• Главная
  • Use of freestanding nitride veneers in semiconductor devices

Use of freestanding nitride veneers in semiconductor devices

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

A silver paste and its use in semiconductor devices

Номер патента: EP3329517A1. Автор: Bo Sun,Jin-An He,Maura Mostowy-Gallagher,Michael J. Jurek,Jerome G. Moyer. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2018-06-06.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Use of copper catalysts on metal carriers for reforming of alcohols

Номер патента: RU2331574C2. Автор: Дэвид А. МОРГЕНШТЕРН. Владелец: Монсанто Текнолоджи Ллс. Дата публикации: 2008-08-20.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A9. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-10-26.

System and method of forming semiconductor devices

Номер патента: WO2012116324A3. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-12-13.

System and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170084666A1. Автор: Xin Xu,Stephen R. Forrest,Christopher Kyle RENSHAW. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728441B2. Автор: Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and wafer

Номер патента: US09410233B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xiaoying Meng,Junqing Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Use of selective oxidation conditions for dielectric conditioning

Номер патента: US20020096745A1. Автор: Ronald Weimer,Don Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Use of selective oxidation conditions for dielectric conditioning

Номер патента: US20030160305A1. Автор: Ronald Weimer,Don Powell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor manufacturing apparatus and film formation method for a semiconductor device

Номер патента: US20190229006A1. Автор: Hiroaki Tada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881818B2. Автор: Nobuaki Yamanaka,Daisuke CHIKAMORI,Shinichirou KATSUKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Cleaning composition and method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09580672B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, production method thereof, and electronic device

Номер патента: US20020081766A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Strain control in semiconductor devices

Номер патента: EP2419936A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Strain control in semiconductor devices

Номер патента: WO2010119241A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Use of ion beam etching to generate gate-all-around structure

Номер патента: US09536748B2. Автор: Thorsten Lill,Ivan L. Berry, III. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Electronic devices in semiconductor package cavities

Номер патента: US20240234231A1. Автор: Qiao CHEN,Christopher Daniel Manack,Patrick Francis Thompson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09666723B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Passive component integrated with semiconductor device in semiconductor package

Номер патента: US09595512B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Packaged semiconductor devices having ribbon wires

Номер патента: US09570325B2. Автор: Peng Liu,Qingchun He,Liqiang Xu,Hanmin Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020160613A1. Автор: Hirokazu Sayama,Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US09911813B2. Автор: Bin Lu,Tomas Apostol Palacios,Elison De Nazareth Matioli. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2001024251A3. Автор: Henricus G R Maas,Erwin A Hijzen,Cornelius E Timmering. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-12-06.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: EP1145299A3. Автор: Erwin A. Hijzen,Henricus G. R. Maas,Cornelius E. Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060030111A1. Автор: Satoshi Onai,Shinobu Teranaka. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Isolating electric paths in semiconductor device packages

Номер патента: US09899312B2. Автор: Adrian E. Ong,Dong Sik Jeong. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Capacitively-coupled field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09887268B2. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of controlling warpage in semiconductor package

Номер патента: US09406579B2. Автор: Daesik Choi,Sang Mi Park,Joungin Yang,YiSu Park,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

Номер патента: US12052868B2. Автор: Lei Li,Tuo Li,Hao PU,Caiyu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Stress mitigation for thin and thick films used in semiconductor circuitry

Номер патента: US09934983B2. Автор: Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard,Daniel Namishia,Donald A. Gajewski. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12142679B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09711536B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Substate bias voltage generation circuits and methods to control leakage in semiconductor memory device

Номер патента: US09577636B1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Hardmask formation with hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US20240203795A1. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12051703B2. Автор: Takahiro Kasahara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09590074B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570310B2. Автор: Takahiro Kasahara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Post manufacturing strain manipulation in semiconductor devices

Номер патента: US20140084234A1. Автор: Michael R Seningen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20030016551A1. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Kiyoo Itoh,Riichiro Takemura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die on a Fan-Out WLCSP

Номер патента: US20150001709A1. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070238290A1. Автор: Tadashi Miwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20100187653A1. Автор: Seiji Otake. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240274662A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Field-plate structures for semiconductor devices

Номер патента: US09911817B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die on a fan-out WLCSP

