METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING STRUCTURE.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING STRUCTURE

Номер патента: US20210242012A1
Опубликовано: 05-08-2021
Автор(ы): JUNG Jin Won, Kim Jong Chan, LEE Lynn, Sung Myung Mo
Принадлежит: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US11784045B2. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Formation of single crystal semiconductors using planar vapor liquid solid epitaxy

Номер патента: US20240030027A1. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing single-crystal semiconductor layer, structure comprising single-crystal semiconductor layer, and semiconductor device comprising structure

Номер патента: US11948795B2. Автор: Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Jong Chan Kim,Lynn Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for manufacturing layered body, device for manufacturing layered body, layered body, and semiconductor device

Номер патента: EP4321657A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Polycrystalline semiconductor layer and fabricating method thereof

Номер патента: US09786500B2. Автор: Chunping Long,Wenqing Xu,Hongwei TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor devices comprising same

Номер патента: US5006914A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-04-09.

Method of making single crystal semiconductor substrate articles and semiconductor device

Номер патента: US5030583A. Автор: Charles P. Beetz, Jr.. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-07-09.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Single crystal substrate with multilayer film, method for manufacturing single crystal substrate with multilayer film, and device manufacturing method

Номер патента: JP5674759B2. Автор: 健次古田,英雄会田,奈津子青田,仁志星野,慶司本庄,友三郎浜元. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Method for Manufacturing Single Crystal Ingot and Single Crystal Ingot, Wafer manufactured by the same

Номер патента: KR101303422B1. Автор: 최영규,김상희,황정하,심복철. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US11757006B2. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing single crystal nano-structures capable of controlling morphology and device for manufacturing nano-structures

Номер патента: US20090084310A1. Автор: Hyun-Jung Kim,Si-kyung Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for forming silicon nitride passivation film, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210066065A1. Автор: Masaya Okada,Kazutaka Inoue,Kazuhide Sumiyoshi,Takumi YONEMURA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768281B2. Автор: Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing nitrogen compound semiconductor substrate, nitrogen compound semiconductor substrate, method for manufacturing single crystal SiC substrate, and single crystal SiC substrate

Номер патента: CN102057463A. Автор: 川村启介,泉胜俊,浅村英俊,横山敬志. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2011-05-11.

Method for manufacturing single crystal with uniform distribution of low density grown-in defect, Apparatus for implementing the same and Single crystal manufactured thereof

Номер патента: KR101105540B1. Автор: 김상희,이홍우,이셔량. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2012-01-13.

Method for manufacturing single crystal with uniform distribution of resistivity characteristics and Single crystal manufactured thereof

Номер патента: KR101020429B1. Автор: 김상희,황정하,이홍우. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2011-03-08.

Group iii nitride light-emitting device, group iii nitride epitaxial wafer, and method for producing group iii nitride light-emitting device

Номер патента: EP4401158A1. Автор: Takao Nakamura,Hideto Miyake,Kenjiro Uesugi. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2024-07-17.

Single-crystal diamond growth base material and method for manufacturing single-crystal diamond substrate

Номер патента: KR101797428B1. Автор: 히토시 노구치,쇼조 시라이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-11-13.

Apparatus and method for manufacturing single crystal

Номер патента: KR101727722B1. Автор: 아츠시 이와사키,히로시 오츠나,카츠유키 키타가와. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing single crystal minimizing process-deviation

Номер патента: KR101105475B1. Автор: 조현정,신승호,홍영호,강종민. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2012-01-13.

Method for manufacturing single-crystal substrate having off-angle

Номер патента: JP2008031503A. Автор: Hideaki Yamada,Shinichi Shikada,真一鹿田,英明山田,昭義茶谷原,由明杢野,Yoshiaki Mokuno,Akiyoshi Chayahara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-02-14.

Single-crystal semiconductor devices and method for making them

Номер патента: GB2153252A. Автор: Setsuo Usui,Akashi Sawada,Akikazu Shibata,Yoshinori Hayafuji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-08-21.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09552985B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Large-area, laterally-grown epitaxial semiconductor layers

Номер патента: US09711352B2. Автор: Jung Han,Jie Song,Danti Chen. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-18.

Melt Gap Controlling System, Method of Manufacturing Single Crystal including the Melt Gap Controlling System

Номер патента: KR101679071B1. Автор: 김재성,조민철,조희돈,장근호. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2016-11-24.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: US6159300A. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Single crystal substrate, method for manufacturing single crystal substrate, method for manufacturing single crystal substrate with multilayer film, and device manufacturing method

Номер патента: JPWO2011108706A1. Автор: 健次古田,英雄会田,奈津子青田,仁志星野,慶司本庄,友三郎浜元. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Trench mos schottky diode and method for producing same

Номер патента: US20210020789A1. Автор: Minoru Fujita,Jun Hirabayashi,Kohei Sasaki,Jun Arima. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing gallium nitride single-crystal substrate and method of manufacturing single-crystal substrate of nitride of group 13 element in periodic table

Номер патента: US20240300064A1. Автор: Yuri OSUMI. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing single-crystal silicon wafers

Номер патента: EP1313137A1. Автор: Masaro c/o Isobe R & D Center Tamatsuka,Norihiro c/o Isobe R & D Center Kobayashi,Takatoshi c/o Isobe R & D Center NAGOYA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Method for manufacturing single crystal silicon wafer

Номер патента: JP3449729B2. Автор: ホルザー，ジョセフ・シー,ファルステル，ロベルト,マークグラフ，スティーブ・エイ,マクエイド，シームス・エイ,ムッティ，パオロ,ジョンソン，ベヤード・ケイ,コルナラ，マルコ,ガンバロ，ダニエラ,オルモ，マッシミリアーノ. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-09-22.

Method for manufacturing single-crystal-silicon wafers

Номер патента: US6805743B2. Автор: Norihiro Kobayashi,Masaro Tamatsuka,Takatoshi Nagoya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-19.

METHOD FOR MANUFACTURING A SELF-CARRYING SUBSTRATE OF SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2835096A1. Автор: Fabrice Letertre,Bruno Ghyselen,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2003-07-25.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for making a transistor in a stack of superimposed semiconductor layers

Номер патента: US09876121B2. Автор: Sylvain Barraud,Shay REBOH,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD OF MANUFACTURING ZnO SEMICONDUCTOR LAYER FOR ELECTRONIC DEVICE AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING THE ZnO SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20080277656A1. Автор: Jeong Ik Lee,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Hye Yong Chu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: EP3406768B1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2023-09-20.

Method and system for detaching a semiconductor layer, and semi-finished product

Номер патента: WO2024156689A1. Автор: Martin Hörner,Matthias Leo HEILIG,Giuliano Vescovi,Kumara Vamsi Krishna Vandanapu. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09842964B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607B1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-10.

Method for manufacturing single crystal silicon ingot

Номер патента: JP3544676B2. Автор: ホルザー，ジョセフ・シー,ファルステル，ロベルト,マークグラフ，スティーブ・エイ,マクエイド，シームス・エイ,ムッティ，パオロ,ジョンソン，ベヤード・ケイ. Владелец: MEMC Electronic Materials Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607A1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-15.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for growing a HgCdTe epitaxial layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US5399503A. Автор: Tamotsu Yamamoto,Tetsuo Saito,Kosaku Yamamoto,Kazuo Ozaki,Tetsuya Kochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1345944A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1963-12-13.

Method of manufacturing single crystals of corundum

Номер патента: GB1001869A. Автор: . Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1965-08-18.

Process for producing single crystal semiconductor layer and semiconductor device produced by said process

Номер патента: US4822752A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-04-18.

Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210159314A1. Автор: Junhee Choi,Vladimir Matias,Joohun HAN. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240154000A1. Автор: Junhee Choi,Vladimir Matias,Joohun HAN. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Single crystal semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11916111B2. Автор: Junhee Choi,Vladimir Matias,Joohun HAN. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Formation of semiconductor thin film comprises modulating amplitude of homogenized light in direction of relative motion of light to base layer and projecting amplitude-modulated light on non-single crystal semiconductor layer

Номер патента: FR2836594A1. Автор: Yukio Taniguchi,Yoshinobu Kimura,Mikihiko Nishitani,Fumiki Nakano,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu Center KK. Дата публикации: 2003-08-29.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234135A1. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing single-crystal film

Номер патента: CA1203148A. Автор: Masao Tamura,Masanobu Miyao,Hideo Sunami,Takashi Tokuyama,Makoto Ohkura,Nobuyoshi Natsuaki,Naotsugu Yoshihiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-04-15.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin single-crystal semiconductor layer on a carrier substrate

Номер патента: US20240112908A1. Автор: Didier Landru,Hugo BIARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-04-04.

Single crystal semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923195B2. Автор: Junhee Choi,Joohun HAN,Vladmir MATIAS. Владелец: iBeam Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Structures including single crystal semiconductor islands and methods of making such structures

Номер патента: KR20190052000A. Автор: 다비드 소타,올레그 코논축,장-마르크 베톡스. Владелец: 소이텍. Дата публикации: 2019-05-15.

Process for manufacturing single crystals of piezoelectric and ferroelectric rare earth manganites

Номер патента: FR1302468A. Автор: Francis Forrat,Erwin Felix Bertaut. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1962-08-31.

Sapphire single crystal, semiconductor laser diode using the same for substrate, and method for manufacturing the same

Номер патента: EP0792955B1. Автор: Hiroyuki c/o Kyocera Corporation Kinoshita,Motohiro c/o Kyocera Corporation Umehara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2002-08-14.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: EP4362065A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145239A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098589A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US20140225153A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: EP4362066A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145631A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140353663A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564537B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Henry Wang,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027517B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530872B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09947800B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09685560B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496409B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device structures isolated by porous semiconductor material

Номер патента: EP4336545A1. Автор: Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy,Michel Abou-Khalil,Sarah McTaggart,Aaron Vallett,Megan Lydon-Nuhfer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor Module and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230016808A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating semiconductor layers including transistor channels having different strain states, and related semiconductor layers

Номер патента: US09576798B2. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method for fabricating thin semiconductor channel and buried strain memorization layer

Номер патента: US09478658B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Pranita Kulkarni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US12040384B2. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20230064000A1. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20240339525A1. Автор: LUNG Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150287828A1. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210111245A1. Автор: Kohei Adachi,Kazuhiro Mochizuki,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Ryoji Kosugi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105819A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047584A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Sung Kyu Park,Seong Pil JEON,Bo Yeon PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230020811A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20170271521A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363695A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130062695A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for forming semiconductor device structure with nanowires

Номер патента: US11862732B2. Автор: Cheng-Hsien Wu,Stefan Rusu,Wilman Tsai,I-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having nanostructure transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230361201A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin,Yoh-Rong Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160284843A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11837636B2. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20200365763A1. Автор: Yuya Yamakami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12142533B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190207020A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Array substrate, method for forming array substrate, and display device

Номер патента: US20210359141A1. Автор: Xueru MEI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230411215A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Tatwan Semiconductor Manufacturing Comany Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11961840B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing oxide semiconductor layer using sol-gel process including oxygen plasma treatment and oxide semiconductor layer manufactured thereby

Номер патента: KR101460489B1. Автор: 박진우,이미정. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230317784A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Da-Wen Lin,Chih-Chieh Yeh,Choh-Fei Yeap. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20170125599A1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190312132A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong,Chung-En TSAI,Fang-Liang LU,Huang-Siang LAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-10-10.

