Semiconductor device and method of manufacture
Номер патента: US11923302B2
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Chin-Chou Liu, Fong-Yuan Chang, Ming-Fa Chen, Noor Mohamed ETTUVEETTIL, Po-Hsiang Huang, Sen-Bor Jan, Yi-Kan Cheng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-03-2024
Автор(ы): Chin-Chou Liu, Fong-Yuan Chang, Ming-Fa Chen, Noor Mohamed ETTUVEETTIL, Po-Hsiang Huang, Sen-Bor Jan, Yi-Kan Cheng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Analog-cells-boundary region with buried power grid segment, semiconductor device including same and method of manufacturing same
Номер патента: US20240014136A1. Автор: Amit KUNDU,Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Yu-tao YANG,Chung-Ting Lu,Wen-Shen Chou,Ming-Cheng SYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.