Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09825044B2
Опубликовано: 21-11-2017
Автор(ы): BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan, Hui Zang
Принадлежит: Globalfoundries Inc, International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09590074B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09812368B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US20170162451A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Structure to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09741715B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09425108B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices by performing nitridation process on exposed Fin ends

Номер патента: US09496133B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method to make dual material finFET on same substrate

Номер патента: US09640536B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A3. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Hardmask formation with hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US20240203795A1. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices including increased area contacts

Номер патента: US09941277B2. Автор: Changseop YOON,Soon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method to improve gate dielectric quality for FinFET

Номер патента: US09911832B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Interlayer dielectric film in semiconductor devices

Номер патента: US09634141B1. Автор: De-Wei YU,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang,Yi-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of co-integration of strained silicon and strained germanium in semiconductor devices including fin structures

Номер патента: US09735160B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Structure and method to minimize junction capacitance in nano sheets

Номер патента: US20170170294A1. Автор: Bruce B. Doris,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Structure and method to minimize junction capacitance in nano sheets

Номер патента: US09577038B1. Автор: Bruce B. Doris,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and method to minimize junction capacitance in nano sheets

Номер патента: US09515138B1. Автор: Bruce B. Doris,Xin Miao,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming source/drain contacts during CMOS integration using confined epitaxial growth techniques and the resulting semiconductor devices

Номер патента: US09640535B2. Автор: Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Dipoles in semiconductor devices

Номер патента: US20240178319A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Tzer-Min Shen,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Dawei Heh,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Novel method to form single crystal mosfet and fefet

Номер патента: US20220199801A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Kaan OGUZ,Van H. Le,Charles C. Kuo,Urusa ALAAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Backside Vias in Semiconductor Device

Номер патента: US20240371957A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US12113118B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09947775B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Replacement III-V or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US09570551B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Replacement iii-v or germanium nanowires by unilateral confined epitaxial growth

Номер патента: US20170229555A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Method to grow thin epitaxial films at low temperature

Номер патента: US09929055B2. Автор: Hua Chung,Schubert S. Chu,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Abhishek Dube,Jenn-Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method to grow thin epitaxial films at low temperature

Номер патента: US09530638B2. Автор: Hua Chung,Schubert S. Chu,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Abhishek Dube,Jenn-Yue Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices utilizing partially doped stressor film portions

Номер патента: US09634119B2. Автор: Ying-Lang Wang,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Ju Wen HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240274662A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-volatile memory cell in semiconductor device

Номер патента: US09425203B2. Автор: Kunihiko Iwamoto,Bungo Tanaka,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09837489B2. Автор: Junichi Uehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Conductive contacts in semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US09685535B1. Автор: Kangguo Cheng,Rama Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method to make dual material finfet on same substrate

Номер патента: US20140327044A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Technologies for selective source and drain epitaxial growth

Номер патента: US20230253404A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Asymmetric threshold voltages in semiconductor devices

Номер патента: US20200381520A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing semiconductor device having oxide semiconductor

Номер патента: US09887276B2. Автор: Kenichi Okazaki,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method to enhance FinFET device performance with channel stop layer depth control

Номер патента: US09882030B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09892919B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Naoto Fujishima,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Prevention of contact bottom void in semiconductor fabrication

Номер патента: US20240363429A1. Автор: Yun Lee,Chung-Ting Ko,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Epitaxial growth substrate, method of manufacturing epitaxial growth substrate, epitaxial substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20200211841A1. Автор: Hiroki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods and structures to prevent sidewall defects during selective epitaxy

Номер патента: US09698013B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Sansaptak DASGUPTA,Sanaz K. Gardner,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,James M. Powers,Niti Goel,Matthew V. Metz,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (cfet)

Номер патента: WO2022015927A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Self-limiting manufacturing techniques to prevent electrical shorts in a complementary field effect transistor (CFET)

Номер патента: US12080608B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US09911813B2. Автор: Bin Lu,Tomas Apostol Palacios,Elison De Nazareth Matioli. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and method to form III-V, Ge and SiGe fins on insulator

Номер патента: US09754968B2. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method with greater epitaxial growth on 110 crystal plane

Номер патента: WO2014047258A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Judson Robert Holt,Thomas N. Adam,Keith Howard Tabakman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Contact stacks to reduce hydrogen in semiconductor devices

Номер патента: US20200098874A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Christopher Jezewski,Harold Kennel,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with source zones formed in semiconductor mesas

Номер патента: US09570577B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method to form a cylindrical germanium nanowire device on bulk silicon substrate

Номер патента: US20160064531A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182122A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: US20240290885A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09893167B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Seiyon Kim,Curtis W. Ward,Daniel A. SIMON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09859368B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576796B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Integration methods to fabricate internal spacers for nanowire devices

Номер патента: US09484447B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Armstrong,Kelin J. Kuhn,Abhijit Jayant Pethe,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Rafael Rios,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Seal material for air gaps in semiconductor devices

Номер патента: US20210193799A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290883A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290884A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182119A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182120A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548259B2. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including oxide semiconductor stack with different ratio of indium and gallium

Номер патента: US09496408B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Epitaxially forming a set of fins in a semiconductor device

Номер патента: US09437740B2. Автор: Yanxiang Liu,Srikanth B. Samavedam,Michael J. Hargrove,Johannes M. van Meer,Christian Gruensfelder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220130677A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Crystalline multilayer oxide thin films structure in semiconductor device

Номер патента: US20190148482A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074028B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240363352A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and method to make strained FinFET with improved junction capacitance and low leakage

Номер патента: US09653541B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Darsen D. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Reducing variation by using combination epitaxy growth

Номер патента: US09425287B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Structure and method to achieve large strain in ns without addition of stack-generated defects

Номер патента: US20170040455A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ganesh Hegde. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Structure and method to form liner silicide with improved contact resistance and reliablity

Номер патента: US09431296B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090134479A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7646072B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7498643B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

METHOD FOR FORMING SOURCE/DRAIN CONTACTS DURING CMOS INTEGRATION USING CONFINED EPITAXIAL GROWTH TECHNIQUES AND THE RESULTING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160351566A1. Автор: Xie Ruilong,NIIMI Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Aqueous cleaning techniques and compositions for use in semiconductor device manufacture

Номер патента: US09728533B2. Автор: Shao-Yen Ku,Jui-Ping Chuang,Chun-Li Chou,Pei-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method to form a fully strained channel region

Номер патента: US10879124B2. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US20170062269A1. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device manufacturing method and storage medium

Номер патента: US09735046B2. Автор: Peng Chang,Kenji Matsumoto,Hiroyuki Nagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20020127832A1. Автор: Masaru Wakabayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US20210111021A1. Автор: Luc Haspeslagh,Robert Langer,Vasyl Motsnyi,Philippe Soussan,Bernardette Kunert,Stefano Guerrieri,Olga SYSHCHYK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-15.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09972697B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09960252B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09484438B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09472643B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method to improve reliability of replacement gate device

Номер патента: US09466692B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

A method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: SG115445A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-10-28.

Semiconductor device manufacturing method to reduce process induced stress and crystalline defects

Номер патента: US6514885B1. Автор: Hideki Takada,Yoshinori Asahi,Robert W. Dutton,Hiroshi Ohtani,Kyeongjae Cho,Sinji Onga,Takako K. Okada. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device having an element isolating insulating film

Номер патента: US20080224252A1. Автор: Tsunetoshi Arikado,Kyoichi Suguro,Ichiro Mizushima,Yasushi Akasaka,Kiyotaka Miyano,Yoshitaka Tsunashima,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method to form selective strained si using lateral epitaxy

Номер патента: SG143174A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson R Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-06-27.

Semiconductor device having a photon absorption layer to prevent plasma damage

Номер патента: US7026662B2. Автор: Seung-Chul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Multi-layer dielectric refill for profile control in semiconductor devices

Номер патента: US20240274695A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Etch selectivity control for epitaxy process window enlargement in semiconductor devices

Номер патента: US11757024B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Te-Yung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Etch selectivity control for epitaxy process window enlargement in semiconductor devices

Номер патента: US20230369470A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Te-Yung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Etch selectivity control for epitaxy process window enlargement in semiconductor devices

Номер патента: US20220328653A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Te-Yung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method to improve finfet device performance

Номер патента: US20180122948A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Epitaxial growth methods and structures thereof

Номер патента: US11456360B2. Автор: Chan-Lon Yang,Tetsuji Ueno,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Epitaxial growth methods and structures thereof

Номер патента: US10658468B2. Автор: Chan-Lon Yang,Tetsuji Ueno,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method to improve FinFET device performance

Номер патента: US10340385B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Novel method to enhance channel stress in cmos processes

Номер патента: US20110312144A1. Автор: XIN Wang,Zhiqiang Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Novel Method to Enhance Channel Stress in CMOS Processes

Номер патента: US20110300677A1. Автор: XIN Wang,Zhiqiang Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190131391A1. Автор: Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Interconnect structure in semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220077059A1. Автор: Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US7256114B2. Автор: Larry A. Nesbit,Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Process for oxide cap formation in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060166432A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Larry Nesbit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US12094951B1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240363721A1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050066887A1. Автор: Minoru Kubo,Katsuya Nozawa,Tohru Saitoh,Shigetaka Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Deposition of various base layers for selective layer growth in semiconductor production

Номер патента: US6380074B1. Автор: Markus Kirchhoff,Hans-Peter Sperlich,Oswald Spindler,Stephan Wege,Zvonimir Gabric,Uwe Schilling,Hans Glawischnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-30.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US09728598B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device including insulating films with different moisture resistances and fabrication method thereof

Номер патента: US09496222B2. Автор: Yoshihiro Nakata,Kozo Makiyama,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method to optimize p-channel CMOS ICs using Qbd as a monitor of boron penetration

Номер патента: US5817536A. Автор: Ming-Yin Hao,Deepak Kumar Nayak,Rajat Rakkhit. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-10-06.

GALLIUM ARSENIDE EPITAXIAL GROWTH PROCESS AND GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2386904A1. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1978-11-03.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and method to form a FinFET device

Номер патента: US09525069B2. Автор: Effendi Leobandung,Andres Bryant,Tenko Yamashita,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Pn junction device structure in semiconductor device with back side power delivery network (bspdn) structure

Номер патента: EP4235787A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Epitaxial growth using atmospheric plasma preparation steps

Номер патента: US09909232B2. Автор: Eric Frank SCHULTE. Владелец: Ontos Equipment Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09876293B2. Автор: WAN AZHA Bin Wan Mat,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL GROWTH SUBSTRATE, EPITAXIAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200211841A1. Автор: Hiraga Hiroki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2020-07-02.

Epitaxial growth substrate manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using this epitaxial growth substrate

Номер патента: JP3946427B2. Автор: 譲司 西尾,正行 石川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-07-18.

Flexible single-crystalline semiconductor device and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831273B2. Автор: Jae-Hyun Ryou. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-28.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Method to bridge extrinsic and intrinsic base by selective epitaxy in bicmos technology

Номер патента: US20150014747A1. Автор: John J. Pekarik,Kevin K. Chan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

Номер патента: US12052868B2. Автор: Lei Li,Tuo Li,Hao PU,Caiyu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Dielectric/metal barrier integration to prevent copper diffusion

Номер патента: US09601431B2. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040056274A1. Автор: Toshihiro Wakabayashi,Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of forming trench in semiconductor device

Номер патента: US20050009264A1. Автор: Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Manufacturing method of original plate and semiconductor device

Номер патента: US20230317515A1. Автор: Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Reducing intralevel capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US20230307290A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Awnish GUPTA,Dustin Zachary Austin,Ian John CURTIN. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Pad structure and manufacturing method thereof in semiconductor device

Номер патента: US10840198B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of suppressing epitaxial growth in support openings and three-dimensional memory device containing non-epitaxial support pillars in the support openings

Номер патента: EP3420596A1. Автор: Hajime Kimura,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Shuji Minagawa,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Method of suppressing epitaxial growth in support openings and three-dimensional memory device containing non-epitaxial support pillars in the support openings

Номер патента: US09576967B1. Автор: Hajime Kimura,Michiaki Sano,Masanori Tsutsumi,Shuji Minagawa,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Epi block structure in semiconductor product providing high breakdown voltage

Номер патента: US20170301785A1. Автор: Huan-Tsung Huang,Chia-Hsin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12142679B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for fabricating a self-aligned double-gate MOSFET by selective lateral epitaxy

Номер патента: US5646058A. Автор: Yuan Taur,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Penetrating implant for forming a semiconductor device

Номер патента: US20130224926A1. Автор: Mark T. Bohr,Walid M. Hafez,Nick Lindert,Giuseppe Curello,Ian R. Post,Chai-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Penetrating implant for forming a semiconductor device

Номер патента: US20090242998A1. Автор: Mark T. Bohr,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Nick Lindert,Giuseppe Curello,Ian R. Post. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Junction interlayer dielectric for reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US09653570B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method to protect against contact related shorts on utbb

Номер патента: US20160211171A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-21.

Method to protect against contact related shorts on UTBB

Номер патента: US09633893B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110156220A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same

Номер патента: WO2014144993A1. Автор: Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury. Владелец: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same

Номер патента: US09660135B2. Автор: Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury. Владелец: Ostendo Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (cfet) to a buried power rail (bpr) of the cfet

Номер патента: WO2022015926A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Stress mitigation for thin and thick films used in semiconductor circuitry

Номер патента: US09934983B2. Автор: Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard,Daniel Namishia,Donald A. Gajewski. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12051589B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Pravin Mahorowala,Patrick A van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method of increasing field inversion threshold voltage and reducing leakage current and electrical noise in semiconductor devices

Номер патента: US4154873A. Автор: Robert E. Hickox,Heber J. Bresee. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method to enhance device performance with selective stress relief

Номер патента: US20070134870A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee,Victor Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A3. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: Haining S Yang. Дата публикации: 2007-11-01.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-10.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A4. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Photo pattern method to increase via etching rate

Номер патента: US20170062270A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Zheng-Chang MU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Photo pattern method to increase via etching rate

Номер патента: US20160372401A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Zheng-Chang MU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Photo pattern method to increase via etching rate

Номер патента: US09741607B2. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Zheng-Chang MU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Photo pattern method to increase via etching rate

Номер патента: US09536808B1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Zheng-Chang MU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Implantation process in semiconductor fabrication

Номер патента: WO2006117238A1. Автор: Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-09.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Forming a wrap-around contact to connect a source or drain epitaxial growth of a complimentary field effect transistor (CFET) to a buried power rail (BPR) of the CFET

Номер патента: US11915984B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Enhanced performance active pixel array and epitaxial growth method for achieving the same

Номер патента: WO2014144993A9. Автор: Benjamin A. Haskell,Hussein S. El-Ghoroury. Владелец: OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US6121160A. Автор: Hideaki Sato,Kinichi Igarashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: WO2022115683A3. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Crystal Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12125697B2. Автор: Bishnu Gogoi,Tirunelveli Subramaniam Ravi. Владелец: Thinsic Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20190333756A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20210183643A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20190189424A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: WO2019125760A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having via hole coated in side surfaces with heat treated nitride metal and method to form the same

Номер патента: US09673094B2. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130017669A1. Автор: Satoru Nakayama,Shoetsu KOGAWA,Seigo Kamata,Shigemitsu Seito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method to form dual tin layers as pFET work metal stack

Номер патента: US09768171B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09490246B2. Автор: Yasuki Yoshihisa,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method to improve the Selective Epitaxial Growth (SEG) Process

Номер патента: EP1936670A3. Автор: Matty Caymax,Roger Loo,Frederik Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-05-01.

Substate bias voltage generation circuits and methods to control leakage in semiconductor memory device

Номер патента: US09577636B1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Dislocation Reduction in Semiconductor Compounds

Номер патента: US20230299238A1. Автор: Joseph Dion,Devendra DIWAN,Rakesh B. JAIN,Mohamed Lachab,Brandon Alexander Robinson,Mark GEPPERT. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Novel Method to Increase Breakdown Voltage of Semiconductor Devices

Номер патента: US20130056796A1. Автор: Naveen Tipirneni,Grigory Simin,Vinod Adivarahan,Qhalid Fareed,M. Asif Khan. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2013-03-07.

Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing

Номер патента: US10916418B2. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian K. McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing

Номер патента: US20190267232A1. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian K. McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Using sacrificial polymer materials in semiconductor processing

Номер патента: US20200075316A1. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian K. McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Single wafer cleaning method to reduce particle defects on a wafer surface

Номер патента: US7341065B2. Автор: Steven Verhaverbeke,Christopher Laurent Beaudry. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Epitaxial growth apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US12129543B2. Автор: Kazuhiro Narahara,Haku Komori. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device interconnect structures formed by metal reflow process

Номер патента: US09735051B2. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Interconnection wires of semiconductor devices

Номер патента: US20140175650A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

A method to enable the process and enlarge the process window for silicide, germanide or germanosilicide formation in structures with extremely small dimensions

Номер патента: WO2012109079A1. Автор: Zhen Zhang,Christian Lavoie,Siegfried Lutz Maurer,Benjamin Luke Fletcher. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Processing system and methods to co-strike plasma to enhance tungsten growth incubation delay

Номер патента: US20240274407A1. Автор: Kelvin Chan,Kai Wu,David Peterson,Peiqi Wang,Mingrui ZHAO,Ping-Hwa HSIEH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for controlling flow rate of gases used in semiconductor device by differencial pressure

Номер патента: WO2005001911A1. Автор: Kang-Ho Ahn. Владелец: Hyundai Calibration & Certification Technologies Co., Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Processing system and methods to co-strike plasma to enhance tungsten growth incubation delay

Номер патента: WO2024172880A1. Автор: Kelvin Chan,Kai Wu,David Peterson,Peiqi Wang,Mingrui ZHAO,Ping-Hwa HSIEH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240304687A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20020127851A1. Автор: Takaaki Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Conductive traces in semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09653406B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for insulating components of semiconductor devices by means of grooves

Номер патента: RU2187174C2. Автор: Мун-хан ПАРК,Суг-хун ХОНГ,Ю-гюн СИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2002-08-10.