Active matrix substrate and method for producing the same

Номер патента: US20180277574A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Tetsuo Fujita,Hajime Imai,Hideki Kitagawa,Tohru Daitoh,Hisao Ochi,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US9142618B2. Автор: Masayuki Katagiri,Mariko Suzuki,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and amplifier

Номер патента: US20210175330A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220231149A1. Автор: Takeshi Sakai,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Akihiro Hanada,Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200052104A1. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kyoko Soga,Michihiro Sugo,Satoshi Asai,Kazunori Kondo,Hideto Kato,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10971619B2. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230377984A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11823957B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200043802A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window

Номер патента: US4355321A. Автор: Robert E. Yeats. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1982-10-19.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer

Номер патента: US09514962B2. Автор: Claire Agraffeil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer by successive implantations and heat treatments

Номер патента: US09536741B2. Автор: Claire Agraffeil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: US20140291752A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210074850A1. Автор: Koichi Murata,Shinji Fujikake,Hidekazu Tsuchida,Aki Takigawa,Tae Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11011607B2. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200098872A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125902B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Lighting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060017372A1. Автор: Kuo-Hui Yu,Chang-Hsin Chu,Shi-Ming Chen. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Lighting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7301272B2. Автор: Chang-Hsin Chu,Shi-Ming Chen,Kuo-Hui Yu Chu. Владелец: Epitech Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-27.

Nitride insulator material, method for manufacturing same, heat flow switching element and thermoelectric conversion element

Номер патента: EP4299516A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride insulator material, method for producing same, heat flow switching element, and thermoelectric conversion element

Номер патента: US20240186030A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20140110756A1. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583601B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Takuya Hirohashi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for forming a layer structure surrounding at least one recess, and device with a layer structure

Номер патента: US20240290839A1. Автор: Heribert Weber,Peter Schmollngruber. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Hybrid integrated semiconductor tri-gate and split dual-gate FinFET devices and method for manufacturing

Номер патента: US09922878B2. Автор: Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09633854B2. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US20040053469A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US6730531B2. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150140733A1. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Miki Suzuki,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110003461A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704952B2. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Enhanced structure and method for buried local interconnects

Номер патента: EP1535341A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Jack A. Mandelman,Carl J. Radens,Ramachandra Divakaruni,Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7915684B2. Автор: Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888020B2. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor devices formed using a sacrificial layer and methods for manufacturing the same

Номер патента: US9147745B2. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220130948A1. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9105716B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021618A1. Автор: Toru Oka,Kazuya Hasegawa,Yukihisa Ueno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device having vertical mosfet with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150333153A1. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748339B1. Автор: Manoj Kumar,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including a gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US12142529B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200091179A1. Автор: Masaki Noguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and semiconductor laser

Номер патента: JP6491784B1. Автор: 久青木,英昭竹盛,青木　久,徹板垣. Владелец: Hitachi Power Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-27.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09536944B2. Автор: Keita Hayashi,Yuma Kagata,Nozomu Akagai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for reducing contamination prior to epitaxial growth and related structure

Номер патента: US20020182882A1. Автор: Klaus Schuegraf,David Chapek. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8487384B2. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130256693A1. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20190237587A1. Автор: Simon Chen. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor structures including conducting structure and methods for making the same

Номер патента: US20240145593A1. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor wafer including a monocrystalline semiconductor layer spaced apart from a poly template layer

Номер патента: US09842899B2. Автор: Eddy De Backer,Peter Moens,Hocine Bouzid Ziad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20080093670A1. Автор: Michael Lebby,Petar Atanakovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2008-04-24.

Signal and/or ground planes with double buried insulator layers and fabrication process

Номер патента: US20060246691A1. Автор: Petar Atanackovic,Michael Lebby. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2006-11-02.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10021298B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor layer structure

Номер патента: EP4073847A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor layer structure

Номер патента: AU2023210648A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor devices having asymmetric integrated lumped gate resistors for balanced turn-on/turn-off behavior and/or multiple spaced-apart lumped gate resistors for improved power handling

Номер патента: EP4374421A1. Автор: Jae-Hyung Park,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,In-Hwan Ji,Enes UGER. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for manufacturing the semiconductor structure

Номер патента: US20180288326A1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL INGOT, AND SINGLE CRYSTAL INGOT AND WAFER MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20140015108A1. Автор: Kim Sang-Hee,Hwang Jung-Ha,Choi Young-Kyu,Sim Bok-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11942529B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102519A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240213344A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Heterostructure spherical shaped semiconductor device

Номер патента: WO2000062349A1. Автор: Atsuyuki Fukano. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-10-19.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240234416A9. Автор: Jong Seok Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device with Insert Structure at a Rear Side and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150236142A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9123739B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Method for Forming a Superjunction Transistor Device

Номер патента: US20200044019A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Wolfgang Jantscher,Yann Ruet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for producing a transistor device having a superjunction structure

Номер патента: US20210193796A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Wolfgang Jantscher,Yann Ruet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-24.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673377B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20190139971A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210126115A1. Автор: Takahiro Iguchi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149118A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200287035A1. Автор: Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Compound semiconductor substrate and compound semiconductor device

Номер патента: US20230343865A1. Автор: Keisuke Kawamura,Sumito OUCHI,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180047840A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180166562A1. Автор: WEI YANG,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with multilayered channel structure

Номер патента: US20180151717A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Yu-Lin Yang,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device with multilayered channel structure

Номер патента: US20200357914A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Yu-Lin Yang,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of manufacturing a semiconductor device with multilayered channel structure

Номер патента: US20180350971A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Yu-Lin Yang,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170373168A1. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8895407B2. Автор: Yoji Nagano,Hidekazu Miyairi,Akihisa Shimomura,Eiji Higa,Tatsuya Mizoi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US9070604B2. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device with different lattice properties

Номер патента: US7129517B2. Автор: Jeong-hwan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240021684A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Con Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Glass-ceramic-based semiconductor-on-insulator structures and method for making the same

Номер патента: US20090050901A1. Автор: Kishor P. Gadkaree,Linda R. Pinckney. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10943782B2. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11799002B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yen-Po Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277650A1. Автор: Keiichi Matsushita. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200027734A1. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210083114A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Functional thin film for touch screen and method for forming the same

Номер патента: US20150079768A1. Автор: Yoonseok Choi,Jeongeon HAN,Su Bong JIN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014067A1. Автор: Takayuki Igarashi,Hiroyuki ARIE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210118984A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of Forming Air Spacers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220140142A1. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods of forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11682729B2. Автор: Mei-Yun Wang,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Layer structure including a single crystal semiconductor and method for forming the same

Номер патента: KR101865626B1. Автор: 김태곤,김기철,조은영,최한메,구봉진,강종훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110212597A1. Автор: Kenichiro Makino. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09536774B2. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for structuring a layered structure from two semiconductor layers, and micromechanical component

Номер патента: US09490137B2. Автор: Frank Fischer,Simon Armbruster,Rainer Straub,Johannes Baader. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US12076818B2. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09673224B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for manufacturing single crystal using a graphite component having 30 ppb or less nickel

Номер патента: US9738988B2. Автор: Atsushi Iwasaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660104B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11088274B2. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-08-10.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210336053A1. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Array substrate, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09646997B2. Автор: Liangchen YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Substrate for manufacturing single crystal thin films

Номер патента: US4758399A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hideyuki Takakura. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-07-19.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US20230364714A1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Additively manufactured single-crystal metallic components, and methods for producing the same

Номер патента: US11865641B1. Автор: John H. Martin,Brennan D. YAHATA,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Mos type semiconductor device

Номер патента: US5079607A. Автор: Kenya Sakurai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a detection structure with an optimised absorption rate, and said structure

Номер патента: US11967665B2. Автор: Abdelkader Aliane,Jean-Louis Ouvrier-Buffet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347644A1. Автор: Yuichi Sato,Shun Ohta,Rena WAKASA,Jesper EKLIND. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09691904B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09917115B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09461178B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09419145B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Flexible semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2312620A1. Автор: Seiichi Nakatani,Takashi Ichiryu,Koichi Hirano,Tatsuo Ogawa,Takeshi SAZUKI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263724A1. Автор: Masako Kodera,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220085177A1. Автор: Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09553202B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Jiro Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Nanotube semiconductor devices

Номер патента: US09502503B2. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240147741A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250091A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313045A1. Автор: Tsuyoshi Kachi,Yasunobu Saito,Takuya YASUTAKE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure

Номер патента: US09461179B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing single crystal SiC epitaxial substrate and single crystal SiC epitaxial substrate

Номер патента: JPWO2013150587A1. Автор: 川見　浩,浩川見,佳孝瀬戸口,信吉山田. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-14.

Semiconductor on diamond substrate, precursor for use in preparing a semiconductor on diamond substrate, and methods for making the same

Номер патента: US11791157B2. Автор: Martin Hermann Hans Kuball,James Wayne Pomeroy,Michael John Uren,Oliver Aneurin Williams. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2023-10-17.

A semiconductor on diamond substrate, precursor for use in preparing a semiconductor on diamond substrate, and methods for making the same

Номер патента: EP3844798A1. Автор: Martin Hermann Hans Kuball,James Wayne Pomeroy,Michael John Uren,Oliver Aneurin Williams. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240113138A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kentaro Hayashi,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091338A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09711635B1. Автор: Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20240072073A1. Автор: Kenichi Okazaki,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Lid. Дата публикации: 2024-02-29.

Finfet power semiconductor devices

Номер патента: EP4256616A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor apparatus, electronic device, and forming method for transistor

Номер патента: EP4273932A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047567A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160284855A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor substrate, method of fabricating the same, method of fabricating semiconductor device, and method of fabricating image sensor

Номер патента: US20110193189A1. Автор: Joon-Young Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor substrate, method of fabricating the same, method of fabricating semiconductor device, and method of fabricating image sensor

Номер патента: US8525236B2. Автор: Joon-Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Method of forming a semiconductor device on insulating substrate by selective amorphosization followed by simultaneous activation and reconversion to single crystal state

Номер патента: US4463492A. Автор: Kenji Maeguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-08-07.

Methed of manufacturing single crystal ingot and wafer manufactured by thereby

Номер патента: WO2011115332A1. Автор: Young-Ho Hong. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230389290A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeonil Lee,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222449A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of soi substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100151663A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junpei Momo,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US5859443A. Автор: Shunpei Yamazaki,Yujiro Nagata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Display device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20120182208A1. Автор: Satoshi Murakami,Kei Takahashi,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US8263965B2. Автор: Yves Campidelli,Daniel Bensahel,Oliver Kermarrec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-09-11.

Single-Crystal Semiconductor Layer with Heteroatomic Macronetwork

Номер патента: US20070248818A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-10-25.

Single-crystal semiconductor layer with heteroatomic macro-network

Номер патента: US20110108801A1. Автор: Olivier Kermarrec,Yves Campidelli,Daniel Bensahel. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09799685B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device including multilayer wiring layer

Номер патента: US09786668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09443872B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916144B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Sai-Hooi Yeong,Georgios Vellianitis,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Treating a silicon on insulator wafer in preparation for manufacturing an atomistic electronic device interfaced with a CMOS electronic device

Номер патента: US11232976B2. Автор: Jason Pitters,Robert A. Wolkow,Bruno Vieira Da Cunha Martins,Marco Taucer. Владелец: Quantum Silicon Inc. Дата публикации: 2022-01-25.