Номер патента: US09478485B2. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory cell in semiconductor device

Номер патента: US09425203B2. Автор: Kunihiko Iwamoto,Bungo Tanaka,Michihiko Mifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US10700060B2. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor device and method of monitoring blowing of fuse in semiconductor device

Номер патента: US8298921B2. Автор: Hiroyuki Arai. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12002886B2. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20190088646A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device comprising passive magnetoelectric transducer structure

Номер патента: US20180182951A1. Автор: Javier BILBAO DE MENDIZABAL,Jan-Willem BURSSENS. Владелец: Melexis Bulgaria EOOD. Дата публикации: 2018-06-28.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20200066717A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Honggyun Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040185671A1. Автор: Seong-Wook Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148311A1. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A3. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Electroless nickel and gold plating in semiconductor device

Номер патента: WO2011084415A2. Автор: Osvaldo Lopez,Juan Alejandrow Herbsommer. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-14.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240313117A1. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Testing fuse configurations in semiconductor devices

Номер патента: US09568544B2. Автор: Adrian E. Ong,Paul Fuller,Nick Van Heel,Mark Thomann. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US09563221B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09425108B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200266761A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

The use of solder paste for heat dissipation

Номер патента: WO2006116225A3. Автор: Andrew Neil Sawle. Владелец: Andrew Neil Sawle. Дата публикации: 2007-03-29.

The use of solder paste for heat dissipation

Номер патента: WO2006116225A2. Автор: Andrew Neil Sawle. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Implantation process in semiconductor fabrication

Номер патента: WO2006117238A1. Автор: Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US7358564B2. Автор: Akio Takano,Yoshitaka Hokomoto,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-15.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Surface-mount device wire bonding in semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230207490A1. Автор: Yun Ting Hsu,Yung Sheng Zou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Test method of semiconductor device

Номер патента: US09536627B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus, method and pattern for evaluating semiconductor device characteristics

Номер патента: US20030126567A1. Автор: Kenji Yamaguchi,Hiroyuki Amishiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Apparatus, method and pattern for evaluating semiconductor device characteristics

Номер патента: US6779160B2. Автор: Kenji Yamaguchi,Hiroyuki Amishiro. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: WO2009039014A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: MICROSEMI CORPORATION. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230063204A1. Автор: Eiji Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for preventing photoresist poisoning in semiconductor fabrication

Номер патента: US20030040174A1. Автор: Pang Foo,Moitreyee Mukherjee-Roy,Cher Tan. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: EP2195846A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor device having element separation region formed from a recess-free trench

Номер патента: US09831113B2. Автор: Yukio Hayakawa,Fumihiko Inoue. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

High-z oxide nanoparticles embedded in semiconductor package

Номер патента: US09607952B1. Автор: Ning Li,Qing Cao,Ying He,Jeehwan Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermal management systems and devices for cabinets used in semiconductor fabrication processing

Номер патента: US20230369073A1. Автор: Ankit Kimtee,Sudhanshu Biyani. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of Design and Use of High Mobility P-Type Metal Oxides

Номер патента: US20220115503A1. Автор: Suman Datta,Kyeongjae Cho,Darrell Galen Schlom,Yaoqiao Hu. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20120294067A1. Автор: Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi,Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Conductive contacts in semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US09685535B1. Автор: Kangguo Cheng,Rama Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437744B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09331156B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Manufacturing method of original plate and semiconductor device

Номер патента: US20230317515A1. Автор: Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices

Номер патента: WO2008021935A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-02-21.

Thermal Method to Control Underfill Flow in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120097095A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-26.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US10685913B2. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-16.

