae Hak Kim,Kyung Ho Kwon. Владелец: Hanwha Chemical Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Highly anticorrosive martensitic stainless steel, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3171590A1. Автор: Yongho Kim,Byoung-Jun Song,Gyujin JO,Junghyun Kong,Seongin Jeong. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Austenitic steel having excellent ultra-low temperature toughness in weld heat-affected zone, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3236520A1. Автор: Sang-Deok Kang,Soon-Gi Lee,Jong-Kyo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Environment-friendly flame-retardant rubber composite with high weatherability and manufacturing method therefor

Номер патента: ZA202311461B. Автор: Yan Zhang,Jian Wang,JIN Wang,Xuemei WEI,Zhenyu Zhou,Changjiang SONG,Xin Song,Luhai Yuan,Mianyong Dou. Владелец: ANHUI ZHONGYI RUBBER BELTS Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High-strength steel sheet having excellent hole expandability and ductility and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240287639A1. Автор: Sung-Kyu Kim,Sang-Ho Han,Jun-Ho Park,Kyoung-Rae Cho. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-strength and thick steel sheet having excellent hole expandability and ductility, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411013A1. Автор: Sung-Kyu Kim,Jeong-hun Kim,Sang-Ho Han,Jun-Ho Park,Kyoung-Rae Cho. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Refrigeration apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2022267431A1. Автор: Xiaobing Zhu,Jianquan Chen,Yanbin WAN. Владелец: Qingdao Haier Refrigerator Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Polyurethane foam and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240279380A1. Автор: Jung Ho Ryu,Jeong Min HONG,Ho Seok HAN. Владелец: Sk Pucore Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-slip cold-resistant loop mat and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240268588A1. Автор: Tsong Ming Yaw. Владелец: Taicang All Mats Plastic Industry Co ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Implantable microneedle and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240108817A1. Автор: Young Jun Hwang,Seung Yun Yang,Sang-Gu Yim. Владелец: Snvia Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Heat exchanger and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240318920A1. Автор: Kaijian WANG. Владелец: Zhejiang Ascenrise Heat Pump Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Hot rolled steel having low compressive strength loss after being processed into steel pipe, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4261303A1. Автор: Hong-Seok Yang,Seok-Jong SEO,Hak-Jun KIM,Jun-Hak PAK. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Easy-print packaging sheet and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4410882A1. Автор: Kongmeng Ye. Владелец: Jiangsu Qingyun New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Room-temperature zero-sucrose yogurt and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2023348703A1. Автор: Yanliang Zhang,Hongxia Liu,Yanrong GUO,Yunyun Jiang,Xudong Feng,Xiuying Wu,Mengxuan LAI. Владелец: Inner Mongolia Mengniu Dairy Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Gas diffusion layer for anion exchange membrane electrolysis and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4442865A1. Автор: Sung Gap Im,Jin Ryu,Eui-Duk Kim,Myung Seok OH,Hyojin JEON,Do Heung KIM,Joung Hoon Park,Sarang PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-10-09.

Thick low-carbon-equivalent high-toughness wear-resistant steel plate and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2020467306B2. Автор: XIN Wang,Xin Ge,Jianfeng JIN,Qiangjun YAN,Qingchun LI,Biaokai HUANG,XiaoRong LEI. Владелец: Nanjing Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Dental glass ionomer cement composition and manufacturing method therefor

Номер патента: AU2021423188A1. Автор: Ji Yeong Kim,Woo Jin Choi,Sung Hwan Choi,Jae Sung Kwon,Jin Kee HONG,Ji Young Seo. Владелец: Hass Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Steel and steel wire, which are for spring, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240344185A1. Автор: Youngsoo CHUN,Myungsoo CHOI,Kwanho KIM,Seokhawan CHOI. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Ultrahigh-strength hot-rolled steel sheet having excellent formability and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4438762A1. Автор: Joo-Hyun Ryu,Je-Woong LEE,Tae-Jin Song. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Ultra-high strength steel sheet having excellent bendability, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4450670A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Implantable microneedle and manufacturing method therefor

Номер патента: US11938308B2. Автор: Young Jun Hwang,Seung Yun Yang,Sang-Gu Yim. Владелец: Snvia Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

500 MPA grade longitudinally-welded steel pipe with low yield ratio and manufacturing method therefor

Номер патента: US09663840B2. Автор: Huaizhong Wang,Qijiang Wang,Qingchao Tian,Hongde Shi. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Antimicrobial multilayer knit fabric having air layer, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210198818A1. Автор: Jang Whan Kim. Владелец: Lsk Finetex Co ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Foamed fabric structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3674460A1. Автор: Yih Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Seamless steel tube resistant to carbon dioxide corrosion and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240247350A1. Автор: Zhonghua Zhang,Suzhen LUO,Yameng Qi. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Saltcore for die-casting with aluminum and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180178271A1. Автор: Ji-Yong Lee,Cheol-Ung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-oriented electrical steel plate with good magnetic performance and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4435131A1. Автор: BO Wang,Feng Zhang,Guobao Li,Xianshi Fang,Xuejun LYU,Yeqiao GU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Steel plate for advanced nuclear power unit reactor core shell cylinder and manufacturing method for steel plate

Номер патента: EP4461839A1. Автор: Yong Wang,Chu Wang,Xinling LI,Jiangtao DUAN,Diandong SUN,Jingong CONG,Fangfang AI,Yupu BAI,Enjun FANG. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Ferritic stainless steel having improved magnetic properties and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394075A1. Автор: Hak Kim,Jieon PARK,Kyunghun KIM,Munsoo LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Implant capable of releasing drug,and manufacturing and usage methods therefor

Номер патента: GB202406756D0. Автор: . Владелец: Koln Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Non-volatile semiconductor memory cell structure and its manufacturing method

Номер патента: TW507358B. Автор: Ching-Sung Yang,Ching-Shiang Shiu,Shr-Jie Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

Composite light-weight floor board and manufacture and installation method therefor

Номер патента: JPH1018491A. Автор: Tsuguhiko Yoshino,Michiaki Kondou,理昭 近藤,次彦 吉野,Yoshitaka Namikawa,吉孝 南川,Yukitake Kitano,幸壮 北野. Владелец: CHUO BUILD IND. Дата публикации: 1998-01-20.

ATOM PHASE-CONTROLLED DOUBLE REPHASING-BASED QUANTUM MEMORY AND DOUBLE-REPHASED PHOTON ECHO METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130182303A1. Автор: HAM Byoung Seung. Владелец: INHA-INDUSTRY PARTNERSHIP INSTITUTE. Дата публикации: 2013-07-18.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SQUARE-CELL BATTERY AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003528A1. Автор: Tani Yuji,Maeda Hitoshi,Fujiwara Masayuki,Shinyashiki Yoshitaka,Kusukawa Masao,Funahashi Atsuhiro. Владелец: SANYO ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLTEN Al PLATED STEEL WIRE AS WELL AS STRANDED WIRE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: SG10201811560WA. Автор: Yasunori Hattori,Takeshi Shimizu,Tadaaki Miono,Shinichi Kamoshida. Владелец: Nisshin Steel Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Pipeline assembly and manufacturing method therefor.

Номер патента: OA21422A. Автор: Sri Skanda Rajah S. Ratnam. Владелец: Sri Skanda Rajah S. Ratnam. Дата публикации: 2024-06-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.