• Главная
  • Method of processing for selective epitaxial growth in semiconductor device

Method of processing for selective epitaxial growth in semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Selective epitaxial growth method and film forming apparatus

Номер патента: US09797067B2. Автор: Daisuke Suzuki,Satoshi Onodera,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Epitaxial growth method for silicon carbide

Номер патента: US20180266012A1. Автор: Wataru Ito,Tatsuo Fujimoto,Takashi Aigo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-09-20.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for building thin films by epitaxial growth

Номер патента: DE2214404A1. Автор: Alfred Yi New Providence N.J. Cho (V.StA.). Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-09-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers

Номер патента: WO2006041630A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Low temperature selective epitaxial growth of silicon germanium layers

Номер патента: EP1800331A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of forming a germanium layer on a silicon substrate

Номер патента: US09508889B2. Автор: Martin Green,Xiaojing Hao,Chao-Yang Tsao. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Synthesis method of ssz-39 using modified reaction composition

Номер патента: RU2735527C1. Автор: Роджер МОЛТОН,Чарльз Б. ЛИТТЛ. Владелец: Сачем, Инк.. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of wet coal processing for electrical power generation based upon moisture measurements

Номер патента: US11873459B2. Автор: Michael Gerard Dorsch. Владелец: Martlin Distributing LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of Wet Coal Processing for Electrical Power Generation Based upon Moisture Measurements

Номер патента: US20210324284A1. Автор: Michael Gerard Dorsch. Владелец: Martlin Distributing LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyrrolidine polymers

Номер патента: US20200329706A1. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Debogy Molecular Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyridine polymers

Номер патента: US20190166836A1. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Houssam BOULOUSSA. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyridine polymers

Номер патента: US20210352898A1. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Debogy Molecular Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyridine polymers

Номер патента: US11019819B2. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Debogy Molecular Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyridine polymers

Номер патента: US10743539B2. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Debogy Molecular Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Method for promoting gonadal growth in an animal

Номер патента: US20040242525A1. Автор: Takashi Yoshimura,Shizufumi Ebihara. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2004-12-02.

Ex-vivo culture system and methods of using same

Номер патента: US20240228976A1. Автор: Nancy GAVERT,Ravid STRAUSSMAN. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Insulation systems and methods of depositing insulation systems

Номер патента: US20200347509A1. Автор: Anil Raj Duggal,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Weijun Yin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-11-05.

Aptamer Compositions and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20190201552A1. Автор: Hong Yan Liu. Владелец: Augusta University Research Institute Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Method of controlling acetic acid process

Номер патента: NZ561157A. Автор: Lun-Kuang Liu,Shrikant U Kulkarni,James M Cawood Jr. Владелец: Celanese Int Corp. Дата публикации: 2010-12-24.

Method of CVD plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus

Номер патента: US09909215B2. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Hydroprocessing catalyst, method of making, and process for treating heavy hydrocarbon feedstocks

Номер патента: US09879187B2. Автор: Opinder Kishan Bhan. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 2018-01-30.

Ex-vivo culture system and methods of using same

Номер патента: AU2018248137A1. Автор: Nancy GAVERT,Ravid STRAUSSMAN. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Ex-vivo culture system and methods of using same

Номер патента: US11920162B2. Автор: Nancy GAVERT,Ravid STRAUSSMAN. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ex-vivo culture system and methods of using same

Номер патента: AU2018248137B2. Автор: Nancy GAVERT,Ravid STRAUSSMAN. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Aptamer Compositions and Methods of Use Thereof

Номер патента: US20210162076A1. Автор: Hong Yan Liu. Владелец: Augusta University Research Institute Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Carborane compounds and methods of use thereof

Номер патента: US11771712B2. Автор: Werner Tjarks,Petr Bartunek,David Sedlak. Владелец: Institute of Molecular Genetics CAS. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of using oxygenated metal compounds for selective extraction of lithium salts

Номер патента: US11766630B2. Автор: Sukanta Bhattacharyya,Daniel Sobek. Владелец: 1S1 Energy Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

The removal composition and its method of hard mask are removed for selectivity

Номер патента: CN105874562B. Автор: H·崔. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Imidazo[2,1-b]benzazepine derivatives, compositions and method of use

Номер патента: US5468743A. Автор: Frans E. Janssens,Gaston S. M. Diels,Joseph E. Leenaerts. Владелец: Janssen Pharmaceutica NV. Дата публикации: 1995-11-21.

