Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10325805B2
Опубликовано: 18-06-2019
Автор(ы): Akihiro Kajita, Atsuko Sakata, Ichiro Mizushima, Makoto Wada, Masayuki Katagiri, Masayuki Kitamura, Naoshi Sakuma, Tadashi Sakai, Yuichi Yamazaki
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for filling recessed features in a semiconductor device with a low resistivity metal

Номер патента: CN112805818A. Автор: 罗伯特·克拉克,尤凯鸿,大卫·奥梅亚拉,尼古拉斯·乔伊,焦纳兰詹·帕塔奈克,坎达巴拉·塔皮利,袴田隆宏,考利·瓦吉达,赫里特·勒斯因克. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US8252686B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park,Choon Kun Ryu,Seung Jin Yeom,Sung Jun Kim,Noh Jung Kwak. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-28.

Method for fabricating an inter dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US09437423B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for forming an interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5522520A. Автор: Hideaki Kawamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same

Номер патента: US09761523B2. Автор: Chun-Lung HUANG,Jian-Hong Lin,Yu-Lun Chueh,Chien-Neng Liao,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Tsung-Cheng CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20040169274A1. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Kazuki Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for fabrication semiconductor device with through-substrate via

Номер патента: US9978666B2. Автор: Ming-Tse Lin,Kuei-Sheng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating a contact on a semiconductor substrate by depositing an aluminum oxide diffusion barrier layer

Номер патента: US4307132A. Автор: James F. White,James K. Howard,Wei-Kan Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Manufacturing method for a film stack of a semiconductor device

Номер патента: US10978305B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for forming metal interconnections of a semiconductor device

Номер патента: KR101802435B1. Автор: 이경우,장우진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-29.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming an interconnection in a semiconductor element

Номер патента: US6103618A. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming interconnection structure for a semiconductor device

Номер патента: GB9910078D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10930602B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784137B2. Автор: Seung Hun Han,Yun Rae Cho,Ae Nee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTIONS OF A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE COMPRISING IN PARTICULAR A MITSET

Номер патента: FR2555364A1. Автор: Osamu Tsuchiya,Shigeru Shimada,Shozo Hosoda,Akihiro Tomozawa,Yoshiaki Yoshiura,Nozomi Horino,Tomozawa Yoku Kaino Shigeru Shimada Nozomi Horino Yoshiaki Yoshiura Osamu Tsuchiya Et Shozo Akihiro,Yoku Kaino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-05-24.

Method for forming contact hole of a semiconductor device

Номер патента: KR0165501B1. Автор: 김형섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240087877A1. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823891B2. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100523656B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Method for forming a wiring layer a semiconductor device

Номер патента: US5843843A. Автор: Gil-heyun Choi,Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for forming tungsten structures in a semiconductor

Номер патента: US4925524A. Автор: Christopher C. Beatty. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1990-05-15.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US20040035708A1. Автор: LinLin Chen,Thomas Taylor. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing fin structures of a semiconductor device in a substrate

Номер патента: US09391141B2. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Substrate stripping method for semiconductor structure

Номер патента: US20230317873A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Low-temperature method for transfer and healing of a semiconductor layer

Номер патента: US12027421B2. Автор: Shay REBOH. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for forming multilevel interconnection in a semiconductor device

Номер патента: US5219792A. Автор: Han-su Kim,Jang-Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-15.

Method for selecting photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, cured film, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240361697A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA,Takuya KOMINE,Yu Aoki,Yuki IMAZU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190081152A1. Автор: Byoung Hoon Lee,Sang Jin HYUN,Hoon Joo NA,Hu Yong LEE,Chan Hyeong LEE,Min Woo Song,Sung In SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Min-Soo Kim,Doni PARNELL,Roel Gronheid,Safak Sayan,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for forming electrical contacts in a semiconductor device

Номер патента: US5502006A. Автор: Yasuo Kasagi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-03-26.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104641A1. Автор: Yang Yun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for reducing leakage current in a semiconductor device

Номер патента: TWI291214B. Автор: Kuo-Yin Lin,Chung-Yi Yu,Chih-Ta Wu,Tsung-Hsun Huang,Chia-Shiung Tsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-11.

Method for reducing leakage current in a semiconductor device

Номер патента: TW200644153A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Kuo-Yin Lin,Chung-Yi Yu,Chih-Ta Wu,Tsung-Hsun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-16.

METHODS FOR MANUFACTURING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200027782A1. Автор: Chen Hao,Jiang Hao,Ren He,NAIK Mehul B.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Apparatus and method for electrolytically depositing copper on a semiconductor workpiece

Номер патента: US6277263B1. Автор: LinLin Chen. Владелец: Semitool Inc. Дата публикации: 2001-08-21.

Method for fabricating via holes in a semiconductor wafer

Номер патента: US4348253A. Автор: Saligrama N. Subbarao,Ho-Chung Huang. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Multilayer wiring, method for placing dummy wiring in multilayer wiring, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110089569A1. Автор: Kazuhiko Asakawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for preventing Cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TWI272677B. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for preventing cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TW200601457A. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-01.

Method for manufacturing barrier metal layer of semiconductor device and manufacturing method of metal interconnect using the same

Номер патента: KR100275728B1. Автор: 이상우,박종민,유병주. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-01-15.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for forming inlaid interconnects in a semiconductor device

Номер патента: US5578523A. Автор: Papu D. Maniar,Jeffrey L. Klein,Robert W. Fiordalice. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for forming metal line of a semiconductor device

Номер патента: KR100327580B1. Автор: 신강섭,김길호,박창욱. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20040152300A1. Автор: Kew Chan Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140191414A1. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD FOR PRODUCING EXTERNAL PLOTS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2939566B1. Автор: Laurent Chabert,Sebastien Pruvost. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2011-03-11.

A method for forming a plug in a semiconductor device

Номер патента: CN1129853A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

METHOD FOR FORMING CONTACT PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2764734B1. Автор: Un Yoon Bo,Kwon Jeong In,Seong Lee Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-08.

METHOD FOR FORMING CONTACT PLATES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2764734A1. Автор: Un Yoon Bo,Kwon Jeong In,Seong Lee Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-18.

Method for forming metal layer of a semiconductor device

Номер патента: KR20010095589A. Автор: 손인수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-07.

