Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US20190326441A1
Опубликовано: 24-10-2019
Автор(ы): Guo Bin Yu, Xiao Ping Xu
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-10-2019
Автор(ы): Guo Bin Yu, Xiao Ping Xu
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.