Method of manufacturing alkylhalosilanes

Номер патента: US4602101A. Автор: Roland L. Halm,Oliver K. Wilding, Jr.,Regie H. Zapp. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

METHODS OF USE AND PROCESSES FOR PREPARING ALCOHOLIC SOLUTIONS OF POLYVINYLPYRIDINE POLYMERS

Номер патента: US20190166836A1. Автор: BOULOUSSA Houssam,BOULOUSSA Othman. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

METHODS OF USE AND PROCESSES FOR PREPARING ALCOHOLIC SOLUTIONS OF POLYVINYLPYRIDINE POLYMERS

Номер патента: US20210352898A1. Автор: BOULOUSSA Houssam,BOULOUSSA Othman. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Methods of use and processes for preparing alcoholic solutions of polyvinylpyrrolidine polymers

Номер патента: US20200329706A1. Автор: Othman Bouloussa,Houssam BOULOUSSA. Владелец: Debogy Molecular Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Metallic material for electronic components, method of working and process for producing thereof

Номер патента: CA2497395A1. Автор: Takashi Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Metallic material for electronic components, method of working and process for producing thereof

Номер патента: CA2669987A1. Автор: Takashi Ueno. Владелец: Dept Corporation. Дата публикации: 2004-03-18.

Catalytic composite, method of manufacture, and process for use

Номер патента: US4364843A. Автор: David H. J. Carlson. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1982-12-21.

Preparation method of alkyllactate and process for preparing lactamide using the same

Номер патента: KR101292329B1. Автор: 윤성철,박승영,이인수. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2013-08-01.

Manufacturing method of coated particles (PROCESS FOR PRODUCING COATED PARTICLES)

Номер патента: KR970700634A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-02-12.

Method of dehydration in process for manufacturing terephthalic acid

Номер патента: KR101897344B1. Автор: 장지영. Владелец: 장지영. Дата публикации: 2018-09-10.

Method of using antibody-liposome complexes for selecting a pool of molecules

Номер патента: US09465032B2. Автор: Hardy W. Chan,Chi-Ying Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2016-10-11.

A method of audio signal processing for a loudspeaker located close to an ear

Номер патента: EP1275269A2. Автор: Alastair Sibbald. Владелец: Central Research Laboratories Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of iterative signal processing for cdma interference cancellation and ising perceptrons

Номер патента: EP1864192A1. Автор: David Saad,Juan Pablo Neirotti. Владелец: Aston University. Дата публикации: 2007-12-12.

Method of iterative signal processing for cdma interference cancellation and ising perceptrons

Номер патента: WO2006097754A1. Автор: David Saad,Juan Pablo Neirotti. Владелец: Aston University. Дата публикации: 2006-09-21.

Apparatus and methods of infrared signal processing for motion detectors

Номер патента: GB201220123D0. Автор: . Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-12-26.

Apparatus and methods of infrared signal processing for motion detectors

Номер патента: GB2496513B. Автор: Yang Chen,Terry Zhao,Hansen Gu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-01-29.

Method of and a coordinator device for selectively commissioning a node device in network

Номер патента: US12028175B2. Автор: Jun Yao,Zhizhong Zhang,Peiliang DONG. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-07-02.

A method of audio signal processing for a loudspeaker located close to an ear

Номер патента: EP1319323A2. Автор: Alastair Sibbald. Владелец: Central Research Laboratories Ltd. Дата публикации: 2003-06-18.

Method of producing 2,5-furandicarbonic acid

Номер патента: RU2640203C2. Автор: Александра Сэнборн. Владелец: Арчер Дэниелс Мидлэнд Компани. Дата публикации: 2017-12-27.

Method of producing bread kvass

Номер патента: RU2600623C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing bread kvass

Номер патента: RU2600626C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing bread kvass

Номер патента: RU2600625C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of producing bread kvass

Номер патента: RU2601016C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of submerged reservoirs processing

Номер патента: RU2507387C2. Автор: Ральф Эдмунд ХАРРИС. Владелец: Клинсорб Лимитед. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of controlling acetic acid process

Номер патента: RS52154B. Автор: Lun-Kuang Liu,Shrikant U. Kulkarni,James M. Cawood. Владелец: Celanese International Corporation. Дата публикации: 2012-08-31.