A method for forming contact plugs in a semiconductor device

Номер патента: GB2326281B. Автор: Bo-Un Yoon,In-kwon Jeong,Won-Seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-12.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100200307B1. Автор: 김현수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for connecting conductive layers in a semiconductor device

Номер патента: DE19713501C2. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20080138958A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Via for semiconductor device connection

Номер патента: US20240250020A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09590074B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09425108B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices by performing nitridation process on exposed Fin ends

Номер патента: US09496133B1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09825044B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09812368B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: TWI333675B. Автор: Seung Bum Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-21.

Method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20100203680A1. Автор: Hideo Oi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for controlling resistivity and crystallinity of low-resistance material through pvd

Номер патента: US20240355626A1. Автор: Takahiro Nakayama,Tomohiro Saitou,Do Hyun Oh,Chang Min SHIM,Hang KANG,Byeong Hwa JEONG. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230420560A1. Автор: Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Via for Semiconductor Device Connection and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200243442A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Via for semiconductor device connection and methods of forming the same

Номер патента: US11961800B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Der-Chyang Yeh,Tsang-Jiuh Wu,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040515A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Yong Han,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20190252393A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Ho ln LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180226411A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device comprising work function metal pattern in boundry region and method for fabricating the same

Номер патента: US20200295013A1. Автор: Jin Woo Hong,Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming a contact of a semiconductor device with reduced step height, method for forming a semiconductor device

Номер патента: TWI466181B. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Jeng Hsing Jang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-21.

Method to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US20170162451A1. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

A semiconductor device and a manufacturing method for a metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100431810B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Method for fabricating finfets and semiconductor structure fabricated using the method

Номер патента: US20130207122A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing semiconductor chips and method for producing a via in a semiconductor substrate

Номер патента: DE102012104304B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Khalil Hosseini. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-31.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100448852B1. Автор: 이종민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-18.

Method for forming multilevel interconnections in a semiconductor device

Номер патента: KR0178375B1. Автор: 마꼬또 세끼네,데쓰야 홈마. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR0172249B1. Автор: 황성보. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100647397B1. Автор: 신민정,곽병일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for fabricating dmascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100641483B1. Автор: 백인혁. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Method for forming an isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20050056343A. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for forming the metalization in a semiconductor device

Номер патента: KR100464393B1. Автор: 임현석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-02-28.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100209709B1. Автор: 이동원. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

METHOD FOR PRODUCING METAL CONDUCTORS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2672429B1. Автор: Park Samsung Electroni Jong-Ho,Lee Samsung Electroni Deok-Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-14.

Method for manufacturing device isolation barrier of semiconductor device

Номер патента: KR100517351B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for forming isolation layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100305077B1. Автор: 이창진,김수호,권오정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-01.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100359163B1. Автор: 안준권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming contact holes in a semiconductor device

Номер патента: US9761490B2. Автор: Yun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100953025B1. Автор: 정우영,김정현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-14.

Method for forming multilayered wiring in a semiconductor device

Номер патента: GB9711078D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-07-23.

Method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100204017B1. Автор: 구영모,손기근. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for forming a plug of a semiconductor device

Номер патента: KR100376258B1. Автор: 정우석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method for controlling dielectric isolation of a semiconductor device

Номер патента: US3886000A. Автор: Robert L Bratter,Arun K Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-05-27.

A method for forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100479812B1. Автор: 최봉호,최동구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-31.

METHOD FOR FORMING MULTILEVEL INTERCONNECTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2671664B1. Автор: Han-su Kim,Jang Rae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-27.

METHOD FOR THE SELF-ALIGNMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A VERY LOW DIMENSIONAL IGFET

Номер патента: FR2496983A1. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-06-25.

Method for forming metal wirings of a semiconductor device

Номер патента: GB9112054D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-07-24.

METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER INSULATING FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2855911B1. Автор: Toru Yoshie,Katsumi Yoneda. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-06-09.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: TWI243417B. Автор: Jong-Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-11.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230043936A1. Автор: Yoo Sang Hwang,Tae Jin Park,Hui-jung Kim,Jun Soo Kim,Gyul GO,Gyung Hyun YOON,Eui Jun CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090057770A1. Автор: Sung-Man Pang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Use of plate oxide layers to increase bulk oxide thickness in semiconductor devices

Номер патента: US20140120694A1. Автор: Steven Leibiger,Sunglyong Kim,Christopher Nassar. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD FOR MANUFACTURING AND PROCESSING A SEMICONDUCTOR-INSULATING TYPE STRUCTURE FOR DISPLACING DISLOCATIONS AND CORRESPONDING STRUCTURE

Номер патента: FR2937797A1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Eric Guiot,Christelle Veytizou,Fabrice Gritti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-04-30.

METHOD FOR MANUFACTURING AND PROCESSING A SEMICONDUCTOR-INSULATING TYPE STRUCTURE FOR DISPLACING DISLOCATIONS AND CORRESPONDING STRUCTURE

Номер патента: FR2937797B1. Автор: Oleg Kononchuk,Didier Landru,Eric Guiot,Christelle Veytizou,Fabrice Gritti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-12-24.

Method for producing layered structures on a semiconductor substrate, semiconductor substrate and semiconductor components produced according to said method

Номер патента: EP0996967B1. Автор: Rolf Brendel. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2008-11-19.

METHOD FOR MANUFACTURING A SOI-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2786926B1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-21.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20150243509A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for Producing Fin Structures of a Semiconductor Device in a Substrate

Номер патента: US20160322461A1. Автор: Kim Min-Soo,Chan Boon Teik,Sayan Safak,Gronheid Roel,Parnell Doni. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: CN100477148C. Автор: 李相敦. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for forming a trench on a semiconductor device

Номер патента: KR20000053417A. Автор: 하세가와히데카즈. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-08-25.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100426442B1. Автор: 김종수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-13.

Method for an elements isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR960015595B1. Автор: 이찬종. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-11-18.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100980260B1. Автор: 정연우. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-09-06.