E-fuse for use in semiconductor device

Номер патента: US20190088597A1. Автор: Jae Hong Kim,Deok-kee Kim,Seo Woo NAM. Владелец: INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION OF SEJONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Substrate processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060289431A1. Автор: Shinichi Ito,Tsuyoshi Shibata,Kei Hayasaki,Koutarou Sho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010051421A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130244385A1. Автор: Naoto Saitoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Crystalline multilayer oxide thin films structure in semiconductor device

Номер патента: US20190148482A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Capacitor architectures in semiconductor devices

Номер патента: US20220140069A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Scott B. Clendenning,Manish Chandhok,Roman CAUDILLO,Sudipto NASKAR,Cheyun LIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120088361A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090243033A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Pad structure and manufacturing method thereof in semiconductor device

Номер патента: US10840198B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Method and system for determining overlap process windows in semiconductors by inspection techniques

Номер патента: US20140065734A1. Автор: Lothar Bauch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20190333756A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20210183643A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: US20190189424A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Using sacrificial solids in semiconductor processing

Номер патента: WO2019125760A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Matthew S. Thorum. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20010048127A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of manufacturing storage electrode in semiconductor device

Номер патента: US20020066918A1. Автор: Dong Kim,Sang Park,Seung Lee,Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US12094951B1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240363721A1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Backside Vias in Semiconductor Device

Номер патента: US20240371957A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Use of pre-channeled materials for anisotropic conductors

Номер патента: US12051670B2. Автор: Mark E. Tuttle,Eiichi Nakano,John F. Kaeding,Shijian Luo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876119B2. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09825044B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09812368B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09741715B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Interlayer dielectric film in semiconductor devices

Номер патента: US09634141B1. Автор: De-Wei YU,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang,Yi-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Test structure for determining overlay accuracy in semiconductor devices using resistance measurement

Номер патента: US09564382B2. Автор: Daniel Piper. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US12113118B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and method for feature edge detection in semiconductor processing

Номер патента: US20020186374A1. Автор: Joseph Little. Владелец: Little Joseph R.. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and apparatus for the assembly of semiconductor devices

Номер патента: PH9927A. Автор: T Noe. Владелец: T Noe. Дата публикации: 1976-06-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: MY144480A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2011-09-30.

Bi doped gasb alloy infrared semiconductor devices

Номер патента: WO2013164567A1. Автор: Peter Carrington,Anthony KRIER. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Logic array devices having complex macro-cell architecture and methods facilitating use of same

Номер патента: WO2004001803A3. Автор: William D Cox. Владелец: ViASIC Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09998104B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Managing data transfers in semiconductor devices

Номер патента: US20240305298A1. Автор: Su-Chueh Lo,Yi-Fan Chang,Jeng-Kuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Managing data transfers in semiconductor devices

Номер патента: EP4428698A1. Автор: Su-Chueh Lo,Jeng-Kuan Lin,Yi-Fang Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180109233A1. Автор: Shingo Sakamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Managing signal transfers in semiconductor devices

Номер патента: EP4369602A1. Автор: Su-Chueh Lo,Wei-Yi Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Reporting and resolving conflicting use of a node identifier

Номер патента: EP2308255A1. Автор: Rajat Prakash,Rajarshi Gupta,Peerapol Tinnakornsrisuphap,Parag A. Agashe,Gavin B. Horn. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-13.

Method of optimizing use of high-rate packet data resources

Номер патента: US20070253378A1. Автор: Jonathan Gross,Saraswathi Mahadevaiyer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of determining illegal use of processing device of security system

Номер патента: RU2554825C2. Автор: Матьё БУАВЕН,Жиль ДЮБРЁЙК. Владелец: Виаксесс. Дата публикации: 2015-06-27.

Use of duplex stainless steel in an ammonia-stripping of urea plants

Номер патента: RU2654018C2. Автор: Андреа СКОТТО,Федерико ЗАРДИ. Владелец: Касале Са. Дата публикации: 2018-05-15.

Use of melanine in water

Номер патента: RU2656029C1. Автор: Эррера Артуро Солис. Владелец: Эррера Артуро Солис. Дата публикации: 2018-05-30.

Use of personal device for convenient and secure authentication

Номер патента: WO2018108456A1. Автор: Michael Hutchinson,HongQian Karen Lu. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2018-06-21.

System and method for enhanced protection and control over the use of identity

Номер патента: CA3048600A1. Автор: Gary M. Dennis,Sharon D. Dennis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

System and method for enhanced protection and control over the use of identity

Номер патента: CA2606263A1. Автор: Gary M. Dennis,Sharon D. Dennis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

System and method for enhanced protection and control over the use of identity

Номер патента: CA3048600C. Автор: Gary M. Dennis,Sharon D. Dennis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-03.