Processes for the removal and recovery of minor elements in wet-process phosphoric acid

Номер патента: US09573810B2. Автор: William W. Berry,Thomas E. BAROODY. Владелец: K Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and apparatus for selective deposition

Номер патента: US09385219B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Tristan MA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

An automated method for selecting microbial strains which can degrade or emulsify oil

Номер патента: CA2974795C. Автор: Hans Kristian Kotlar,Ane KJØLHAMAR,Anita Skarstad. Владелец: Equinor Energy AS. Дата публикации: 2023-08-08.

Improved method of processing vegetable material, containing pectin

Номер патента: RU2336280C2. Автор: Ян О. Стаунструп КРИСТЕНСЕН. Владелец: Кп Келько Апс. Дата публикации: 2008-10-20.

Methods for selecting eukaryotic cells, expressing heterologous protein

Номер патента: RU2551229C2. Автор: КНОПФ Ханс-Петер,ЙОСТОК Томас. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of phosphate ore processing

Номер патента: RU2353577C2. Автор: Мохамед ТАКИМ. Владелец: Экофос. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of processing seaweed

Номер патента: CA3160459A1. Автор: Ricky Lee Green,Harold John Vandenburg. Владелец: Vandenburg Harold John. Дата публикации: 2021-05-14.

Method of processing seaweed

Номер патента: EP4055062A1. Автор: Ricky Lee Green,Harold John Vandenburg. Владелец: Alginor Asa. Дата публикации: 2022-09-14.

Method of processing by-product water for optimal beneficial use

Номер патента: CA3112909C. Автор: Marvin NASH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-04.

Use of a composition and a process for selectively etching silicon

Номер патента: US20240282584A1. Автор: Andreas Klipp,Francisco Javier Lopez Villanueva,Sven Hildebrandt. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-08-22.

Technologies for selective source and drain epitaxial growth

Номер патента: US20230253404A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728431B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Shun Matsui,Tadashi Takasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of operating payment device for selectively enabling payment function according to validity of host

Номер патента: US20170091768A1. Автор: Joong Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Headrest for selectively removable spa seatback

Номер патента: US20240245220A1. Автор: Todd Anderson,Michael Andersen,Eric Hales. Владелец: Bullfrog International LC. Дата публикации: 2024-07-25.

Headrest for Selectively Removable Spa Seatback

Номер патента: AU2023202306A1. Автор: Todd Anderson,Michael Andersen,Eric Hales. Владелец: Bullfrog International LC. Дата публикации: 2024-08-08.

The new production method of the substrate for the growing of champignons and other cultivated mushrooms

Номер патента: EP2739130A1. Автор: Kestutis Juscius. Владелец: Uab "Eko Invest". Дата публикации: 2014-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of, and apparatus and computer software for, performing image processing

Номер патента: EP1922695A1. Автор: Geert Kalusche,Yuriy Alexandrov,Iain Bye. Владелец: GE Healthcare UK Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for on-line control of a manufacturing process for a multicomponent sheet material

Номер патента: US09675990B2. Автор: John Ellis,Andrea CABALLERO. Владелец: Hexcel Composites Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of measuring a parameter of a composite moulding material

Номер патента: US09976964B2. Автор: Emilie Fisset,John Ellis,Stuart Munday. Владелец: Hexcel Composites Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Two step vapor-phase epitaxial growth process for control of autodoping

Номер патента: US4894349A. Автор: Yoshiaki Matsushita,Yoshihiko Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-01-16.

Method of growing n-type III-V semiconductor materials on a substrate using SiI4

Номер патента: US5821155A. Автор: Shigekazu Izumi,Yutaka Uneme. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of thin lightshield process for solid-state image sensors

Номер патента: US7402787B2. Автор: Eric G. Stevens,David N. Nichols,Stephen L. Kosman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of thin lightshield process for solid-state image sensors

Номер патента: US20080057617A1. Автор: David Nichols,Eric Stevens,Stephen Kosman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

A method of and a coordinator device for selectively commissioning a node device in network

Номер патента: EP4104420B1. Автор: Jun Yao,Zhizhong Zhang,Peiliang DONG. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of operating payment device for selectively enabling payment function according to validity of host

Номер патента: US11763289B2. Автор: Joong Chui Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of operating payment device for selectively enabling payment function according to validity of host

Номер патента: US10853790B2. Автор: Joong Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of operating payment device for selectively enabling payment function according to validity of host

Номер патента: US20230368178A1. Автор: Joong Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Mask, mask stage, exposure apparatus, method of exposure and process for manufacturing device

Номер патента: TW200834262A. Автор: Tatsuo Fukui. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-08-16.

