Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems
Номер патента: US20240349478A1
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Chunhua Yao, Efe S. Ege, Fatma Arzum Simsek-Ege, Scott L. Light
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Chunhua Yao, Efe S. Ege, Fatma Arzum Simsek-Ege, Scott L. Light
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions
Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.