System and method for enhanced protection and control over the use of identity

Номер патента: WO2006115715A2. Автор: Gary M. Dennis,Sharon D. Dennis. Владелец: Dennis Sharon D. Дата публикации: 2006-11-02.

System and method for enhanced protection and control over the use of identity

Номер патента: CA2606263C. Автор: Gary M. Dennis,Sharon D. Dennis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-16.

Systems and methods for handling fraudulent uses of brands

Номер патента: US09971878B2. Автор: Carey Nachenberg. Владелец: Symantec Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Control device managing state of use of cartridge

Номер патента: US09904881B2. Автор: Masafumi Miyazawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Radiation protection for a semiconductor device

Номер патента: WO1983000253A1. Автор: Inc. Motorola,Terry S. Hulseweh. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1983-01-20.

Interfacial electrofabrication of freestanding biopolymer membranes with distal electrodes

Номер патента: US20220074069A1. Автор: Xiaolong Luo,Piao Hu. Владелец: Catholic University of America. Дата публикации: 2022-03-10.

Use of alginate oligomers as blood anticoagulants

Номер патента: RU2709814C1. Автор: Арне ДЕССЕН,Филип РАЙ. Владелец: АльгиФарма АС. Дата публикации: 2019-12-23.

Interfacial electrofabrication of freestanding biopolymer membranes with distal electrodes

Номер патента: US11821097B2. Автор: Xiaolong Luo,Piao Hu. Владелец: Catholic University of America. Дата публикации: 2023-11-21.

Use of compositions for machine dishwashing

Номер патента: RU2604729C2. Автор: Роланд ЭТТЛЬ,Хайке ВЕБЕР,Юрген ТРОПШ,Сонья ФИШЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-12-10.

Use of il-18-binding protein (il-18bp) in inflammatory diseases

Номер патента: RU2731713C2. Автор: Андреа ПФАЙФЕР,Грег ДЕЛЬ-ВАЛЬ. Владелец: Аб2 Био Са. Дата публикации: 2020-09-08.

Use of tocopherol

Номер патента: RU2461584C2. Автор: Эмилия ТИИТИНЕН,Харри ЮКАРАЙНЕН. Владелец: Байер Ой. Дата публикации: 2012-09-20.

A method and system for circular use of industrial oil

Номер патента: SE1950147A1. Автор: Thomas Persson,Fred Sundstrom,Tomas ÖSTBERG. Владелец: SKF Recondoil AB. Дата публикации: 2020-08-09.

Use of at least one isoform of progesterone receptor membrane component 1 (pgrmc1)

Номер патента: WO2008037449A3. Автор: Michael Cahill,Hans Neubauer. Владелец: Hans Neubauer. Дата публикации: 2008-06-12.

Use of vegf antagonist for treating retinopathy of prematurity

Номер патента: RU2676303C2. Автор: Сергей АКСЕНОВ,Габриэла БУРЬЯН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2018-12-27.

Preparation and use of kinase inhibitor

Номер патента: RU2691401C2. Автор: Пенг ЧЕНГ,Венйие ЦАО. Владелец: Чангжоу Лонгтхера Фармацеутикалс Инк. Дата публикации: 2019-06-13.

Use of polypeptide

Номер патента: RU2690681C2. Автор: Лилиан Ева Танг БАЛТСЕН,Мари АЛЛЕСЕН-ХОЛЬМ,Клаус ГОРИ. Владелец: Новозимс А/С. Дата публикации: 2019-06-05.

Use of ep4 receptor antagonist in treatment of cartilage disease

Номер патента: RU2663620C2. Автор: Такако ОКУМУРА. Владелец: Аскат Инк.. Дата публикации: 2018-08-07.

Diagnostics of valve of emergency cutout with use of pressure data unit

Номер патента: RU2348959C2. Автор: Иврен ЕРЮРЕК. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2009-03-10.

Polyester and use of polyester in lubricants

Номер патента: RU2668975C2. Автор: Маркус ШЕРЕР,Ронни РИНКЛИБ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-10-05.