Cluster tool for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010017192A1. Автор: Sung Lee,Chul Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Flow reversing apparatus and methods of use

Номер патента: MY143711A. Автор: Robert Bucher,Michael Gay,Michael Kenison,Mahmuda Afroz. Владелец: Schlumberger Technology Bv. Дата публикации: 2011-06-30.

GALLIUM ARSENIDE EPITAXIAL GROWTH PROCESS AND GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2386904A1. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1978-11-03.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US5866475A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Method of forming silicide film

Номер патента: US5963829A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

METHODS OF MEASURING SIGNALING PATHWAY ACTIVITY FOR SELECTION OF THERAPEUTIC AGENTS

Номер патента: US20190025287A1. Автор: LAING Lance Gavin,SULLIVAN Brian Francis. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Methods of measuring signaling pathway activity for selection of therapeutic agents

Номер патента: WO2018175251A1. Автор: Lance Gavin LAING,Brian Francis Sullivan. Владелец: Celcuity LLC. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of measuring signaling pathway activity for selection of therapeutic agents

Номер патента: US20230125427A1. Автор: Lance Gavin LAING,Brian Francis Sullivan. Владелец: Celcuity Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods of measuring signaling pathway activity for selection of therapeutic agents

Номер патента: AU2018239989A1. Автор: Lance Gavin LAING,Brian Francis Sullivan. Владелец: Celcuity LLC. Дата публикации: 2019-08-08.

Monitoring diffusion processes in the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: GB1283004A. Автор: Horst Heinz Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-26.

Methods of measuring signaling pathway activity for selection of therapeutic agents

Номер патента: CA3049472A1. Автор: Lance Gavin LAING,Brian Francis Sullivan. Владелец: Celcuity Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Methods of measuring signaling pathway activity for selection of therapeutic agents

Номер патента: EP3602050A1. Автор: Lance Gavin LAING,Brian Francis Sullivan. Владелец: Celcuity Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862587B2. Автор: Mark Gerber. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230178465A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Catalyst and method of manufacture of catalyst designed for selective hydrogenation

Номер патента: PL357069A1. Автор: Jacek Rynkowski,Ewa Gebauer,Raymonde Touroude. Владелец: POLITECHNIKA LÓDZKA. Дата публикации: 2004-05-17.

SYSTEM AND METHOD OF DETERMINING A TOUCH INPUT FOR SELECTING A FEATURE ON A TOUCH DISPLAY

Номер патента: US20170185231A1. Автор: Kornacki James Joseph,Russ Ronald Paul,Mikolajczak Matthew Mark. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Preparation and forming method of color nylon powder material for selective laser sintering

Номер патента: CN109130187B. Автор: 侯帅,罗秋帆,苏婷. Владелец: Hunan Farsoon High Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: NZ574141A. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Anthony Bongiovi. Дата публикации: 2010-05-28.

Method and system for optimizing a process for constructing ultrasound image data of a medium

Номер патента: EP4321900A1. Автор: Thomas FRAPPART,Louise Regnier. Владелец: SuperSonic Imagine SA. Дата публикации: 2024-02-14.

Method and system for optimizing a process for constructing ultrasound image data of a medium

Номер патента: US20240053458A1. Автор: Thomas FRAPPART,Louise Regnier. Владелец: SuperSonic Imagine SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Polishing apparatus, method of polishing and process for producing semiconductor device

Номер патента: WO2004075276A1. Автор: Susumu Hoshino. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2004-09-02.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: CA2576829C. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-07.

Method of examining exposure process for semiconductor device fabrication

Номер патента: KR100816193B1. Автор: 임병진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-03-21.

A method of measuring a parameter of a composite moulding material

Номер патента: US20160299085A1. Автор: Emilie Fisset,John Ellis,Stuart Munday. Владелец: Hexcel Composites Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Cytomimetic formulations and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180169001A1. Автор: Mario De Rosa,Mose Rossi,Mirela Mitan. Владелец: Mitani Group Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

A method of measuring a parameter of a composite moulding material

Номер патента: EP3071960A1. Автор: Emilie Fisset,John Ellis,Stuart Munday. Владелец: Hexcel Composites Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

A method of measuring a parameter of a composite moulding material

Номер патента: WO2015075147A1. Автор: Emilie Fisset,John Ellis,Stuart Munday. Владелец: Hexcel Composites Limited. Дата публикации: 2015-05-28.