Inorganic/organic hybrid complementary semiconductor device and method for producing same

Номер патента: EP4300592A1. Автор: Xiaozhu Wei,Hiroki Sato,Junichi Takeya,Daiji IKEDA,Yasuyuki Akai,Shunichiro Watanabe,Shouhei KUMAGAI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Active matrix substrate, liquid crystal display device and method for manufacturing active matrix substrate

Номер патента: US20230168550A1. Автор: Hiroaki Furukawa,Hiroshi Matsukizono,Yuhichi Saitoh,Atsushi HACHIYA. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Treating a silicon on insulator wafer in preparation for manufacturing an atomistic electronic device interfaced with a cmos electronic device

Номер патента: US20220102197A1. Автор: Jason Pitters,Robert A. Wolkow,Bruno Vieira Da Cunha Martins,Marco Taucer. Владелец: Quantum Silicon Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Treating a silicon on insulator wafer in preparation for manufacturing an atomistic electronic device interfaced with a CMOS electronic device

Номер патента: US11749558B2. Автор: Jason Pitters,Robert A. Wolkow,Bruno Vieira Da Cunha Martins,Marco Taucer. Владелец: Quantum Silicon Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Treating a silicon on insulator wafer in preparation for manufacturing an atomistic electronic device interfaced with a cmos electronic device

Номер патента: US20210159116A1. Автор: Jason Pitters,Robert A. Wolkow,Bruno Vieira Da Cunha Martins,Marco Taucer. Владелец: Quantum Silicon Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160118493A1. Автор: Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2016-04-28.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20170346258A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20190027900A1. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for fabricating compound semiconductor laser

Номер патента: US5789273A. Автор: Tadashi Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Optical semiconductor device

Номер патента: US10109984B2. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US9252190B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US20120305930A1. Автор: Naoki Makita,Hiroki Mori,Masaki Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semicondcutor device comprising transistor

Номер патента: US20130277762A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20210057550A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device, and manufacturing method for same

Номер патента: US20150048377A1. Автор: Naoki Makita,Hiroki Mori,Masaki Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09799775B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Array substrate and method for producing the same and display apparatus

Номер патента: US09490266B2. Автор: WU Wang,Rui Wang,Fei SHANG,Haijun Qiu,Guolei Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11929426B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060124971A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20040164298A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Methods for pfet fabrication using apm solutions

Номер патента: US20130203245A1. Автор: John Foster,Stephan Kronholz,Berthold Reimer,Paul Besser,Joanna WASYLUK,Gregory Nowling,Sven Metzger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728618B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576905B2. Автор: Akihiro Kajita,Atsunobu Isobayashi,Taishi ISHIKURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09293575B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210375686A1. Автор: Jiun-Ming Kuo,Pei-Ling Kao,You-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming high aspect ratio patterning structure

Номер патента: US09991116B1. Автор: Peng Liu,Jun Zhu,Yu Ren,Hsusheng CHANG,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements

Номер патента: US09786793B2. Автор: Sachiaki TEZUKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09620618B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230369327A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN,Wei Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11929412B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09716181B2. Автор: Yong-Hoon Son,Phil Ouk NAM,Yeon-Sil Sohn,Byeongju Kim,Kyunghyun Kim,JongHeun Lim,Kwangchul PARK,Jin-l Lee,Wonbong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method and apparatus for predicting crystal quality of single-crystal semiconductor

Номер патента: GB2279586A. Автор: Ryuichi Habu. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-01-11.

Method of producing single-crystal semiconductor films by laser treatment

Номер патента: US4308078A. Автор: Melvin S. Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-12-29.

Low dielectric insulator and semiconductor structures

Номер патента: GB2371043A. Автор: Susan Clay Vitkavage,Kurt George Steiner. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-07-17.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US5057880A. Автор: Kanetake Takasaki,Takashi Eshita,Toshikazu Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-10-15.

Semiconductor device with field plate electrode

Номер патента: US11522058B2. Автор: Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085212A1. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9245999B2. Автор: Tomonari Sawada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20140034949A1. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20040256668A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Akio Nakagawa,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140159147A1. Автор: Tomonari Sawada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150187954A1. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Gas sensor and method for making same

Номер патента: US20200209187A1. Автор: Hsin-Hua Lin,Po-Li Shih,Wei-Chih Chang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for the manufacture of thin film transistors

Номер патента: US4654959A. Автор: Hiroaki Kato,Fumiaki Funada,Yutaka Takafuji. Владелец: Japan Electronic Industry Development Association. Дата публикации: 1987-04-07.

Semiconductor device with single crystal semiconductor layer(s) bonded to insulating surface of substrate

Номер патента: US7262464B2. Автор: Takashi Itoga,Yutaka Takafuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Apparatus and method for improving efficiency of thin-film photovoltaic devices

Номер патента: US20170054052A1. Автор: Jianjun Wang,Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Akhlesh Gupta,Rick C. Powell,Xilin Peng. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Thin film transistor semiconductor device

Номер патента: US11942484B2. Автор: Akihiro Hanada,Kazufumi Watabe,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11824093B2. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11908912B2. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Shuhei Tokuyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Seal ring for semiconductor device with gate-all-around transistors

Номер патента: US20230019608A1. Автор: Chun Yu Chen,Yen Lian Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and formation method

Номер патента: US20240153992A1. Автор: Chee-Wee Liu,Yu-Shiang Huang,Chien-Te TU,Hung-Yu YE. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus and method for improving efficiency of thin-film photovoltaic devices

Номер патента: EP2852969A1. Автор: Jianjun Wang,Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Akhlesh Gupta,Rick C. Powell,Xilin Peng. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20220173248A1. Автор: Akihiro Hanada,Takuo Kaitoh. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240038851A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20160148930A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20150214329A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Single-crystal semiconductor pulling apparatus

Номер патента: US5800612A. Автор: Yoshinobu Hiraishi,Koichi Shimomura,Taizou Miyamoto. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5405803A. Автор: Takahisa Kusaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130082261A1. Автор: Hiroaki Yamashita,Wataru Saito,Syotaro Ono,Toshiyuki Naka,Shunji Taniuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20230081981A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices with asymmetric source/drain design

Номер патента: US20230369402A1. Автор: Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280707A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069405A1. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and field effect transistor

Номер патента: US20120199889A1. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Kazuomi Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194678A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chun-Jun Lin,Wei-Chih Hou,Shu-Ning HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Material supplied for fabricating single-crystal semiconductor

Номер патента: US5888293A. Автор: Hiroshi Inagaki,Tatsuhiro Fujiyama,Hidetoshi Kurogi. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-30.

N-channel mosfets comprising dual stressors, and methods for forming the same

Номер патента: EP2036130A2. Автор: Nivo Rovedo,Zhijiong Luo,Jinghong H. Li,Yaocheng Liu,Anita Madan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Semiconductor device comprising first and second conductors

Номер патента: US11805637B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Optical semiconductor device

Номер патента: US10700497B2. Автор: Masaru Kuramoto,Shoichiro Izumi,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for treating the dislocation in a GaN-containing semiconductor layer

Номер патента: US8420543B1. Автор: Wei-I Lee,Yin-Hao Wu,Yen-Hsien Yeh,Tzu-Yi Yu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device including data storage layer

Номер патента: US20230369214A1. Автор: Hyeran Lee,Jeonil Lee,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and field effect transistor

Номер патента: US20130113028A2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Kazuomi Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for treating the dislocation in a gan-containing semiconductor layer

Номер патента: US20130102128A1. Автор: Wei-I Lee,Yin-Hao Wu,Yen-Hsien Yeh,Tzu-Yi Yu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of manufacturing single-crystal film

Номер патента: EP0077020B1. Автор: Masao Tamura,Masanobu Miyao,Hideo Sunami,Takashi Tokuyama,Makoto Ohkura,Nobuyoshi Natsuaki,Naotsugu Yoshihiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9947781B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069109A1. Автор: Shingo Sato,Wataru Saito,Shizue MATSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4287264A1. Автор: Sungkeun Lim,Jinyeong Joe,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon,Dohyun GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222222B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Method for manufacturing a substrate comprising a relaxed InGaN layer

Номер патента: US11735693B2. Автор: Carole Pernel,Amélie DUSSAIGNE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for the production of a bragg lattice in a semiconductor layer sequence by etching and semiconductor element

Номер патента: AU2003215496A1. Автор: Götz Erbert,Matthias Braun,Hans Wenzel. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2003-07-24.

Wide band-gap semiconductor device including schotky electrode and method for producing same

Номер патента: US09548353B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20190296133A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Thyristor and method for manufacturing same

Номер патента: EP4421876A1. Автор: Tadashi Inoue,Yukihiro Shibata,Kanae ENDO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220085216A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takako Motai,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322021A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09484443B2. Автор: Yoshiyuki Kondo,Masakazu Goto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Power semiconductor device

Номер патента: US20120241813A1. Автор: Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091323A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takeshi Suwa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220416064A1. Автор: Akihiko Furukawa,Kazuya Konishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device having two insulated gates and capable of thyristor function and method for operating the same

Номер патента: US5608238A. Автор: Hideo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Hetero junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140138747A1. Автор: Jaehoon Lee,Chanho Park,NamYoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method for driving same

Номер патента: US20220293778A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and method for driving same

Номер патента: US12027611B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing Schottky diodes

Номер патента: US4481041A. Автор: Jörg Müller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-11-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method for controlling same

Номер патента: US11538929B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takeshi Suwa,Takako Motai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device and method for controlling same

Номер патента: US20220093776A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Takeshi Suwa,Takako Motai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090885A1. Автор: Shoko HANAGATA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

HEMT semiconductor device with a stepped sidewall

Номер патента: US11862721B2. Автор: Wei Huang,Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128350A1. Автор: Seiji Noguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110221045A1. Автор: Takao Morimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for increasing photoresist etch selectivity to enable high energy hot implant in SiC devices

Номер патента: US11527412B2. Автор: Lei Zhong,Wei Zou,David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Felix Levitov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Method for increasing photoresist etch selectivity to enable high energy hot implant in sic devices

Номер патента: US20220044939A1. Автор: Lei Zhong,Wei Zou,David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Felix Levitov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US9543294B2. Автор: Takaya Shimono. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US6703686B2. Автор: Takahiko Konishi,Masahiko Takeno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US9059236B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Tsuneo Ogura,Yoshiko Ikeda,Shinichiro Misu,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20140124832A1. Автор: Kazutoshi Nakamura,Tomoko Matsudai,Tsuneo Ogura,Yoshiko Ikeda,Shinichiro Misu,Yuichi Oshino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160233214A1. Автор: Takaya Shimono. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for fabricating precision layer silicon-over-oxide semiconductor structure

Номер патента: US3869321A. Автор: Stanley R Davis. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-03-04.

Semiconductor devices including self aligned refractory contacts and methods of fabricating the same

Номер патента: CA2651670C. Автор: Adam William Saxler,Scott Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148801B2. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023035104A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110254095A1. Автор: Yoshiaki Ito,Koichiro Kamata,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120187413A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20240263342A1. Автор: Hirotaka Takahashi,Suguru Matsumoto,Kosei Sugawara,Takahide Onai. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device including support structure, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20220336489A1. Автор: Dongseong Kim,Kangmin KIM,Junhyoung Kim,Byungkwan You,Kiyoon KANG,Seugmin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09773809B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09443869B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20100087044A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma,Junichi Koezuka,Takeshi Shichi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for planarizing surface of single crystal silicon carbide substrate, method for manufacturing single crystal silicon carbide substrate, and single crystal silicon carbide substrate

Номер патента: JP5213095B2. Автор: 忠昭金子,滋人西谷. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2013-06-19.