Use of complement pathway inhibitors to treat ocular diseases

Номер патента: RU2583927C2. Автор: Сек Чунг ФУНГ,Женгбин ЯО. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

The use of carbon dioxide fertilizer for facility cultivation

Номер патента: AU2021104052A4. Автор: Jun Li,Kai Zhao,Jintao Liu,Zhenming Luo,Shutang Liu,Shuangji Wang. Владелец: Qingdao Agricultural University. Дата публикации: 2021-09-09.

Mixture for oenological use of the type comprising tannin and method for the manufacture thereof

Номер патента: EP1620535A1. Автор: Albano Vason. Владелец: Enologica Vason Srl. Дата публикации: 2006-02-01.

Novel use of multikinase inhibitor

Номер патента: EP4112619A1. Автор: Peng Peng,Frank Wu,Xiaoyan Qiang. Владелец: Transthera Sciences Nanjing Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

USE OF β-GLUCAN EXTRACT IN IMMUNOPOTENTIATION OF AN AVIAN ANIMAL

Номер патента: WO2019211735A1. Автор: CHENG He,Tianyuan Zhang,Tadele Kiros GEBREYOHANNES. Владелец: LESAFFRE ET COMPAGNIE. Дата публикации: 2019-11-07.

USE OF ß-GLUCAN EXTRACT IN IMMUNOPOTENTIATION OF AN AVIAN ANIMAL

Номер патента: EP3787677A1. Автор: CHENG He,Tianyuan Zhang,Tadele Kiros GEBREYOHANNES. Владелец: Lesaffre et Cie SA. Дата публикации: 2021-03-10.

Use of PBO-PEO-PBO block copolymers in ophthalmic compositions

Номер патента: US09521842B2. Автор: Howard Allen Ketelson,James W. Davis. Владелец: Alcon Research LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Use of 4-boron-3a,4a-diase-s-indacenes to ensure safety

Номер патента: RU2759568C2. Автор: Косимо ПРЕТ. Владелец: Крайм Сайнс Текнолоджи. Дата публикации: 2021-11-15.

Use of tetrahydrobenzoxazines as stabilisers

Номер патента: RU2412234C2. Автор: Арно ЛАНГЕ,Дитмар ПОССЕЛЬТ,Хельмут МАХ,Ханс Петер РАТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2011-02-20.

Therapeutic use of vegf-c and ccbe1

Номер патента: RU2691104C2. Автор: Кари АЛИТАЛО,Михаэль ЕЛТШ,Андрей АНИСИМОВ. Владелец: Лаурантис Фарма Ой. Дата публикации: 2019-06-11.

Apparatus and method for composting with the use of vermiculite culture

Номер патента: RU2244698C1. Автор: Ю.М. Лужков. Владелец: Лужков Юрий Михайлович. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: US20240233781A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for power saving in semiconductor devices

Номер патента: WO2022246636A1. Автор: Jian Luo,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Adapted trailer, designed to enable extended use of electric vehicles

Номер патента: CA2647075A1. Автор: Frank Möller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-04.

Use of cannabidiol in combination with antibiotics

Номер патента: EP3934755A1. Автор: Geoffrey Guy,Volker KNAPPERTZ. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Use of cannabidiol in combination with antibiotics

Номер патента: US20220183997A1. Автор: Geoffrey Guy,Volker KNAPPERTZ. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Use of cannabidiol in the treatment of dravet syndrome

Номер патента: EP4003315A1. Автор: Geoffrey Guy,Benjamin Whalley,Pabitra PATRA. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Use of cannabidiol in the treatment of dravet syndrome

Номер патента: US20220184000A1. Автор: Geoffrey Guy,Benjamin Whalley,Pabitra PATRA. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Use of cannabidiol in the treatment of dravet syndrome

Номер патента: WO2021019231A1. Автор: Geoffrey Guy,Benjamin Whalley,Pabitra PATRA. Владелец: GW Research Limited. Дата публикации: 2021-02-04.

Use of cannabidiol in the treatment of dravet syndrome

Номер патента: CA3145369A1. Автор: Geoffrey Guy,Benjamin Whalley,Pabitra PATRA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-04.