Steroidal compositions and method of making and use

Номер патента: US20210236419A1. Автор: Justin Graves,Cody Boatman,Daniel DeNeui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-05.

Steroidal compositions and method of making and use

Номер патента: US20210228480A1. Автор: Justin Graves,Cody Boatman,Daniel DeNeui. Владелец: Farmakeio Outsourcing LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Steroidal compositions and method of making and use

Номер патента: US20220249367A1. Автор: Justin Graves,Cody Boatman,Daniel DeNeui. Владелец: Farmakeio Outsourcing LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of separating vesicle, process for producing medicinal preparation, and method of evaluation

Номер патента: EP2039350A1. Автор: Keisuke Yoshino. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2009-03-25.

Method of radar signal processing for radar system, especially for motor vehicles

Номер патента: DE19912370A1. Автор: Wolfgang Schaller. Владелец: DaimlerChrysler Aerospace AG. Дата публикации: 1999-12-16.

Composite tack film for asphaltic paving, method of paving, and process for making a composite tack film for asphaltic paving

Номер патента: CA2695531A1. Автор: Sugjoon LEE. Владелец: Sugjoon LEE. Дата публикации: 2009-02-12.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: US20060034471A1. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Anthony Bongiovi. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of making two component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices

Номер патента: TW385522B. Автор: Michael R Ayers. Владелец: Michael R Ayers. Дата публикации: 2000-03-21.

Method of skipping synchronization process for initialization of RAID1 device

Номер патента: US20090138656A1. Автор: Tom Chen,Jian-Zhong Wang,Win-Harn Liu,Zhun Liu. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: WO2006020427A2. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Anthony Bongiovi. Дата публикации: 2006-02-23.

Structure of the dry process for using caisson, Construction method of the dry process for using caisson

Номер патента: KR100689835B1. Автор: 곽승규. Владелец: 곽승규. Дата публикации: 2007-03-08.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: CA2576829A1. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

System for and method of audio signal processing for presentation in a high-noise environment

Номер патента: AU2005274099B2. Автор: Anthony Bongiovi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of manufacturing a substrate for a mask blank, a mask blank, a photomask and a semiconductor device

Номер патента: TW201044105A. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Apparatus and methods of infrared signal processing for motion detectors

Номер патента: US20130112878A1. Автор: Yang Chen,Terry Zhao,Hansen Gu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Systems and Methods of Communication Signal Processing For Downhole Applications

Номер патента: US20160108723A1. Автор: Pietryka Jedrzej,Szewczyk Janusz,Krzeminski Zbigniew,Orlowski Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

METHOD OF INFRARED IMAGE PROCESSING FOR NON-UNIFORMITY CORRECTION

Номер патента: US20150319387A1. Автор: Durand Alain,SARAGAGLIA Amaury. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of machine cutting process for prevention burr

Номер патента: KR100589158B1. Автор: 이봉상. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

METHOD OF CHARACTERIZING A PROCESS FOR MANUFACTURING MOS TRANSISTORS

Номер патента: FR3014267A1. Автор: Bruno Gailhard,Yohan Joly. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2015-06-05.

Method of tracking and processing for gate tube change

Номер патента: KR100489566B1. Автор: 김동진,김명수,김천규,문상운,민영린,정종온. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2005-05-16.

A device and a method of video stream processing for wireless lan

Номер патента: KR100949036B1. Автор: 김용훈. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2010-03-23.

METHOD OF CHARACTERIZING A PROCESS FOR MANUFACTURING MOS TRANSISTORS

Номер патента: FR3014267B1. Автор: Bruno Gailhard,Yohan Joly. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2015-11-13.

Method of sensor cluster processing for a communication device

Номер патента: US20100141399A1. Автор: Charles B. Swope. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus and Method of portrait image processing for style synthesis

Номер патента: KR101653812B1. Автор: 김경민,심현정. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-09-05.

Method of operating and process for fabricating an electron source

Номер патента: US20080095315A1. Автор: Heinz Busta. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

The printing machine and method of untypical printing process for various fabrics

Номер патента: KR100892075B1. Автор: 장병율. Владелец: (주) 도아인더스. Дата публикации: 2009-04-06.