Single step pendeo-and lateral epitaxial overgrowth of group iii-nitride epitaxial layers with group iii-nitride buffer layer and resulting structures

Номер патента: MY125503A. Автор: David Todd Emerson,John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kevin Ward Haberern. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-08-30.

Epitaxial growth method and equipment

Номер патента: EP4350739A1. Автор: Jian Zhang,Jiangang Chen,Jianping Cao,Haifeng Shi. Владелец: WAFER WORKS EPITAXIAL CORP. Дата публикации: 2024-04-10.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Systems and methods to passivate on-die redistribution interconnects

Номер патента: WO2008057837A1. Автор: Jun He,Kevin J. Lee,Kaustubh S. Gadre,Sabhash M. Joshi. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Through-polymer via (tpv) and method to manufacture such a via

Номер патента: EP2941785A1. Автор: Guoqi Zhang,Regnerus Hermannus POELMA,Henk VAN ZEIJL. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2015-11-11.

Systems and methods to passivate on-die redistribution interconnects

Номер патента: WO2008057837A9. Автор: Jun He,Kevin J Lee,Kaustubh S Gadre,Sabhash M Joshi. Владелец: Sabhash M Joshi. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for thermo-mechanical stress reduction in semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US09960131B2. Автор: Antonella Milani,Paolo Colpani,Andrea Paleari,Lucrezia Guarino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US09824893B1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Patrick A. Van Cleemput,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Mahorowala. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A2. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-08.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A3. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Дата публикации: 2006-07-20.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Through polymer via (TPV) and method to manufacture such a via

Номер патента: US09576882B2. Автор: Guoqi Zhang,Regnerus Hermannus POELMA,Henk VAN ZEIJL. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09484304B2. Автор: Shigeo Ishikawa,Hiroshi Amaike,Kazuhiro Okuda. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and system for determining overlap process windows in semiconductors by inspection techniques

Номер патента: US20140065734A1. Автор: Lothar Bauch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A9. Автор: Thomas Gehrke,Kevin J Linthicum,Ricardo M Borges,T Warren Weeks. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: EP1386354A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Method to prevent loss of data of a transistor-based memory unit

Номер патента: US20170092360A1. Автор: Guang-Huei Lin. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Method to prevent loss of data of a transistor-based memory unit

Номер патента: US09659654B2. Автор: Guang-Huei Lin. Владелец: Egalax Empia Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1576657A2. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-21.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1576657B1. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-01-13.

Method for reducing pattern deformation and photoresist poisoning in semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2004012246A2. Автор: LU You,Darin A. Chan,Christopher F. Lyons,Scott A. Bell,Srikanteswara Dakshina-Murthy,Chih Yuh Yang,Pei-Yuan Gao,Mark S. Chang,Marina V. Plat,Philip A. Fisher,Douglas J. Bonser,Marilyn I. Wright. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-02-05.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device and communication system

Номер патента: US09384439B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US5128732A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Yasuo Yamaguchi,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1992-07-07.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US10700060B2. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20190088646A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20200066717A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20150123237A1. Автор: Shigeyuki SAKUMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20050063112A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20030222285A1. Автор: Kazuo Kanetani,Hiroaki Nambu,Hideto Kazama,Takemi Negishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxially grown semiconductor single crystal film

Номер патента: US5759878A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-06-02.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US11699755B2. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Mehdi Saremi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20230299199A1. Автор: ASHISH Pal,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Mehdi Saremi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method to Form a CMOS Image Sensor

Номер патента: US20140061738A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Jiech-Fun Lu,Chun-Wei Chang,Wang-Pen Mo,Chung Chien Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Structure and method to minimize warpage of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09978614B2. Автор: Varughese Mathew,Nishant Lakhera,Akhilesh K. Singh,James R. Guajardo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method to cure mobile ion contamination in semiconductor processing

Номер патента: US6114222A. Автор: Randhir P. S. Thakur. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US12125873B2. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Methods to reduce stress on a metal interconnect

Номер патента: US6949475B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method to improve crystalline regrowth

Номер патента: US20170287942A1. Автор: Oh-Jung Kwon,Yun Y. Wang,Stephen G. Fugardi,Sean M. Dillon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor devices to reduce stress on a metal interconnect

Номер патента: US7501706B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Method to improve crystalline regrowth

Номер патента: US9853055B2. Автор: Oh-Jung Kwon,Yun Y. Wang,Stephen G. Fugardi,Sean M. Dillon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method to improve crystalline regrowth

Номер патента: US09853055B2. Автор: Oh-Jung Kwon,Yun Y. Wang,Stephen G. Fugardi,Sean M. Dillon. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Method to form semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20230317526A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John Zhang,Sunil Singh,Chun Yu Wong,Heng Yang. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method to minimize stress on stack via

Номер патента: US12080600B2. Автор: Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Cleaning composition and method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09580672B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

High Density Memory Cells Using Lateral Epitaxy

Номер патента: US20130183806A1. Автор: Kangguo Cheng,David M. Fried,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Byeong Y. Kim,Roger A. Booth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Strain control in semiconductor devices

Номер патента: EP2419936A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Strain control in semiconductor devices

Номер патента: WO2010119241A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices

Номер патента: WO2008021935A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-02-21.

Thermal Method to Control Underfill Flow in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120097095A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-26.

Carrier Lift Locking Structure And Locking Method To Prevent Lift Deflection During Carrier Movement

Номер патента: US20240247443A1. Автор: Jong Sung Kim,Seong Moon KIM. Владелец: MPLUS CORP. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Electronic devices in semiconductor package cavities

Номер патента: US20240234231A1. Автор: Qiao CHEN,Christopher Daniel Manack,Patrick Francis Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method to emulate finite element model based prediction of in-plane distortions due to semiconductor wafer chucking

Номер патента: US09430593B2. Автор: Haiguang Chen,Michael Kirk,Jaydeep Sinha,Pradeep Vukkadala,Sathish Veeraraghavan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Encapsulant with base for use in semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US09449856B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

System and Method to Manufacture an Implantable Electrode

Номер патента: US20120267775A1. Автор: Daryl R. Kipke,Kc Kong,Jamille Farraye Hetke,David S. Pellinen,Rio J. Vetter,Mayurachat Gulari. Владелец: NeuroNexus Technologies Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

System and method to manufacture an implantable electrode

Номер патента: US20140027888A1. Автор: Daryl R. Kipke,Kc Kong,Jamille Farraye Hetke,David S. Pellinen,Mayurachat Ning Gulari,Rio J. Vetter. Владелец: NeuroNexus Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Isolating electric paths in semiconductor device packages

Номер патента: US09899312B2. Автор: Adrian E. Ong,Dong Sik Jeong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of controlling warpage in semiconductor package

Номер патента: US09406579B2. Автор: Daesik Choi,Sang Mi Park,Joungin Yang,YiSu Park,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor Device and Method of Stabilizing Heat Spreader on Semiconductor Package

Номер патента: US20230230893A1. Автор: Soojung Park,KyuWon Lee,Jiwon Jang,HyunKyum Kim,JeeHyun Hong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Heat source arrangements, processing chambers, and related methods to facilitate deposition process adjustability

Номер патента: US20240234175A9. Автор: Ala Moradian,Saurabh Chopra. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method to package multiple MEMS sensors and actuators at different gases and cavity pressures

Номер патента: US09725304B2. Автор: Shingo Yoneoka,Wenhua Zhang. Владелец: MCube Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of adjusting epitaxial growth in a vacuum of doped silicon layers and a resistive evaporation unit for its implementation

Номер патента: RU2699949C1. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-09-11.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: EP2680307A3. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-12-17.

Semiconductor assembly and method to form the same

Номер патента: US09824939B2. Автор: Mitsuji Nunokawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US09911635B2. Автор: Makoto Hirano. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-06.

High-z oxide nanoparticles embedded in semiconductor package

Номер патента: US09607952B1. Автор: Ning Li,Qing Cao,Ying He,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: EP4451315A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: US20240355718A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with molten metal preventing member

Номер патента: US7834443B2. Автор: Hideo Kubo,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20140338956A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120088361A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090243033A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Wafer processing equipment and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220325953A1. Автор: Youngtae Kim,Jihoon Jeong,Sangjine Park,Younghoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP1907992A4. Автор: Takanori Matsuzaki,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP1907992A1. Автор: Yutaka SEMICONDUCTOR EN. LAB. CO. LTD SHIONOIRI,Takanori c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. MATSUZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Capacitor architectures in semiconductor devices

Номер патента: US20220140069A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Scott B. Clendenning,Manish Chandhok,Roman CAUDILLO,Sudipto NASKAR,Cheyun LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Minority carrier semiconductor devices with improved reliabilty

Номер патента: US20020003237A1. Автор: Daniel A. Steigerwald,Changhua Chen,Stephen A. Stockman. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2002-01-10.

Method to produce a multi-level semiconductor memory device and structure

Номер патента: US11978731B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Device crack-stop structure to prevent damage due to dicing crack

Номер патента: US20240355764A1. Автор: Chen-Jong Wang,Yimin Huang,Jen-Cheng Liu,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating a lateral-epitaxial-overgrowth thin-film light-emitting diode with nanoscale-roughened structure

Номер патента: US20140356995A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Ching-Hsueh Chiu,Chao-Hsun Wang,Chia-Yu Lee. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-04.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A3. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A2. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

Method to detect wafer arcing in semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20130245969A1. Автор: Michael Johnson,Tony Davis,Kommisetti SUBRAHMANYAM,Scott Singlevich. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method to detect wafer arcing in semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US09508612B2. Автор: Michael Johnson,Tony Davis,Kommisetti SUBRAHMANYAM,Scott Singlevich. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Lateral epitaxial growth by seeded solidification

Номер патента: US4670088A. Автор: John C. C. Fan,Michael W. Geis,Bor-Yeu Tsaur. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1987-06-02.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Detecting sudden changes in acceleration in semiconductor device or semiconductor packaging containing semiconductor device

Номер патента: US20140346619A1. Автор: Timothy M. Sullivan,Benjamin J. Pierce,Stephen P. Ayotte,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Passive component integrated with semiconductor device in semiconductor package

Номер патента: US09595512B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Detecting sudden changes in acceleration in semiconductor device or semiconductor packaging containing semiconductor device

Номер патента: US09548275B2. Автор: Timothy M. Sullivan,Benjamin J. Pierce,Stephen P. Ayotte,Heather M. TRUAX. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and related apparatus for improving memory cell performance in semiconductor-on-insulator technology

Номер патента: US20220262857A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method and related apparatus for improving memory cell performance in semiconductor-on-insulator technology

Номер патента: US20210057485A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods and apparatus to prevent over-etch in semiconductor packages

Номер патента: US20240222283A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Tarek Ibrahim,Srinivas PIETAMBARAM,Sairam Agraharam,Ashay Dani,Xiaoxuan SUN,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Leonel Arana,Adwait TELANG,Bohan Shan,Holly Sawyer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Device for determining existence of damage in semiconductor device and method related thereto

Номер патента: US20230369244A1. Автор: Kasper Andersen,Henrik AHRENDT,Allan Green-Petersen,Thomas Roager. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Customized smart devices and touchscreen devices and cleanspace manufacturing methods to make them

Номер патента: US20210265207A1. Автор: Frederick A. Flitsch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Compound for filling small gaps in semiconductor device, composition comprising the compound and process for fabricating semiconductor capacitor

Номер патента: WO2010027128A8. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Correcting temperature based oscillation frequency errors in semiconductor device

Номер патента: US09584134B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Testing fuse configurations in semiconductor devices

Номер патента: US09568544B2. Автор: Adrian E. Ong,Paul Fuller,Nick Van Heel,Mark Thomann. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US09563221B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Real-time monitoring microscopic imaging system for nitride MOCVD epitaxial growth mode

Номер патента: US11340440B2. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Chao Wang,Jun Hu,Ying DUAN,Yueming Wang,Zezhan ZHANG,Xueke GOU,Congjun Wu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-24.

Real-time monitoring microscopic imaging system for nitride MOCVD epitaxial growth mode

Номер патента: US20200209606A1. Автор: Yang Yang,JING Jiang,Chao Wang,Jun Hu,Ying DUAN,Yueming Wang,Zezhan ZHANG,Xueke GOU,Congjun Wu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09953905B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09824961B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Systems and Methods to Separate Power Domains in a Processing Device

Номер патента: US20170336840A1. Автор: Li Qiu,MATHEW Philip,Rajesh Verma,Satyanarayana SAHU,Satish Raj,Shiva Ram Chandrasekaran,Arun Tyagi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Surface-mount device wire bonding in semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230207490A1. Автор: Yun Ting Hsu,Yung Sheng Zou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and apparatus for evaluating surface roughness of an epitaxial growth layer, method and apparatus for measuring reflectance of an epitaxial growth layer, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6284552B1. Автор: Takashi Noguchi,Hideo Yamagata,Satoshi Hashidume. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Systems and methods to separate power domains in a processing device

Номер патента: US09958918B2. Автор: Li Qiu,MATHEW Philip,Rajesh Verma,Satyanarayana SAHU,Satish Raj,Shiva Ram Chandrasekaran,Arun Tyagi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Bump structures in semiconductor device and packaging assembly

Номер патента: US09905524B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Tsung-Shu Lin,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Template for epitaxial growth, method for producing the same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US09556535B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09640558B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device including an H-bridge circuit for driving a motor

Номер патента: US09559629B2. Автор: Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method to create flexible connections for integrated circuits

Номер патента: US20080029889A1. Автор: Chirag Patel,Leena Buchwalter,Russell Budd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Methods of forming patterns in semiconductor devices using photo resist patterns

Номер патента: US20070196769A1. Автор: Jae-ho Lee,Jin-Mo Kang,Sung-Gun Kang,Jun-Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US10685913B2. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-16.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20190088597A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Resist overlayer film forming composition and method for producing semiconductor device including the same

Номер патента: US09977331B2. Автор: Rikimaru Sakamoto,Noriaki Fujitani. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Use of freestanding nitride veneers in semiconductor devices

Номер патента: US09816201B2. Автор: Scott M. Zimmerman,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Resist overlayer film forming composition for lithography and method for producing semiconductor device using the same

Номер патента: US09746768B2. Автор: Rikimaru Sakamoto,Noriaki Fujitani,Ryuji Ohnishi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Test structure for determining overlay accuracy in semiconductor devices using resistance measurement

Номер патента: US09564382B2. Автор: Daniel Piper. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Photoelectric bitumen tiles, method to manufacture photoelectric bitumen tiles and method to lay photoelectric roof

Номер патента: RU2493338C2. Автор: Фульвио КАППЕЛЛИ. Владелец: Тегола Канадезе Спа. Дата публикации: 2013-09-20.

Method to texture silicon surfaces

Номер патента: RU2474008C2. Автор: Ингемар ОЛЕФЬЁРД,Тимоти С. ЛОММАССОН. Владелец: Норут Нарвик Ас. Дата публикации: 2013-01-27.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Devices, systems, and methods to mitigate thermal runaway conditions in molten fluid electrode apparatus

Номер патента: WO2019221860A1. Автор: Manoel Tenorio,Daniel R. Vissers. Владелец: Vissers Battery Corporation. Дата публикации: 2019-11-21.

Method to manufacture semiconductor device with optical grating

Номер патента: US20120094402A1. Автор: Yutaka Oonishi,Katsumi Uesaka,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09935363B2. Автор: Teruyuki Fujii,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers

Номер патента: US09761416B2. Автор: ANAND Kumar,Shahid Rauf,Michael D. Willwerth,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Tom K. Cho,Yogananda SARODE VISHWANATH,Bradley Howard. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Standby fuel cell generator comprising close-packed commutator casing and methods to control its operation

Номер патента: RU2543480C2. Автор: Пьерпаоло КЕРКИ,Джузеппе ДЖАНОЛИО,Лука МЕРКАНТЕ,Андреа МУССО,Дарио ЧЕФФА,Луиза БОРЕЛЛО. Владелец: Электро Пауэр Системз С.П.А.. Дата публикации: 2015-02-27.

Fabrication method to minimize ballast layer defects

Номер патента: WO2009017929A2. Автор: Steven Young,William Dauksher,Emmett Howard,Donald Weston. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2009-02-05.

Fabrication method to minimize ballast layer defects

Номер патента: WO2009017929A3. Автор: Steven Young,William Dauksher,Emmett Howard,Donald Weston. Владелец: Donald Weston. Дата публикации: 2009-04-09.

Method to store fuel element under negative temperature

Номер патента: RU2493637C2. Автор: Эрик ПЭНТОН,Янник ФУРНЕРОН,Армель ГИЙЕРМО. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э О Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2013-09-20.

Method to set subbands in communication system with several carriers and device - basic station of radio communication

Номер патента: RU2419988C2. Автор: Акихико НИСИО,Даити ИМАМУРА,Масару ФУКУОКА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2011-05-27.

System and method to prevent audio watermark detection

Номер патента: US20110243327A1. Автор: Michael J. Strein. Владелец: Disney Enterprises Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Systems and methods to protect a side-view mirror of a vehicle

Номер патента: US12036981B2. Автор: Keith Weston,Jordan Barrett,Andrew Denis Lewandowski,Brendan Diamond,Michael Alan McNees. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Computer implemented method to prevent attacks against authorization systems and computer programs products thereof

Номер патента: US09832192B2. Автор: José María Alonso Cebrián,David Barroso Berrueta,José María Palazón Romero,Antonio Guzmán Sacristán. Владелец: Telefonica Digital Espana SL. Дата публикации: 2017-11-28.

Systems and methods to prevent denial of service attacks

Номер патента: EP2534787B1. Автор: Ric Romero,Lance R. Reidhead. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-12-25.

