• Главная
  • Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12119337B2. Автор: Junichi Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230299016A1. Автор: Myoungsoo Kim,Jisung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062327A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180068944A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9831179B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY175969A. Автор: D Moyers Richard,C Shastri Sudhama. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2020-07-17.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200111750A1. Автор: Stefan Beyer,Marius Aurel Bodea,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240014063A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010016371A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Akihiko Iwaya,Chikako Imura,Toshihiro Shiotsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786556B2. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

The manufacture method of lead frame, semiconductor device and lead frame and semiconductor device

Номер патента: CN101604679A. Автор: 森田知树. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160071859A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160163815A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Javorka Peter,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230352397A1. Автор: Eiji HIRAIWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming dram assemblies, transistor devices, and openings in substrates

Номер патента: US20020072208A1. Автор: Er-Xuan Ping,Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09905518B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240047379A1. Автор: Alim Karmous,Norbert Labrenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200185343A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180269171A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190279921A1. Автор: Kiyoaki Kadoi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods of forming a semiconductor device and related semiconductor devices

Номер патента: US20200211981A1. Автор: Adam L. Olson,John D. Hopkins,Jeslin J. Wu,Rohit Kothari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US9147579B2. Автор: Reiko Hiruta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of forming a semiconductor device including a pitch multiplication

Номер патента: US09741582B2. Автор: Lionel LUPO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347379A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347378A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013144A1. Автор: Ji Yeon Ryu,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US11069580B2. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US20210013110A1. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device, pattern correction apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080241972A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230326741A1. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09837310B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Chi-Liang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of making a semiconductor device with V2V rail

Номер патента: US12125792B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of packaging a semiconductor device and a prefabricated connector

Номер патента: EP2084743A2. Автор: Kenneth R. Burch,Marc A. Mangrum. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980033B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243546A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210098291A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11424159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170062361A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20150325519A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP2842164A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-03-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US20020197567A1. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US6815148B2. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of producing a semiconductor device including treatment with dilute hydrofluoric acid

Номер патента: US8951844B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naomi Yanai,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240249941A1. Автор: Ching-Yu Chang,Wei-Han Lai,Jing Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11923273B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of manufacturing fan-out packaging device and fan-out packaging device manufactured thereby

Номер патента: US20240363550A1. Автор: Byung Joon Han,Byung Hoon Ahn. Владелец: Silicon Box Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Chip scale package semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190189530A1. Автор: Edward Then,Weng Khoon Mong,Loh Choong KEAT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-06-20.

Chip scale package semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11817360B2. Автор: Edward Then,Weng Khoon Mong,Loh Choong KEAT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060211214A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US20160211240A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020019089A1. Автор: Masahiro Shimizu,Takashi Miyajima,Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160336431A1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110318910A1. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080227258A1. Автор: Keon-Soo Kim,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20100178736A1. Автор: Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09984887B2. Автор: Motomu DEGAI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming a titanium silicide film involved in a semiconductor device

Номер патента: US5543359A. Автор: Tadahiko Horiuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10290646B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090289361A1. Автор: Seiya Fujii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of packaging a semiconductor device with a clip

Номер патента: US20130285249A1. Автор: Chee Chian Lim,Yoke Chin Goh,Boon Huat Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5405803A. Автор: Takahisa Kusaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10796976B2. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Fu Kao,Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240274593A1. Автор: Seokho KIM,Sumin Park,Joohee Jang,Seongmin Son,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12051696B2. Автор: Jaeseok Yang,Taehyung Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional (3d) semiconductor devices and methods of fabricating 3d semiconductor devices

Номер патента: US20160240555A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2008007259A3. Автор: Hoang Viet Nguyen. Владелец: Hoang Viet Nguyen. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US20160284552A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4312250A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110089513A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of manufacturing a semiconductor device with an isolation region and a device manufactured by the method

Номер патента: US09793348B2. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US9484336B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US11806903B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US20220134616A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20150102474A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060134865A1. Автор: Tsukasa Doi,Hiroyuki Inuzuka,Kazumasa Mitsumune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of making flexible semiconductor device with graphene tape

Номер патента: US11456188B2. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160079201A1. Автор: Won Chul Do,Jin Hee Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130178067A1. Автор: Eunsung KIM,Chulho Shin,Han Geun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of forming a semiconductor device including trench termination

Номер патента: US9773693B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing fan-out packaging device and fan-out packaging device manufactured thereby

Номер патента: US20240347433A1. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: Silicon Box Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Ikuo Motonaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1880415A1. Автор: Jan Sonsky,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using said method

Номер патента: US4052269A. Автор: Jacques Michel,Michel Iost. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150235994A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takashi Ohba. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230352370A1. Автор: George Scott,Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US3811183A. Автор: W Celling. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device with capacitor electrodes

Номер патента: US6890817B2. Автор: Takashi Uehara,Hiroshi Maeda,Toshiyuki Oashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066753A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220102374A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12010844B2. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9484280B2. Автор: Tiam Meng PON,Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of enveloping the semiconductor device