System and method of failure switch processing for automatic responder

Номер патента: CN101207582A. Автор: J·卡登谢维基. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-25.

Method of image dithering process for detecting photo and character automatically

Номер патента: US20050162702A1. Автор: Jim Lin,Alwin Lee. Владелец: Mustek Systems Inc. Дата публикации: 2005-07-28.

A method of performing a process for a parking circuit.

Номер патента: TR201111401A2. Автор: BOGAARD ALBERT,Wentholt Ivo,sadkowski Jacek. Владелец: Parkmobile Usa, Inc.. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of monitoring molding process for hollow or foamed shapes

Номер патента: JPS54123173A. Автор: Hiroshi Kataoka,Kaoru Toyouchi,Hiroshi Iijima. Владелец: Asahi Dow Ltd. Дата публикации: 1979-09-25.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Method of fabricating epitaxial layer

Номер патента: US09748147B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Chun-Jen Chen,Li-Wei Feng,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Yi-Fan Li,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Two-step L-shaped selective epitaxial growth

Номер патента: US12052866B2. Автор: Xiaoxin LIU,Bo Huang,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng,Jiaqian XUE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09590074B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Reducing variation by using combination epitaxy growth

Номер патента: US09425287B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of forming a transistor using selective epitaxial growth

Номер патента: US20050176205A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Ya-Lun Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09425108B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method to improve the Selective Epitaxial Growth (SEG) Process

Номер патента: EP1936670A3. Автор: Matty Caymax,Roger Loo,Frederik Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-05-01.

Trench MOSFET formed using selective epitaxial growth

Номер патента: US20020102786A1. Автор: Joelle Sharp,Gordon Madson. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09337031B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09825044B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09812368B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Device and method of processing

Номер патента: RU2726933C2. Автор: Матиас ЭРХАРД. Владелец: Роде Унд Шварц Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2020-07-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US09728645B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of making semiconductor device by selective epitaxial growth

Номер патента: US5438018A. Автор: Toshihiko Mori,Yoshiki Sakuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Power semiconductor device having a trench gate electrode and method of making the same

Номер патента: WO2001082380A2. Автор: Jun Zeng,Linda Brush. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of and device for removing separate articles or groups of articles from cascade flow

Номер патента: RU2252185C2. Автор: БЕРНИ Клаудио. Владелец: Фераг Аг. Дата публикации: 2005-05-20.

System and method of treating body part

Номер патента: RU2739921C2. Автор: Кин Фатт ФОН,Якоб Хендрик БОТМА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Apparatus and method of processing traffic light information of autonomous vehicle

Номер патента: US20240140429A1. Автор: Taehan Kim. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09741715B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of fabricating local interconnection using selective epitaxial growth

Номер патента: US20040209454A1. Автор: Jin-Ho Choi,Han-Su Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040056274A1. Автор: Toshihiro Wakabayashi,Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices including increased area contacts

Номер патента: US09941277B2. Автор: Changseop YOON,Soon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576796B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548259B2. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of processing data for several operating systems and terminal equipment

Номер патента: RU2662402C2. Автор: Цзиншань СУН,Пин СЮН. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2018-07-25.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240274662A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of controlling warpage in semiconductor package

Номер патента: US09406579B2. Автор: Daesik Choi,Sang Mi Park,Joungin Yang,YiSu Park,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Selective Epitaxy

Номер патента: US20210020522A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Pang-Yen Tsai,Cheng-Long Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method of declarative modeling of a process for automation

Номер патента: US20210063986A1. Автор: Prakash MEHROTRA,Kapil MANSHANI. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09837489B2. Автор: Junichi Uehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653564B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device utilizing selective epitaxial growth under reduced pressure

Номер патента: US4547231A. Автор: Shiro Hine. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of surface interface engineering

Номер патента: US09472416B2. Автор: Chun Yan,Xuefeng Hua,Ping Han Hsieh,Melitta Manyin Hon,Jim Zhongyi He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Locating sub-resolution assist features in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1861802A1. Автор: Sean O'brien,Guohong Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Locating sub-resolution assist features in semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2006091888A1. Автор: Sean O'brien,Guohong Zhang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20080305623A1. Автор: Haoren Zhuang,Helen Wang,Scott D. Halle,Len Yuan Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of processing semiconductor devices

Номер патента: US10825762B2. Автор: Brandon P. Wirz,Jack E. Murray. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method of determining processing condition

Номер патента: US20190369605A1. Автор: Masaru Kurihara,Takeshi Ohmori,Tatehito Usui,Hyakka NAKADA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced number of process steps for capacitor formation

Номер патента: US6762109B2. Автор: Naofumi Murata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Apparatus and method for selectively restricting process fluid flow in semiconductor processing

Номер патента: US20010031560A1. Автор: David Rose. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09899520B2. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: MY138802A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Toru Takayama,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2009-07-31.