Locating sub-resolution assist features in semiconductor device fabrication

Номер патента: EP1861802A1. Автор: Sean O'brien,Guohong Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Locating sub-resolution assist features in semiconductor device fabrication

Номер патента: WO2006091888A1. Автор: Sean O'brien,Guohong Zhang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Register shielding in semiconductor devices

Номер патента: US20230055842A1. Автор: Giuseppe Guarnaccia,Salvatore Marco Rosselli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-23.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Photomask and method of fabricating semiconductor device by use of same

Номер патента: US6872494B2. Автор: Daigo Hoshino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Managing Read Timing in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240311014A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing read timing in semiconductor devices

Номер патента: EP4432287A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Testing method and test apparatus in semiconductor apparatus

Номер патента: US20010009523A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Managing secure writes in semiconductor devices

Номер патента: US12086457B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for determining excess carrier lifetime in semiconductor devices

Номер патента: US3697873A. Автор: Robert G Mazur. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-10-10.

Semiconductor device including a rectification circuit

Номер патента: US9881246B2. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09576526B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Testing of analogue circuits in semiconductor devices

Номер патента: WO1990006521A1. Автор: David Leonard Waller. Владелец: Lsi Logic Europe Plc. Дата публикации: 1990-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160055406A1. Автор: Shinya Fujioka,Akihiko Sugata,Tsuzumi Ninomiya,Kohji Nozoe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Lithography simulation method, program and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070277146A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Masaki Satake,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Lithography simulation method, program and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7831953B2. Автор: SATOSHI Tanaka,Masaki Satake,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Uses of compositions containing a roasted extract and xanthohumol

Номер патента: US09782362B2. Автор: Werner Back,Sascha Wunderlich,Achim Zuercher. Владелец: Ta-Xan Ag. Дата публикации: 2017-10-10.

Study guide for children on proper use of cutlery

Номер патента: RU2406431C2. Автор: Грейм Сигмунд РОГГЕНСАК. Владелец: Грейм Сигмунд РОГГЕНСАК. Дата публикации: 2010-12-20.

Kit comprising device for application of material and use of such kit

Номер патента: RU2533531C2. Автор: Янник ЭРМУЭ. Владелец: Парфюм Кристиан Диор. Дата публикации: 2014-11-20.

High pressure liquid filter with support rod and use of such filter in fuel system

Номер патента: RU2697081C1. Автор: Дмитрий КРУМ. Владелец: УАБ "Филтрум". Дата публикации: 2019-08-12.

Use of milk mix for babyfood with decreased protein content

Номер патента: RU2390269C2. Автор: Филипп Стинхоут. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for safe use of bank cards (versions)

Номер патента: RU2530323C2. Автор: Петр Федорович Кутис,Роман Рафикович Хафизов. Владелец: Пэйче Лтд.. Дата публикации: 2014-10-10.

Use of thia oxo compounds for lowering apo c3 content

Номер патента: RU2705991C2. Автор: Дэвид Алан ФРАЗЕР. Владелец: Пронова Биофарма Норге Ас. Дата публикации: 2019-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20030107924A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Hiroyuki Mizuno,Mitsuru Hiraki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Apparatus and Method for Testing Electromigration in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120136468A1. Автор: Yun Wang,Chi-I Lang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09710174B2. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi,Shinya Izumi,Yukiko Take. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having stacked chips

Номер патента: US09524764B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI,Kumiko Nomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Cosmetic use of extract of gymnema sylvestre

Номер патента: RU2682963C2. Автор: Оливье Куртэн. Владелец: Лаборатуар Кларанс. Дата публикации: 2019-03-25.

System and methods for use of synthesised commands in virtual machine

Номер патента: RU2374675C2. Автор: Эрик ТРАУТ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-11-27.

Use of microalgae and microalgae derived components in cultivated food production

Номер патента: WO2024141918A1. Автор: Tomer HALEVY,Rotem KADIR. Владелец: Weforesea Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Use of l-carnosine against solar elastosis

Номер патента: WO2024110050A1. Автор: Dominik Stuhlmann,Maria REICHENBACH,Paul Slavashevich,Diane LANFRANCHI. Владелец: SYMRISE AG. Дата публикации: 2024-05-30.

An apparatus and method for controlling use of bounded pointers

Номер патента: US20210294755A1. Автор: Ruben Borisovich AYRAPETYAN,Kevin BRODSKY,Branislav RANKOV. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

An apparatus and method for controlling use of bounded pointers

Номер патента: WO2020039161A1. Автор: Ruben Borisovich AYRAPETYAN,Kevin BRODSKY,Branislav RANKOV. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-02-27.