Номер патента: CA1093704A. Автор: Gerard J. Scholten,Johannes Brandsma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080038897A1. Автор: Hiroshi Yoshino,Kazushi Suzuki,Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Manufacturing method of mis-type semiconductor device

Номер патента: US20140287572A1. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Manufacturing method for crystalline semiconductor film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20130140573A1. Автор: Yoshinobu Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11137435B2. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20200033389A1. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786565B2. Автор: Hiroyuki Ohta,Hidenobu Fukutome,Mitsugu Tajima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and substrate carrier structure

Номер патента: US20110183496A1. Автор: Yuichi Kaneko. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US8278168B2. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20120009746A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Methods of operating power semiconductor devices and structures

Номер патента: US09842917B2. Автор: Jun Zeng,Richard A. Blanchard,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device

Номер патента: US5030583A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US20220384296A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device for reducing resistance of a CoSi2 layer

Номер патента: US20040209450A1. Автор: Cheng-Shun Chen,Wan-Yi Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1275137A1. Автор: Antonius M. P. J. Hendriks,Margriet L. Diekema. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09996658B2. Автор: Youngseok Kim,Noyoung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050250326A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120184079A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Seung-Hun Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09791788B2. Автор: In-sung Kim,Jin-Seok Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20100075509A1. Автор: Hironobu Hirata,Yoshikazu Moriyama,Masayoshi Yajima. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12099301B2. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240369932A1. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335637A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130244385A1. Автор: Naoto Saitoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150227046A1. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: USRE28703E. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Hein Koelmans. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-02-03.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: US7348229B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Raymond James Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Optical semiconductor device and method of assembling optical semiconductor device

Номер патента: US20210098523A1. Автор: Kyohei Maekawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4080583A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11942552B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8962428B2. Автор: Lele CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20160093731A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20160126236A1. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5913114A. Автор: Chang-Ki Jeon,Cheol-Joong Kim,Sun-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11869963B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-09.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11855211B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200402885A1. Автор: Keun Soo Kim,Yu Jin Jeon,Young Ik Kwon,Mi Kyoung Choi. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US10242936B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: US3811975A. Автор: Lierop J Van. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12137294B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09912891B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09762832B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140333807A1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US8803204B1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080179693A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09799762B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device

Номер патента: US20070278897A1. Автор: Kyosuke Ozaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing organic EL display device and organic EL display device

Номер патента: US09978827B2. Автор: Hiroki Ohara,Haruhito Hayakawa. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing card-type storage device and card-type storage device

Номер патента: US20010046152A1. Автор: Hiroshi Iwasaki,Osami Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140217475A1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of manufacturing card-type storage device and card-type storage device

Номер патента: EP1085459A3. Автор: Hiroshi Iwasaki,Osami Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Rework method of array substrate for display device and array substrate formed by the method

Номер патента: US09983451B2. Автор: Jiwon Kang,Donggeun Lim,KiTaeg Shin,ChelHee Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20240154027A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Ping-Hung Chiang,Hsin-Han WU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP2067164A1. Автор: Philippe Lance,Yann Weber,Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20230420544A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170077280A1. Автор: Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230143543A1. Автор: Shigenobu Maeda,Choongsun Kim,Myoungkyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170301769A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190131448A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110019709A1. Автор: Yuji Masui,Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Kouichi Kondo,Naoki Jogan. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4310918A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20090057831A1. Автор: Florin Udrea,Cerdin Lee. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180182876A1. Автор: Tadashi Inoue,Yukihiro Shibata. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11843037B2. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP4060746A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP4345908A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11949209B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230198223A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160240641A1. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120025286A1. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20130069714A1. Автор: Jai-Kwang Shin,U-In Chung,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20240105785A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190386456A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11038317B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of fabricating a semiconductor device using element isolation by field shield

Номер патента: US5672526A. Автор: Koichiro Kawamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240030217A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20120190135A1. Автор: Takayuki Ito,Koji Kugino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240341104A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of indicating resource and associated device and system

Номер патента: RU2718157C1. Автор: Хао Тан,Дундун ВЭЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-30.

Method of acquiring eye image, apparatus, device and medium

Номер патента: US20240104957A1. Автор: Guanghui Liu,Jiu XIA. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing micro flow path device, and micro flow path device

Номер патента: US20230285959A1. Автор: Takayuki Komori. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

User management method of shared network, and corresponding device and system

Номер патента: US09924364B2. Автор: Shuo Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of setting button function for device and setting apparatus

Номер патента: US20210048977A1. Автор: Che-Ching Lien. Владелец: Tymphany Acoustic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of operating observation device, observation device, and recording medium

Номер патента: US20220229284A1. Автор: Yohei Sakamoto. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of operating observation device, observation device, and recording medium

Номер патента: US11327292B2. Автор: Yohei Sakamoto. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Control method of information processing system, server device, and terminal device

Номер патента: US20130246579A1. Автор: Hidenobu Ito,Yosuke Nakamura,Kazuaki Nimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of manufacturing qled device, qled device, and display device