Dry etching method for forming tungsten wiring in a semiconductor device

Номер патента: EP1071124A3. Автор: Hideomi Suzawa,Koji Ono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Sawing device and method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: US11935764B2. Автор: Mark Hermans. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110291182A1. Автор: Seung Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR BASE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180019307A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,FUKADA Yusuke. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020081752A1. Автор: NAM Kim,Seung Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Method for fabricating electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction

Номер патента: US3939047A. Автор: Hideo Tsunemitsu,Hiroshi Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1976-02-17.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for texturing a surface of a semiconductor substrate and device for carrying out the method

Номер патента: SG176140A1. Автор: Giso Hahn,Helge Haverkamp,Jose Nestor Ximello-Quiebras. Владелец: Univ Konstanz. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for causing tensile strain in a semiconductor film

Номер патента: US09704709B2. Автор: Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Shay REBOH,Aomar Halimaoui. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09321269B1. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for Manufacturing Planar Thin Packages for Semiconductor Devices and Planar Thin Packages

Номер патента: US20190135618A1. Автор: Indranil BOSE,Christof Landesberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20170186652A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09724921B2. Автор: Fabrizio Porro,Vincenza Di Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing the growth of a semiconductor material

Номер патента: US09719187B2. Автор: Sylvain Paltrier. Владелец: Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS. Дата публикации: 2017-08-01.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: US20010046787A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for the local polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US09533394B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US20230352543A1. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for producing a substrate for a semiconductor component, and use of indium during production of same

Номер патента: US12002859B2. Автор: Thomas Schroeder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US6303482B1. Автор: Chan-Lon Yang,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Process for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having improved characteristics

Номер патента: US20220005702A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Alfio Russo,Nicolo' Piluso,Andrea Severino,Leonardo Caudo,Stefania RINALDI Beatrice,AngeloAnnibale MAZZEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: US11948803B2. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: WO2023025981A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-03-02.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: US7982281B2. Автор: Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

METHOD FOR USE IN MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE DIE

Номер патента: US20170011963A1. Автор: Menath Markus,Braun Michaela. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR USE IN MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE DIE

Номер патента: US20170092552A1. Автор: Menath Markus,Braun Michaela. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: CN106340491A. Автор: M·布劳恩,M·梅纳斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-18.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a reverse blocking semiconductor device

Номер патента: US09679892B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: US20070117366A1. Автор: Martin Kordesch,Howard Bartlow,Richard Woodin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: WO2003023860A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2003-03-20.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A1. Автор: Howard D. Bartlow,Martin E. Kordesch,Richard. L. Woodin. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Contact method for thin silicon carbide epitaxial layer and semiconductor devices formed by those methods

Номер патента: EP1412985A4. Автор: Richard L Woodin,Howard D Bartlow,Martin E Kordesch. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US11942460B2. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for forming fin structures for non-planar semiconductor device

Номер патента: US09786502B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Rai-Min Huang,Wen-An Liang,Kuan-Hsien Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for producing a package for a semiconductor device

Номер патента: US4710250A. Автор: Hidehiko Akasaki,Haruo Kojima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming complementary patterns in a semiconductor material while using a single masking step

Номер патента: US4956306A. Автор: William R. Richards, Jr.,Robert T. Fuller,Joseph C. Tsang. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1990-09-11.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US09708182B2. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20030109101A1. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for roughening a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US6812094B2. Автор: Annalisa Cappellani,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-02.

Device, system and method for providing MEMS structures of a semiconductor package

Номер патента: US09505610B2. Автор: Telesphor Kamgaing,Weng Hong Teh,Daniel N Sobieski,Tarek A Ibrahim,Sarah K Haney,Parshuram B Zantye,Chad E Mair. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: EP2208220A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2009058450A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Systems and methods for increasing packing density in a semiconductor cell array

Номер патента: US20160358909A1. Автор: Sehat Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for suppressing lattice defects in a semiconductor substrate

Номер патента: US09472423B2. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US11824122B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for filling a space in a semiconductor

Номер патента: US20210296500A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020197817A1. Автор: Ki Shin,Cheol Bok. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230005752A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for etching a compound semiconductor, a semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6127201A. Автор: Toyoji Chino,Isao Kidoguchi,Hideto Adachi,Yasuhito Kumabuchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants

Номер патента: US5679585A. Автор: Fred N. Hause,Mark I. Gardner,Derick J. Wristers,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for quantitating impurity concentration in a semiconductor device

Номер патента: US6130542A. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method for forming solder balls on a semiconductor substrate

Номер патента: CA2135508C. Автор: Robert J. Lyn,Anthony M. Aulicino. Владелец: IBM Canada Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Wafer Level Package (WLP) and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200098705A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for forming dummy patterns in a semiconductor device

Номер патента: KR100230421B1. Автор: 김원철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for shaping alignment key of a semiconductor device

Номер патента: KR100842494B1. Автор: 김명수. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method for forming electrical connections between a semiconductor die and a semiconductor package

Номер патента: US5911112A. Автор: Scott Kirkman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US9502508B2. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US20160254354A1. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09911676B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Pauline Calka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin-film semiconductor device, electro-optical device, methods for manufacturing the same, and reticle

Номер патента: US20030160244A1. Автор: Takahiro Amano,Kiyofumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09331156B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating thin insulating films, a semiconductor device and a method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010046788A1. Автор: Ramesh Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Cleaning composition and method for cleaning a semiconductor device substrate after chemical mechanical polishing

Номер патента: US09481855B2. Автор: Atsushi Otake,Akira Kuroda. Владелец: EKC Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for monitoring defects of semiconductor device

Номер патента: US6038019A. Автор: Hwan-suk Chang,Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

A cleaning composition for a substrate for a semiconductor device, a method for cleaning a substrate for a semiconductor device, a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device, and a substrate for a semiconductor device

Номер патента: KR102460770B1. Автор: 도모히로 구사노,겐 하라다,야스히로 가와세. Владелец: 미쯔비시 케미컬 주식회사. Дата публикации: 2022-10-28.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

System and method for gas-phase passivation of a semiconductor surface

Номер патента: US09905492B2. Автор: Petri Raisanen,Michael E. Givens,Qi Xie,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate

Номер патента: EP3633711A1. Автор: Kenji Shimada,Priangga Perdana Putra. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method for cleaning semiconductor wafers

Номер патента: US11752529B2. Автор: Xi Wang,HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Yinuo JIN,Zhaowei Jia,Xiaoyan Zhang,Xuejun Li,Fuping CHEN,Liangzhi Xie,Fufa Chen. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for manufacturing layered body, device for manufacturing layered body, layered body, and semiconductor device

Номер патента: EP4321657A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: TW384514B. Автор: Cheol Kyu Bok. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-03-11.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: GB9613344D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-28.