Impurity amount control system for manufacturing single crystal and impurity amount control method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20080177422A1. Автор: Kenji Kawahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199781A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240243177A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for cleaning single crystal pulling apparatus, cleaning tool for use therein, and method for manufacturing single crystal

Номер патента: US10000863B2. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150028391A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with two-dimensional electron gas

Номер патента: US09966441B2. Автор: Masahiko Yamamoto,Yoshiro Baba,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09917182B1. Автор: Akira Yoshioka,Junji Kataoka,Kazuo Saki,Tatsuya Shiraishi,Yasunobu Saito,Kohei Oasa,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09708729B2. Автор: Toshiro Shimada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09437672B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20220136130A1. Автор: Takumi Kobayashi,Atsushi Iwasaki,Susumu Sonokawa,Atsushi Okai,Kazuya Yanase. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023197251A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240162306A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Fengming Lin. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200403104A1. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024055276A1. Автор: Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jian Rao,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023240491A1. Автор: Xiaoqi Li,Xiao Zhang,Qiyue Zhao,Keping Wu,Tinglin YOU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030330A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108422A1. Автор: Yang Liu,King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108488A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103198A1. Автор: Hui Yan,Xinyu Li,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047527A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09627489B2. Автор: Hung Hung,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7541657B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, power circuit, and computer

Номер патента: US11894452B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100155851A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7429776B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, power circuit, and computer

Номер патента: US20220102544A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12074105B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040B1. Автор: Ryuichi NIKKO MATERIALS CO. LTD. HIRANO,Hiroshi Nikko Materials Co. Ltd. MAEDA,Tetsuya Nikko Materials Co. Ltd. YAMAMOTO,Akira Nikko Materials Co. Ltd. HICHIWA,Yoshiaki Hirohata Furnace Co. Ltd. KUBOTA. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024060046A1. Автор: Yang Liu,Jheng-Sheng You,Ziming DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices

Номер патента: WO2006080413A3. Автор: Hiroyuki Ueda,Masahiro Sugimoto,Tsutomu Uesugi,Narumasa Soejima,Tetsu Kachi. Владелец: Tetsu Kachi. Дата публикации: 2006-10-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352476A1. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductordevice and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026597A1. Автор: Jheng-Sheng You,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing single crystal silicon wafers

Номер патента: TWI527121B. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2016-03-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for making a quantum device with nuclear spin qubits

Номер патента: US11817490B2. Автор: Raluca Tiron,Louis HUTIN,Julien BORREL. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240008258A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024098355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Single Crystal Silicon Carbide Substrate, Method of Manufacturing Single Crystal Silicon Carbide Substrate, and Semiconductor Laser

Номер патента: US20200043844A1. Автор: Aoki Hisashi,ITAGAKI Toru,TAKEMORI Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device, substrate with single-crystal semiconductor thin film and methods for manufacturing same

Номер патента: CN101855704A. Автор: 高藤裕,福岛康守,富安一秀,竹井美智子,中川和男. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Semiconductor device, substrate with single-crystal semiconductor thin film and methods for manufacturing same

Номер патента: WO2009084311A1. Автор: Yasumori Fukushima,Shin Matsumoto,Kazuo Nakagawa,Yutaka Takafuji,Kenshi Tada,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167081A1. Автор: Atsushi Hasuike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

High electron mobility transistor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881478B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20060054924A1. Автор: Ichiro Omura,Wataru Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11830913B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20180076311A1. Автор: Akira Yoshioka,Junji Kataoka,Kazuo Saki,Tatsuya Shiraishi,Yasunobu Saito,Kohei Oasa,Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024113076A1. Автор: Sichao LI,Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having thyristor and metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190043863A1. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device, semiconductor laser, and high electron mobility transistor

Номер патента: US5734670A. Автор: Kenichi Ono,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20170054013A1. Автор: Keiichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09583412B2. Автор: Hitoshi Haematsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor structure and method for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20220384357A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20100052015A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20040104404A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Semiconductor devices

Номер патента: WO2006080413A2. Автор: Hiroyuki Ueda,Masahiro Sugimoto,Tsutomu Uesugi,Narumasa Soejima,Tetsu Kachi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor devices

Номер патента: EP1842238A2. Автор: Hiroyuki Ueda,Masahiro Sugimoto,Tsutomu Uesugi,Narumasa Soejima,Tetsu Kachi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for cold gas spraying of a layer having a metal microstructure phase and a microstructure phase made of plastic, component having such a layer, and use of said component

Номер патента: US09610605B2. Автор: Raymond Ullrich,Jens Dahl Jensen,Oliver Stier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11139378B2. Автор: Tomonori Aoyama,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024016151A1. Автор: Rong Yang,Xiaoming Liu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Aln bulk single crystal, semiconductor device using the same and method for producing the same

Номер патента: CA2719826C. Автор: Shunro Nagata,Albrecht Winnacker,Boris M Epelbaum,Matthias Bickermann,Octavian Filip,Paul Heimann. Владелец: Crystal N GmbH. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for manufacturing single-crystal sensing elements for high-voltage optical measuring voltage transformers

Номер патента: RU2748973C1. Автор: Сергей Александрович Сахаров,Владимир Владимирович Аленков,Светлана Сергеевна Базалевская,Дина Генриховна Евтушенко,Алексей Николаевич Забелин,Анатолий Анатольевич Мололкин. Владелец: Акционерное Общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ". Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing SOI substrate

Номер патента: US09837300B2. Автор: Kazutaka Kuriki,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing semiconductor element

Номер патента: US20210327722A1. Автор: Toshimasa Hara,Motohisa Kado,Katsunori Danno,Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20110287605A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Taiga MURAOKA,Kosei Nei. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20120184085A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for manufacturing soi substrate

Номер патента: US20090111236A1. Автор: Kazutaka Kuriki,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for manufacturing a CFET device

Номер патента: US11876020B2. Автор: Walter Schwarzenbach,Ludovic Ecarnot,Nicolas Daval,Bich-Yen Nguyen,Guillaume BESNARD. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7811884B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100311222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Diode having Schottky junction and PN junction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230405A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Takashi Katsuno,Masayasu Ishiko,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming semiconductor devices through epitaxy

Номер патента: US20040121564A1. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating microelectronic devices with isolation trenches partially formed under active regions

Номер патента: US09437474B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing electronic component device and electronic component device

Номер патента: US20230268195A1. Автор: Tomoaki Shibata,Naoya Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing a chemically and thermally stable metal absorbing structure of tungsten on a silicate substrate

Номер патента: RU2767482C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Бернт,Валерий Олегович Пономаренко,Игорь Сергеевич Ерёмин,Екатерина Андреевна Мещерякова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11942560B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080146017A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406924A1. Автор: Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Light detecting device, method for manufacturing light detecting device, and electronic instrument

Номер патента: EP4404250A1. Автор: Suguru Saito,Kentaro Eda,Masayuki Tazaki,Takaaki Furusho,Mutsuo Uehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and termination region structure thereof

Номер патента: US20140312452A1. Автор: Wen-Bin Lin. Владелец: Economic Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Double-sided copper clad laminate for forming capacitor layer and method for manufacturing the same

Номер патента: MY144937A. Автор: Kazuhiro Yamazaki,Fujio Kuwako,Toshifumi Matsushima. Владелец: Mitsui Mining & Smelting Co. Дата публикации: 2011-11-30.

Method for manufacturing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell

Номер патента: EP1968121A2. Автор: Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka,Kouichi Tanaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-10.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20140021514A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20210134653A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Jingling Wang,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105812A1. Автор: Chao Yang,Yong Liu,Chunhua ZHOU,Jingyu SHEN,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Improved substrate compositions and methods for forming semiconductor on insulator devices

Номер патента: WO2009058245A2. Автор: Matthew John Dejneka,Kishor P Gadkaree,Adam J Ellison. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09887180B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Fabrication method of semiconductor device using epitaxial growth process

Номер патента: US5723378A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162298A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369424A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016219A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076448A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236197A1. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9059375B2. Автор: Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: MY198985A. Автор: NARITA Junya,Inoue Yoshiki,KITAHAMA Shun,NAGAMINE Kazuhiro. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-06.

Methods for Forming a Semiconductor Device Having a Second Semiconductor Layer on a First Semiconductor Layer

Номер патента: US20230395394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Characterizing defects in semiconductor layers

Номер патента: EP4381538A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Characterizing defects in semiconductor layers

Номер патента: US12094787B2. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Overlay measurement method, semiconductor device manufacturing method using the same, and overlay measurement apparatus

Номер патента: US20230074537A1. Автор: Jaeil LEE,Kyoungcho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing single crystal semiconductor on insulator

Номер патента: KR940016597A. Автор: 이창재. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-07-23.

Electronic component and method for fabricating the same

Номер патента: US20150348894A1. Автор: Jing-Yi Yan,Wei-Han Chen,Wu-Wei Tsai,Wei-Cheng Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device including select cutting structure, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20220392911A1. Автор: Youngsun CHO,Choasub KIM,Dongmin Kyeon,Hayan Park,Changhyun Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor structure and method for making same

Номер патента: US20140080280A1. Автор: Bernd Eisener,Detlef Wilhelm,Guenter Pfeifer,Dieter Claeys. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-20.

Switching device for a pixel electrode and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080268586A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Wen-Ching Tsai,Han-Tu Lin,Yeong-Shyang Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200124879A1. Автор: Yong Sang PARK,Hyun Il Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US5236851A. Автор: Shuichi Kameyama,Hiroyuki Sakai,Masaoki Kajiyama,Kazuya Kikuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-17.

Semiconductor device with reduced parasitic substrate capacitance

Номер патента: US5731620A. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor device having epitaxial semiconductor layer above impurity layer

Номер патента: US20140179072A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Taiji Ema,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140103537A1. Автор: Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method of forming monolithic surge protection resistor

Номер патента: WO2023056140A1. Автор: Timothy E. Boles,James J. Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor sensor having a diffused resistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040012059A1. Автор: Eishi Kawasaki,Seiichiro Ishio. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device and method of forming monolithic surge protection resistor

Номер патента: EP4338205A1. Автор: Timothy E. Boles,James J. Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device and method of forming monolithic surge protection resistor

Номер патента: US12015051B2. Автор: Timothy E. Boles,James J. Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of transferring a thin crystalline semiconductor layer

Номер патента: WO2006127157A2. Автор: Michael A. Nastasi,Lin Shao,Silvanus S. Lau,James W. Mayer,Terry L. Alford,Philip E. Thompson,N. David Theodore. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200091172A1. Автор: Yuta Saito,Masayuki Tanaka,Atsushi Takahashi,Shinji Mori,Kazuhiro Matsuo,Kazuhisa Matsuda,Kenichiro TORATANI,Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US9985142B2. Автор: Shusaku FUJIE,Masaki Hino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20220231174A1. Автор: Osamu Imafuji. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230290887A1. Автор: Masaya Ueno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20170338354A1. Автор: Shusaku FUJIE,Masaki Hino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295125A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210210592A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20140332865A1. Автор: Hitoshi Haematsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Process for producing silicon semiconductor wafers with III-V layer structures for the integration of silicon devices with Group III-V layer structures based High Electron Mobility Transistors (HEMT) and corresponding semiconductor layer arrangement

Номер патента: DE102009051521A1. Автор: Ralf Lerner,Gabriel Kittler. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2011-05-19.