Systems and methods to prevent denial of service attacks

Номер патента: WO2011100007A1. Автор: Ric Romero,Lance R. Reidhead. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2011-08-18.

Systems and methods to prevent denial of service attacks

Номер патента: EP2534787A1. Автор: Ric Romero,Lance R. Reidhead. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-12-19.

System and method to prevent manipulation of transmitted video data

Номер патента: WO2012007263A1. Автор: Christophe Nicolas,Andre Kudelski. Владелец: Nagravision S.A.. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method to limit the time a semiconductor device operates above a maximum operating voltage

Номер патента: US20230318286A1. Автор: Chung-Lung K. Shum,Stefan Payer,Alper Buyuktosunoglu,Christian Jacobi,Tobias Webel,Anthony Saporito,William V. Huott,Pawel Owczarczyk,Sean Michael Carey,Paul Jacob Logsdon,Karl Evan Smock ANDERSON,Adam Benjamin Collura,Michael Romain,Michael Joseph CADIGAN, JR.,Mark CICHANOWSKI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method to prevent manipulation of transmitted video data

Номер патента: EP2594064A1. Автор: Christophe Nicolas,Andre Kudelski. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2013-05-22.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

System and method to prevent manipulation of transmitted video data

Номер патента: US09432709B2. Автор: Christophe Nicolas,Andre Kudelski. Владелец: Nagravision SA. Дата публикации: 2016-08-30.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method to mitigate fraudulent usage of qos from mobile terminals using uplink packet marking

Номер патента: WO2008084050A1. Автор: William Anderson,Haris Zisimopoulos. Владелец: IPWireless Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Method to provide disaster recovery with reverse proxy across geographically distributed data lakes

Номер патента: US20240275797A1. Автор: Anay Kishore,Parmnder Singh Sethi. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method to prevent misuse of aircraft messages

Номер патента: US09544047B2. Автор: Radhakrishna G SAMPIGETHAYA. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Systems and methods to minimize startup transients in class-d amplifiers

Номер патента: US20100284547A1. Автор: Michael A. Kost. Владелец: D2Audio LLC. Дата публикации: 2010-11-11.

Systems and methods to switch radio frequency signals for greater isolation

Номер патента: US09674006B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,Yu Zhu,Oleksiy Klimashov. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

System and method to dynamically analyze metadata

Номер патента: US12028228B1. Автор: Sakshi Bakshi,Rajesh Kancharla,Himanshi Sharma,Keerthivasan Kulasekaran. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Contact structure and a gate line slit and merge method to form thereof

Номер патента: US20240206168A1. Автор: Chuan Zhang,Xianghui ZHAO,Zuixin ZENG,Junxiong WANYAN,Haiqing DOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Pump supply failure conditions detection and the motor control systems and methods to prevent the plunger on the liquid impact

Номер патента: RU2680776C1. Автор: Сайли П. ПАНЧБХАИ,Кертис КАНДЕЛ. Владелец: Бейкер Хьюз, Э Джии Компани, Ллк. Дата публикации: 2019-02-26.

Method to prevent icing of power transmission lines and device for its implementation

Номер патента: RU2696091C1. Автор: Сергей Геннадьевич Михальченко,Никита Яковлевич Михальченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor drive device, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US12081115B2. Автор: Yasutaka Imamura,Junichi Nakashima,Yohei MITSUI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Managing data transfers in semiconductor devices

Номер патента: US20240305298A1. Автор: Su-Chueh Lo,Yi-Fan Chang,Jeng-Kuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing data transfers in semiconductor devices

Номер патента: EP4428698A1. Автор: Su-Chueh Lo,Jeng-Kuan Lin,Yi-Fang Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Managing signal transfers in semiconductor devices

Номер патента: EP4369602A1. Автор: Su-Chueh Lo,Wei-Yi Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method to control operation of memristor and device for implementation thereof

Номер патента: RU2737794C1. Автор: Олег Александрович Морозов,Олег Николаевич Горшков,Алексей Владимирович Сафонов,Николай Викторович Агудов,Александр Александрович Дубков,Максим Олегович Шамшин,Бернардо Спаньоло. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2020-12-03.

Method to code moving image, device to code moving image, method to record moving image, record medium, method to reproduce moving image, device to reproduce moving image, and system to reproduce moving image

Номер патента: RU2475997C2. Автор: Хироси ЯХАТА,Ватару ИКЕДА,Тадамаса ТОМА. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-02-20.

Method to create given level of vacuum in milking system and computer program product

Номер патента: RU2461186C2. Автор: Хенрик ИДЕНШЕ. Владелец: ДЕЛАВАЛЬ ХОЛДИНГ АБ. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device including a sense element and a main element, and current detector circuit using the semiconductor device

Номер патента: US09720029B2. Автор: Kiyoshi SEKIGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

System and method to process power control commands in wireless communication system

Номер патента: RU2475959C2. Автор: Джонатан СИДИ,Шарад Дипак САМБХВАНИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-20.

Method to ameliorate osteolysis and metastasis

Номер патента: US5626845A. Автор: Gregory R. Mundy,Toshiyuki Yoneda. Владелец: Xenotech Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Elevator belt end joint and method to protect and control elevator belt end joint

Номер патента: RU2383487C2. Автор: Эрнст АХ. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2010-03-10.

Method to prevent corrosion of pipeline, composite structure for external surface of pipeline and set to arrange insulating protective covering composite structure

Номер патента: RU2462643C2. Автор: Томас ВИТАКЕР,Кевин Дж. МАКИННОН. Владелец: Индастриал Инсулэйшн Груп. Дата публикации: 2012-09-27.

Systems and methods to prevent gas explosion in a coal mine

Номер патента: RU2583964C2. Автор: Хунгуан ЛЮ. Владелец: Хунгуан ЛЮ. Дата публикации: 2016-05-10.

Method to prevent mutual displacement of transversal pipe and at least one cable

Номер патента: RU2319804C2. Автор: Пелле ГУСТАФССОН. Владелец: Фсл Интернациональ Аг. Дата публикации: 2008-03-20.

Method to temper steel pipe

Номер патента: RU2552801C2. Автор: Томохико ОМУРА,Кендзи ЯМАМОТО,Юдзи АРАИ,Акихиро Сакамото,Кадзуо ОКАМУРА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2015-06-10.

Machines to make drinks and methods to operate machine to make drinks

Номер патента: RU2454164C2. Автор: Гари Винсент БАРТОН-УИЛКОК,Дэвид Пол ШОРТ,Пол Джон НЬЮКОМБ. Владелец: Крафт Фудз Р Унд Д, Инк.. Дата публикации: 2012-06-27.

Method to prevent reverse engineering of software, unauthorised modification and data capture during performance

Номер патента: RU2439669C2. Автор: Керен АСИПОВ,Борис АСИПОВ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2012-01-10.

Method to prevent and treat diabetic retinopathy by calcium channel blockers, angiotensin converting enzyme inhibitors, and angiotensin receptor blockers

Номер патента: WO2024102328A1. Автор: Assa WEINBERG. Владелец: Weinberg Assa. Дата публикации: 2024-05-16.

Method to extract metals from silicate slags

Номер патента: RU2515735C1. Автор: Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Александрович Ревенко,Владимир Николаевич Алексеенко,Владимир Иванович Кузьмин,Вячеслав Фролович Павлов,Василий Филиппович Шабанов,Владимир Викторович Бондин,Игорь Геннадьевич Ефремов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2014-05-20.

Method to prevent spring high water

Номер патента: RU2734033C1. Автор: Наталья Викторовна Купчикова,Растам Ирфагильевич Шаяхмедов,Татьяна Владимировна Золина. Владелец: Государственное автономное образовательное учреждение Астраханской области высшего образования Астраханский Государственный Архитектурно-Строительный Университет. Дата публикации: 2020-10-12.

Method to ensure safety of vessels and salvage system for implementation thereof

Номер патента: RU2664919C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец. Владелец: Владимир Васильевич Чернявец. Дата публикации: 2018-08-27.

Method to prevent and treat macular degeneration by calcium channel blockers, angiotensin converting enzyme inhibitors, and angiotensin receptor blockers

Номер патента: US20210290607A1. Автор: Assa WEINBERG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Method to prevent collision of two elevator cabins and elevator

Номер патента: RU2464217C2. Автор: Ханс КОХЕР. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2012-10-20.

System and method to prevent incorrect measurements of flow in vibration flow meter

Номер патента: RU2566602C2. Автор: Джоэл ВАЙНШТЕЙН,Арт Р. ПРЁЙСЕН,Стивен М. ДЖОУНС,Джон Ансделл ХОУТОН. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2015-10-27.

System and method to prevent the oxidizer overheating using cold side bypass for a VOCs treatment system with series rotor

Номер патента: US12031718B2. Автор: Shih-Chih Cheng,Chung-Hsien Chen,Ya-Ming Fu,Kuo-Yuan Lin,Pang-Yu Liu. Владелец: Desiccant Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method to prevent sample preparation-induced disulfide scrambling in non-reduced peptide mapping

Номер патента: EP4402476A1. Автор: Tyler Greer,Xiaojing Zheng,Song NIE. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Method to prevent stress corrosion cracking of storage canister and storage canister

Номер патента: US9508459B2. Автор: Tomohiro Tanaka,Koji Shirai,Keisuke Okada,Masanori Goto,Akikazu Kitagawa,Yasuhiro Fukai,Katsunori KUSUNOKI,Akio OHIWA,Akihito GOHDA. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods to prevent disulfide scrambling for ms-based proteomics

Номер патента: EP4427048A1. Автор: Ning Li,Yuan Mao,Andrew Kleinberg. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Agent for treatment of soil or seeds including compounds of quinoline or their salts as active ingredient, or method to prevent plant diseases using this agent

Номер патента: RU2443110C2. Автор: Тосиаки ОХАРА,Ясуси ТАМАГАВА,Харуказу ТАНАКА,Хироюки ИТО. Владелец: Мицуи Кемикалз Агро, Инк.. Дата публикации: 2012-02-27.

Compositions comprising sialylated oligosaccharides for use in infants or young children to prevent later in life obesity or related comorbidities and promote a healthy growth

Номер патента: AU2022209311B2. Автор: Sami Damak,Norbert Sprenger,Aristea BINIA,José Manuel RAMOS NIEVES,Carole DE SENARCLENS-BEZENCON. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods to prevent therapy resistance in melanoma via blocking genomic instability

Номер патента: WO2023158911A3. Автор: Roger S. Lo. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods to prevent disulfide scrambling for ms-based proteomics

Номер патента: CA3236059A1. Автор: Ning Li,Yuan Mao,Andrew Kleinberg. Владелец: Regeneron Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Using microbiota metabolites to differentiate naïve t-cells and related methods to induce or prevent inflammatory conditions

Номер патента: US20190032014A1. Автор: Arul Jayaraman,Robert C. ALANIZ,Kyongbum Lee. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2019-01-31.

System and method to predict whether a protection circuit is likely to prevent a latent failure within a monitored circuit

Номер патента: US09904750B2. Автор: Kay Chesnut,Anthony C. Le,MaryAnne Dooley. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Device and method to avert anal fecal leakage

Номер патента: US09387129B2. Автор: Jorge Bravo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-12.

Method to reduce soft error rate in semiconductor memory

Номер патента: US20060036913A1. Автор: Keith Krasnansky. Владелец: Telogy Networks Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Using microbiota metabolites ot differentiate naive t-cells and related methods to induce or prevent inflammatory conditions

Номер патента: EP3430128A1. Автор: Arul Jayaraman,Robert C. ALANIZ,Kyongbum Lee. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2019-01-23.

Using microbiota metabolites ot differentiate naive t-cells and related methods to induce or prevent inflammatory conditions

Номер патента: WO2017161268A1. Автор: Arul Jayaraman,Robert C. ALANIZ,Kyongbum Lee. Владелец: The Texas A&M University System. Дата публикации: 2017-09-21.

Compositions and methods to prevent cancer by stabilizing p53 through non mdm2-mediated pathways

Номер патента: US20180327459A1. Автор: Tohru Yamada,Tapas Das Gupta,Craig Beattie. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2018-11-15.

Compositions and methods to prevent cancer by stabilizing p53 through non mdm2-mediated pathways

Номер патента: EP2432870A1. Автор: Tohru Yamada,Tapas Das Gupta,Craig Beattie. Владелец: CDG Therapeutics Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Compositions and methods to prevent cancer by stabilizing p53 through non mdm2-mediated pathways

Номер патента: WO2010135299A1. Автор: Tohru Yamada,Tapas Das Gupta,Craig Beattie. Владелец: Cdg Therapeutics, Inc.. Дата публикации: 2010-11-25.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Safety mechanism and methods to prevent rotating imaging device from exiting a catheter

Номер патента: US20010020149A1. Автор: Thomas Moore,Ronald Jabba,Larry Wasicek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Positive feed tool with a slip clutch and a method, to prevent jamming

Номер патента: US09604334B2. Автор: Jeremy WATFORD,Kevin Myhill. Владелец: Apex Brands Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods to prevent citrus greening

Номер патента: US20230264243A1. Автор: Matthew J. Olson,Sascha J. Welz,Andrew D. Ayers,Dane N. Hague. Владелец: Myland Company Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Device and method to prevent leakage

Номер патента: US20240074758A1. Автор: Scott T. Kelley,Jill Kelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-07.

Method to prevent toxic gas emission

Номер патента: US3705474A. Автор: Donald E Smith. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1972-12-12.

Electronic device and method to prevent falling of the electronic device

Номер патента: US8258972B2. Автор: Chien-Hao Wu. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Systems and methods to prevent citrus greening

Номер патента: WO2023164013A1. Автор: Matthew J. Olson,Sascha J. Welz,Andrew D. Ayers,Dane N. Hague. Владелец: MyLand Company, LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method to improve wettability by reducing liquid polymer macromolecule mobility through forming polymer blend system

Номер патента: US20090182161A1. Автор: Charles L. REYNOLDS,Jiali Wu,Steven E. Molis,William E. Sablinski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Compositions and Methods to Prevent Cancer with Cupredoxins

Номер патента: US20100087377A1. Автор: Ananda Chakrabarty,Tapas Das Gupta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Compositions and methods to prevent cancer with cupredoxins

Номер патента: US20120302509A1. Автор: Ananda Chakrabarty,Tapas Das Gupta. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2012-11-29.

Compositions and methods to prevent cancer with cupredoxins

Номер патента: US20150374780A1. Автор: Ananda Chakrabarty,Tapas Das Gupta. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2015-12-31.

Method to prevent oxidative stress in the skin of the scalp through the combination of l-ascorbic acid with anti-fungal agents

Номер патента: US20240315939A1. Автор: James M. Kilgour. Владелец: Kilgourmd Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method to secure a computer system by selective control of write access to a data storage medium

Номер патента: US09600661B2. Автор: John Safa. Владелец: DRIVE SENTRY Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods to prevent wheel slip in an autonomous floor cleaner

Номер патента: EP1899779A2. Автор: Jeffrey L. Harwig,Thomas Jaworski,Seakee Chen,Fukyuen Cheng. Владелец: SC Johnson and Son Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Methods to prevent wheel slip in an autonomous floor cleaner

Номер патента: WO2007002699A2. Автор: Jeffrey L. Harwig,Thomas Jaworski,Seakee Chen,Fukyuen Cheng. Владелец: S. C. Johnson & Son, Inc.. Дата публикации: 2007-01-04.

Compositions and methods to prevent and treat biofilms

Номер патента: US20170312345A1. Автор: Dennis W. Davis,Brad W. ARENZ,Thomas K. CONNELLAN,Svetlana A. Ivanova. Владелец: ZIOLASE LLC. Дата публикации: 2017-11-02.

Method to prevent recession loss of silica and silicon-containing materials in combustion gas environments

Номер патента: EP1031546B1. Автор: Krishan Lal Luthra,Milivoj Konstantin Brun. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-12-19.

Compositions and methods to prevent and treat biofilms

Номер патента: US10758596B2. Автор: Dennis W. Davis,Brad W. ARENZ,Thomas K. CONNELLAN,Svetlana A. Ivanova. Владелец: ZIOLASE LLC. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method to detect bacteria

Номер патента: AU1182697A. Автор: Stuart Mark Wilson. Владелец: Biotec Laboratories Ltd. Дата публикации: 1997-07-14.

Radiation protection for a semiconductor device

Номер патента: WO1983000253A1. Автор: Inc. Motorola,Terry S. Hulseweh. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-01-20.

Method to Reduce Hepatoxicity of Fas-Mediated Apoptosis-Inducing Agents

Номер патента: US20080003226A1. Автор: Stéphane DEMOTZ,Marc Dupuis,Rene Goedkoop. Владелец: Apoxis SA. Дата публикации: 2008-01-03.

Method to Bond Materials using Surface Bonds with UV Catalysis and Composite Optical- and Electro-Optical Devices

Номер патента: US20110155294A1. Автор: Kevin Cyrus Robinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method to reduce hepatotoxicity of fas-mediated apoptosis-inducing agents

Номер патента: CA2566975A1. Автор: Stéphane DEMOTZ,Marc Dupuis,Rene Goedkoop. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Method to reduce hepatotoxicity of fas-mediated apoptosis-inducing agents

Номер патента: EP1750763A1. Автор: Stéphane DEMOTZ,Marc Dupuis,Rene Goedkoop. Владелец: Apoxis SA. Дата публикации: 2007-02-14.

Interventionless stimulation and production systems, multi-zone interventionless stimulation and production assemblies, and methods to perform interventionless stimulation and production operations

Номер патента: US12104462B1. Автор: Ahmed Mohamed,Ibrahim EL MALLAWANY. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vehicle control system and method to provide desired wheel slip

Номер патента: US09475395B2. Автор: Michael Blyth,Paul Beever. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Compositions and methods to prevent, inhibit or treat neurodegenerative diseases

Номер патента: WO2023091943A3. Автор: Ai Yamamoto,Katherine R. CROCE,Anne Gjøen SIMONSEN,Serhiy PANKIY. Владелец: Universitetet I Oslo. Дата публикации: 2023-06-29.

Systems and Methods to Safeguard Well Integrity From Hydraulic Fracturing

Номер патента: US20210324728A1. Автор: Khaqan Khan,Waheed Syed Arshad. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-10-21.

Register shielding in semiconductor devices

Номер патента: US20230055842A1. Автор: Giuseppe Guarnaccia,Salvatore Marco Rosselli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Alkaline warewash detergent composition comprising a terpolymer and methods to prevent foaming, filming and/or redeposition

Номер патента: US11746309B2. Автор: Carter Martin Silvernail,David Alexander RIEHM,Kelly Anne GILMORE,John Matthew CHUDOMEL. Владелец: ECOLAB USA INC. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods to safeguard well integrity from hydraulic fracturing

Номер патента: WO2021216502A1. Автор: Khaqan Khan,Waheed ARSHAD. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2021-10-28.

Method to shrinkproof wool by plasma polymerization

Номер патента: WO2011064562A8. Автор: Stephen Coulson,Christopher Carr,Akbar Khoddami. Владелец: P2i Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Apparatus and method to obtain bone fixation

Номер патента: WO2007051151A9. Автор: Thomas Wright,Pierre Flurin,Joseph Zuckerman,Christopher Roche. Владелец: Christopher Roche. Дата публикации: 2007-06-21.

Systems and methods to improve organ or tissue function and organ or tissue transplant longevity

Номер патента: US09789133B2. Автор: Alex Stenzler,David Pinsky,Augustine Choi,Jeffrey D. WAGER,Joseph WAGER. Владелец: Proterris Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Gun detection system and method to prevent school and business shootings

Номер патента: US09506709B2. Автор: David Wayne Esposito,Lawrence E. Rode. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

System and method to prevent the oxidizer overheating using cold side bypass during high input for a VOCS treatment system with series rotor

Номер патента: US12031719B2. Автор: Shih-Chih Cheng,Chung-Hsien Chen,Ya-Ming Fu,Kuo-Yuan Lin,Pang-Yu Liu. Владелец: Desiccant Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Systems and methods to occlude a valvular commissure or cleft

Номер патента: US20240197473A1. Автор: Mark Chau. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

A method to increase blood flow and metabolic rate of eye ground

Номер патента: AU2020233703A1. Автор: Mingguang HE,Zhaoyun CAO,Zhuoting ZHU. Владелец: Suzhou Xuanjia Optics And Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Devices and methods to prevent inadvertent motion of dynamically rigidizing apparatuses

Номер патента: US20240033484A1. Автор: William J. Evans,Alexander Q. Tilson,Garrett J. GOMES,Mark C. SCHEEFF,Charles Steele Love. Владелец: Neptune Medical Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods to occlude a valvular commissure or cleft

Номер патента: EP4404873A1. Автор: Mark Chau. Владелец: Edwards Lifesciences Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

A method to increase blood flow and metabolic rate of eye ground

Номер патента: AU2020233703C1. Автор: Mingguang HE,Zhaoyun CAO,Zhuoting ZHU. Владелец: Suzhou Xuanjia Optics And Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

A method to increase blood flow and metabolic rate of eye ground

Номер патента: AU2020233703B2. Автор: Mingguang HE,Zhaoyun CAO,Zhuoting ZHU. Владелец: Suzhou Xuanjia Optics And Electronics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Oral administration of sodium chloride to prevent complications associated with bowel cleansing with stimulant laxatives

Номер патента: EP3923958A2. Автор: Khursheed N. Jeejeebhoy. Владелец: Seaford Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

System and method to track usage of surgical instrument

Номер патента: US20240180580A1. Автор: David C. Yates,Shan Wan,Richard W. Timm,Cory G. Kimball,Chad P. Boudreaux,Jeffrey L. Aldridge,Craig N. Faller,Ashvani K. Madan,Ryan M. Asher,Craig T. Davis,Jacob S. Gee,Tylor C. Muhlenkamp,Benjamin D. Dickerson,John B. Schulte,Brian D. Black,Christina M. HOUGH,Jeffrey A. Bullock,Joseph E. Hollo,Timothy S. Holland. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2024-06-06.

Managing secure writes in semiconductor devices

Номер патента: US12086457B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Motor control method to improve cold response time in a motor pump hydraulic system

Номер патента: US20200278024A1. Автор: Matthew R. Busdiecker,Robert J. Kanda. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Managing Read Timing in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240311014A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing read timing in semiconductor devices

Номер патента: EP4432287A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods to protect against and treat multiple sclerosis

Номер патента: US09758573B2. Автор: Vincent A. Fischetti,Timothy Vartanian,Kareem Rashid Rumah. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and methods to manage write commands in a cache

Номер патента: US09489226B2. Автор: Satyam B. Vaghani,Poojan Kumar,Mahesh Patil,Michal Ostrowski,Woon Ho Jung,Kaustubh Sambhaji Patil,Murali Natarajan Vilayannur. Владелец: PernixData Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Devices and methods to prevent inadvertent motion of dynamically rigidizing apparatuses

Номер патента: US12121677B2. Автор: William J. Evans,Alexander Q. Tilson,Garrett J. GOMES,Mark C. SCHEEFF,Charles Steele Love. Владелец: Neptune Medical Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Powered drivers, intraosseous devices and methods to access bone marrow

Номер патента: US09451968B2. Автор: Robert W. Titkemeyer,Larry J. Miller,David S. Bolleter. Владелец: VIDACARE LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and process for complete elimination of various steps of pest growth in plants using disinfectant compounds based on ethaneperoxoic acid and hydrogen peroxide

Номер патента: EP4208022A1. Автор: Sasan Sartipi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-12.

Method to predict yield of a device manufacturing process

Номер патента: US12055904B2. Автор: Chenxi Lin,Boris Menchtchikov,Simon Philip Spencer HASTINGS,Cyrus Emil TABERY,Maxime Philippe Frederic GENIN,Youping Zhang,Yi Zou,Yana Cheng. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Bacterial strains for use as probiotics, compositions thereof, deposited strains and method to identify probiotic bacterial strains

Номер патента: WO2021209820A1. Автор: Jean-Marc Ghigo,David Perez-Pascual,Franziska Stressmann,Joaquin Bernal-Bayard. Владелец: INSTITUT PASTEUR. Дата публикации: 2021-10-21.

Gene therapy methods to control organ function

Номер патента: US20210301306A1. Автор: Michael G. Kaplitt,Roberta Marongiu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods and compositions to prevent and treat inflammation and allergic reactions

Номер патента: US20230081146A1. Автор: Richard L. Gallo,Tatsuya Dokoshi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods and compositions to prevent and treat inflammation and allergic reactions

Номер патента: US20200188420A1. Автор: Richard L. Gallo,Tatsuya Dokoshi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-06-18.

Methods to improve health and wellbeing in ruminants

Номер патента: AU2019306282B2. Автор: John Henry Doelman,Javier MARTÍN-TERESO LÓPEZ. Владелец: Nutreco Ip Assets Bv. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method to electromagnetically shield portable consumer devices

Номер патента: US09704087B2. Автор: Ayman Hammad,Phil Dixon. Владелец: Visa USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and device to prevent deviation of guiding cable

Номер патента: RU2595227C2. Автор: Лэй Чжан,Чжэньцай ЧЖУ,Гохуа ЦАО,Вэйхун ПЭН,Цзиньцзи ВАН,Яндон ВАН,Ган ШЭНЬ,Шанзен ЛЮ. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2016-08-20.

Method to produce hydrate suspension that does not create plug

Номер патента: RU2425860C2. Автор: Дуглас Дж. Тернер,Ларри Д. ТОЛЛИ,Дуглас К. ПРИДМАН. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2011-08-10.

Apparatus for producing a semiconductor device utlizing successive liquid growth

Номер патента: US4359012A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-11-16.

Lighting assembly and method to install it

Номер патента: EP3904755A1. Автор: Nicola Vendrame. Владелец: Linea Light Srl. Дата публикации: 2021-11-03.

Intraosseous access device and method to access bone marrow

Номер патента: CA3210512A1. Автор: Morgan Tierney,Alex FOMINAS. Владелец: Teleflex Life Sciences Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Intraosseous access device and method to access bone marrow

Номер патента: AU2019264954A1. Автор: Morgan Tierney,Alex FOMINAS. Владелец: Teleflex Life Sciences Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Intraosseous access device and method to access bone marrow

Номер патента: EP3809993A1. Автор: Morgan Tierney,Alex FOMINAS. Владелец: Teleflex Medical Devices SARL. Дата публикации: 2021-04-28.

Systems and methods to reduce sensor interference associated with electrical therapies

Номер патента: US20230293887A1. Автор: Zachary J. Malchano,Curtis Tom,Timothy Machold,Brian J. Fahey. Владелец: Sage Products LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method to prepare hirsutella sinensis polysaccharides possessing insulin-sensitizing properties and applications thereof

Номер патента: US20160361341A1. Автор: Chuan-Sheng Lin,Chien-Sheng Lee,Chih-Jung Chang,Hsin-Chih Lai,Chia-Chen Lu,Yun-Fei Ko,Jan Martel,Jian-Ching Liau,I-Te Chang,Chen-Yaw Chiu,Tsung-Ru Wu,David Marcelo Ojcius,Wei-Chang Wang,Ding-E Young. Владелец: Chang Gung Biotechnology Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Method to prevent vision loss

Номер патента: US20020183302A1. Автор: Mohammad Ali,H. Strong,Troy Reaves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Safety apparatus and method to trace, control and monitor the administration of medical substances

Номер патента: EP3497598A1. Автор: Francesco FANTONI GUERCI. Владелец: ID-Solutions SRL. Дата публикации: 2019-06-19.

Intraosseous access device and method to access bone marrow

Номер патента: AU2024203824A1. Автор: Morgan Tierney,Alex FOMINAS. Владелец: Teleflex Life Sciences Ii LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods to treat mucopolysaccharidosis type II or deficiency in iduronate-2-sulfatase using a recombinant adeno-associated virus (AAV) vector encoding iduronate-2-sulfatase

Номер патента: US12121567B2. Автор: Karen Kozarsky,R. Scott Mcivor,Lalitha R. BELUR,Walter Low,Carolyn FAIRBANKS. Владелец: University of Minnesota System. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method to auto-pressurize prior to dispense in a circulation dispense system

Номер патента: US12122068B2. Автор: Christopher R. Blackson. Владелец: GRACO MINNESOTA INC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method to prepare Hirsutella sinensis polysaccharides possessing insulin-sensitizing properties and applications thereof

Номер патента: US09828442B2. Автор: Chuan-Sheng Lin,Chien-Sheng Lee,Chih-Jung Chang,Hsin-Chih Lai,Chia-Chen Lu,Yun-Fei Ko,Jan Martel,Jian-Ching Liau,I-Te Chang,Chen-Yaw Chiu,Tsung-Ru Wu,David Marcelo Ojcius,Wei-Chang Wang,Ding-E Young. Владелец: Chang Gung Biotechnology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods to treat mucopolysaccharide type I or deficiency in alpha-L-iduronidase using a recombinant adeno-associated virus encoding alpha-L-iduronidase

Номер патента: US09827295B2. Автор: Karen Kozarsky,R. Scott Mcivor,Lalitha R. BELUR,Walter Low,Carolyn FAIRBANKS. Владелец: Regenxbio Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method to prepare Ganoderma lucidum polysaccharides possessing protective activities on fatty liver disease

Номер патента: US09763990B2. Автор: John D. Young,Chuan-Sheng Lin,Chih-Jung Chang,Hsin-Chih Lai,Chia-Chen Lu,Mei-Feng LIN,Yun-Fei Ko,Jan Martel,Jian-Ching Liau,I-Te Chang,Wei-Ting Jian,Chia-Jen Yang,Chen-Yaw Chiu,Tsung-Ru Wu,David Marcelo Ojcius. Владелец: Chang Gung Biotechnology Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method to prepare Ganoderma lucidum polysaccharides possessing anti-obesity properties and uses thereof

Номер патента: US09758595B2. Автор: John D. Young,Chuan-Sheng Lin,Chih-Jung Chang,Hsin-Chih Lai,Chia-Chen Lu,Mei-Feng LIN,Yun-Fei Ko,Jan Martel,Jian-Ching Liau,I-Te Chang,Wei-Ting Jian,Chia-Jen Yang,Chen-Yaw Chiu,Tsung-Ru Wu,David Marcelo Ojcius. Владелец: Chang Gung Biotechnology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Noncrystalline system for flavor or odorant delivery, its production methods (variants), flavored product, good with odorant and method to improve, intensify or modify organoleptic properties of flavored composition or composition with odorant

Номер патента: RU2323595C2. Автор: Жером БАРРА,Валери НОРМАНД,Эннио КАНТЕРГИАНИ,Пьер-Этьен БУКРАН,Даниэль БЕНЦЕДИ. Владелец: Фирмениш Са. Дата публикации: 2008-05-10.

Microfluidic based methods to study intercellular communications

Номер патента: US20240226881A9. Автор: Remi Veneziano,Ramin M. Hakami,Hunter Mason. Владелец: George Mason University. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method to restore paper stack integrity

Номер патента: US20210269265A1. Автор: Michael W. Lawrence,William M. Connors,Gary L. Noe,Zineeddine HAMOUDI. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Surface coating to prevent cation leaching

Номер патента: WO2009053947A3. Автор: David Benjamin Montgomery,Laurence Boulange,Julie HAGUET,Jean Charles Joud,Sébastien JANVIER,Frederique Crozet,Florestan Desmaris,Delphine Brissaud,Charlene Soulet,Estelle Appert. Владелец: Estelle Appert. Дата публикации: 2009-07-09.

Method to neutralize hydrogen chloride in superheated geothermal steam without destroying superheat

Номер патента: US09498749B2. Автор: Oleh Weres. Владелец: ChemTreat Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method to reduce consumption of silicone de-foaming agents in delayed coking processes

Номер патента: RU2629945C2. Автор: Джон Дэниэл ЭЛЛИОТТ,Джерри Нейл ВАГГОНЕР. Владелец: ФОСТЕР ВИЛЕР ЮЭсЭй КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-09-05.

Method to provide fire-inert medium and fire-extinguishing device

Номер патента: RU2317835C1. Автор: Эрнст-Вернер ВАГНЕР. Владелец: Амрона Аг. Дата публикации: 2008-02-27.

Framing unit of developing device, developing device, process cartridge and method to manufacture frame unit of developing device

Номер патента: RU2453887C1. Автор: Нобухару ХОСИ,Акира Сузуки,Макото ХАЯСИДА,Казухико КАННО,Тадаси ХОРИКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-06-20.

Method to apply modified flu virus

Номер патента: RU2480480C2. Автор: Эрих Хоффманн,Александр С. ЛИПАТОВ,Роберт Г. УЭБСТЕР,Ричард Дж. УЭББИ,Елена А. ГОВОРКОВА. Владелец: Ст. Джуд Чилдрен'С Рисёч Хоспитал. Дата публикации: 2013-04-27.

Compositions and methods to prevent microbial contamination of plant tissue culture media

Номер патента: AU5970196A. Автор: Assaf Z Guri,Kishor N. Patel. Владелец: Plant Cell Technology Inc. Дата публикации: 1996-12-18.

Compositions and methods to prevent microbial contamination of plant tissue culture media

Номер патента: WO1996038542A1. Автор: Kishor N. Patel,Assaf Z. Guri. Владелец: Plant Cell Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-12-05.

Compositions and methods to prevent microbial contamination of plant tissue culture media

Номер патента: AU698103B2. Автор: Assaf Z Guri,Kishor N. Patel. Владелец: Plant Cell Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-22.

New method to improve nk cells cytotoxicity

Номер патента: US20240228659A1. Автор: Jean-Marc LE DOUSSAL,Stéphane BIRKLE,Sophie FOUGERAY,Meriem BAHRI,Emilie MADURA. Владелец: OGD2 PHARMA. Дата публикации: 2024-07-11.

Broadband tunable thz wave manipulator and the method to form the same

Номер патента: US20190025613A1. Автор: Lu Ding,Jinghua Teng. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-01-24.

Method to support high reliability multiple times program non-volatile configuration setting

Номер патента: US20220244883A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Testing of analogue circuits in semiconductor devices

Номер патента: WO1990006521A1. Автор: David Leonard Waller. Владелец: Lsi Logic Europe Plc. Дата публикации: 1990-06-14.

Apparatus for preventing cross talk and interference in semiconductor devices during test

Номер патента: US20040262603A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick,Kevin Potasiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method for designing the same

Номер патента: US20060236137A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods to inhibit intracellular growth of bacteria and to treat bacteria-mediated diseases

Номер патента: US09539222B2. Автор: Amit Singhal,Gennaro De Libero. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-01-10.

Apparatus for electroplating a tooling for use in semiconductor device encapsulation

Номер патента: US09487881B2. Автор: Shu Chuen Ho,Kai Fat YIP,Eng Cheng CHNG,Yew Lan NGO,Saravana Ranganathan Damodaran. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method to reinforce existing metal structure, method to reinforce pipes and method to attach branches to pipelines

Номер патента: RU2433936C2. Автор: Стефен Дж. КЕННЕДИ. Владелец: Интеллиджент Инджиниринг (Бахамаз) Лимитед. Дата публикации: 2011-11-20.

Technology of epitaxial growth of monocrystalline aluminum nitride and growth chamber for implementation of technology

Номер патента: RU2158789C1. Автор: Ю.А. Водаков,Е.Н. Мохов,М.Г. Рамм,А.Д. Роенков,С.Ю. Карпов,Ю.Н. Макаров,А.С. Сегаль. Владелец: Сегаль Александр Соломонович. Дата публикации: 2000-11-10.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Anti-theft locking bolt assembly and a method to prevent unauthorized removal of an article

Номер патента: SE545526C2. Автор: Lars Ivarsson,Marcus Ekström. Владелец: Rimgard Sweden AB. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: US20240233781A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: WO2022246636A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Apparatus and Method for Testing Electromigration in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120136468A1. Автор: Yun Wang,Chi-I Lang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09710174B2. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi,Shinya Izumi,Yukiko Take. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Adhesive tape and method to manufacture adhesive tape

Номер патента: RU2553866C2. Автор: Альдо ЛАНФРАНКОНИ. Владелец: ИЛЛИНОЙС ТУЛ ВОРКС ИНК.. Дата публикации: 2015-06-20.

Method to recycle solid domestic wastes into fuel for furnaces of high-temperature synthesis of cement clinker

Номер патента: RU2479622C1. Автор: Владимир Николаевич Антипов,Михаил Викторович Конев,Виктор Александрович Конев,Владимир Дмитриевич Коршиков,Антонина Викторовна Бондаренко,Игорь Николаевич Чмырев,Алексей Юрьевич Кривцов,Владимир Николаевич Дегтярев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Липецкий государственный технический университет" (ЛГТУ). Дата публикации: 2013-04-20.

Method to control a group of unmanned aerial vehicles taking into account the degree of danger of surrounding objects

Номер патента: RU2728197C1. Автор: Владимир Иванович Меркулов,Денис Александрович Миляков,Елена Владимировна Попова,Андрей Сергеевич Пляшечник. Владелец: Акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега". Дата публикации: 2020-07-28.

Method to ameliorate osteolysis and metastasis

Номер патента: US5993817A. Автор: Gregory R. Mundy,Toshiyuki Yoneda,Theresa A. Guise. Владелец: Xenotech. Дата публикации: 1999-11-30.

Method to train players and sportsmen

Номер патента: RU2444392C1. Автор: Владимир Евгеньевич Афоньшин. Владелец: Владимир Евгеньевич Афоньшин. Дата публикации: 2012-03-10.

Device and method to manufacture moisture-sensitive elements and moisture sensor based on such moisture-sensitive elements

Номер патента: RU2564700C1. Автор: Гарри Михайлович Файкин,Владимир Федорович Калинин. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "СПЕЦТЕХНОЛОГИИ" (ООО "СПЕЦТЕХНОЛОГИИ"). Дата публикации: 2015-10-10.

Method to compensate for amplitude drift in spectrometer and spectrometer realising specified method

Номер патента: RU2571185C2. Автор: Хенрик Вильструп ЙУХЛЬ. Владелец: ФОСС АНАЛИТИКАЛ А/С. Дата публикации: 2015-12-20.

Device and method to improve vehicle performance

Номер патента: RU2539239C2. Автор: Ларс ЭРИКССОН,Кристиан КЮНКЕЛЬ. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2015-01-20.

Device for fitting separate items into envelopes and methods to this end

Номер патента: RU2479437C2. Автор: Питер КЕРН,Рейнхард БУРИ. Владелец: Керн Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2013-04-20.

Method to determine vibration events with resonant frequency in assembly of rotary blades

Номер патента: RU2514061C2. Автор: Питер РУШАРД,Джейсон Дэвид БЭК. Владелец: РОЛЛС-РОЙС Пи-Эл-Си, Великобритания. Дата публикации: 2014-04-27.

Method to rescue crew of light helicopter

Номер патента: RU2649283C1. Автор: Игорь Валентинович Никитин,Олег Евгеньевич Чернигин. Владелец: Игорь Валентинович Никитин. Дата публикации: 2018-03-30.

Plasminogen activator to prevent corneal and subepithelial haze after laser vision correction surgery

Номер патента: CA2423595A1. Автор: David M. Silver,Adrienne Csutak,Andras Berta,Jozsef Tozser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Method to stimulate expansion of haematopoietic stem cells

Номер патента: RU2493252C2. Автор: Леонард И. ЗОН,Триста Э. НОРТ,Вольфрам ГЕССЛИНГ. Владелец: Чилдрен'З Медикал Сентер Корпорейшн. Дата публикации: 2013-09-20.

Method to fix element of equipment to wall and appropriate reservoir

Номер патента: RU2566508C2. Автор: Джеймс БАТТЕРВОРТ. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2015-10-27.

Method to liquefy natural gas by cooling mixtures, containing at least one non-saturated hydrocarbon

Номер патента: RU2556731C2. Автор: Беатрис ФИШЕР,Жером ПИГУРЬЕ,Пьер-Ив МАРТЕН,Себастьен ФЕРРЕРО,Жилль ФЕРШНЕДЕР. Владелец: Ифп Энержи Нувелль. Дата публикации: 2015-07-20.

Method to generate power in power plant by burning carbon-containing fuel in substantially pure oxygen, power plant to generate power by burning carbon-containing fuel in substantially pure oxygen, method to modify process of power generation by burning carbon-containing fuel from fuel burning in air to fuel burning in substantially pure oxygen

Номер патента: RU2433339C2. Автор: Чжень ФАНЬ,Хорст ХЭК,Эндрю ЗЕЛЬЦЕР. Владелец: Фостер Уилер Энерджи Корпорейшн. Дата публикации: 2011-11-10.

Method to assess thermoplasticity of coals and coking additives and method of coke production

Номер патента: RU2562491C2. Автор: Хироюки СУМИ,Тэцуя ЯМАМОТО,Киёси ФУКАДА,Юсуке ДОХИ,Изуми СИМОЯМА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-09-10.

Method to apply one image onto another, method to personalise data medium using method of images application and personalised data medium

Номер патента: RU2418683C2. Автор: Йорма КАУТТО,Тони КАСКИАЛА. Владелец: Гемальто Ой. Дата публикации: 2011-05-20.

Method to design protective clothes and equipment for law enforcement agency staff and method to inspect such clothes and equipment for compliance with technical conditions

Номер патента: RU2419363C2. Автор: КАРПЕНТЬЕР Жером ЛЕ. Владелец: Компани Европин Де Девелепман Индустриель-Седи. Дата публикации: 2011-05-27.

Plasminogen activator to prevent corneal and subepithelial haze after laser vision correction surgery

Номер патента: CA2423595C. Автор: David M. Silver,Adrienne Csutak,Andras Berta,Jozsef Tozser. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-08.

System and method to predict and control blowout in combustion systems

Номер патента: WO2023152772A1. Автор: Sujith Raman Pillai Indusekharan Nair,Induja Pavithran,Ankan Banerjee. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-08-17.

Method to prevent the formations of Hurricanes and Typhoons by reducing the Surface-temperature of the Oceans

Номер патента: US20200245568A1. Автор: Hideo Tomomatsu,Tadao Tomomatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of quantifying induced membrane permeability and of screening compounds able to prevent said permeability

Номер патента: US20210349077A1. Автор: Dmitry Zaretsky,Maria Zaretskaia. Владелец: Zarbio. Дата публикации: 2021-11-11.

An elongated nanofiber with an improved prevention of thermal conductance and method to prevent thermal conductance in the nanofiber

Номер патента: WO2008068386A1. Автор: Pekka Neittaanmaki,Lev M. Baskin,Boris A. Plamenevsky,Alexey A. Pozharsky. Владелец: Jyvaskylan Yliopisto. Дата публикации: 2008-06-12.

Method to prevent specks or hairline cracks in, and premature failure of, airplane cylinder barrels

Номер патента: US20030031810A1. Автор: Yoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Method to prevent and treat glaucoma by calcium channel blockers, angiotensin converting enzyme inhibitors, and angiotensin receptor blockers

Номер патента: WO2024076697A1. Автор: Assa WEINBERG. Владелец: Weinberg Assa. Дата публикации: 2024-04-11.

Method to prevent specks or hairline cracks in, and premature failure of, airplane cylinder barrels

Номер патента: WO2002090617A1. Автор: Yoon Kim. Владелец: TEXTRON LYCOMING. Дата публикации: 2002-11-14.

Tube coating with polar surface treated silica-based nanoparticles to prevent build-up of solid sulfur

Номер патента: US12006469B2. Автор: John Edmond Southwell,Samuel James Maguire-Boyle. Владелец: Nissan Chemical America Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Heating devices to prevent bacteria proliferation in the lowermost region of a water holding tank of an electric water heater

Номер патента: US10724745B2. Автор: Claude Lesage,Jean-Claude Lesage. Владелец: Miclau SRI Inc. Дата публикации: 2020-07-28.

Scrubber using mesh filter and apparatus for exhaust gas treatment in semiconductor fabrication equipments using the same

Номер патента: WO2009038326A3. Автор: Chulsoo Byun,Mancheol Han. Владелец: Mancheol Han. Дата публикации: 2009-05-07.

Methods to provide a feature on a needle

Номер патента: EP2456489A1. Автор: S. Ray Isaacson,Austin Jason Mckinnon,Bart D. Peterson,Iii Edward G. Henderson. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2012-05-30.

Methods to provide a feature on a needle

Номер патента: WO2011011258A1. Автор: S. Ray Isaacson,Austin Jason Mckinnon,Bart D. Peterson,Iii Edward G. Henderson. Владелец: BECTON, DICKINSON AND COMPANY. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of controlling an epitaxial growth process in an epitaxial reactor

Номер патента: WO2008125609A1. Автор: Robert Maier,Pietro Foglietti,Manfred Schiekofer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-10-23.

Method to treat osteoporotic vertebral body

Номер патента: US20200376161A1. Автор: Jiin-Huey Chern Lin,Chien-Ping Ju. Владелец: Joy Medical Devices Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method to design structure preventing collapse of rock

Номер патента: RU2517669C2. Автор: Томохиро ФУДЗИИ,Тосимицу НОМУРА. Владелец: ОФФИЧИНЕ МАККАФЕРРИ С.П.А.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method to produce heavy modular element and modular element produced in compliance with this method

Номер патента: RU2458211C2. Автор: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Владелец: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Дата публикации: 2012-08-10.

Method to increase productivity of water abstraction of underground water

Номер патента: RU2741081C1. Автор: Андрей Андреевич Степкин,Юлия Андреевна Чернова. Владелец: Юлия Андреевна Чернова. Дата публикации: 2021-01-22.

Method to grow chickens, calves and piglets

Номер патента: RU2407400C2. Автор: Татьяна Ивановна Каблучеева. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2010-12-27.

Thermal electric power station with reduced co2-content and method to produce electric power from coal fuel

Номер патента: RU2378519C2. Автор: Тор КРИСТЕНСЕН,Хенрик ФЛЕЙСКЕР,Кнут БЕРСЕТ. Владелец: Саргас Ас. Дата публикации: 2010-01-10.

Method to manufacture fuel rods with zirconium shell

Номер патента: RU2497211C1. Автор: Владимир Павлович Ермаченко,Сергей Сергеевич Гаврилин,Наталья Владимировна Стафеева,Ирина Геннадьевна Бойко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2013-10-27.

Hydromechanical overspeeding protective system and method to protect aircraft engine from overspeeding

Номер патента: RU2278275C2. Автор: Давид МЭЙАР,Ален Пьер ГАРАССИНО,Клод Марсель МЭЙАР,Каролин ДЕССЕН,Изабель ВЕДЖОТТИ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2006-06-20.

Method to prevent collapse of steep river banks

Номер патента: RU2729103C1. Автор: Наталья Викторовна Купчикова,Растам Ирфагильевич Шаяхмедов,Татьяна Владимировна Золина,Сергей Петрович Стрелков. Владелец: Государственное автономное образовательное учреждение Астраханской области высшего образования Астраханский Государственный Архитектурно-Строительный Университет. Дата публикации: 2020-08-04.

Hard-wired method to plan tasks (versions), system to plan tasks and machine-readable medium

Номер патента: RU2453901C2. Автор: Крейг ДЖЕНСЕН,Андрю СТЕФФЕР,Базил ТОМАС,Ричард КЭДРУВИ. Владелец: Дискипер Корпорейшн. Дата публикации: 2012-06-20.

Method to process metal-containing sulphide mineral raw materials with extraction of metals

Номер патента: RU2468097C1. Автор: Евгения Александровна Хамнагдаева,Сергей Юрьевич Абрамовский. Владелец: Сергей Юрьевич Абрамовский. Дата публикации: 2012-11-27.

Methods to control air flow supplied to engine and engine system

Номер патента: RU2637796C2. Автор: Крис Пол ГЛУГЛА,Адам Натан БЭНКЕР,Цюпин ЦЮЙ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2017-12-07.

Method to produce recombinant insulin glargine

Номер патента: RU2495131C2. Автор: Кришнамуртхи ВЕНКАТЕСАН,Нитеш ДАВЕ,Хариш ИЙЕР,Анудж ДЖОЭЛ,Мукеш Бабуаппа ПАТАЛЕ,Санджай ТИВАРИ,Анооп ВАСУДЕВАН,Анупама ДЖАГАДИШ,Вивеканандан КАННАН,Нита РОЙ,Голди САЧДЕВ,Партха ХАЗРА. Владелец: Байокон Лимитид. Дата публикации: 2013-10-10.

Method to produce building board based on calcium sulfate/barium sulfate

Номер патента: RU2440314C1. Автор: Госберт Гребнер,Георг КРЕМЕР,Лотар ШЕЛЛЕР,Петра ФОГЕЛЬ,Ханс-Ульрих ХУММЕЛЬ. Владелец: Кнауф Гипс КГ. Дата публикации: 2012-01-20.

System and method to obtain advanced measurements in process of drilling

Номер патента: RU2576043C1. Автор: Жан СЕЙДУ,Андрей ДАВЫДЫЧЕВ,Дени ЭЛИОТ,Николас БЕННЕТТ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2016-02-27.

Method to produce acrolein or acrylic acid or their mixture from propane

Номер патента: RU2452724C2. Автор: Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Мартин ДИТЕРЛЕ,Отто Маххаммер. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2012-06-10.

Method to grade solid domestic wastes and unit to this effect

Номер патента: RU2389565C1. Автор: Сергей Петрович Черепанов,Михаил Сергеевич Черепанов,Евгений Григорьевич Ситников,Сергей Михайлович Гречухин. Владелец: Сергей Петрович Черепанов. Дата публикации: 2010-05-20.

Method to process carbon-containing solid substances by method of quick pyrolysis (versions)

Номер патента: RU2451880C2. Автор: Владимир Александрович Котельников,Андрей Владимирович Котельников,Дмитрий Владимирович Замураев. Владелец: Дмитрий Владимирович Замураев. Дата публикации: 2012-05-27.

Method to manufacture device containing gel layer

Номер патента: RU2420220C2. Автор: Маттео МАЗОН,Массимо ЛОЗИО. Владелец: Текноджел Италия С.Р.Л.. Дата публикации: 2011-06-10.

Method to define packed product storage life and device to this effect

Номер патента: RU2348033C2. Автор: . Владелец: Рудольф Вильд Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-02-27.

Device and method to activate transport facility system

Номер патента: RU2428328C1. Автор: Норитаке МИЦУТАНИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-09-10.

Method to build underground evaporation systems in high-temperature layers of terrestrial rocks for thermal power plants

Номер патента: RU2552240C2. Автор: Василий Иванович Сотников. Владелец: Василий Иванович Сотников. Дата публикации: 2015-06-10.

Method to remove wires or bands from pressed raw material bundles and winding device for described method realization

Номер патента: RU2318709C2. Автор: Эрих ПЕТЕРС,Эдуард ГАБАНСКИ,Альфред ПИККЕЛЬ. Владелец: Фойт Пэйпер Патент Гмбх. Дата публикации: 2008-03-10.

Method to increase lower sensitivity threshold of well flowmeter and well flowmeter module

Номер патента: RU2631453C1. Автор: Фарид Анфасович Махмутов,Шамсияхмат Ахметович Ахметшин,Эльдар Рифович Асадуллин,Камиль Ахметназибович Ганеев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "ТНГ-Групп". Дата публикации: 2017-09-22.

Method to detect reservoir filling level

Номер патента: RU2578022C2. Автор: Фабиан ВЕНГЕР. Владелец: Роузмаунт Танк Радар Аб. Дата публикации: 2016-03-20.

Method to reinforce slopes of waterlogged lands

Номер патента: RU2425474C1. Автор: Дмитрий Михайлович Панков,Виктор Маркович Важов,Алексей Валерьевич Одинцев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайская государственная академия образования имени В.М. Шукшина". Дата публикации: 2011-08-10.

Method to reinforce brickwork pillars and their columnar foundations

Номер патента: RU2600473C1. Автор: Владимир Степанович Скальный,Евгений Владимирович Косыгин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2016-10-20.

Method to produce flu virus

Номер патента: RU2484136C2. Автор: Мишель БЮБЛО,Катрин ЖЕРДИЛЬ,Катрин МОСТ,Изабелль ЛЕГАСТЕЛУА,ГРО Франсуа-Ксавье ЛЕ. Владелец: Санофи Пастер. Дата публикации: 2013-06-10.

Method to locate radio centre, system of radio centre location and unit of data processing

Номер патента: RU2432581C1. Автор: Денис Евгеньевич Гордеев,Алексей Петрович Мощевикин,Алексей Владимирович Соловьев,Александр Сергеевич Галов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РТЛ-Сервис". Дата публикации: 2011-10-27.

Method to monitor disconnection and failure of automatic reclosing of head circuit breaker on line supplying transformer substation, under unstable short circuit

Номер патента: RU2503108C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Игорь Леонидович Суров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2013-12-27.

Method to adjust sealing gap in regenerative heat exchanger depending on temperature, heat-controlled adjustment device for its realisation and regenerative heat exchanger

Номер патента: RU2441188C1. Автор: Мирослав ПОДГОРСКИЙ,Фолькер ХАЛЬБЕ,Хайнц-Гюнтер РАТС. Владелец: Балке-Дюрр Гмбх. Дата публикации: 2012-01-27.

Method to produce feed for animals or food and product made by this method

Номер патента: RU2563683C1. Автор: Карстен ГРЕБЕР,Йоханнес П. ШЛЕБУШ. Владелец: МАРС ИНКОРПОРЕЙТЕД. Дата публикации: 2015-09-20.