Substrate containing compound semiconductor, method for manufacturing the same and its semiconductor device

Номер патента: TW471000B. Автор: Shinji Nakamura,Masaaki Yuri,Masahiro Ishida,Nobuyuki Kamimura,Kenji Orita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor nanowire, a method for manufacturing thereof, and a semiconductor device comprising thereof

Номер патента: KR100802495B1. Автор: 이정호,정진영,서홍석,지상원,박광태,엄한돈,정양규. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-02-12.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US5919336A. Автор: Shuzo Fujimura,Jun Kikuchi,Masao Iga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE112016002106T5. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for forming a dielectric on a semiconductor substrate

Номер патента: TW515035B. Автор: Helmut Wurzer,Martin Kerber,Thomas Pompl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-21.

Semiconductor device surface treatment method

Номер патента: GB2276764A. Автор: Shuzo Fujimura,Jun Kikuchi,Masao Iga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-10-05.

System and method for suppressing RF resonance in a semiconductor package

Номер патента: US20020113300A1. Автор: John Geary,Joseph Freund,Mindaugas Dautartas. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for depositing silicon dioxide using low temperatures

Номер патента: US6096661A. Автор: Minh Van Ngo,Khanh Nguyen,Terri Jo Kitson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120126250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US20230386820A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140170841A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

SEMICONDUCTOR FILM COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR FILM COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMBER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PROCESSING MATERIAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200347265A1. Автор: Tanaka Hirofumi,Inoue Koji,Kayaba Yasuhisa. Владелец: Mitsui Chemicals, Inc.. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9780228B2. Автор: Ji Hoon Park,Hyun Jae Kim,Seokhyun Yoon,Yeong-gyu KIM,Seonghwan HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107636808B. Автор: 俵武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for improving the electrical characteristics of germanium semiconductor devices

Номер патента: US3227580A. Автор: Clarence G Thornton. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-01-04.

Method for planarizing non-level silicon dioxide in semiconductor devices

Номер патента: DE3162991D1. Автор: Narasipur Gundappa Anantha,Harsaran Singh Bhatia,James Leo Walsh,John S Lechaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN ORIENTATION NOTCH, A METHOD FOR DEPOSITING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20170117228A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Susceptor For Holding A Semiconductor Wafer Having An Orientation Notch, A Method For Depositing A Layer On A Semiconductor Wafer, And Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180211923A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-26.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: KR101945025B1. Автор: 라인하르트 샤우어,크리스찬 하거. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2019-02-01.

Susceptor for holding a semiconductor wafer with orientation notch, method for depositing a layer on a semiconductor wafer and semiconductor wafer

Номер патента: DE102015220924B4. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: DE102017201744B4. Автор: Takashi Kanazawa,Kenichi Hamano,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US9991208B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US11380621B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-07-05.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Hori Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

METHOD FOR MANUFACTURING A MULTILAYER TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2524201B1. Автор: . Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1985-07-12.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100482754B1. Автор: 조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-14.

Method for determining lead span and planarity of semiconductor devices

Номер патента: US6489173B1. Автор: Alvin P. Cyril. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-03.

POLYMERS FOR HARD MASKS, HARD MASK COMPOSITIONS INCLUDING THE SAME, AND METHODS FOR FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A HARD MASK COMPOSITION

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Choi Jungsik,Yi Songse,KIM Boodeuk,Kim Myeong koo,CHOI Ahreum. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

a surface treatment method for a thin film of a semiconductor device and photolithography method thereof

Номер патента: KR100369776B1. Автор: 김경민,김학재,유왕희,변성수. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2003-01-30.

A method for producing a film for a semiconductor device at a low temperature

Номер патента: DE69535661D1. Автор: Kenji Okada,Bunji Mizuno,Ichirou Nakayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Method for the epitaxial manufacture of a semiconductor device having a multi-layer structure

Номер патента: US4274890A. Автор: Jacques J. Varon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1981-06-23.

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Matsumoto Naoki,Mikami Hidenori,YAMAGUCHI Sayuri. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

STRUCTURE AND METHOD FOR SiGe FIN FORMATION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186747A1. Автор: Doris Bruce B.,Yin Yunpeng,Tseng Chiahsun,Hong He. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

A method for cleaning contact holes of a semiconductor device

Номер патента: KR100591162B1. Автор: 서병윤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for forming bit-line of a semiconductor device

Номер патента: KR100519515B1. Автор: 김종환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-07.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444305B1. Автор: 권순용,최은석,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

A method for a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: KR100520153B1. Автор: 황창연,유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR20050014228A. Автор: 정석원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-02-07.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: TW200913069A. Автор: Cory Czarnik,Thai Cheng Chua,James P Cruse. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method for forming a microstructure in a semiconductor device

Номер патента: DE102007026372A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: TWI553734B. Автор: 蔡泰正,克魯斯詹姆士Ｐ,扎爾尼克可力. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090298291A1. Автор: Jae Chang Jung,Sung Koo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods for low temperature oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20090035952A1. Автор: Cory Czarnik,Thai Cheng Chua,James P. Cruse. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444304B1. Автор: 길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR970067859A. Автор: 이명범. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-10-13.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100536030B1. Автор: 임재순,김기철,박재영,김성태,황기현,이주원,김영선,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-12.

Method for fabricating a well of a semiconductor device

Номер патента: KR100835832B1. Автор: 이병창. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-06-05.

Systems and methods for a preheat ring in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271852A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: TW201121096A. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for Manufacturing Planar Thin Packages for Semiconductor Devices and Planar Thin Packages

Номер патента: US20190135618A1. Автор: BOSE Indranil,LANDESBERGER Christof. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Method For Passivating A Surface Of A Semiconductor Material And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20190259905A1. Автор: FUCHS JENS-UWE,JOOSS WOLFGANG,PERNAU THOMAS,NGUYEN VIET XUAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: EP4169971A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: US20230245936A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Methods for manufacturing and operating a semiconductor device

Номер патента: US09595835B2. Автор: Karl-Heinz Allers,Reiner Schwab. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US20070264768A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for Designing and Manufacturing a PMOS Device with Drain Junction Breakdown Point Located for Reduced Drain Breakdown Voltage Walk-in

Номер патента: US20090254872A1. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US8086979B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020192906A1. Автор: Sang-Ho Woo,Eui-Sik Kim,Kwang-seok Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for manufacturing at least one optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09406853B2. Автор: Herbert Brunner,Tobias Gebuhr,Hans-Christoph Gallmeier,Kirstin Petersen. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-08-02.