Glass-ceramic-based semiconductor-on-insulator structures and method for making the same

Номер патента: EP2332170A1. Автор: Linda R Pinckney,Kishor P Gadkaree. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US3797102A. Автор: T Huffman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-03-19.

Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding

Номер патента: US20240295691A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200279957A1. Автор: Akira Takashima,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11342468B2. Автор: Akira Takashima,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device with change storage layer

Номер патента: US11769838B2. Автор: Akira Takashima,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabrication of semiconductor light-emitting device and the device fabricated by the method

Номер патента: WO2006019180A1. Автор: Koji Yakushiji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20160204032A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US9873166B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170153390A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9933568B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Heat treatment apparatus and method for manufacturing soi substrate using the heat treatment apparatus

Номер патента: US20090181514A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Heat treatment apparatus and method for manufacturing soi substrate using the heat treatment apparatus

Номер патента: US20110223553A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Process for manufacturing a multi layer bumped semiconductor device

Номер патента: US5863812A. Автор: Kamran Manteghi. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-01-26.

Method of manufacturing single crystal Si film

Номер патента: US7479442B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-20.

Electronic device including a semiconductor layer and a sidewall spacer and a process of forming the same

Номер патента: US20070249127A1. Автор: Michael Turner,Venkat Kolagunta,Rode Mora,Vance Adams,Toni Van Gompel. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US8389309B2. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing image display device and image display device

Номер патента: US20230290808A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237372A9. Автор: Jae Ho Kim,Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20190296192A1. Автор: Yoshinori Fukui,Yoshiki Matsushita,Takaaki Oguri,Akinori Kishi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Optoelectronic semiconductor device comprising a filling material and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024227522A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jochen BRENDT,Peter Deutscher,Joern KAMPMEIER,Thomas FILZ. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: US20180287009A1. Автор: Yoshiki Inoue,Junya Narita,Kazuhiro Nagamine,Susumu TOKO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187446A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140077250A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9202986B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor light emitting device with light transmittable electrode and method for manufacturing same

Номер патента: US8623676B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Solar cell and method for manufacturing solar cell

Номер патента: US12107176B2. Автор: Kunihiro Nakano,Katsunori Konishi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12142717B2. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09793475B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09484532B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09478737B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Led chip and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240258474A1. Автор: Xiaofeng Chen,Zhaobin HUANG,Likai XUN. Владелец: Chongqing Konka Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Light emitting diode structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363823A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09929177B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09526168B2. Автор: Youhong Wu. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor light receiving device and semiconductor light receiving device

Номер патента: US09548330B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US5128732A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Yasuo Yamaguchi,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1992-07-07.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting apparatus

Номер патента: US20120220060A1. Автор: Seiichiro Kobayashi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Flexible organic light emitting display and method for manufacturing the same

Номер патента: US9680114B2. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295230A1. Автор: Hyung Jo Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same

Номер патента: US09570660B2. Автор: Seung Woo Choi,Sang Yeob Song,Jae In SIM,Gi Bum Kim,Jong Hoon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing a radiation-emitting-and-receiving semiconductor chip

Номер патента: US7524687B2. Автор: Peter Brick,Tony Albrecht,Marc Philippens,Glenn-Yves Plaine. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-04-28.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US09608006B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Solid state imaging device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150357359A1. Автор: Hiroyuki Fukumizu,Rikyu Ikariyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component

Номер патента: US09773945B2. Автор: Tansen Varghese,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing semiconductor light receiving device

Номер патента: US09735311B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140225150A1. Автор: Te-Chung Wang,Tsung-Yu Yang,Nai-Wei Hsu,Chia-Lin HSIAO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Light-emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160149077A1. Автор: Te-Chung Wang,Tsung-Yu Yang,Nai-Wei Hsu,Chia-Lin HSIAO. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Image display device and method for manufacturing image display device

Номер патента: US20230420630A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor epitaxial structure and method for manufacturing the same, and led

Номер патента: US20230170437A1. Автор: Weiwei Sun. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Multi-active area semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240222547A1. Автор: Li Zhou,Yang Cheng,Jun Wang,Bo Li,Shaoyang TAN,Yudan GOU,Lichen ZHANG. Владелец: Shuzhou Everbright Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US12015107B2. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component and Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20200220056A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-09.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producting an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240274753A1. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Photoelectric Conversion Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20090293954A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: EP4287275A1. Автор: Jae Ho Kim,Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20210036190A1. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US10868219B2. Автор: Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20200203575A1. Автор: Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Image display device and method for manufacturing image display device

Номер патента: US20240030399A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20240138165A1. Автор: Jae Ho Kim,Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Light-Emitting Device, Display Apparatus Including the Same and Method for Manufacturing the Device and Apparatus

Номер патента: US20240213408A1. Автор: Hyowon KWON,ll-Soo Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing an optoelectronic component, and optoelectronic component

Номер патента: US20240297286A1. Автор: Martin Haushalter,Christian Betthausen,Daniel Dietze. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for determining crystal defect concentration lower than 10 ppm in semiconductor materials based on photomodulated reflectance measurement

Номер патента: WO2023175362A1. Автор: György Nádudvari,Laszlo Balogh,Jozsef Gallai,Zsolt ZOLNAI,János SZIVOS. Владелец: SEMILAB Zrt.. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device package, semiconductor light-emitting device package manufactured thereby, and display device comprising same

Номер патента: US20230361095A1. Автор: Hooyoung SONG,Joodo Park,Myungshin CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Optical device and method for manufacturing optical device

Номер патента: US20200259049A1. Автор: Toshiaki Fukunaka. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337400B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Shigeya Kimura,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120295378A1. Автор: Katsuhiro Tomoda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150280061A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Toshihide Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Thermoelectric conversion material using substrate having nanostructure, and method for producing same

Номер патента: US09691961B2. Автор: Chihaya Adachi,Koji Miyazaki,Teruaki Hayakawa,Kunihisa Kato. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8729578B2. Автор: Hajime Nago,Koichi Tachibana,Shinya Nunoue,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Method for manufacturing single-crystal silicon solar cell

Номер патента: EP1981092A2. Автор: ITO Atsuo,Koichi Tanaka,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Infrared device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230366739A1. Автор: Heng-Chung Chang,Jing-Yuan Lin,Chih-Ya TSAI,Hui-Chi Su. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-11-16.

Photodetector and method for forming the same

Номер патента: US12046689B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Organic light-emitting diode (OLED) display having a semiconductor layer including a third portion extending in a third direction joining a first and second portions that extending in different directions

Номер патента: US12069897B2. Автор: Wang Woo LEE,Jung Hwa KIM,Moo Soon KO,Min Woo Woo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device structures incorporating “buried” mirrors and/or “buried” metal electrodes and a process for their fabrication

Номер патента: US6429463B1. Автор: Michael G. Mauk. Владелец: Astropower Inc. Дата публикации: 2002-08-06.

Semiconductor device structures incorporating "buried" mirrors and/or "buried" metal electrodes

Номер патента: US5828088A. Автор: Michael G. Mauk. Владелец: Astropower Inc. Дата публикации: 1998-10-27.

Method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element and lamp provided with the semiconductor light emitting element

Номер патента: EP2012370A1. Автор: Kenzo c/o SHOWA DENKO K.K. HANAWA,Yasunori c/o SHOWA DENKO K.K. YOKOYAMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor device with buried gate structures

Номер патента: US20240088249A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170309638A1. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230066509A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for Manufacturing a Device on a Substrate

Номер патента: US20140083973A1. Автор: Walter Preis,Christof Jalics,Joerg Adler,Uwe Hoeckele,Reinhard Goellner,Patricia Nickut,Sandra Obernhuber,Tanja Schest. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150357378A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170005264A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Continuous compositional grading for realization of low charge carrier barriers in electro-optical heterostructure semiconductor devices

Номер патента: US20240047603A1. Автор: Elad Mentovich,Attila Fülöp,Oren Steinberg,Isabelle Cestier,Anders Gösta Larsson,Moshe B. Oron. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP4307379A1. Автор: Takuya Hara,Jun Yamaguchi,Daisuke Kobayashi,Tsutomu Tange,Hideaki Ishino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Multi-semiconductor layer photodetector and related method

Номер патента: US12051761B2. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu,Thanh Hoa Phung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Continuous compositional grading for realization of low charge carrier barriers in electro-optical heterostructure semiconductor devices

Номер патента: US12132137B2. Автор: Elad Mentovich,Attila Fülöp,Oren Steinberg,Isabelle Cestier,Anders Gösta Larsson,Moshe B. Oron. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for producing a rear-side contact system for a silicon thin-layer solar cell

Номер патента: US09899555B2. Автор: Sven Ring,Rutger Schlatmann,Frank Fink,Christof Schultz,Moshe Weizman,Holger RHEIN,Stefan Gall. Владелец: Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20190244821A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170345661A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Solid-state imaging device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108391A1. Автор: Toshihiro Kuriyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for manufacturing a semiconductor layer, method for manufacturing a photoelectric conversion device, and a semiconductor layer forming solution

Номер патента: EP2530728B1. Автор: Isamu Tanaka,Koichiro Yamada,Riichi Sasamori,Hiromitsu Ogawa,Seiji Oguri,Keizo Takeda,Kotaro Tanigawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-01-31.

Method of manufacturing single crystal silicon solar cell and single crystal silicon solar cell

Номер патента: US8119903B2. Автор: Koichi Tanaka,Atsuo Ito,Makoto Kawai,Yoshihiro Kubota,Shoji Akiyama,Yuuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130248893A1. Автор: Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and fabricating method therefor

Номер патента: WO2022035375A1. Автор: Gunasagar S.. Владелец: Compoundtek Pte. Ltd.. Дата публикации: 2022-02-17.

Mold for nano-imprinting, method for forming diffraction grating, and method for producing optical device including diffraction grating

Номер патента: US20140073073A1. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Solid-state imaging device and method for manufacturing same

Номер патента: US7960769B2. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor laser element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4152532A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Light color conversion layer structure, method of manufacturing the same and light-emitting device containing the same

Номер патента: US20230207746A1. Автор: Han-Cheng YEH,Ming-Tzung Wu,Ming-Chang Li,Chin-Cheng Weng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Solid-state color image pickup device with accumulated-layer structure

Номер патента: US4737833A. Автор: Masatoshi Tabei. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080048180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mikio Yukawa,Hiroko Abe,Yuji Iwaki,Yasuyuki Arai,Yoshitaka Moriya,Yasuko Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Reflective Contact Layer System for an Optoelectronic Component and Method for Producing Same

Номер патента: US20150270437A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Kai Gehrke,Simeon Katz,Matthias Peter,Rolf Aidam,Jürgen Off,Jürgen Däubler,Thorsten Passow. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-09-24.

Mold for nano-imprinting, method for forming diffraction grating, and method for producing optical device including diffraction grating

Номер патента: US9272463B2. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20180149809A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US10234628B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220238536A1. Автор: Takashi Ohashi,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243059A1. Автор: Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sungho Jang,Ilgweon KIM,Joon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing magnetoresistive nanostructures

Номер патента: RU2767593C1. Автор: Сергей Викторович Горохов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2022-03-17.