Testing of analogue circuits in semiconductor devices

Номер патента: WO1990006521A1. Автор: David Leonard Waller. Владелец: Lsi Logic Europe Plc. Дата публикации: 1990-06-14.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812355B2. Автор: KIMIHIKO Nakatani,HIROSHI Ashihara. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-11-07.

Interlayer dielectric film in semiconductor devices

Номер патента: US09634141B1. Автор: De-Wei YU,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang,Yi-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A3. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor wafer and method of specifying crystallographic axis orientation thereof

Номер патента: US20010020750A1. Автор: Akira Mori,Teiichirou Chiba. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for finfet device

Номер патента: US20180097089A1. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20070035027A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of manufacturing semiconductor chips for display

Номер патента: MY114876A. Автор: Hisao Hayashi,Masumitsu Ino,Masahiro Minegishi,Takenobu Urazono,Shizuo Nishihara,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-02-28.

Method of preparation of iii-v compound layer on large area si insulating substrate

Номер патента: US20170117138A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for forming conductors in semiconductor devices

Номер патента: US20030122162A1. Автор: Gurtej Sandhu,Fernando Gonzalez,Mike Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Devices and methods of forming unmerged epitaxy for FinFET device

Номер патента: US09853128B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of processing wafer-level assemblies to reduce warpage, and related assemblies

Номер патента: US09786612B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of preparation of III-V compound layer on large area Si insulating substrate

Номер патента: US09773670B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Universal method of entry by means of "x, y" coordinates arrangement

Номер патента: RU2400800C2. Автор: Юй-Чих ЧЭН. Владелец: Юй-Чих ЧЭН. Дата публикации: 2010-09-27.

Hybrid method and apparatus for selectively absorbing gases from gas mixture

Номер патента: RU2717533C2. Автор: Луиджи ТОМАСИ. Владелец: Гиаммарко-Ветрококе С.Р.Л.. Дата публикации: 2020-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device having a photon absorption layer to prevent plasma damage

Номер патента: US7026662B2. Автор: Seung-Chul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Method of manufacturing a semicondutor device

Номер патента: US20030104641A1. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Method of Processing By-Product Water for Optimal Beneficial Use

Номер патента: US20240245016A1. Автор: Marvin NASH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for displaying an image, system processing image data, and method of processing image data

Номер патента: US20100115052A1. Автор: Eisaku Ishii. Владелец: NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: US20050085213A1. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Evolium SAS. Дата публикации: 2005-04-21.

A method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: EP1513294A3. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Evolium SAS. Дата публикации: 2005-10-12.

A method of obtaining user data to be transmitted to a network side, and a radio control base station

Номер патента: EP1513294B1. Автор: Masayuki Shinozaki,Yukinori Koba. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2007-10-10.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US12094951B1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US12108585B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240363721A1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective epitaxy using epitaxy-prevention layers

Номер патента: US09947533B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,John A. Ott,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Image capturing apparatus and control method of the same

Номер патента: US09667876B2. Автор: Naomi Mori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09653572B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Il-Ryong Kim,Kwang-Yong Jang,Kwang-You Seo,Seon-ah NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Selective epitaxy using epitaxy-prevention layers

Номер патента: US09530643B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,John A. Ott,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of the absentia eeg automatic evaluation, computer software and evaluation device for this

Номер патента: RU2655133C2. Автор: Артур ШУЛЬТЦ. Владелец: Артур ШУЛЬТЦ. Дата публикации: 2018-05-23.

Self-aligned epitaxial method for the fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US4101350A. Автор: Glen G. Possley,Robert G. Massey,Billy B. Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-07-18.