Apparatus and method for etching one side of a semiconductor substrate

Номер патента: US20180374723A1. Автор: Stefan Reber,Kai Schillinger. Владелец: NexWafe GmbH. Дата публикации: 2018-12-27.

Component arrangement and method for determining the temperature in a semiconductor component

Номер патента: US20070200193A1. Автор: Wolfgang Horn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: US09903905B2. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method

Номер патента: US20200044100A1. Автор: John BURSCHIK,Holger Kuehnlein,Benedikt Straub,Wolfgang Duempelfeld. Владелец: RENA Technologies GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US12057824B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems and methods for monitoring junction temperature of a semiconductor switch

Номер патента: US20190376850A1. Автор: Peter Almern Losee,Ruxi Wang,Juan Antonio Sabate,Tomas Sadilek,Krishna Mainali. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-12-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057350A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Al-ga-n template, method for preparing al-ga-n template, and semiconductor device comprising al-ga-n template

Номер патента: US20180323337A1. Автор: Peng Li,Jiangbo Wang,Wubin Zhang,Binzhong DONG,Haiping AI. Владелец: HC Semitek Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Reverse profiling method for profiling modulated impurity density distribution of semiconductor device

Номер патента: US6242272B1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Shigetaka Kumashiro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for analying an impurity on a semiconductor substrate

Номер патента: US5633172A. Автор: Ayako Shimazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US5728597A. Автор: Suk Soo Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor member, method for manufacturing semiconductor processing material, and semiconductor device

Номер патента: US11965109B2. Автор: Koji Inoue,Hirofumi Tanaka,Yasuhisa Kayaba. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for designing and manufacturing a PMOS device with drain junction breakdown point located for reduced drain breakdown voltage walk-in

Номер патента: US7560348B2. Автор: Andrew Strachan,Douglas Brisbin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Method for forming conductive bumps on a semiconductor device

Номер патента: US5492863A. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-02-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US20100297801A1. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for producing electric contacts on a semiconductor component

Номер патента: US8273596B2. Автор: Henning Nagel,Wilfried Schmidt,Dieter Franke,Ingo Schwirtlich. Владелец: SCHOTT SOLAR AG. Дата публикации: 2012-09-25.

System and method for analyzing error information from a semiconductor fabrication process

Номер патента: US20030055592A1. Автор: Weidong Wang,Jonathan Buckheit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Structure and method for test-point access in a semiconductor

Номер патента: US20240047281A1. Автор: SWAMINATHAN Subramanian,Hubert Martin Bode,Kristofor Jason Dickson,Kent Bradley Erington,Kurt Ulrich Neugebauer,William Franklin Johnstone. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Circuits and methods for controlling a voltage of a semiconductor substrate

Номер патента: US11870429B2. Автор: Daniel M. Kinzer,Santosh Sharma,Ren Huei Tzeng. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Fuse of Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20090236687A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Fuse of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US8017454B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-13.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Fuse of a semiconductor device

Номер патента: US8324664B2. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11437302B2. Автор: Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20210351144A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Chien-Hao HSU,Wei-Hsiang TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for forming semiconductor fuses in a semiconductor device comprising metal gates

Номер патента: US8367504B2. Автор: Kai Frohberg,Ralf Richter,Jens Heinrich. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Fuse of a Semiconductor Device

Номер патента: US20110291230A1. Автор: Min Gu Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

A method for forming a fuse of a semiconductor device

Номер патента: KR100359158B1. Автор: 안준권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

A method for forming a fuse of a semiconductor device

Номер патента: KR100955187B1. Автор: 나상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230411304A1. Автор: Junghoon Kim,KyungMoon Kim,KyoWang Koo,YoungSang KIM,HeeYoun Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

METHOD FOR FORMING A CONTACT ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150048431A1. Автор: GRIEB Michael,Suenner Thomas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for forming a contact on a semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: WO2013131690A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180286979A1. Автор: Shiomi Hiromu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Systems And Methods For Improved Delamination Characteristics In A Semiconductor Package

Номер патента: US20180308713A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Systems and methods for improved delamination characteristics in a semiconductor package

Номер патента: WO2018200609A1. Автор: Taweesak Laevohan,Philbert Reyes,Jaggrit Vilairat,Sutee Thanaisawn,Janpen Phimphuang,Somsak Chunpangam. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor Device, Method for Fabricating a Semiconductor Device and Method for Reinforcing a Die in a Semiconductor Device

Номер патента: US20180218992A1. Автор: Edward Myers,Valerie Vivares. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20180166297A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150264814A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20150262840A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device

Номер патента: US5147822A. Автор: Shunpei Yamazaki,Shigenori Hayashi,Kazuo Urata,Itaru Koyama,Noriya Ishida,Mari Sasaki,Naoki Hirose,Mitsunori Tsuchiya,Shinji Imatou,Kouhei Wada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

RADIO FREQUENCY SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND RADIO FREQUENCY SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150262901A1. Автор: TAKAGI Kazutaka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR101087783B1. Автор: 강춘수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-30.

Bonded body, power semiconductor device and method for manufacturing bonded body and power semiconductor device

Номер патента: EP2650074A4. Автор: Masanori Minamio,Tatsuo Sasaoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Method for preparing a hole in a semiconductor device

Номер патента: EP3958293B1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN,Jungsu KANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for direct chip attach by solder bumps and an underfill layer

Номер патента: US20020062556A1. Автор: Peter Gruber,Michael Liehr,David Danovitch,Carlos Sambucetti,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005094534A2. Автор: Ping Jiang,Jiong-Ping Lu,Haowen Bu,Shaofeng Yu,Clint Montgomery. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-10-13.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for forming pattern using hard mask

Номер патента: US20080160778A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Using a cut mask to form spaces representing spacing violations in a semiconductor structure

Номер патента: US09710589B2. Автор: Pankaj Kumar,Kalpeshkumar Girishchandra Dave,Naveen Chandra Srivastava,Janardhan Achanta,Shreekanth Karandoor Sampigethaya. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for resin coating of semiconductor device, coating resin and liquid crystal display device

Номер патента: US20010044170A1. Автор: Eiji Muramatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Methods for producing passive components on a semiconductor substrate

Номер патента: US20040080919A1. Автор: Dag Behammer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100163983A1. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: TW200504857A. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating semiconductor substrate used in the semiconductor device