Light emitting device and method for fabricating the light emitting device

Номер патента: US8212265B2. Автор: Dae Seob Han,Yong Tae Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-03.

Light emitting semiconductor device for enhancing light extraction efficiency

Номер патента: US11961943B2. Автор: Youn Joon Sung,Min Sung KIM,Eun Dk LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20180076266A1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Neuromorphic circuit having 3d stacked structure and semiconductor device having the same

Номер патента: SG10201900011WA. Автор: YU Hak-soo,O Seong-Il,CHOI Min-Su,CHO WOO-YEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Package structure for optical fiber and method for forming the same

Номер патента: US20200132949A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Jui-Hsieh LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100155699A1. Автор: Youn Joon Sung,Jeong Wook Lee,Tan Sakong. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11990567B2. Автор: Youn Joon Sung. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20240008247A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Capacitor stack structure and method for forming same

Номер патента: US20230016558A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Light emitting diode, manufacturing method for the same, display device including light emitting diode, and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220223772A1. Автор: Young Il Kim,Chang Hee Lee,Ji Yoon Kim,Dong Uk Kim,Se Hun Kim,Hyo Jin Ko,Dong Hoon Kwak. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Multi-semiconductor layer photodetector and related method

Номер патента: EP4273941A1. Автор: Eng Huat Toh,Yongshun SUN,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu,Thanh Hoa Phung. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09391027B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device having contacting but electrically isolated regions of opposite conductivity types

Номер патента: US4547681A. Автор: Hideharu Egawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-10-15.

Semiconductor device, semiconductor device package, and lighting system comprising same

Номер патента: US20180315887A1. Автор: Jae Hoon Choi,Rak Jun Choi,Byeoung Jo Kim,Hae Jin Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Photo detector and method for forming thereof

Номер патента: US20080284341A1. Автор: Chien-sen Weng,Yi-Wei Chen,Kun-Chih Lin,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method using nanotube contacts

Номер патента: EP1719155A2. Автор: Andrew Gabriel Rinzler,Stepehen J. Pearton. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2006-11-08.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producting an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20230223495A1. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230207607A1. Автор: Su Jeong Kim,Jin Wan Kim,Seung Geun LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220037267A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Gan-based light emitting diode and method for fabricating the same

Номер патента: WO2009035219A3. Автор: Jae-eung Oh. Владелец: Jae-eung Oh. Дата публикации: 2009-06-04.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US11916167B2. Автор: Wolfgang Schmid,Tansen Varghese. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Organic optoelectronic component and method for producing an organic optoelectronic component

Номер патента: US20180301661A1. Автор: Simon Schicktanz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor photoelectric conversion device and method for making same

Номер патента: US4878097A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-10-31.

Flexible organic light emitting display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160190488A1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for manufacturing touch control display screen

Номер патента: US20190363137A1. Автор: Xiaoliang Feng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Photodetector and method for forming the same

Номер патента: US20230378385A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND, AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE USED IN SAME

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Kobayashi Yutaka,Nishibayashi Yoshiki,Tatsumi Natsuo,Sumiya Hitoshi,NOHARA Takuya,Ueda Akihiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor layer over a substrate

Номер патента: JP5254195B2. Автор: ルーベン・リーテン. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-08-07.

Substrate, method for separating the substrate, and display panel

Номер патента: US20230159385A1. Автор: Ying Yan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Optoelectronic device comprising single crystals of hybrid organic- inorganic perovskite, and method for producing said single perovskite crystals

Номер патента: WO2023223153A1. Автор: Marianna Testa,Fabio Matteocci,Luisa De Marco,Ilenia Viola,Matthias AUF DER MAUR. Владелец: ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE. Дата публикации: 2023-11-23.

Optical element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186396A1. Автор: Tetsuo Hiramatsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Quantum size effect type micro electron gun and flat display unit using it and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030109091A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for manufacturing laminated battery

Номер патента: US20220416309A1. Автор: Kazuyoshi Honda,Akira Kawase,Kouji Nishida,Kazuhiro Morioka,Eiichi Koga. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Edge emitting semicondcutor laser diode; method for producing a semicondcutor laser device and semicondcutor laser device

Номер патента: WO2024046669A1. Автор: Sven GERHARD,Mariel Grace Jama. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-07.

Environment sensor, measuring device and method for operating a measuring device

Номер патента: US20230378715A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-23.

Process for manufacturing buried hetero-structure laser diodes

Номер патента: US20130017638A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor laser element and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3683907A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

System and method for reducing critical current or magnetic random access memory

Номер патента: US20090046497A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Xiu Ye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Light transmitting electrically conductive member and method for patterning the same

Номер патента: US09965124B2. Автор: Mitsuo Bito,Tomoyuki Yamai,Yasuyuki Kitamura. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: GB2293485A. Автор: Tatsuya Kimura,Nariaki Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09692208B2. Автор: Atsuo Michiue,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure for signal line, manufacturing method for signal line and switch using the signal line

Номер патента: EP2546920A1. Автор: Junya Yamamoto,Koji Narise. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2013-01-16.

Method for preparing thermosensitive thin film with heat insulation buffer layer structure

Номер патента: NL2032876B1. Автор: Yang Bo,Wang Zhenhua,Pan Ye,Kong Wenwen,Chang Aimin. Владелец: Xinjiang Technical Inst Of Physics And Chemistry Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for the production of a bragg lattice in a semiconductor layer sequence by etching and semiconductor element

Номер патента: AU2003215496A8. Автор: Götz Erbert,Matthias Braun,Hans Wenzel. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for manufacturing laminated battery and laminated battery

Номер патента: US20220416290A1. Автор: Kazuyoshi Honda,Akira Kawase,Eiichi Koga. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for fabricating surface emitting laser

Номер патента: US20170271841A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for Manufacturing Pouch Case of Secondary Battery, and Pouch Film of Secondary Battery and Pouch Case of Secondary Battery

Номер патента: US20230387488A1. Автор: Yang Lim Choi,Kyoung Ha Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US09702055B2. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing single crystal and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: TW201002875A. Автор: Naoki Masuda,Yoshihiro Hirano,Izumi Fusegawa,Susumu Sonokawa. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2010-01-16.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20140033967A1. Автор: Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

A method for growing single crystals

Номер патента: WO2001090449A1. Автор: Moshe Einav. Владелец: Nanogate Ltd.. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for manufacturing graphene, said graphene, and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US09764956B2. Автор: Taehyeong Kim,Jinsan Moon,Wonbae Park,Jonghyun Rho,Subeom PARK,Byunghee HONG,Myunghee JUNG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-19.

Single-crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09738989B2. Автор: Masanori Takazawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

SINGLE CRYSTAL, DIE FOR EFG APPARATUS, EFG APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL MEMBER

Номер патента: US20210017667A1. Автор: FUKUI Akeo,HARADA Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Silicon wafer for hydrogen heat treatment and method for manufacturing the same

Номер патента: US6056931A. Автор: Kozo Nakamura,Junsuke Tomioka,Toshiaki Saishoji. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SiC, AND HOUSING CONTAINER

Номер патента: EP3399075A4. Автор: Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-28.

Apparatus for manufacturing single crystal, method for manufacturing single crystal, and single crystal

Номер патента: CN102272359B. Автор: 羽木良明,川濑智博,桥尾克司,藤井俊辅. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

Raw material filling method, method for manufacturing single crystal, and device for manufacturing single crystal

Номер патента: WO2014080573A1. Автор: 雅彦浦野,勝之北川,勝浩吉田. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2014-05-30.

SINGLE CRYSTAL DIAMOND, METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL DIAMOND, AND TOOL CONTAINING SINGLE CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20170130362A1. Автор: Kobayashi Yutaka,Nishibayashi Yoshiki,Tatsumi Natsuo,Sumiya Hitoshi,Ueda Akihiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US09816199B2. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for cleaning single crystal pulling apparatus, cleaning tool for use therein, and method for manufacturing single crystal

Номер патента: US20180016701A1. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Single-crystal manufacturing apparatus and method for manufacturing single crystal

Номер патента: CN101970728A. Автор: 阿部孝夫. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for manufacturing single crystal semiconductor

Номер патента: WO2005080646A1. Автор: Toshiharu Yubitani,Masafumi Ura,Hidetoshi Kurogi,Noboru Furuichi. Владелец: Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for manufacturing single crystal, and single crystal

Номер патента: JP2005015313A. Автор: Atsushi Ozaki,Makoto Iida,Masahiro Sakurada,Nobuaki Mitamura,誠飯田,伸晃三田村,昌弘櫻田,篤志尾崎. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Single-crystal diamond growth base material and method for manufacturing single-crystal diamond substrate

Номер патента: KR101742326B1. Автор: 히토시 노구치,쇼조 시라이. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2017-05-31.

Method for manufacturing single crystal SiC, method for manufacturing SiC ingot, and method for manufacturing SiC wafer

Номер патента: JP6949358B2. Автор: 真北畠,暁野上,忠昭金子,紀人矢吹,晃嗣芦田,北畠　真,悠介須藤,純久阿部. Владелец: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION. Дата публикации: 2021-10-13.

Heat shield member, single crystal pulling apparatus, and method for manufacturing single crystal silicon ingot

Номер патента: CN110573662A. Автор: 末若良太,田边一美,梶原薰,仓垣俊二. Владелец: Shenggao Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

Method of manufacturing single crystal and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: WO1999022048A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Josuke Nakata. Дата публикации: 1999-05-06.

Method of manufacturing single crystal and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: EP0947613B1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Josuke Nakata. Дата публикации: 2003-07-30.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US8580032B2. Автор: Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Single-crystal diamond, method of manufacturing the same, and method of manufacturing single-crystal diamond plate

Номер патента: US20240183070A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Hitoshi Sumiya,Jin Hwa Lee,Minori Teramoto,Yikang ZUO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of charging raw material, method of manufacturing single crystals, and single crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US09650724B2. Автор: Katsuhiro Yoshida,Katsuyuki Kitagawa,Masahiko Urano. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Filtering apparatus for Manufacturing Single Crystal Ingot and Single Crystal Ingot Grower including the same

Номер патента: KR101304743B1. Автор: 김세훈,최영규,김정열,조화진. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2013-09-05.

Process for manufacturing single crystals and device for applying said process as well as single crystal according to those thus obtained

Номер патента: FR1266103A. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1961-07-07.

Method of manufacturing single crystal

Номер патента: US20160186359A1. Автор: Ken Hamada,Keiichi Takanashi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for the treatment of silicon carbide fibres

Номер патента: US09574299B2. Автор: Sylvie Loison,Jean Luc Laquet,Jean Philippe Rocher. Владелец: Herakles SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Device and method for estimating life of insulaiton materials for manufacturing single crystal

Номер патента: KR20220028458A. Автор: 이규황,이성수,류제빈. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2022-03-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140033967A1. Автор: OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAZOE Shinichi,KUBOTA Toshimichi. Владелец: SUMCO TECHXIV CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SiC, AND HOUSING CONTAINER

Номер патента: US20190010629A1. Автор: Torimi Satoshi,Yabuki Norihito. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20150040820A1. Автор: KATO Hideo,Kyufu Shinichi. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170088974A1. Автор: Mizuta Masahiko. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140238292A1. Автор: Iwasaki Atsushi. Владелец: SHIN-ETSU HANDITAI CO.,LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US20140326173A1. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu,Masamichi Ohkubo. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160289861A1. Автор: Iwasaki Atsushi,Takashima Shou,Miyahara Yuuichi,SAWAZAKI Yasuhiko. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing single crystal structures

Номер патента: EP0892090A1. Автор: Wilfried Kurz,Matthias Gäumann,Hans-Werner Bieler,Jean-Daniel Wagnière,Hansjakob Rusterholz. Владелец: Sulzer Innotec AG. Дата публикации: 1999-01-20.