Sytem and method for administering permission for use of information

Номер патента: EP1567954A2. Автор: Mark Clinton Knox,Raymond Eugene Paddock. Владелец: Intrado Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Color testing device based on the use of auracom

Номер патента: WO2004010865A1. Автор: En Woo Bae. Владелец: En Woo Bae. Дата публикации: 2004-02-05.

Use of n,n-diethyl-2-[-4-(phenylmethyl)-phenoxy]ethanamine monohydrochloride (dppe) in cancer therapy

Номер патента: WO2003037318A1. Автор: Mark Vincent. Владелец: Ym Biosciences, Inc.. Дата публикации: 2003-05-08.

Image forming apparatus capable of controlling extension of use of drum cartridge

Номер патента: US20220276605A1. Автор: Tadao KYOTANI,Chieko Mimura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Use of wnt5a for inhibiting scarring

Номер патента: EP2046364A2. Автор: Mark William James Ferguson,Sharon O'kane,Nicholas Occleston,Kerry Nield,Nicholas Goldspink,Hugh Gerard Laverty. Владелец: Renovo Ltd. Дата публикации: 2009-04-15.

Use of cardiotrophin in liver diseases

Номер патента: US20040224888A1. Автор: Juan José Sagastibelza,Jesus Valtuena,Matilde Abajo,Elena Llano. Владелец: FUNDACIÓN PARA LA INVESTIGACIÓN MÈDICA APLICADA. Дата публикации: 2004-11-11.

Uses of il-12 in hematopoiesis

Номер патента: EP1641431A2. Автор: Tingchao Chen,Yi Zhao,French W. Anderson. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2006-04-05.

Sytem and method for administering permission for use of information

Номер патента: WO2004049315A2. Автор: Mark Clinton Knox,Raymond Eugene Paddock. Владелец: Intrado, Inc.. Дата публикации: 2004-06-10.

Use of cannabidiol in the treatment of angelman syndrome

Номер патента: AU2017374777B2. Автор: Geoffrey Guy,Stephen Wright,James Brodie,Marie WOOLLEY-ROBERTS,Livio LUONGO. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Use of cannabinoids in the treatment of epilepsy

Номер патента: US20220023232A1. Автор: Geoffrey Guy,Volker KNAPPERTZ. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for making synthetic slug slime and medical use of synthetic and or actual slug slime

Номер патента: US20090263493A1. Автор: Stephen Chelminski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Use of cannabidiol in the treatment of angelman syndrome

Номер патента: AU2023251394A1. Автор: Geoffrey Guy,Stephen Wright,James Brodie,Marie WOOLLEY-ROBERTS,Livio LUONGO. Владелец: GW Research Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Use of activin products for preventing and treating diabetes and/or metabolic syndrome

Номер патента: WO2006108651A3. Автор: Rainer Mussmann,Tri Nguyen. Владелец: Tri Nguyen. Дата публикации: 2007-06-28.

System and method for managing use of a plurality of online gambling services

Номер патента: AU2021361341A9. Автор: Benjamin Allan Brogan. Владелец: Ben Brogan Pty Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Detecting and preventing illicit use of device

Номер патента: US09996682B2. Автор: Vaibhav Girish PARIKH,Paul Valentin BORZA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Use of rks inhibitors in diabetes related complications

Номер патента: RU2447892C2. Автор: Юрген ВАГНЕР,Жан-Пьер ЭВЕНУ. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2012-04-20.

Use of tetrazolinones against stable phytopathogenic fungi on crops by treatment of seeds

Номер патента: RU2746463C2. Автор: Маркус Гевер,Юрит Монтаг. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2021-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF A CONDUIT PIPE FOR PRODUCING A DUCT LAID IN WATER

Номер патента: US20120000541A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF ANTI-90K MONOCLONAL ANTIBODIES FOR THE PREVENTION AND TREATMENT OF TUMORS AND METASTASES THEREOF

Номер патента: US20120003157A1. Автор: Iacobelli Stefano. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF INOSITOL-TRIPYROPHOSPHATE IN TREATING TUMORS AND DISEASES