Номер патента: US20050014386A1. Автор: Kenji Yoneda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140042528A1. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090101994A1. Автор: Kyoung-Mi Moon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Spacer formation in a semiconductor structure

Номер патента: US5424572A. Автор: Alan G. Solheim. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Systems and methods for air flow optimization in environment for semiconductor device

Номер патента: US12142507B2. Автор: Hsu-Shui Liu,Jiun-Rong Pai,Cheng-Lung Wu,Yang-Ann Chu,Yi-Fam SHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

A welding bump and a method for forming the same, and a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: TWI469232B. Автор: Yoshihiko Yagi,Daisuke Sakurai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2015-01-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11804535B2. Автор: Jong Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US7309661B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for forming gate of semiconductor device

Номер патента: US20050245033A1. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device

Номер патента: US9076886B2. Автор: Dong-il Park,Jong-Sam Kim,Ae-Gyeong Kim,Kyoung-Eun Uhm,Tae-Cheol Lee,Yong-sang Jeong,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-07.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for controlling process conditions of a semiconductor fabricating equipments management system

Номер патента: TW368678B. Автор: Dae-Hong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-01.

Method for trapping implant damage in a semiconductor substrate

Номер патента: TW200921767A. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-05-16.

A method for forming a contact on a semiconductor

Номер патента: GB8911307D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1989-07-05.

Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes

Номер патента: US20090239363A1. Автор: Wenya Fan,De-Ling Zhou,Roger Yu-Kwan Leung. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for calculating throughput in semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and computer program product

Номер патента: US20240213065A1. Автор: Shunsuke Kagaya. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: EP4016647B1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for Producing Semiconductor Wafers and a System for Determining a Cut Position in a Semiconductor Ingot

Номер патента: US20070243695A1. Автор: Makoto Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10103219B2. Автор: YUAN Li,Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for wire connection for laser programming of semiconductor device

Номер патента: KR970003920B1. Автор: Chang-Jae Lee,Won-Hyuk Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-22.

A semiconductor device having a gate structure, and methods for forming the gate structure and the semiconductor device

Номер патента: DE102005006899B4. Автор: Makoto Yoshida,Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Chul Lee,Jae-Man Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Manufacturing process of a vertical-channel semiconductor device and vertical-channel semiconductor device

Номер патента: EP4258362A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano,Sebastiano Amara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for doping impurity material into a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP0316940B1. Автор: Moritaka C/O Fujitsu Limited Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-07-15.

Ceramic heater with heater element and method for use thereof

Номер патента: US20020185487A1. Автор: Roger Lin,Ramesh Divakar,Morteza Zandi,Brian LaCourse,Ara Vartabedian,Jeffrey Kutsch. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Emitting method for charged particle beam in manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPS57193030A. Автор: Yasuo Iida. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-11-27.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TW200610062A. Автор: Woo-Kyung Sun,Won-chang Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for implanting a cell channel ion of semiconductor device

Номер патента: TWI294150B. Автор: Won Chang Lee,Woo Kyung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-01.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09537012B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing film adhesive, adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5505421B2. Автор: 真二郎 藤井,茂樹 加藤木,崇司 川守,崇 増子,一行 満倉. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Method for manufacturing film adhesive, adhesive sheet, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: JPWO2011058999A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,茂樹 加藤木,崇司 川守,崇 増子,一行 満倉,増子　崇. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

ETCHING SOLUTION FOR AN ALUMINUM OXIDE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20150099327A1. Автор: Higashi Hirofumi,Hidaka Yoshiharu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for treating object, composition for temporary fixation, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN108369892B. Автор: 森隆,水野光. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US20230025264A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Methods for forming a fuse in a semiconductor device

Номер патента: US20040005776A1. Автор: Robert Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Method for manufacturing a non-volatile semiconductor device

Номер патента: KR20090013474A. Автор: 최동욱,이충호,송재혁,성석강. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100528803B1. Автор: 차한섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-11-15.

Method for manufacturing a spacer of semiconductor device

Номер патента: KR100745061B1. Автор: 김승범,오상룡. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for forming CMOS device with self-aligned contacts and region formed using salicide process

Номер патента: US7582567B1. Автор: Tsengyou Syau,Shih-Ked Lee,Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-09-01.

Composition for removing photoresist and method for forming a bump of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100581279B1. Автор: 전상문,전필권,박동진,도인회. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for forming metal layer for a semiconductor device

Номер патента: EP0273715B1. Автор: Minoru Hainesu Mizonokuchi 213 Inoue,Kouzi Fujitsu Dai 11 Nakahara Ryo Hashizume. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1994-07-13.

Method of forming a doped region in a semiconductor substrate

Номер патента: US6013566A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

METHODS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130260559A1. Автор: Yoon Kukhan,PARK Joon-Soo,KIM Cheolhong,NAM Seokwoo,KIM Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130260562A1. Автор: Park Jongchul,Yoon Kukhan,PARK Joon-Soo,KIM Cheolhong,NAM Seokwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100440072B1. Автор: 윤동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-14.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100444303B1. Автор: 김경민,신동우,박기선,조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100414736B1. Автор: 이정엽,류창우,손용선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: KR101732936B1. Автор: 하현지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-05-08.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100338958B1. Автор: 강태웅. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-01.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100521384B1. Автор: 최시영,정인수,이병찬,이덕형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100408726B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for mounting the housing of a semiconductor device

Номер патента: DE4135189B4. Автор: Jun Soo Ko. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100521382B1. Автор: 최시영,정인수,이병찬,이덕형,허진화. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-12.

Method for forming fine patterns of a semiconductor device using double patterning

Номер патента: US20080090418A1. Автор: Myeong-Cheol Kim,Kyung-yub Jeon,Hak-sun Lee,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for forming gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR100574481B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for fabricating a finfet in a semiconductor device

Номер патента: KR100487567B1. Автор: 최시영,손용훈,정인수,이병찬,이덕형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100641923B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-02.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609530B1. Автор: 신현상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

Housing comprising a semiconductor body and a method for producing a housing with a semiconductor body

Номер патента: US20210104653A1. Автор: Martin Unterburger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor body and a method for forming a transistor in a semiconductor body

Номер патента: KR100764270B1. Автор: 로타르 리쉬,게르하르트 엔데르스,디트리히 위드만,토마스 슐츠. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 노쓰 아메리카 코포레이션. Дата публикации: 2007-10-05.