Apparutus and Method for Manufacturing Single Crystal Ingot

Номер патента: KR101540235B1. Автор: 김도연,최일수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2015-07-29.

Method for manufacturing single crystal structures

Номер патента: EP0892090B1. Автор: Wilfried Kurz,Matthias Gäumann,Hans-Werner Bieler,Jean-Daniel Wagnière,Hansjakob Rusterholz. Владелец: Sulzer Innotec AG. Дата публикации: 2008-04-23.

Method for manufacturing single crystal structures

Номер патента: EP0861927A1. Автор: Wilfried Kurz,Matthias Gäumann,Hans-Werner Bieler,Jean-Daniel Wagnière,Hansjakob Rusterholz. Владелец: Sulzer Innotec AG. Дата публикации: 1998-09-02.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: WO2010103594A1. Автор: 飯田誠,松澤一夫. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for manufacturing single crystal thin film

Номер патента: JP3206375B2. Автор: 等羽深,雅典黛. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-10.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: CN104011271A. Автор: 久府真一,加藤英生. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for manufacturing single crystal of nitride

Номер патента: US20090095212A1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Takatomo Sasaki,Katsuhiro Imai,Mikiya Ichimura,Chikashi Ihara. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: KR101620770B1. Автор: 히데오 가토,신이치 규후. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for manufacturing single crystal silicon

Номер патента: TWI751028B. Автор: 森由行. Владелец: 日商環球晶圓日本股份有限公司. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for manufacturing single crystal aluminum nitride film

Номер патента: JPH0635360B2. Автор: 潔緒方,靖典安東. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-05-11.

Method for manufacturing single crystal of silicon carbide

Номер патента: EP0967304B1. Автор: Nobuo c/o K.K. Toyota Chuo Kenkyusho Kamiya,Atsuto c/o K.K. Toyota Chuo Kenkyusho Okamoto,Naohiro c/o K.K. Toyota Chuo Kenkyusho Sugiyama,Toshihiko c/o K.K. Toyota Chuo Kenkyusho Tani,Hiroaki c/o K.K. Toyota Chuo Kenkyusho Wakayama,Yoshiaki c/o Toyota Chuo Kenkyusho Fukushima,Kazukuni c/o Denso Corporation Hara,Fusao c/o Denso Corporation Hirose,Shoichi c/o Denso Corporation Onda,Kunihiko c/o Denso Corporation Hara,Takashi c/o Denso Corporation Onoda,Haruyoshi c/o Denso Corporation Kuriyama,Takeshi c/o Denso Corporation Hasegawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-04-07.

Method for Manufacturing Single Crystal

Номер патента: KR101574755B1. Автор: 마코토 이이다,카즈오 마츠자와. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for manufacturing single crystal silicon ingot

Номер патента: JP7184029B2. Автор: 栄一郎琴浦. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Apparutus and Method for Manufacturing Single Crystal Ingot

Номер патента: KR20150019780A. Автор: 김도연,최일수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2015-02-25.

Method for manufacturing single-crystal silicon

Номер патента: US9611566B2. Автор: Hideo Kato,Shinichi Kyufu,Masamichi Ohkubo. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of preparing semiconductor compounds and manufacturing single crystals thereof

Номер патента: GB1502087A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1978-02-22.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of manufacturing single crystals by growth from the vapour phase

Номер патента: CA1071068A. Автор: Guy-Michel Jacob,Jean-Philippe Hallais. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-02-05.

PROCESS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTALS FROM A FUSIBLE SEMICONDUCTOR MATERIAL IN THE FORM OF BARS AND PRODUCTS OBTAINED FROM THESE CRYSTALS

Номер патента: BE773097A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1972-03-24.

Sapphire ribbon and apparatus for manufacturing single crystal ribbons

Номер патента: US11248311B2. Автор: Keigo Hoshikawa,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Control-device for controlling crystal growth froma melt, method of manufacturing single crystals using sucha control device and single crystals thus made

Номер патента: AU4716872A. Автор: GROSS AND REINHARD KERSTEN Nu ULRICH. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1974-04-04.

Sapphire ribbon and apparatus for manufacturing single crystal ribbons

Номер патента: US20200308726A1. Автор: Keigo Hoshikawa,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

SINGLE-CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160115620A1. Автор: TAKAZAWA Masanori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD OF CHARGING RAW MATERIAL, METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTALS, AND SINGLE-CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20150233013A1. Автор: Urano Masahiko,Yoshida Katsuhiro,Kitagawa Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing single-crystal GaN substrate, and single-crystal GaN substrate

Номер патента: EP1577933A2. Автор: Hitoshi Itami Works of S.E. Ind. Ltd Kasai,Kensaki Itami Works of S.E. Ind. Ltd Motoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Method of manufacturing single-crystal GaN substrate, and single-crystal GaN substrate

Номер патента: EP1577933A3. Автор: Hitoshi Itami Works of S.E. Ind. Ltd Kasai,Kensaki Itami Works of S.E. Ind. Ltd Motoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Method of manufacturing single crystal wire and other single crystal metallic articles

Номер патента: US8663388B2. Автор: Sung Kyu Kim,Se Young Jeong,Chae Ryong Cho,Sang Eon Park. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2014-03-04.

APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20220136130A1. Автор: Iwasaki Atsushi,Sonokawa Susumu,KOBAYASHI Takumi,YANASE Kazuya,OKAI Atsushi. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-05.

APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150136018A1. Автор: Shimada Toshiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

SAPPHIRE RIBBON AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL RIBBONS

Номер патента: US20200308726A1. Автор: FUKUI Akeo,Hoshikawa Keigo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: JPS6027686A. Автор: Tetsuo Fukuda,Iesada Hirai,Kazunari Amano,哲生福田,平井　家定,尼野　一成. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-02-12.

Method and apparatus for manufacturing single crystal ingot

Номер патента: KR101343505B1. Автор: 김봉우,김도연,안진우,최일수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2013-12-20.

Method and device for manufacturing single crystals

Номер патента: FR1196958A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-11-27.

Apparatus for manufacturing single crystal silicon ingot having reusable dual crucible for silicon melting

Номер патента: US9040010B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jin-Seok Lee,Bo-Yun JANG. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2015-05-26.

Apparatus for manufacturing single crystal of silicon

Номер патента: TW531572B. Автор: Masanori Kimura,Eiichi Iino,Shozo Muraoka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2003-05-11.

Method of manufacturing single crystal diamonds

Номер патента: GB202405691D0. Автор: . Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160186359A1. Автор: Takanashi Keiichi,HAMADA Ken. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing single-crystal silicon carbide

Номер патента: EP1154049A1. Автор: M. Showa Denko K.K. Ctr. Res. Lab. SHIGETO,K. Showa Denko K.K. Ctr. Res. Lab. YANO,N. Showa Denko K.K. Ctr. Res. NAGATO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2001-11-14.

Method of manufacturing single crystal diamond

Номер патента: KR102267800B1. Автор: 사토시 야마사키,히토시 노구치,다이수케 타케우치,마사히코 오구라,히로미츠 카토,토시하루 마키노,히데요 오오쿠시. Владелец: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼. Дата публикации: 2021-06-22.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1433765A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1966-04-01.

Method of manufacturing single crystals of semiconductor compounds

Номер патента: CA953190A. Автор: Jean-Pierre Besselere,Jean-Marc Le Duc. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1974-08-20.

Method of manufacturing single crystal using without necking technology

Номер патента: KR101022918B1. Автор: 이상훈,김봉우,정승,김도연,문지훈,최일수. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of manufacturing single crystal calcium fluoride

Номер патента: US7105049B2. Автор: Keita Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Method of manufacturing single-crystal silicon carbide

Номер патента: EP1154049A4. Автор: Kotaro Yano,Nobuyuki Nagato,Masashi Shigeto. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2003-02-26.

Method of manufacturing single crystal ingot and wafer manufactured by thereby

Номер патента: US20110229707A1. Автор: Young-Ho Hong. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: EP2462433A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2012-06-13.

System and method for detecting an anomaly in a hidden layer of a multi-layer structure

Номер патента: WO2011016936A1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2011-02-10.

Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure

Номер патента: US20160061592A1. Автор: Robert W. Beye,Sean T. Poh. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for biological or biomimetic channel-based membrane fabrications using layer-by-layer structure

Номер патента: US11745146B2. Автор: Manish Kumar,Woochul Song,Yue-Xiao Shen,Tingwei Ren. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing high-performance indoor photovoltaic cell using self-assembled monolayers and indoor photovoltaic cell manufactured thereby

Номер патента: US20240147742A1. Автор: Jae Won Shim,Tae Hyuk Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Layered product, layered preform, method of manufacturing product from polyester plastic with barrier coating (versions), method for production of layered plastic container (versions), and method of manufacturing polyethyleneterephthalate plastic with barrier coating from terephthalic acid/isophthalic acid/diol copolymer

Номер патента: RU2200667C2. Автор: Джеральд А. ХАТЧИНСОН,Роберт А. ЛИ. Владелец: Эдвэнсид Плэстик Текнолоджис, Лтд.. Дата публикации: 2003-03-20.

Production method for sheet-like retinal tissue

Номер патента: EP4428227A1. Автор: Suguru YAMASAKI,Masayo Takahashi,Michiko Mandai,Matsuri Horiuchi. Владелец: Sumitomo Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: WO2014153834A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Executive structure and method for actuation thereof

Номер патента: RU2764122C2. Автор: Марк Томас ДЖОНСОН,Дан Антон ВАН ДЕН ЭНДЕ,Корнелис Петрус ХЕНДРИКС,Франсискус Йоханнес Герардус ХАККЕНС,Ахим ХИЛЬГЕРС,Рональд Антони ХОВЕНКАМП. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor module and method for producing same

Номер патента: US12052878B2. Автор: Pavel Schilinsky,Ralph Pätzold,Bas Cedric Van der Wiel. Владелец: ASCA GmbH. Дата публикации: 2024-07-30.

Composite structure for mems applications, comprising a deformable layer and a piezoelectric layer, and associated manufacturing process

Номер патента: US20230371386A1. Автор: Bruno Ghyselen,Francois Darras. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240098973A1. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang,Zichen LIU,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Improved method for combined production of acrylonitrile and hydrogen cyanide

Номер патента: RU2494092C2. Автор: Брент И. БАСХАМ,Ричард Т. СТИМЕК. Владелец: Е.И. Дюпон Де Немур Энд Компани. Дата публикации: 2013-09-27.

Three-dimensional lattice structures containing operating material, compositions comprising the same, and compositions and methods for making the same

Номер патента: EP3830162A1. Автор: James F. Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-09.

