Method of processing for selective epitaxial growth in semiconductor device
Номер патента: KR100368318B1
Опубликовано: 24-01-2003
Автор(ы): 주성재
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-01-2003
Автор(ы): 주성재
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor
Номер патента: WO2008125609A1. Автор: Robert Maier,Pietro Foglietti,Manfred Schiekofer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-10-23.