Semiconductor device and method for driving the same
Номер патента: US20120294067A1
Опубликовано: 22-11-2012
Автор(ы): Hidetomo Kobayashi, Tatsuji Nishijima, Yutaka Shionoiri
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-11-2012
Автор(ы): Hidetomo Kobayashi, Tatsuji Nishijima, Yutaka Shionoiri
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same
Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.