Three-dimensional lattice structures containing operating material, compositions comprising the same, and compositions and methods for making the same

Номер патента: WO2020028136A1. Автор: James F. Brown. Владелец: Brown James F. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for decoding and encoding a video signal

Номер патента: WO2007040370A1. Автор: Seung Wook Park,Byeong Moon Jeon,Ji Ho Park,Dong Seok Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Coating Composition for Applying Inkjet Printing Thereto to Form Marked Preparation, Preparation Marked with Aqueous Ink, and Method for Producing Marked Preparation

Номер патента: US20200385597A1. Автор: Takafumi Hoshino,Aya Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Light-emitting device and method for preparing the same

Номер патента: US20240074223A1. Автор: Tianfeng WANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for mapping process block index and method for configuring process block index combination for the same

Номер патента: WO2008115014A3. Автор: So Yeon Kim,Seung Hyun Kang,Ki Hyoung Cho,Min Seok Oh,Ji Ae Seok,Ji Wook Chung,Young Seob Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-08-26.

Manufacturing method for display device and display device

Номер патента: US20240373681A1. Автор: Hiroshi Tabatake. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for coding and decoding scalable video and apparatus using same

Номер патента: US09686543B2. Автор: Jin Woong Kim,Jin Soo Choi,Dong Gyu Sim,Jung Hak Nam,Ha Hyun Lee,Jung Won Kang,Hyo Min Choi. Владелец: Research Institute for Industry Cooperation of Kwangwoon University. Дата публикации: 2017-06-20.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Amorphous semiconductor layer memory device

Номер патента: US8680502B2. Автор: Minoru Ikarashi,Katsuhisa Aratani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-03-25.

Systems and method for enabling fast channel switching

Номер патента: EP2399395A1. Автор: Magnus Almgren,Stefan Bruhn,Per Skillermark. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2011-12-28.

Transparent substrates comprising three-dimensional porous conductive graphene films and methods for making the same

Номер патента: US20230219840A1. Автор: Wageesha Senaratne,Xinyuan Liu,Valerio Pruneri,Zhen Song,Kamal Kishore Soni,Miriam MARCHENA MARTIN-FRANCES,Connie Li. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2023-07-13.

Devices and methods for selection of cells resistant to apoptotic signals and their applications

Номер патента: RU2630301C2. Автор: Шай ЯРКОНИ,Надир АСКЕНАЗИ. Владелец: Сэллект Байотерапьютикс Лтд. Дата публикации: 2017-09-06.

Electrical node, method for manufacturing an electrical node, electrical node strip or sheet, and multilayer structure comprising the node

Номер патента: WO2020043941A1. Автор: Mikko Heikkinen,Jarmo Sääski,Vinski Bräysy,Tomi Simula,Minna Pirkonen,Pasi RAAPPANA,Tuomas HEIKKILÄ,Juhani Harvela,Juha-Matti Hintikka. Владелец: TactoTek Oy. Дата публикации: 2020-03-05.

Electrical node, method for manufacturing an electrical node, electrical node strip or sheet, and multilayer structure comprising the node

Номер патента: EP3845039A1. Автор: Mikko Heikkinen,Jarmo Sääski,Vinski Bräysy,Tomi Simula,Minna Pirkonen,Pasi RAAPPANA,Tuomas HEIKKILÄ,Juhani Harvela,Juha-Matti Hintikka. Владелец: TactoTek Oy. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230422469A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor module and method for producing same

Номер патента: US20240049488A1. Автор: Pavel Schilinsky,Ralph Pätzold,Bas Cedric Van der Wiel. Владелец: ASCA GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for determining transmission configuration indication state, and apparatus therefor

Номер патента: EP4408109A1. Автор: Mingju Li. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for pillar bending improvement by cut tiers pattern implementation

Номер патента: US20230345715A1. Автор: YAO Xing,Long Chen,Wenwu Zhu,Jong Sun Sel,Hoon Koh,Anil CHANDOLU. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Prepreg and circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030082363A1. Автор: Takeshi Suzuki,Yasushi Nakagiri,Fumio Echigo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364910A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030176006A1. Автор: Hiroshi Muto,Kazuhiko Kano,Junji Oohara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Sleeper pad and method for its manufacture, construction of railway sleeper with sleeper pad fixed in it and method for connecting sleeper pad with railway sleeper

Номер патента: RU2756929C1. Автор: Андрей Александрович Смирнов,Александр Владимирович Замуховский,Александр Владимирович Шутько,Никита Александрович Терентьев,Марина Дмитриевна Лимонова. Владелец: Камарян Хачатур Оганесович. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for manufacturing single crystal, method for manufacturing single crystal ice, method for controlling crystal orientation of single crystal ice, apparatus for manufacturingsingle crystal ice, and technique for making ice for a skate-rink using single crystal ice

Номер патента: CA2262239A1. Автор: Hiroshi Morimoto,Minoru Iwasaki,Ikuo Nakamura,Toshihiro Kiuchi,Tetsuya Kokubo,Syoji Okamoto,Katsutoshi Tsushima,Zenji Imamura. Владелец: Kanden Kogyo Inc. Дата публикации: 1999-08-23.

Thermal print head, thermal printer, and method for manufacturing thermal print head

Номер патента: US12077005B2. Автор: Satoshi Kimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for flat construction erection

Номер патента: RU2686545C2. Автор: Алексей Васильевич Кулиш,Максим Львович Уклюдов. Владелец: Максим Львович Уклюдов. Дата публикации: 2019-04-29.

Single crystal silicon substrate, liquid discharge head, and method for manufacturing single crystal silicon substrate

Номер патента: US20230364907A1. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii,Noboru Furuya,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Photomask and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130316269A1. Автор: LIANG Xu,Dong Ye. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for manufacturing MEMS torsional electrostatic actuator

Номер патента: US09834437B2. Автор: Errong JING. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Slit grating, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09977159B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method for display module

Номер патента: US09575369B2. Автор: Chi-Ming Wu,Chih-Cheng Wang,Ta-Nien Luan,Ming-Sheng Chiang,Shu-Ping Yan,Chin-Hsuan KUAN. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Artificial leather and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240328078A1. Автор: Chih-Yi Lin,Kuo-Kuang Cheng,Chien-Chia Huang,Chieh Lee,Yu Hung Liu,Chi-Chin Chiang,Wen-Hsin Tai,Yu-Lun Chen. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Artificial leather and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4438292A1. Автор: Chih-Yi Lin,Kuo-Kuang Cheng,Chien-Chia Huang,Chieh Lee,Yu Hung Liu,Chi-Chin Chiang,Wen-Hsin Tai,Yu-Lun Chen. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Printing member for electrostatic printing having a high crystallization region of an intrinsic semiconductor layer formed by irradiation with light and method of manufacturing thereof

Номер патента: US4731314A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-15.

Method for forming anti-stiction bumps on a micro-electro mechanical structure

Номер патента: EP1712514A3. Автор: Dan W. Chilcott. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Thread with a functional layered structure

Номер патента: EP4414487A1. Автор: Jurgen Kosel,Manoj Jose. Владелец: Silicon Austria Labs GmbH. Дата публикации: 2024-08-14.

Electro-optical modulator and a method for manufacturing the same

Номер патента: US7526146B1. Автор: Shih-Hsiang Hsu. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2009-04-28.

Artificial leather and method for producing the same

Номер патента: US20210262161A1. Автор: Chih-Yi Lin,Kuo-Kuang Cheng,Chien-Chia Huang,Chin-Wei Chen,Chia-Ho Lin,Yen-Lun TSENG,Ching-Lo LIN. Владелец: San Fang Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Molded Body, Sandwich Panel Using Same And Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20230356499A1. Автор: Myung Lee,Seunghyun Ahn,Jiwon Lim,Kyungseok HAN,Sung Chan LIM,Heejune KIM. Владелец: LX Hausys Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for manipulating the bus communication of a control device

Номер патента: US09940297B2. Автор: Ortwin Ludger Franzen,Ralf Stolpe,Ulrich Kiffmeier. Владелец: dSPACE digital signal processing and control engineering GmbH. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for forming a micro-electro mechanical system (MEMS) including bonding a MEMS substrate to a CMOS substrate via a blocking layer

Номер патента: US10486964B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: US12023891B2. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: AU2021430299A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: US20230294376A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US20170076437A1. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for identifying individuals of oplegnathus punctatus based on convolutional neural network

Номер патента: US12039733B2. Автор: TAO Yao,Qing Wang,Shixiang Jia,Zhenzhong Li,Jun YUE,Zheng Ma,Beibei Li,Zhenbo Li,Guangjie Kou. Владелец: Ludong University. Дата публикации: 2024-07-16.

Device and method for treating wounds

Номер патента: RU2729930C2. Автор: Томас Э. ЛЭШ,Ричард Л. МИДДОХ,Тимоти ВОЙЦИЕХОВСКИ,Сундар МАНИКАМ,Джон Д. УОЛТЕР,Джон БЮАН,Расселл С. ДОНДА. Владелец: Лорейн Каунти Коммьюнити Коллидж Инновейшн Фаундейшн. Дата публикации: 2020-08-13.

Intake module and method for supplying value documents to value document processing device and system for processing value documents

Номер патента: RU2664020C1. Автор: Петер ДОПФЕР,Эрвин ДЕММЕЛЕР,Вольфганг КЁНИГЕР,Эвелин ГУЛЬДНЕР. Владелец: Гизеке+Девриент Каренси Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2018-08-14.

Device and method for testing a biological fluid

Номер патента: RU2243998C2. Автор: Дейвид Кент РАЙТ,Филип Стивен ФУЛЛЕМ. Владелец: Кризиум Адвайзорс Лтд.. Дата публикации: 2005-01-10.

Method for Fabricating a Self-Aligned Vertical Comb Drive Structure

Номер патента: US20140126031A1. Автор: Han-Tang Su,Jer-Wei Hsieh. Владелец: Asia Pacific Microsystems Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

System and method for detecting an anomaly in a hidden portion of a multi-layer structure

Номер патента: EP2462433B1. Автор: James P. Dunne,Edward V. White. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-03-25.

Server and method for providing e-commerce platform service that invites users to a layer structure consisting of a plurality of sellers

Номер патента: US20240257198A1. Автор: Hyun Jung Na. Владелец: Conialab Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Single crystal gallium nitride substrate, method for manufacturing single crystal gallium nitride substrate, and base substrate for gallium nitride growth

Номер патента: JP4186603B2. Автор: 龍弘田,拓司岡久. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-26.

Single crystal gallium nitride substrate, method for manufacturing single crystal gallium nitride substrate and base substrate for growing gallium nitride

Номер патента: JP2004182551A. Автор: 龍弘田,Takuji Okahisa,拓司岡久,Tatsu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-02.

Method for manufacturing single crystal insulating substrate including graphene ribbon and single crystal insulating substrate including graphene ribbon

Номер патента: JP5773264B2. Автор: 浩司小山,俊郎荻野,荻野　俊郎,貴広塚本,祐介飯田. Владелец: Yokohama National University NUC. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for manufacturing single crystal gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: JP4337560B2. Автор: 昌紀上野. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

METHOD OF MANUFACTURING SINGLE CRYSTAL 3C-SIC SUBSTRATE AND SINGLE CRYSTAL 3C-SIC SUBSTRATE OBTAINED FROM THE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130040103A1. Автор: Asamura Hidetoshi,Kawamura Keisuke,Obara Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

Номер патента: SU522462A1. Автор: Вячеслав Яковлевич Кремлев,Анатолий Иванович Бутурлин,Юрий Дмитриевич Чистяков,Рустем Жаканович Ержанов,Татьяна Ивановна Вишнева. Владелец: Московский Институт Электронной Техники Миэт. Дата публикации: 1976-07-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING STRUCTURE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты