Use of freestanding nitride veneers in semiconductor devices
Номер патента: US09816201B2
Опубликовано: 14-11-2017
Автор(ы): Richard L. Ross, Scott M. Zimmerman, William R. Livesay
Принадлежит: Goldeneye Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-11-2017
Автор(ы): Richard L. Ross, Scott M. Zimmerman, William R. Livesay
Принадлежит: Goldeneye Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices
Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.