Method to determine degree of mechanism balance and optimum position of counterweight of sucker rod pumping units

Номер патента: RU2686787C1. Автор: Анатолий Михайлович Зюзев,Матвей Владимирович Бубнов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2019-04-30.

Method to convert energy of air or water flow currents

Номер патента: RU2491445C1. Автор: Константин Серафимович Павлович,Алексей Константинович Павлович,Михаил Васильевич Сизов,Роман Львович Харланов,Всеволод Мстиславович Павлович. Владелец: Алексей Константинович Павлович. Дата публикации: 2013-08-27.

Method to compensate frequency drift in interferometer

Номер патента: RU2569052C1. Автор: Хенрик Вильструп ЙУХЛЬ. Владелец: ФОСС АНАЛИТИКАЛ А/С. Дата публикации: 2015-11-20.

Method to operate electrochemical capacitors

Номер патента: RU2520183C2. Автор: Игорь Николаевич Варакин,Алексей Борисович Степанов,Владимир Васильевич Менухов,Вячеслав Иванович Шумовский. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭЛТОН". Дата публикации: 2014-06-20.

Method to manufacture drawbar from composite material

Номер патента: RU2484319C1. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛАВИ. Владелец: Мессье-Бюгатти-Довти. Дата публикации: 2013-06-10.

Method to make organic photovoltaic converter of solar energy into electric current

Номер патента: RU2469440C2. Автор: Аслан Юсупович Цивадзе,Анатолий Вениаминович Ванников,Андрей Юрьевич Чернядьев,Алексей Раисович Тамеев,Маринэ Гурамовна Тедорадзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина Российской академии наук (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2012-12-10.

Method to make modified fibrous concrete mixture and modified fibrous mixture

Номер патента: RU2433038C1. Автор: Владимир Александрович Перфилов. Владелец: Владимир Александрович Перфилов. Дата публикации: 2011-11-10.

Method to control machine for laundry treatment

Номер патента: RU2506360C2. Автор: Янг Сук КИМ,Хиун Сеок СЕО,Дзае Хиук ДЗАНГ,Бон Квон КОО. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2014-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD TO CONTROL SOURCE/DRAIN STRESSOR PROFILES FOR STRESS ENGINEERING

Номер патента: US20120001228A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,HOLT Judson Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to Protect Compound Semiconductor from Electrostatic Discharge Damage

Номер патента: US20120003762A1. Автор: CHANG LIANN-BE,Lin Cheng-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to weld lead in semiconductor device

Номер патента: RU2525962C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Юрий Викторович Шарапов,Анатолий Александрович Колбенков,Андрей Анатольевич Стоянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2014-08-20.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods to Treat Bone Related Disorders

Номер патента: US20120003219A1. Автор: LU Chris,HU Shou-Ih,KNEISSEL Michaela,HALLEUX Christine. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent development of electric plant fire

Номер патента: RU2454258C1. Автор: Владимир Семенович Мельников,Максим Викторович Молчанов. Владелец: Максим Викторович Молчанов. Дата публикации: 2012-06-27.

Method to provide serveability of blade of gas-turbine engine

Номер патента: RU2317420C1. Автор: Георгий Петрович Матвеенко,Александр Маркович Портер,Алексей Львович Водолагин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн". Дата публикации: 2008-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS TO IMPROVE ADHESION OF POLYMER COATINGS OVER STENTS

Номер патента: US20120003379A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent icing of cooling tower

Номер патента: RU2451885C1. Автор: Владимир Васильевич Смирнов,Сергей Николаевич Иванов,Евгений Васильевич Балашов,Николай Николаевич Случанинов,Евгений Геннадьевич Коршунов,Василий Иванович Масько. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Комсомольский-на-Амуре государственный технический университет" (ГОУВПО "КнАГТУ"). Дата публикации: 2012-05-27.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS TO TREAT CANCER

Номер патента: US20120004235A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent flooding of area downstream dam of krasnodar water-engineering system on kuban river

Номер патента: RU2440454C2. Автор: Геннадий Петрович Кузнецов. Владелец: Геннадий Петрович Кузнецов. Дата публикации: 2012-01-20.

Method to prevent driver falling asleep

Номер патента: RU2413632C2. Автор: Владимир Николаевич Гридин,Максим Игоревич Труфанов,Андрей Игоревич Газов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Центр информационных технологий в проектировании РАН. Дата публикации: 2011-03-10.

Method to provide for stability of high ledges

Номер патента: RU2392434C1. Автор: Георгий Михайлович Ерёмин. Владелец: Георгий Михайлович Ерёмин. Дата публикации: 2010-06-20.

METHOD TO PRODUCE PROBIOTIC PREPARATION BASED ON SPOROGENOUS STRAINS Bac subtillis AND Bac licheniformis

Номер патента: RU2432393C1. Автор: Алексей Александрович Иваненко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Национальная биотехнологическая компания". Дата публикации: 2011-10-27.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sophisticated Metallization Systems in Semiconductors Formed by Removing Damaged Dielectric Surface Layers After Forming the Metal Features

Номер патента: US20120001343A1. Автор: Feustel Frank,Huisinga Torsten,Grillberger Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent concussion of piston groups against cylinder ends in free-piston compressor with linear electric motor with help of gas distribution valves

Номер патента: RU2548702C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2015-04-20.

Method to prevent explosion of gaseous mixture

Номер патента: RU2466276C2. Автор: Геннадий Никонорович Каюткин. Владелец: Геннадий Никонорович Каюткин. Дата публикации: 2012-11-10.

Method to prevent infectious complications in animals under exposure to stress in experiment

Номер патента: RU2410101C1. Автор: Валерий Александрович Черешнев,Леонид Михайлович Кулемин,Полина Владимировна Косарева,Виталий Петрович Хоринко,Валерьян Федорович Кузнецов,Наталья Ивановна Аверьянова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермская государственная медицинская академия имени академика Е.А. Вагнера Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2011-01-27.

Method to prevent icing of wires in overhead ac power transmission lines

Номер патента: RU2474939C1. Автор: Василий Николаевич Тикменов,Георгий Всеволодович Колесник. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научный центр "ЭЛИНС". Дата публикации: 2013-02-10.

Method to prevent concussion of piston groups against cylinder ends in free-piston compressor with linear electric motor with help of electric energy counter pulses

Номер патента: RU2543911C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2015-03-10.

METHOD TO OPTIMIZE THE LIGHT EXTRACTION FROM SCINTILLATOR CRYSTALS IN A SOLID-STATE DETECTOR

Номер патента: US20120001075A1. Автор: FRACH Thomas,Thon Andreas. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent formation and growth of carbonaceous deposits on walls of heat exchange channels

Номер патента: RU2482413C2. Автор: Виктор Михайлович Гуреев,Юрий Федорович Гортышов,Сергей Дмитриевич Губин,Константин Витальевич Алтунин,Игорь Александрович Попов,Виталий Алексеевич Алтунин,Станислав Эдуардович Тарасевич,Федор Николаевич Дресвянников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева (КГТУ-КАИ). Дата публикации: 2013-05-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent unauthorized use of automobile

Номер патента: RU2296681C1. Автор: Владимир Петрович Грибок,Александр Юрьевич Шептовецкий,Александр Николаевич Герасимчук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АЛЬТОНИКА" (ООО "АЛЬТОНИКА"). Дата публикации: 2007-04-10.

Method to prevent formation of ice nodes on metal roofs

Номер патента: RU2435005C1. Автор: Анатолий Павлович Ефимочкин,Юлия Васильевна Ефимочкина. Владелец: Юлия Васильевна Ефимочкина. Дата публикации: 2011-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to kill weeds in onion crops

Номер патента: RU2480989C1. Автор: Владимир Константинович Губин,Михаил Юрьевич Храбров,Валентин Борисович Жезмер. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им. А.Н. Костякова Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2013-05-10.

External casing attachment method to casing pipes

Номер патента: RU2558572C1. Автор: Ирек Сулейманович Катеев,Ринат Ильдусович Шафигуллин,Рустем Ирекович Катеев,Александр Михайлович Луконин,Тимур Рустемович Катеев,Сергей Алексеевич Пиляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Бурение" (ООО "Бурение"). Дата публикации: 2015-08-10.

Method to manufacture paper-resin film

Номер патента: RU2434087C1. Автор: Николай Николаевич Паршуков,Екатерина Владимировна Гумерова,Сталина Филипповна Зыкова. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТЮМЕНСКИЙ ЗАВОД ПЛАСТМАСС". Дата публикации: 2011-11-20.

Method to prevent filtration of contaminated high-mineralised industrial wastes into water-bearing horizon of underground water and anti-filtration accumulator

Номер патента: RU2501905C2. Автор: Виталий Владимирович Куриленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2013-12-20.

Method to produce working member of electrically driven centrifugal multistage pump for oil extraction

Номер патента: RU2382908C1. Автор: Яков Абрамович Глускин,Евгений Иванович Харламов,Светлана Николаевна ВАСИЛЬЕВА,Александр Михайлович ЧАЙКУН. Владелец: ЦЕНТР РАЗРАБОТКИ НЕФТЕДОБЫВАЮЩЕГО ОБОРУДОВАНИЯ (ЦРНО). Дата публикации: 2010-02-27.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent jamming of rodless drive

Номер патента: RU2386827C2. Автор: Владимир Александрович Ворогушин. Владелец: Владимир Александрович Ворогушин. Дата публикации: 2010-04-20.

Method to prevent stress reactions in animals

Номер патента: RU2598340C1. Автор: Владимир Анатольевич Галочкин,Геннадий Иванович Боряев,Валентина Петровна Галочкина,Анастасия Викторовна Агафонова. Владелец: Федеральное Государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт физиологии, биохимии и питания животных" (ВНИИФБиП). Дата публикации: 2016-09-20.

Method to prevent fire in peat-bogs and lignin sediments

Номер патента: RU2311213C1. Автор: Юрий Сергеевич Костин,нов Юрий Андреевич Зыр,Юрий Андреевич Зырянов,Евгений Станиславович Шкредов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2007-11-27.

Method to prevent gas-dynamic phenomena

Номер патента: RU2219349C2. Автор: В.С. Забурдяев,Г.С. Забурдяев,В.Б. Артемьев,Б.М. Иванов,ев В.С. Забурд,ев Г.С. Забурд,П.И. Томилин,В.В. Юзик. Владелец: Государственное унитарное предприятие Национальный научный центр горного производства-ИГД им. А.А. Скочинского. Дата публикации: 2003-12-20.

Method to insulate absorption zone in well

Номер патента: RU2447258C1. Автор: Александр Сергеевич Жиркеев,Альфия Камилевна Сахапова,Дильбархон Келамединовна Хасанова,Рамзис Рахимович Кадыров,Дамир Бариевич Бадыкшин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-04-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent high-jacking of vehicles

Номер патента: RU2264935C1. Автор: М.В. Яцык,А.Н. Герасимчук,А.М. Сигаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АЛЬТОНИКА" (ООО "АЛЬТОНИКА"). Дата публикации: 2005-11-27.

Method to create anti-filtration screen of hydraulic structure for storage of industrial wastes

Номер патента: RU2544376C1. Автор: Эдвард Петрович Ржечицкий,Сергей Алексеевич Овчинников,Константин Сергеевич Ёлкин,Вячеслав Георгиевич Григорьев,Дмитрий Константинович Ёлкин,Михаил Анатольевич Глушкевич,Владимир Кузьмич Крючков,Татьяна Михайловна Павлова,Олег Ильич Ясевич,Борис Ильич Зельберг. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2015-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method to prevent sand appearance in oil and gas wells

Номер патента: RU2285791C1. Автор: Григорий Александрович Ланчаков,Давид Аронович Каушанский,Владимир Борисович Демьяновский,Анатолий Николаевич Дмитриевский,Давид Аронович Каушанский (RU),Анатолий Николаевич Дмитриевский (RU),Григорий Александрович Ланчаков (RU),новский Владимир Борисович Демь (RU). Владелец: Институт проблем нефти и газа РАН. Дата публикации: 2006-10-20.

Method to prevent collision of trains and device to this end

Номер патента: RU2390455C1. Автор: Василий Иванович Зорин,Елена Евгеньевна Шухина,Игорь Наумович Розенберг,Ефим Наумович Розенберг,Борис Моисеевич Гордон. Владелец: Открытое акционерное общество "Российские железные дороги" (ОАО "РЖД"). Дата публикации: 2010-05-27.

Method to control converter of voltage source and device of voltage conversion

Номер патента: RU2435289C1. Автор: Гуннар АСПЛУНД. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2011-11-27.

Method to prevent and suppress self-ignition

Номер патента: RU2482279C2. Автор: Вячеслав Алексеевич Портола,Наталья Юрьевна Луговцова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Дата публикации: 2013-05-20.

Method to prevent formation of icicles on sloping roof

Номер патента: RU2460860C1. Автор: Владимир Степанович Григорьев. Владелец: Владимир Степанович Григорьев. Дата публикации: 2012-09-10.

Method to measure resistance to dc in windings of electric equipment

Номер патента: RU2531850C1. Автор: Николай Афонасьевич Чернышёв. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СКБ электротехнического приборостроения". Дата публикации: 2014-10-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to manufacture semiconductor device isolations

Номер патента: RU2528574C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2014-09-20.

Semiconductor unit package, semiconductor unit packaging method, and encapsulant for use in semiconductor unit packaging

Номер патента: MY112651A. Автор: SAKURAI Wataru,HARADA MITSURU,Omoya Kazunori,Oobayashi Takashi,Bessho Yoshihiro. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to apply intestinal and gastric fistulas

Номер патента: RU2077273C1. Автор: Вениамин Иванович Шапошников. Владелец: Вениамин Иванович Шапошников. Дата публикации: 1997-04-20.

Method to prevent breakage of container when liquid in container has frozen

Номер патента: RU2107649C1. Автор: Сергей Анатольевич Климов,Андриян Степанович Бобрецов. Владелец: Андриян Степанович Бобрецов. Дата публикации: 1998-03-27.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to treat iii-iv stage obliterating diseases of lower limbs arteries

Номер патента: RU2102012C1. Автор: Павел Григорьевич Швальб,Виктор Петрович Железинский,Анатолий Алексеевич Иешкин. Владелец: Анатолий Алексеевич Иешкин. Дата публикации: 1998-01-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent and confine fire on peatbogs

Номер патента: RU2444388C1. Автор: Владимир Николаевич Васильев,Гаяр Хамзянович Бедретдинов,Николай Константинович Голубев,Николай Александрович Ефремов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им. А.Н. Костякова Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-03-10.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

An Improved Device to Prevent Side-slip of Road Vehicles.

Номер патента: GB190526702A. Автор: Samuel Harris. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-08-23.

Method to create permanent forest seed orchards of pine on lands out-of-agricultural use

Номер патента: RU2438295C2. Автор: Дмитрий Иванович Мухортов,Виталий Геннадьевич Краснов,Иван Алексеевич Алексеев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет. Дата публикации: 2012-01-10.

Method to reduce ice stress applied to hydraulic structure

Номер патента: RU2301863C2. Автор: евский Анатолий Михайлович Пул,Анатолий Михайлович Пуляевский,евский Алексей Анатольевич Пул,Алексей Анатольевич Пуляевский,Лариса Николаевна Александрова,Ольга Алексеевна Круглий. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Хабаровский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-06-27.

Method to prevent deformations of linear structures erected on landslide slopes or manmade slopes on melting permafrost soils

Номер патента: RU2556646C1. Автор: Виктор Анатольевич Бабелло,Сергей Анатольевич Кудрявцев,Юрий Боросович Берестяный. Владелец: Юрий Боросович Берестяный. Дата публикации: 2015-07-10.

Method to prevent concussion of piston groups against cylinder ends in double-cylinder free-piston power unit with external combustion chamber with help of gas distribution valves

Номер патента: RU2548527C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2015-04-20.

Method to prevent slipperiness on road surfaces and pavements

Номер патента: RU2494187C1. Автор: Андрей Николаевич Глушко,Анатолий Львович Разинов,Дереник Саркисович Хачатрян,Роман Александрович Санду,Константин Константинович Булатицкий,Юрий Николаевич Орлов,Андрей Григорьевич Вендило. Владелец: Министерство Образования И Науки Российской Федерации Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени Научно-Исследовательский Институт Химических Реактивов И Особо Чистых Химических Веществ". Дата публикации: 2013-09-27.

Method to prevent freezing of head of water injection well working in cyclic water-flooding regime

Номер патента: RU2278951C2. Автор: Рустам Хамисович Халимов,Владимир Александрович Андреев,Рамзис Рахимович Кадыров,Марат Халимович Салимов,Александр Иванович Воронин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-06-27.

Method to prevent ignition of methane and air mixture

Номер патента: RU2513790C1. Автор: Вилен Вагаршович Азатян,Анатолий Александрович Трубицын,Дарья Анатольевна Трубицына,Юрий Михайлович Филатов,Сергей Владимирович Шатиров,Сергей Иванович Голоскоков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВостЭКО" (ООО "ВостЭКО"). Дата публикации: 2014-04-20.

Method to prevent and treat deficiency anaemia and to prevent hypoplastic anaemia in piglets

Номер патента: RU2429863C1. Автор: Алексей Владимирович Савинков,Марина Петровна Семененко,Валерий Александрович Антипов,Константин Михайлович Садов. Владелец: Государственное научное учреждение Самарская научно-исследовательская ветеринарная станция Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ Самарская НИВС). Дата публикации: 2011-09-27.

Method to prevent origination of progressing avalanche of collapse of cover containing ribbed reinforced concrete boards

Номер патента: RU2449092C2. Автор: Кирилл Константинович Нежданов,Алексей Кириллович Нежданов,Дмитрий Викторович Артюшин. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Пензенский Государственный Университет Архитектуры И Строительства". Дата публикации: 2012-04-27.