Method for manufacturing multilayer circuit board for semiconductor device

Номер патента: JP3664725B2. Автор: 正司 小平,順一 中村,俊一郎 松元,大也 荒谷,孝則 田渕,武志 千野,清貴 島田. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for generating doping regions in a semiconductor layer of a semiconductor component

Номер патента: DE102014215893A1. Автор: Ralph Müller,Jan Benick,Martin Hermle,Christian Reichel,Julian Schrof. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing multilayer circuit board for semiconductor device

Номер патента: JP3664720B2. Автор: 正司 小平,順一 中村,俊一郎 松元,大也 荒谷,孝則 田渕,武志 千野,清貴 島田. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for manufacturing multilayer circuit board for semiconductor device

Номер патента: US20040074088A1. Автор: Takanori Tabuchi,Tadashi Kodaira,Kiyotaka Shimada,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Hironari Aratani,Takeshi Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for manufacturing multilayer circuit board for semiconductor device

Номер патента: KR100516795B1. Автор: 나카무라준이치,마츠모토순이치로,고다이라다다시,아라타니히로나리,다부치다카노리,치노다케시,시마다기요타카. Владелец: 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-09-26.

Method for manufacturing multilayer circuit board for semiconductor device

Номер патента: WO2003039219A1. Автор: Takanori Tabuchi,Tadashi Kodaira,Kiyotaka Shimada,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Hironari Aratani,Takeshi Chino. Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2003-05-08.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735170B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170301690A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111811A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11871571B2. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164103A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240155840A1. Автор: Kihyun Kim,Siyoung Choi,Hansoo Kim,Myoungbum Lee,JinGyun Kim,Soodoo Chae,HuiChang Moon,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and programming method thereof

Номер патента: US20130037859A1. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-14.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Transistor for a semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20010015467A1. Автор: Tae Huh,Joong Shin. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW504625B. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods for electromagnetic shielding using an outer cobalt layer

Номер патента: US20210336332A1. Автор: Anthony James LoBianco,Hoang Mong Nguyen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Using a time invariant statistical process variable of a semiconductor chip as the chip identifier

Номер патента: US20060063286A1. Автор: Michael Frank,William Bidermann. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device including semiconductor element mounted on another semiconductor element

Номер патента: US20050167834A1. Автор: Shigeru Yamada,Yasushi Shiraishi,Shinji Ohuchi. Владелец: Shinji Ohuchi. Дата публикации: 2005-08-04.

Lead frame, method for manufacturing the lead frame, and semiconductor device having the lead frame mounted thereon

Номер патента: TW200843072A. Автор: Masao Sakuma,Akihiro Kubota,Tatsuya Meguro,Tomoaki Ishigaki,Norio Ojima,Yoshihito Takamatsu,Emiko Sugimoto. Владелец: Shiima Electronics Inc. Дата публикации: 2008-11-01.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US20160307861A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming interconnect bumps on a semiconductor die

Номер патента: TW419805B. Автор: Stuart E Greer,Robert A Munroe. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-01-21.

Method for attaching clip for semiconductor package, and multi-clip attaching apparatus therefor

Номер патента: MY196834A. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-03.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semicondcutor device

Номер патента: US20170030961A1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device, chip alignment method for multi-chip semiconductor device, and method for manufacturing chip for multi-chip semiconductor device

Номер патента: JP4467318B2. Автор: 聡 松井. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package

Номер патента: US4427992A. Автор: Kim Ritchie,James N. Smith. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-01-24.

Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6642082B2. Автор: Yoshinori Sato,Yukio Yamaguchi,Fumihiko Kawai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20030003627A1. Автор: Yoshinori Sato,Yukio Yamaguchi,Fumihiko Kawai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for joining an electrode of a semiconductor device with a contact piece

Номер патента: FR1305188A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1962-09-28.

Optical semiconductor device base, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: JP5795251B2. Автор: 利夫 塩原,博之 深澤,塩原　利夫,渉 後藤,深澤　博之. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-14.

METHOD FOR MAKING ELECTRICAL CONNECTIONS ON A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: FR2799578B1. Автор: Luc Petit,Alexandre Castellane. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-07-18.

Temperature-controlled circuit integrated in a semiconductor material, and method for controlling the temperature of a semiconductor material having an integrated circuit

Номер патента: US20070158575A1. Автор: Helmut Winkelmann,Bjorn Heismann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for doping a semiconductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: WO2012063078A1. Автор: Jonathan Major,Kenneth Durose,Yuri Proskuryakov. Владелец: THE UNIVERSITY OF LIVERPOOL. Дата публикации: 2012-05-18.

Method for doping a semi-conductor material and method for manufacturing solar cells

Номер патента: GB201019039D0. Автор: . Владелец: University of Durham. Дата публикации: 2010-12-22.

Colorless transparent semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US11894476B2. Автор: Kang Min Lee,Kwan Yong Seo. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Methods and apparatus for measuring semiconductor device overlay using X-ray metrology

Номер патента: US09885962B2. Автор: Andrei V. Shchegrov,Andrei Veldman,Walter D. Mieher,Michael S. Bakeman. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: EP4169971A4. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for the Self-Adjusted Exposure of Side Surfaces of a Semiconductor Body

Номер патента: US20190386172A1. Автор: Sebastian Taeger,Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for producing a high-temperature and temperature-change resistant connection between a semiconductor module and a connection partner

Номер патента: US09287232B2. Автор: Ronald Eisele,Mathias Kock. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2016-03-15.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

A use of a semiconductor device, a method for controlling the state of a semiconductor switch and an electrical arrangement

Номер патента: AU6603700A. Автор: Hans Bernhoff,Olof Hjortstam,Jan Isberg,Per Skytt,Johan Hammersberg. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2001-04-10.

