Method of forming an overlay key in a semiconductor device
Номер патента: KR100941805B1
Опубликовано: 10-02-2010
Автор(ы): 전성민
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-02-2010
Автор(ы): 전성민
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of measuring overlay accuracy using an overlay key
Номер патента: KR100715280B1. Автор: 유도열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-08.