Номер патента: US20240292726A1. Автор: Zhenlei YAO. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of processing beacon of electronic device and electronic device thereof

Номер патента: US09832607B2. Автор: Sung-Wook Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of communication, terminal devices, network devices and computer readable media

Номер патента: US20230232494A1. Автор: Gang Wang,Da Wang. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of executing function of electronic device and electronic device using same

Номер патента: US20160080556A1. Автор: Dohyung Lee,Chungil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of controlling sink device, source device, and high-definition multimedia interface (hdmi)

Номер патента: US20220394317A1. Автор: Eunkwang Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of controlling sink device, source device, and high-definition multimedia interface (hdmi)

Номер патента: AU2021450042A1. Автор: Eunkwang Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of controlling sink device, source device, and high-definition multimedia interface (hdmi)

Номер патента: EP4352965A1. Автор: Eunkwang Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-17.

Display method of wireless device for connection, device and medium

Номер патента: EP4243380A1. Автор: XIANG Chen,Zongxin Yang,Jibing PENG. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Operating method of memory controller, cloud computing device and edge computer

Номер патента: EP3905584A1. Автор: Kwang Hoon Kim,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-03.

Method of manufacturing a surface mounted device and corresponding surface mounted device

Номер патента: WO2012084291A1. Автор: Francois Lechleiter. Владелец: Microconnections SAS. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of communication between a peripheral device and a client in a computer network

Номер патента: EP1089189A3. Автор: David A. Kumpf. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-06-25.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US9473861B1. Автор: Dennis Wayne Mitchler,James Gregory Ryan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing dynamic pressure bearing device, and dynamic pressure bearing device

Номер патента: US20030012465A1. Автор: Junichi Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of remote actuation of control device and device for method embodiment

Номер патента: RU2207436C2. Автор: Хельмут ХЕРМАНН. Владелец: ДБТ Аутомацион ГмбХ. Дата публикации: 2003-06-27.

Method of fusing image feature, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240265687A1. Автор: Gang Zhang,teng Xi,Nan PENG,Bi Li. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of production of magnetic disk device and apparatus for inspection of magnetic disk device

Номер патента: US20060012363A1. Автор: Kissei Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of detecting product defects, electronic device, and storage medium

Номер патента: US12125189B2. Автор: Chin-Pin Kuo,Chih-Te Lu,Tzu-Chen Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of controlling wearable device, wearable device and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240211041A1. Автор: Chao Zhang,Xudong QIU,Hongyan TAO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Driving Method of Display Apparatus, Apparatus, Electronic Device and Storage Medium

Номер патента: US20220238078A1. Автор: Chunbing Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of generating compensation data, test device, and display device

Номер патента: US20240274088A1. Автор: Keeyong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of controlling component, apparatus, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240289004A1. Автор: Ze Zhang. Владелец: Shenzhen Jinritoutiao Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of generating compensation data, test device, and display device

Номер патента: US12106723B2. Автор: Keeyong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing liquid crystal display device and inspection device

Номер патента: US09863762B2. Автор: Yong-Woon Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a humidity control device and humidity control device

Номер патента: US20240207816A1. Автор: Valere Logel,Sebastien Ohl. Владелец: Airnov Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of preparing coatings and related devices and systems

Номер патента: WO2023154752A1. Автор: Liam O'neill,Denis O'Sullivan,Chloe FREWEN. Владелец: TheraDep Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of inspecting mask, mask inspection device, and method of manufacturing mask

Номер патента: US9063098B2. Автор: Tsuneo Terasawa,Osamu Suga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-23.

Method of preventing false triggering, wearable device and storage medium

Номер патента: US20240241603A1. Автор: Shupeng Li,Tao SUI,Zongxu YANG,Shumin Tan,Guiming CAO. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of controlling display of electronic device and electronic device

Номер патента: US09946393B2. Автор: Chi-Hyun CHO,Jae-Birm KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of providing user interface of device and device including the user interface

Номер патента: US09904444B2. Автор: Kil-Su Eo,Chi-Hyun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of positioning a device, positioning device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20200041655A1. Автор: Kun-Sui HOU. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of manufacturing a medical injection device and medical injection device thus obtained

Номер патента: EP4405311A2. Автор: Alberto CHILLON,Fabio CHINELLATO,Paolo PATRI. Владелец: Stevanato Group SpA. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of executing function of electronic device and electronic device using same

Номер патента: US9830499B2. Автор: Dohyung Lee,Chungil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

A method of coating an ocular prosthetic device and other prosthetics

Номер патента: US20230211362A1. Автор: MATTHEW Alexander,Sheng QI,Julie SANDERSON. Владелец: UEA Enterprises Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

A method of coating an ocular prosthetic device and other prosthetics

Номер патента: EP4157379A1. Автор: MATTHEW Alexander,Sheng QI,Julie SANDERSON. Владелец: UEA Enterprises Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device for performing a program operation and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240170079A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US11907681B2. Автор: Taro Fujii,Takao Toi,Katsumi Togawa,Teruhito TANAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of testing the semiconductor device

Номер патента: US20240177791A1. Автор: Jun Hyuk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.