Method to prevent explosion of methane-coal-air mixture

Номер патента: RU2452862C1. Автор: Сергей Александрович Брагин,Игорь Васильевич Синькевич. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Технологии Пожаротушения". Дата публикации: 2012-06-10.

Method to prevent casing pipe crushing in well drilled in permafrost zone

Номер патента: RU2299311C2. Автор: Александр Матякубович Бекметов,Александр Мат кубович Бекметов,Валерий Валерьевич Фомченков. Владелец: НОУ ОНУТЦ ОАО "Газпром". Дата публикации: 2007-05-20.

Method to back up semiconductor objects operating under action of ionising radiation

Номер патента: RU2413281C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Виктор Ильич Жук,Валерий Лазаревич Литвинов,Петр Анатольевич Александров (RU),Виктор Ильич Жук (RU),Валерий Лазаревич Литвинов (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2011-02-27.

DEVICE AND METHOD TO CONDUCT AN ELECTROCHEMICAL REACTION ON A SURFACE OF A SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120000785A1. Автор: Zahraoui Said,Descours Francis,Raynal Frederic. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRA-LOW FIELD NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE METHOD TO DISCRIMINATE AND IDENTIFY MATERIALS

Номер патента: US20120001631A1. Автор: Kraus,Espy Michelle A.,MATLASHOV ANDREI NIKOLAEVICH,VOLEGOV PETR LVOVICH,JR. ROBERT HENRY,Urbaitis Algis V.. Владелец: Los Alamos National Security, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD TO TRANSMIT MULTIPLE DATA-STREAMS OF VARYING CAPACITY DATA USING VIRTUAL CONCATENATION

Номер патента: US20120002682A1. Автор: . Владелец: Tejas Networks Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD TO ANALYZE CALLS TO ADVERTISED TELEPHONE NUMBERS

Номер патента: US20120002795A1. Автор: . Владелец: Marchex, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD TO DIRECT TELEPHONE CALLS TO ADVERTISERS

Номер патента: US20120002799A1. Автор: . Владелец: Marchex, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRACED CHEMICALS AND METHOD TO VERIFY AND CONTROL FORMULATION COMPOSITION

Номер патента: US20120004776A1. Автор: Abad Carlos. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent, localise and extinguish fire at peatbogs

Номер патента: RU2438738C1. Автор: Гаяр Хамзянович Бедретдинов,Николай Константинович Голубев,Нина Михайловна Варакина. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им. А.Н. Костякова Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-01-10.

Method to prevent corrosion of outer reservoir bottom surface

Номер патента: RU2287047C1. Автор: Николай Дмитриевич Войтех,Виктор Иванович Яровой,Адам Ицых-Меерович Цинман. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт по переработке газа" (ОАО "НИПИгазпереработка"). Дата публикации: 2006-11-10.

Method to heat gas-liquid mixture in well to prevent deposits of paraffin on walls of lifting pipes

Номер патента: RU2450117C1. Автор: Юрий Александрович Савиных,Халим Назипович Музипов. Владелец: Халим Назипович Музипов. Дата публикации: 2012-05-10.

Method to predict intrauterinely developed hypertension syndrome in neonatal

Номер патента: RU2112981C1. Автор: Н.И. Цирельников. Владелец: Научно-исследовательский институт общей патологии и экологии человека СО РАМН. Дата публикации: 1998-06-10.

DETECTION METHOD TO CONTROL THE MIGRATION OF BANDED SLEEVES IN DIFFICULT TO ACCESS HARDWARE AND DETECTION DEVICE

Номер патента: US20120000084A1. Автор: Balsa Gonzalez Alberto,DE GREGORIO HURTADO Yolanda. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS TO OVERLAY REMOTE AND LOCAL VIDEO FEEDS

Номер патента: US20120002061A1. Автор: Gay Michael F.,Bailey Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to prevent flame propagation on peat

Номер патента: RU2457876C1. Автор: Борис Михайлович Кизяев,Владимир Константинович Губин,Лидия Владимировна Кудрявцева,Владимир Пантелеевич Максименко,Михаил Юрьевич Храбров,Валентин Борисович Жезмер,Кирилл Вадимович Губер. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им. А.Н. Костякова Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2012-08-10.

Method to prevent salt deposit in oil- and gas-field equipment

Номер патента: RU2320852C2. Автор: Владимир Яковлевич Кабо,Вера Викторовна Живаева,Сергей Владимирович Воробьев,Константин Николаевич Ивонтьев,Алексей Геннадьевич Комзалов. Владелец: Вера Викторовна Живаева. Дата публикации: 2008-03-27.

Method to prevent hydraulic structure dam failure

Номер патента: RU2263178C2. Автор: Н.А. Седых. Владелец: Военный инженерно-технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Method to create conditions to prevent ingress of sludge deposits from voronezh storage pond bottom into cooling pond of novovoronezh nuclear power plant

Номер патента: RU2485245C2. Автор: Геннадий Петрович Кузнецов. Владелец: Геннадий Петрович Кузнецов. Дата публикации: 2013-06-20.

Method to drain water from melted snow and rain water from the outside of inclined roof

Номер патента: RU2299956C2. Автор: Владимир Николаевич Пантелеев,Иль Сергеевич Пантелеев,Илья Сергеевич Пантелеев,Алексей Константинович Павлушков,Алида Константиновна Изюмова. Владелец: Алексей Константинович Павлушков. Дата публикации: 2007-05-27.

Method to protect compressor at unsteady operation of gas- turbine engine

Номер патента: RU2255247C1. Автор: А.Н. Саженков,Ю.С. Савенков,Ю.И. Тимкин,Ю.А. Трубников. Владелец: Открытое акционерное общество "Авиадвигатель". Дата публикации: 2005-06-27.

Method to prevent unauthorised access in satellite communication systems and device for its realisation

Номер патента: RU2419252C2. Автор: Георгий Яковлевич Шайдуров,Александр Витальевич Кузовников,Валерия Александровна Анжина,Виктор Константинович Кухтин,Андрей Евгеньевич Пашков,Виктор Григорьевич Сомов,Никита Владимирович Демаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2011-05-20.

Method to prevent formation of icicles on building roof

Номер патента: RU2571105C2. Автор: Виктор Харитонович Гришин,Евгений Леонидович Лаппо,Алексей Петрович Павлов,Павел Викторович Гришин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Великолукская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2015-12-20.

Method to manufacture multi-layer panels, multi-layer panel, folding formwork for manufacturing of multi-layer panels, process line for manufacturing of multi-layer panels, method to erect cast-in-place concrete frame building from multi-layer panels with decorative external lining

Номер патента: RU2515491C1. Автор: Дахир Курманбиевич Семенов. Владелец: Дахир Курманбиевич Семенов. Дата публикации: 2014-05-10.

Method to remove ice and snow from wires and lightning ropes of power transmission lines and device for its realisation

Номер патента: RU2446532C1. Автор: Евгений Николаевич Иванов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт имени В.И. Ленина". Дата публикации: 2012-03-27.

Method to detect rhenium by kinetic inversion-voltammetric method in rocks and ores

Номер патента: RU2506580C1. Автор: Эдуард Владимирович Горчаков,Нина Александровна Колпакова,Юлия Александровна Оськина,Максим Валентинович Михайлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-02-10.

Method to determine coefficient of vertical diffusion of emissions of industrial enterprises in atmospheric boundary layer

Номер патента: RU2570392C2. Автор: Надежда Кирилловна Рыжакова,Елена Александровна Покровская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-12-10.

Method to determine speed of gravity sedimentation of particles of flue dust in emissions of industrial enterprises in atmospheric boundary layer

Номер патента: RU2569767C2. Автор: Надежда Кирилловна Рыжакова,Елена Александровна Покровская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2015-11-27.

System and method to hand over documents and to control circulation of documents

Номер патента: RU2419137C2. Автор: Джон С. ГАРДНЕР,Джуин Дж. ВАНГ,Мэттью В. СКОТТ. Владелец: иПостал Сервисез, Инк.. Дата публикации: 2011-05-20.

Method to monitor water quality and device for its realisation

Номер патента: RU2570375C2. Автор: Сергей Васильевич Волков,Владимир Менделевич Ольшанский,Владимир Давыдович Барон,Сергей Васильевич Скородумов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ЭКОЛОГИИ И ЭВОЛЮЦИИ им. А.Н. СЕВЕРЦОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИПЭЭ РАН). Дата публикации: 2015-12-10.

Method to monitor and repair insulation of wires

Номер патента: RU2506601C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Дмитрий Геннадьевич Смирнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2014-02-10.

Method of producing carbon composite sophisticated shape structures and method to this end

Номер патента: RU2396168C2. Автор: Олег Иванович Столяров,Владимир Михайлович Добулевич,Сергей Николаевич Иголкин,Григорий Александрович Феофилов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет. Дата публикации: 2010-08-10.

Method to solve special geodetic tasks

Номер патента: RU2470261C1. Автор: Александр Евгеньевич Горбачев,Владимир Вячеславович Громов,Сергей Михайлович Мосалёв,Игорь Семенович Рыбкин,Владимир Анатольевич Хитров,Виктор Юрьевич Егоров,Олег Николаевич Лопуховский. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2012-12-20.

Method to destroy icicles and device implementing this method

Номер патента: RU2516039C2. Автор: Юрий Григорьевич Плескачевский. Владелец: Юрий Григорьевич Плескачевский. Дата публикации: 2014-05-20.

Method to produce heat resistant concrete mix based on lime-slag binder and method to produce items from heat resistant concrete mix

Номер патента: RU2437854C1. Автор: Борис Яковлевич Трофимов,Руслан Рашидович Ахтямов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет". Дата публикации: 2011-12-27.

Method to determine rheological properties of highly fluid moulding sands and instrument for realisation of this method

Номер патента: RU2545484C2. Автор: Сергей Алексеевич Разумовский,Иван Митрофанович Баранов. Владелец: Иван Митрофанович Баранов. Дата публикации: 2015-04-10.

Method to identify platinum in aqueous solutions and process drains by method of stripping voltammetry

Номер патента: RU2467320C1. Автор: Эдуард Владимирович Горчаков,Эльвира Маратовна Габдурахманова,Татьяна Святославовна Глызина,Нина Александровна Колпакова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Method to manufacture membrane module

Номер патента: RU2432986C1. Автор: Виктор Григорьевич Гилев,Александр Исаакович Рабинович. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Новомет-Пермь". Дата публикации: 2011-11-10.

Mark applying method to visualize oil- and gas-field pipe spinning-up (variants), pipe spinning-up method and visual control method

Номер патента: RU2297511C2. Автор: нов Алексей Викторович Емель,Алексей Викторович Емельянов,нов Юрий Федорович Емель,Юрий Федорович Емельянов,Борис Юрьевич Щербаков. Владелец: ОАО "Таганрогский металлургический завод". Дата публикации: 2007-04-20.

Method to forecast crop capacity of green material and oilseeds of dyer's saffron (versions)

Номер патента: RU2415556C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Геннадий Александрович Салдаев,Дмитрий Александрович Салдаев,Вячеслав Петрович Зволинский,Людмила Вячеславовна Богосорьянская,Никита Дмитриевич Салдаев. Владелец: Государственное научное учреждение Прикаспийский научно-исследовательский институт аридного земледелия Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2011-04-10.

Method to provide information security during user access to external information resources via internet

Номер патента: RU2445692C1. Автор: Андрей Александрович Кузнецов,Борис Игоревич Соловьев,Дмитрий Александрович Васинёв,Сергей Владимирович Бантовский,Анастасия Алексеевна Борисенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации (Академия ФСО России). Дата публикации: 2012-03-20.

Triangulation-hyperbolic method to determine coordinates of radio air objects in space

Номер патента: RU2503969C1. Автор: Владимир Иванович Суровцев,Владимир Владимирович Горюнов,Александр Георгиевич Дормидонтов,Игорь Фёдорович Полюхин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Спец-Радио" (ЗАО НПП "Спец-Радио"). Дата публикации: 2014-01-10.

Method to determine vitality and quantity of solid seeds of legume grasses

Номер патента: RU2477595C2. Автор: Юрий Дмитриевич Ахламов. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт кормов имени В.Р. Вильямса Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2013-03-20.

Method to perform survey of well provided with sucker-rod pump

Номер патента: RU2280158C1. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Изида Зангировна Чупикова,Евгений Григорьевич Кормишин,Любовь Ивановна Торикова,Гайса Лёмиевич Мусаев,Дамир Сагдиевич Камалиев,Ильшат Дамирович Вахитов,Фарид Анфасович Махмутов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-07-20.

Method to manufacture products from ceramic matrix composite material

Номер патента: RU2573495C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Оболенский. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method to protect support elements from frost heaving of soil (versions)

Номер патента: RU2515246C1. Автор: Роберт Мияссарович Хафизов. Владелец: Роберт Мияссарович Хафизов. Дата публикации: 2014-05-10.

Method to reveal behind-the-casing flows, which cause gypsum deposits

Номер патента: RU2285798C1. Автор: Рустем Шафагатович Тахаутдинов,Азат Хафизович Сафин,Геннадий Петрович Антонов,Фани Муртазовна Саттарова,Фания Муртазовна Саттарова,Альфи Сайфуловна Халиуллина,Альфия Сайфуловна Халиуллина,Елена Владимировна Шавалеева. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-10-20.

Method to prevent snow accumulation and icicle formation on roof and to protect building roofs, gutters, water drains, pavements, stairs, motor roads, aerodromes and bridges against ice growth

Номер патента: RU2300611C1. Автор: Владимир Алексеевич Беляков,ков Дмитрий Владимирович Бел,Дмитрий Владимирович Беляков,ков Владимир Алексеевич Бел. Владелец: Дмитрий Владимирович Беляков. Дата публикации: 2007-06-10.

Method to inwash earth works

Номер патента: RU2500853C1. Автор: Владимир Иванович Сметанин,Иван Михайлович Жогин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет природообустройства". Дата публикации: 2013-12-10.

Method to protect rock bump hazardous flat-lying seams against impacts

Номер патента: RU2312990C1. Автор: Константин Александрович Филимонов,Вадим Васильевич Иванов,Анатолий Иванович Набоков,Алексей Агафангелович Ренев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кузбасский государственный технический университет" (ГУ КузГТУ). Дата публикации: 2007-12-20.

Underwater garage for vehicles and method to construct underwater garage

Номер патента: RU2468151C2. Автор: Антон Сергеевич Мальцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Гипроречтранс". Дата публикации: 2012-11-27.

Method to increase tank flotation on soft ground

Номер патента: RU2496675C1. Автор: Александр Александрович Котровский,Михаил Юрьевич Будагов,Олег Алексеевич Наказной,Максим Евгеньевич Лапшаков,Александр Валентинович Котровский. Владелец: Александр Валентинович Котровский. Дата публикации: 2013-10-27.

Method to determine wind speed on board of aircraft and device to implement it

Номер патента: RU2486527C2. Автор: Александр Степанович Никулин,Гиви Ивлианович Джанджгава,Владимир Валентинович Кавинский,Виктор Васильевич Негриков,Анна Александровна Никулина,Михаил Ильич Орехов,Геннадий Иванович Герасимов,Сергей Яковлевич Сухоруков. Владелец: Открытое акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро" (ОАО "РПКБ"). Дата публикации: 2013-06-27.

Method to make non-smoking product from rustic tobacco

Номер патента: RU2432094C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-10-27.

Method to produce preserves "borsch poltavskiy"

Номер патента: RU2565928C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to produce steel section bars

Номер патента: RU2544711C1. Автор: Александр Иванович Трайно,Анвер Борисович Стеблов. Владелец: Анвер Борисович Стеблов. Дата публикации: 2015-03-20.

Method to produce arabinogalactane

Номер патента: RU2413432C2. Автор: . Владелец: Угренинов Андрей Анатольевич. Дата публикации: 2011-03-10.

Method to synthesise nanoparticles of tungsten carbide

Номер патента: RU2433888C1. Автор: Сергей Андреевич Новопашин,Алексей Владимирович Зайковский,Василий Анатольевич Мальцев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2011-11-20.

Method to measure variation of temperature of object relative to specified temperature

Номер патента: RU2549223C1. Автор: Федор Евгеньевич Проказин,Алла Алексеевна Соколова,Александр Владимирович Медведь,Раиса Григорьевна Крышталь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-04-20.

Method to control the process of production of polyethers and demulsifying agents on their base

Номер патента: RU2265030C2. Автор: А.П. Болдырев,Ш.Ш. Губаев,Р.Р. Хисаев,нгиров И.И. З,И.И. Зянгиров,О.Н. Хайдарова,Р.А. Сулейманов,М.Р. Муратов. Владелец: ООО "Камская нефтехимическая компания". Дата публикации: 2005-11-27.

Method to monitor quality (safety) of vegetable oils and melted fats

Номер патента: RU2507511C1. Автор: Нина Владимировна Панкова,Вадим Сейдуллаевич Мехтиев,Александр Сергеевич Усиков,Роман Львович Перкель,Александр Георгиевич Воловей,Татьяна Владимировна Пилипенко,Ольга Александровна Фузова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный торгово-экономический университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Method to assess stressed condition of rocks and device for its realisation

Номер патента: RU2441157C2. Автор: Николай Георгиевич Кю. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-27.

Method to predict nicotine content in cigarette fumes

Номер патента: RU2429769C1. Автор: Ирина Александровна Резниченко,Валерий Павлович Писклов,Светлана Кузьминична Кочеткова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт табака, махорки и табачных изделий Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВНИИТТИ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2011-09-27.

Method to detect hidden electric defects of matrix or linear silicon mos multiplexors

Номер патента: RU2474918C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Виктор Петрович Лисейкин,Артем Рубенович Микертумянц. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН". Дата публикации: 2013-02-10.

Method to produce non-smoking product from low-grade tobacco

Номер патента: RU2429739C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-09-27.

Method to control operability of multi-point measurement system with inlet switching of sensors

Номер патента: RU2515738C1. Автор: Вячеслав Васильевич Шевчук,Евгений Георгиевич Зубов,Александр Сергеевич Долгов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2014-05-20.

Method to clean vacuum cleaner filters and vacuum cleaner to implement method

Номер патента: RU2412639C2. Автор: Даниель ЭККШТАЙН,Торстен ЛАНГЕН. Владелец: Альфред Кэрхер Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-02-27.

Method to process carbon-bearing gases and vapours

Номер патента: RU2436760C1. Автор: Аслан Юсупович Цивадзе,Александр Владимирович Пономарёв. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2011-12-20.

Method to determine initiating capacity of remote ammunition and related device

Номер патента: RU2490589C1. Автор: Василий Васильевич Ефанов,Сергей Михайлович Мужичек,Андрей Александрович Скрынников,Игорь Алексеевич Новиков,Кирилл Андреевич Жорник. Владелец: Кирилл Андреевич Жорник. Дата публикации: 2013-08-20.

Method to produce log article (versions), log article (versions) and method of its drying (versions)

Номер патента: RU2389602C1. Автор: Равиль Харисович Курбанов,Даниль Миннеязович Вильданов,Иван Георгиевич Шипов,Котдус Мубаракшович Бикмухаметов. Владелец: Даниль Миннеязович Вильданов. Дата публикации: 2010-05-20.

Method to define initial alignment of strapdown inertial unit of controlled object

Номер патента: RU2348010C1. Автор: Андрей Александрович Гусев,Федор Иванович Макарченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦ АП"). Дата публикации: 2009-02-27.

Method to measure angular movements by laser gyroscope

Номер патента: RU2531028C1. Автор: Юрий Юрьевич Колбас,Юрий Дмитриевич Голяев,Юрий Андреевич Винокуров,Александр Иванович Якушев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (ОАО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха"). Дата публикации: 2014-10-20.

Method to produce preserves "home-made cutlets with cabbage and onion sauce with mustard"

Номер патента: RU2566008C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to stock granular wastes

Номер патента: RU2569100C1. Автор: Вячеслав Николаевич Калмыков,Олег Вадимович Зотеев,Антон Анатольевич Зубков,Анатолий Евгеньевич Зубков,Евгений Вениаминович Григорьев. Владелец: Антон Анатольевич Зубков. Дата публикации: 2015-11-20.

Method to monitor positioning of folds of lock chamber double-leaf gate and device for its realisation

Номер патента: RU2459033C1. Автор: Вячеслав Борисович Самойлов. Владелец: Вячеслав Борисович Самойлов. Дата публикации: 2012-08-20.

Method to detect maximum true stresses and deformations

Номер патента: RU2516592C1. Автор: Валентин Иванович Водопьянов,Вячеслав Петрович Багмутов,Александр Викторович Коробов,Павел Викторович Куимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2014-05-20.

Method to diagnose tightness of stop pipeline valves gate and device for its realisation

Номер патента: RU2478860C2. Автор: Сергей Владимирович Сейнов,Юрий Сергеевич Сейнов,Сергей Борисович Бреженко,Юрий Алексеевич Янченко,Андрей Иванович Гошко,Иосиф Григорьевич Ротенберг. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "ГАКС-Армсервис". Дата публикации: 2013-04-10.

Gravimetric method to define deviation of plumb-line in ocean on mobile object

Номер патента: RU2348009C1. Автор: Александр Николаевич Добротворский,Владимир Александрович Катенин,Борис Евгеньевич Иванов,Евгений Андреевич Денесюк. Владелец: ФГУП Государственный научно-исследовательский навигационно-гидрографический институт Минобороны России. Дата публикации: 2009-02-27.

Method to produce fabrics of cross zigzag shadow weaves

Номер патента: RU2478147C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2013-03-27.

Method to manufacture simple orthopaedic shoes

Номер патента: RU2444268C1. Автор: Сергей Петрович Александров,Ирина Петровна Бердникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский заочный институт текстильной и легкой промышленности". Дата публикации: 2012-03-10.

Method to produce preserves "tartussky soup"

Номер патента: RU2566000C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to manufacture half-block of cylindrical insert for vessel with double hull and rotary device for its realisation

Номер патента: RU2460665C1. Автор: Владимир Федорович Рыманов,Владимир Дмитриевич Горбач,Виктор Андреевич Медведев,Евгений Анатольевич Левакин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-09-10.

Method to stabilise aqueous solution of polyacrylamide

Номер патента: RU2466160C1. Автор: Сергей Геннадьевич Рассохин,Александр Федорович Соколов,Валерий Александрович Николаев,Андрей Сергеевич Рассохин,Алексей Евгеньевич Рыжов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий - Газпром ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2012-11-10.

Method to assemble ribbed dome

Номер патента: RU2474654C1. Автор: Светлана Алексеевна Ращепкина,Сергей Викторович Ращепкин,Антон Сергеевич Шевченко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-02-10.

Method to produce titanium blanks

Номер патента: RU2529131C1. Автор: Александр Георгиевич Залазинский,Владимир Иванович Новожонов,Вадим Леонидович Колмогоров,Антон Владимирович Нестеренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения Уральского отделения Российской академии наук (ИМАШ УрО РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Method to distribute drying agent and device for its realisation

Номер патента: RU2443954C1. Автор: Андрей Юрьевич Измайлов,Александр Викторович Голубкович,Сергей Анатольевич Павлов,Петр Михайлович Пугачев. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт механизации сельского хозяйства (ГНУ ВИМ Россельхозакадемии). Дата публикации: 2012-02-27.

Method to produce preserves "stewed vegetables with meat"

Номер патента: RU2565964C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to produce preserves "ukranian rolls"

Номер патента: RU2565896C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to develop oil deposit with gas cap (variants)

Номер патента: RU2312983C1. Автор: Сергей Вячеславович Борткевич,Сергей В чеславович Борткевич,Олег Юрьевич Динариев,Иван Николаевич Стрижов,Дмитрий Николаевич Кузьмичев,Дмитрий Николаевич Михайлов. Владелец: Федеральное агентство по образованию Российский Государственный Университет нефти и газа им. И.М. Губкина. Дата публикации: 2007-12-20.

Method to manufacture decorative composite material

Номер патента: RU2495611C2. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2013-10-20.

Method to produce preserves "soup from vegetables"

Номер патента: RU2565889C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to arrange antifiltration screen with alternating water permeability in operated road embankment

Номер патента: RU2519239C1. Автор: Владимир Николаевич Шестаков,Александр Михайлович Бокарев,Константин Владимирович Семашкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная автомобильно-дорожная академия (СибАДИ)". Дата публикации: 2014-06-10.

Method to manufacture building material and method to erect motor road beds and surface structures on its basis

Номер патента: RU2455414C1. Автор: Всеволод Анатольевич Мымрин. Владелец: Всеволод Анатольевич Мымрин. Дата публикации: 2012-07-10.

Method to cultivate permanent grasses

Номер патента: RU2419271C2. Автор: Михаил Алексеевич Костенко. Владелец: Федеральное Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Великолукская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2011-05-27.

Method to produce directed mechanical vibrations and device to this end

Номер патента: RU2381078C2. Автор: Михаил Дмитриевич Герасимов,Иван Кузьмич Исаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова" (БГТУ им. В.Г. Шухова). Дата публикации: 2010-02-10.

Method to simulate control over hardware and simulation system

Номер патента: RU2331096C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов,Валентин Валерьевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2008-08-10.

Method to grow vegetables and leaf vegetables

Номер патента: RU2454075C2. Автор: Олег Дмитриевич Сидоренко. Владелец: Поздняков Виктор Борисович. Дата публикации: 2012-06-27.

Continuous drill and blast method to produce minerals in spiral entries by non-filling devices

Номер патента: RU2447285C1. Автор: Владимир Ильич Юркин. Владелец: Владимир Ильич Юркин. Дата публикации: 2012-04-10.

Method to produce non-smoking product from low-grade tobacco

Номер патента: RU2430641C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-10-10.

Method to heat and inject current-conducting fluid, device for its realisation and heat-generating plant

Номер патента: RU2419039C1. Автор: Владимир Константинович Владимирский,Валентина Васильевна Владимирская,Дмитрий Владимирович Владимирский,Константин Владимирович Владимирский. Владелец: Константин Владимирович Владимирский. Дата публикации: 2011-05-20.

Method to pickle wood and device for its realisation

Номер патента: RU2453426C1. Автор: Руслан Рушанович Сафин,Рушан Гареевич Сафин,Евгений Юрьевич Разумов,Нур Равилевич Галяветдинов,Павел Александрович Кайнов,Руслан Ромелевич Хасаншин,Наталья Александровна Оладышкина,Елена Александровна Белякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный технологический университет". Дата публикации: 2012-06-20.

Method to produce function of distribution of probabilities of initial signal of system

Номер патента: RU2411578C2. Автор: Игорь Викторович Сычев,Ирина Александровна Сычёва. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Амурский государственный университет (ГОУВПО "АмГУ"). Дата публикации: 2011-02-10.

Method to manufacture items from composite material with carbon-ceramic matrix

Номер патента: RU2570076C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Антон Юрьевич Милюков. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-12-10.

Method to forecast resistance of membranes of peripheral blood erythrocytes in case of exacerbation of herpes-virus infection in expecting mothers

Номер патента: RU2409321C2. Автор: Михаил Тимофеевич Луценко,Ирина Анатольевна Андриевская. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Дальневосточный научный центр физиологии и патологии дыхания Сибирского отделения РАМН. Дата публикации: 2011-01-20.

Method to produce nanocomposite metal-polymeric materials

Номер патента: RU2417944C2. Автор: Михаил Алексеевич Попов,Петр Анатольевич Цыганков,Дмитрий Владимирович Духопельников,Виктор Владимирович Крикотин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Экструзионные машины". Дата публикации: 2011-05-10.

Method to build earth water-retaining construction in warm season (versions)

Номер патента: RU2426832C1. Автор: Борис Леонидович Тальгамер,Юрий Владимирович Бокунов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2011-08-20.

Method to improve agrophysical properties of soil

Номер патента: RU2423812C1. Автор: Иван Степанович Белюченко,Дарья Алексеевна Славгородская,Евгений Павлович Добрыднев,Владимир Николаевич Гукалов,Ольга Александровна Мельник,Екатерина Владимировна Терещенко. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-07-20.

Method to produce wells in soil for trenchless installation of utilities (versions)

Номер патента: RU2495198C1. Автор: Борис Николаевич Смоляницкий,Борис Борисович Данилов,Ярослав Ильич Поветьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А. Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2013-10-10.

Method to mount axial two-edged cutting tools

Номер патента: RU2528587C1. Автор: Юрий Евгеньевич Петухов,Владимир Андреевич Гречишников,Николай Викторович Колесов,Сергей Юрьевич Юрасов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2014-09-20.

Method to measure deformations

Номер патента: RU2537105C2. Автор: Марат Федорович Томилов,Федор Христианович Томилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-12-27.

Method to bring about thermal effect of formation with heavy crude and device to this end

Номер патента: RU2378504C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2010-01-10.

Method to detect falsification of natural honey

Номер патента: RU2470295C1. Автор: Юлия Валерьевна Данильчук. Владелец: Юлия Валерьевна Данильчук. Дата публикации: 2012-12-20.

Method to protect vehicle and its articles and/or parts using unique individual marking

Номер патента: RU2318686C1. Автор: Игорь Алексеевич Осипов,Лариса Евгеньевна Чаплыгина. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "ЛИТЭКС". Дата публикации: 2008-03-10.

Method to produce preserves "stewed fish in tomato sauce and vegetables"

Номер патента: RU2565905C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to produce non-smoking product from low-grade tobacco

Номер патента: RU2430663C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-10-10.

Method to produce preserves "partridge stewed with cabbage"

Номер патента: RU2565979C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to reduce hazardous effect of burning gas gusher wells at environment

Номер патента: RU2429893C1. Автор: Евгений Александрович Оленев,Сергей Александрович Шигорин. Владелец: Евгений Александрович Оленев. Дата публикации: 2011-09-27.

Method to produce heat-loss anemometer (versions)

Номер патента: RU2548612C2. Автор: Акоп Айрапетович Казарян. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный аэрогидродинамический институт имени профессора Н.Е. Жуковского" (ФГУП "ЦАГИ"). Дата публикации: 2015-04-20.

Extruded soft capsule, method to prepare capsule-filling solution, capsule manufacture method and method to raise density of agar coating

Номер патента: RU2405542C2. Автор: Валерий Геннадьевич Макаров,Ольга Николаевна Пожарицкая,Александр Николаевич Шиков,Дмитрий Валентинович Демченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Санкт-Петербургский институт фармации". Дата публикации: 2010-12-10.

Method to increase reservoir bed permeability

Номер патента: RU2304211C2. Автор: Юрий Геннадиевич Астраханцев,Александр Кузьмич Троянов,Сергей Сергеевич Новиков,Александр Сергеевич Новиков,нов Александр Кузьмич Тро. Владелец: ООО Производственно-коммерческая фирма ПКФ "Недра-С". Дата публикации: 2007-08-10.

Method to measure harmonic distortions of electric signal (versions) and device for its realisation

Номер патента: RU2547166C1. Автор: Людмила Сергеевна Тихонова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет кино и телевидения" (СПбГУКиТ). Дата публикации: 2015-04-10.

Method to produce preserves "vegetable soup with grain and fish"

Номер патента: RU2565903C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to control a linear density of a fibrous floor in the loading pocket of the breaker

Номер патента: RU2245403C2. Автор: Ю.М. Николаев,Ф.С. Жафярова,К.М. Пирогов,В.Е. Гончаренко,рова Ф.С. Жаф. Владелец: Ивановский государственный университет (ИвГУ). Дата публикации: 2005-01-27.

Method to measure mass of oil products in trench reservoirs

Номер патента: RU2529654C1. Автор: Александр Сергеевич Галкин,Андрей Иванович Лакеев,Наиль Явдатович Мустаев,Арсений Игоревич Румянцев,Игорь Вениаминович Цветков. Владелец: Закрытое акционерное общество "НТФ НОВИНТЕХ". Дата публикации: 2014-09-27.

Method to monitor movement of object from magnetic material and device for its realisation

Номер патента: RU2571002C2. Автор: Александр Сергеевич Шадрин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Опытное Производство "Технологии Контроля" (ООО "ОП "ТЕКО"). Дата публикации: 2015-12-20.

Method to restore size body motor-axle bearings of electric locomotives using arc spraying

Номер патента: RU2577874C1. Автор: Валентин Александрович Лапицкий,Владимир Иванович Колесников,Александр Павлович Сычев,Владимир Валентинович Бардушкин,Александр Иванович Воропаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2016-03-20.

Method to face outer and inner enclosing and bearing structures of buildings and facilities

Номер патента: RU2421582C1. Автор: Вадим Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2011-06-20.

Method to detect disposition of steels to general corrosion

Номер патента: RU2410669C1. Автор: Алан Бештауевич Авсарагов,Лери Черменович Танделов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ (ГТУ). Дата публикации: 2011-01-27.

Method to determine paths of filtration of mine air in shafts

Номер патента: RU2536518C1. Автор: Сергей Николаевич Вершинин,Павел Александрович Шлапаков,Антон Юрьевич Ерастов. Владелец: Сергей Николаевич Вершинин. Дата публикации: 2014-12-27.

Method to produce preserves "rabbit with stewed cabbage and steam sauce"

Номер патента: RU2565902C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to stabilise heat and moisture characteristics of cereal and oil plant seeds in process of drying and storage

Номер патента: RU2425304C1. Автор: Александр Анатольевич Шевцов,Лариса Николаевна Фролова,Алексей Викторович Дранников,Дмитрий Александрович Бритиков,Ольга Николаевна Ожерельева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия (ГОУ ВПО ВГТА). Дата публикации: 2011-07-27.

System and method to provide instant prize in gambling device

Номер патента: RU2335804C2. Автор: Дуэйн НЕЛЬСОН,Дэвид Б. ХААГ,Стивен ЛЕМЕЙ. Владелец: Ай Джи Ти. Дата публикации: 2008-10-10.

Method to control fuel feed and device to this end

Номер патента: RU2383773C1. Автор: Юрий Дмитриевич Погуляев,Александр Дмитриевич Погуляев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет". Дата публикации: 2010-03-10.

Method to produce preserves "borsch with fish and beans"

Номер патента: RU2565941C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2015-10-20.

Method to implement communications and virtual journeys

Номер патента: RU2498396C1. Автор: Вадим Александрович Питов,Антон Вадимович Питов,Марина Вадимовна Музыка,Надежда Захаровна Репашевская. Владелец: Надежда Захаровна Репашевская. Дата публикации: 2013-11-10.

Method to stimulate growth and development of potatoes

Номер патента: RU2425477C1. Автор: Александр Васильевич Кучин,Александр Владимирович Попов,Татьяна Владимировна Хуршкайнен,Геннадий Тимофеевич Шморгунов,Алексей Геннадьевич Тулинов. Владелец: Государственное научное учреждение Научно-исследовательский и проектно-технологический институт агропромышленного комплекса Республики Коми Россельхозакадемии. Дата публикации: 2011-08-10.

Method to reduce limit of detection of immunochromatographic methods to control content of low-molecular compounds

Номер патента: RU2497126C2. Автор: Анатолий Виталиевич Жердев,Борис Борисович Дзантиев,Александр Евгеньевич Урусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РЭД". Дата публикации: 2013-10-27.

Method to produce non-smoking product from low-grade tobacco

Номер патента: RU2430661C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2011-10-10.

Method to increase adhesion between rolling stock wheels and rails

Номер патента: RU2395418C2. Автор: Владимир Александрович Попов,Юрий Михайлович Лужнов,Григорий Михайлович Седов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта". Дата публикации: 2010-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.