Method of image dithering process for detecting photo and character automatically

Номер патента: TW200504614A. Автор: Jim Lin,Alwin Lee. Владелец: Mustek System Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Novel Class of Olefin Metathesis Catalysts, Methods of Preparation, and Processes For the Use Thereof

Номер патента: US20120309998A1. Автор: Holtcamp Matthew W.,BEDOYA Matthew S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Herbicidal compounds,compositions,method of use and process for preparation of compounds

Номер патента: ZA823288B. Автор: Michael J Brown,Liu Kou-Chang. Владелец: GAF Corp. Дата публикации: 1983-12-28.

Method of Optimizing a Process For Handling and Transporting Mail in Bins Using Layered Sorting

Номер патента: US20120067790A1. Автор: Tresse Didier,Basset Nicolas,Petit Jacques. Владелец: SOLYSTIC. Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD OF THROUGH MECHANICAL PROCESSING FOR ONE INSTALLED PARTS

Номер патента: SU396181A1. Автор: И. Коников В.. Владелец: . Дата публикации: 1973-08-29.

A method of MMS call processing for pre-paid service subscriber

Номер патента: KR101393426B1. Автор: 조영래. Владелец: 에스케이텔레콤 주식회사. Дата публикации: 2014-05-12.

Method of image dithering process for detecting photo and character automatically

Номер патента: TWI270014B. Автор: Jim Lin,Alwin Lee. Владелец: Transpacific Optics Llc. Дата публикации: 2007-01-01.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TAIL THE MOTION METHOD OF GENERATING SIMULATED STROBE MOTION VIDEOS AND PICTURES USING IMAGE CLONING

Номер патента: US20120002112A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and process for producing CO2 enriched medical foam

Номер патента: US20120004598A1. Автор: Levy Frank. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SCREENING METHOD OF ANTI-LUNG OR ESOPHAGEAL CANCER COMPOUNDS

Номер патента: US20120004172A1. Автор: Nakamura Yusuke,Tsunoda Takuya,Daigo Yataro. Владелец: Oncotherapy Science, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR SELECTING A DATA SOURCE BASED ON A CHANNEL IDENTIFIER

Номер патента: US20120002116A1. Автор: Morris Robert Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FABRICATION PROCESS FOR EMBEDDED PASSIVE COMPONENTS

Номер патента: US20120000064A1. Автор: Bendix Lendon L.,Turner Derek A.. Владелец: TFRI, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINT JOB DATA PROCESSING FOR MULTI-HEAD PRINTERS

Номер патента: US20120001969A1. Автор: PURI Anish N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CERAMICS SHAPED BODY, AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120003464A1. Автор: Uoe Kousuke,Yoshino Hajime,Suzuki Keiichiro. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for Producing Low-Sulfur Gas Oil Fraction, and Low-Sulfur Gas Oil

Номер патента: US20120000823A1. Автор: Sahara Wataru,Nasuno Kazuya,Kousaka Tsukasa. Владелец: JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROCESSING 3D IMAGES, AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20120001904A1. Автор: EYMARD FRANKIE. Владелец: STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS, CONTROL METHOD OF PRINTING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120003023A1. Автор: Igarashi Hiroya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for Producing Recombinant Lyosomal Using Insect Larvae

Номер патента: US20120003715A1. Автор: . Владелец: Bioorganic Research and Services S.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING METHOD OF CONTROLLING IMAGE CONTRAST

Номер патента: US20120001632A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR SELECTING VIDEO CODEC TO BE USED BETWEEN STATIONS

Номер патента: US20120002718A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SELECTING AP IN CONSIDERATION OF NETWORK PERFORMANCE

Номер патента: US20120002560A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF PRODUCING C4 DICARBOXYLIC ACIDS

Номер патента: US20120003708A1. Автор: . Владелец: ARCHER DANIELS MIDLAND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTER MONITORING SYSTEM AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20120000646A1. Автор: . Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

ABSORPTION HEAT PUMP SYSTEM AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000221A1. Автор: Wang Kai,Abdelaziz Omar,Vineyard Edward Allan,ZALTASH Abdolreza. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF AND ARRANGEMENT FOR LINKING IMAGE COORDINATES TO COORDINATES OF REFERENCE MODEL

Номер патента: US20120002840A1. Автор: van Dam Peter Michael,Linnenbank Andreas Christianus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of alloyed carbon-containing coatings

Номер патента: RU2141006C1. Автор: Б.Н. Пыпкин,М.Л. Шупегин. Владелец: Пыпкин Борис Николаевич. Дата публикации: 1999-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.