Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device
Номер патента: US20110156220A1
Опубликовано: 30-06-2011
Автор(ы): Satoru Nakayama, Seigo Kamata, Shigemitsu Seito, Shoetsu KOGAWA
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-06-2011
Автор(ы): Satoru Nakayama, Seigo Kamata, Shigemitsu Seito, Shoetsu KOGAWA
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly
Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.