Номер патента: US20120003161A1. Автор: . Владелец: NORMOXYS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THERAPEUTIC USES OF MASTIC GUM FRACTIONS

Номер патента: US20120003175A1. Автор: Hazan Zadik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF SYNTHETIC AND BIOLOGICAL FUNGICIDES IN COMBINATION FOR CONTROLLING HARMFUL FUNGI

Номер патента: US20120003199A1. Автор: . Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF ANTIBODIES FOR THE VACCINATION AGAINST CANCER

Номер патента: US20120003232A1. Автор: . Владелец: IGENEON KREBS-IMMUNTHERAPIE FORSCHUNGS-UND ENTWICKLUNGS-AG. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF HELIUM-OXYGEN GAS MIXTURES FOR TREATING PULMONARY ARTERIAL HYPERTENSION

Номер патента: US20120003325A1. Автор: . Владелец: BAYER SCHERING PHARMA AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Use of A2B Adenosine Receptor Antagonists for Treating Pulmonary Hypertension

Номер патента: US20120003329A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Use of Tiliacora Triandra in Cosmetics and Compositions Thereof

Номер патента: US20120003331A1. Автор: Ptchelintsev Dmitri S.. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Parallel Use of Integrated Non-Volatile Memory and Main Volatile Memory within a Mobile Device

Номер патента: US20120004011A1. Автор: CHUN Christopher Kong Yee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF RANOLAZINE FOR TREATING PULMONARY HYPERTENSION

Номер патента: US20120004188A1. Автор: Belardinelli Luiz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF VAGINALLY-ADMINISTERED INSULIN SENSITIZING AGENTS

Номер патента: US20120004271A1. Автор: MOSCOSO DEL PRADO Jaime,Bandi Tosi Beatriz. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Use of Rosuvastatin Lactols as Medicaments

Номер патента: US20120004408A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CO-USE OF ENDOLUMINAL DATA AND EXTRALUMINAL IMAGING

Номер патента: US20120004537A1. Автор: Cohen Ran,TOLKOWSKY David,KLAIMAN Eldad,BARZELAY Zohar. Владелец: SYNC-RX, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIXTURE FOR EVALUATING A METAL-TO-METAL SEAL BETWEEN TUBULAR COMPONENTS AND METHOD OF USE OF SAME

Номер патента: US20120000273A1. Автор: Slack Maurice. Владелец: NOETIC ENGINEERING 2008 INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF AN ACARICIDAL POWDER

Номер патента: US20120003281A1. Автор: PASCAL Jean-Philippe,PALANGIE Nicolas. Владелец: SOLVAY (SOCIETE ANONYME). Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF LACTULOSE IN THE TREATMENT OF AUTISM

Номер патента: US20120004192A1. Автор: . Владелец: Curemark LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF INHIBITORS OF JUN N-TERMINAL KINASES TO TREAT GLAUCOMA

Номер патента: US20120004274A1. Автор: Fleenor Debra L.,Pang Iok-Hou. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF A WINDOW GLASS COMPRISING A PROFILED BEAD FOR INSTALLING IT IN AN OPENING

Номер патента: US20120000057A1. Автор: LECONTE Jean-Gérard. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2012-01-05.

CUTTER HEAD FOR DREDGING GROUND AND USE OF THIS CUTTER HEAD FOR DREDGING GROUND

Номер патента: US20120000712A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR SPLICING OPTICAL FIBERS, AND USE OF AN END PIECE IN A DEVICE FOR SPLICING

Номер патента: US20120002929A1. Автор: . Владелец: DIAMOND SA. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF HOLLOW BODIES FOR PRODUCING WATER-ABSORBING POLYMER STRUCTURES

Номер патента: US20120001122A1. Автор: Wattebled Laurent,Harren Jorg,Teni Rainer. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Use of 4-pyridylmethylphthalazines in cancer treatment

Номер патента: RU2320344C2. Автор: Джинетта Марджори ВУД,Маргарет Хан ДУГАН. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of more effective use of internal-combustion engine

Номер патента: RU2457128C2. Автор: Андерс Эрикссон,Петер Темплин. Владелец: Вольво Ластвагнар Аб. Дата публикации: 2012-07-27.