Method for measuring step difference in a semiconductor device and apparatus for performing the same

Номер патента: TW498473B. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Kye-Won Kim,Hyo-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for evaluating stability of semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20190229024A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Photosensitive resin composition, photosensitive resin film, printed wiring board, semiconductor package, and method for producing printed wiring board

Номер патента: US12103999B2. Автор: Akihiro Nakamura,Yoshikazu Suzuki,Yuji Takase,Shuji Nomoto,Shota Okade,Hayato SAWAMOTO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Gallium nitride substrate, method for manufacturing gallium nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: TW201029046A. Автор: Keiji Ishibashi,Fumitake Nakanishi,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-08-01.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods for manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US8349671B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120043605A1. Автор: Se In KWON,Hyun Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Primer, substrate equipped with primer layer, method for producing substrate equipped with primer layer, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230183415A1. Автор: Shingo Tanaka,Yoshitaka Takezawa,Ning Tang. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing a radiation-emitting semiconductor component and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11171258B2. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-09.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for predicting defect in semiconductor device

Номер патента: US20220268830A1. Автор: Sungjin Kim,Sangwoon Lee,Chulwoo PARK,Taeyoon AN,Seunghyun Kim,Joohyun JEON,Wonki Roh,Seongjae Byeon,Hyoeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Capacitor of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20100052097A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230132488A1. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: WO2019091493A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US9564490B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20170104069A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US8633471B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Apparatus and methods for forming a modulation doped non-planar transistor

Номер патента: US20160118464A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for Transferring Semiconductor Bodies and Semiconductor Chip

Номер патента: US20200035855A1. Автор: Lutz Höppel. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-30.

System and method for testing of bonds of a semiconductor assembly

Номер патента: TW201215863A. Автор: Philip John King,Benjamin K Peecock. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-04-16.

Methods for Manufacturing and Operating a Semiconductor Device

Номер патента: US20100066313A1. Автор: Karl-Heinz Allers,Reiner Schwab. Владелец: Reiner Schwab. Дата публикации: 2010-03-18.

Base body for optical semiconductor device lead frame, method for manufacturing base body for optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame using base body for optical semiconductor device lead frame, and method for manufacturing optical semiconductor device lead frame, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2015029211A1. Автор: 鈴木　智,達也 中津川,良聡 小林,座間　悟,松田　晃. Владелец: 古河電気工業株式会社. Дата публикации: 2015-03-05.

p-type semiconductor, method for manufacturing the p-type semiconductor, semiconductor device, photovoltaic element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6153895A. Автор: Takayuki Watanabe,Hiroshi Yoshida,Tetsuya Yamamoto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 2000-11-28.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for forming capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20050202645A1. Автор: Gyu Kim,Hyo Yoon,Geun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-15.

A method for manufacturing transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100545205B1. Автор: 김영록,손현준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-24.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor film composition, method for manufacturing semiconductor member, method for manufacturing semiconductor processing material, and semiconductor device

Номер патента: US20180334588A1. Автор: Koji Inoue,Hirofumi Tanaka,Yasuhisa Kayaba. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Methods for fabricating high voltage transistor and the semiconductor device

Номер патента: TW201236081A. Автор: Sen Zhang,yan-jun Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Lateral Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Lateral Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140319610A1. Автор: Mauder Anton,Weis Rolf,Thyssen Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device

Номер патента: CN104134692A. Автор: A·毛德,N·西森,R·威斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-05.

Solid-state image sensor and method for manufacturing thereof as well as semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8030726B2. Автор: Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: TW200539428A. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for including decoupling capacitors into semiconductor circuit having logic circuit therein and semiconductor circuit thereof

Номер патента: US20140175608A1. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Tien-Chang Chang,Cheng-Hsing Chien,Hsin-Hsin Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method for fabricating capacitor using metastable-polysilicon process

Номер патента: US20040266103A1. Автор: Jong-Min Lee,Min-Yong Lee,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE FOLLOWING A REPLACEMENT GATE PROCESS

Номер патента: US20130181301A1. Автор: Witters Liesbeth,Mitard Jerome,Hellings Geert. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-18.

METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2737607A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuhiro Kataoka,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-07.

Method for controlling transistor spacer width

Номер патента: US6133132A. Автор: Anthony J. Toprac,John R. Behnke,Matthew Purdy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for forming submicroscopic patterns

Номер патента: US5593813A. Автор: Hyeong S. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-14.

Method for making an integrated circuit having an embedded non-volatile memory

Номер патента: WO2007095404A2. Автор: Cheong M. Hong,Chi-Nan B. Li. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20210356870A1. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for detecting defect in semiconductor fabrication process

Номер патента: US11988970B2. Автор: Yuan-Ku Lan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

METHODS FOR MANUFACTURING A FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140045315A1. Автор: Witters Liesbeth. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for Positioning a Semiconductor Chip on a Carrier and Method for Material-Fit Bonding of a Semiconductor Chip to a Carrier

Номер патента: US20170025373A1. Автор: Oeschler Niels. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100495576B1. Автор: 차한섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A BENT GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2928028B1. Автор: Bernard Guillaumot,Philippe Coronel,Emilie Bernard,Christian Vizioz. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-07-15.

METHOD FOR MANUFACTURING A BENT GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2928029A1. Автор: Bernard Guillaumot,Philippe Coronel,Emilie Bernard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-08-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A BENT GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2928028A1. Автор: Bernard Guillaumot,Philippe Coronel,Emilie Bernard,Christian Vizioz. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2009-08-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A BENT GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2928029B1. Автор: Bernard Guillaumot,Philippe Coronel,Emilie Bernard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-04-08.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20020137326A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: US9130048B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Nonvolatile storage device, method for manufacturing the same, and nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile storage device

Номер патента: WO2008146461A1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Kazuhiko Shimakawa,Yoshihiko Kanzawa. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Thermosetting resin composition, method for manufacturing reflective member for optical semiconductor device using same, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2015093543A1. Автор: 政隆 中西,義浩 川田,静 青木,正人 鎗田. Владелец: 日本化薬株式会社. Дата публикации: 2015-06-25.

Composition for an organic hard mask and method for forming a pattern on a semiconductor device using the same

Номер патента: US20060189150A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

System for removing deposited material from within a semiconductor fabrication device

Номер патента: WO2003020449A1. Автор: Mitchell D. Bradley. Владелец: Bradley Mitchell D. Дата публикации: 2003-03-13.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method for forming the capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100243298B1. Автор: 유차영,박홍배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100696774B1. Автор: 이상도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-19.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR101002047B1. Автор: 정석원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-12-17.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100431811B1. Автор: 김경민,선호정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-17.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100917057B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-09-10.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100682192B1. Автор: 김정호,선준협. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-12.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100557631B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100905165B1. Автор: 조석원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-29.

Method for manufacturing and displaying thin film semiconductor device and thin film semiconductor device

Номер патента: KR960701481A. Автор: 마츠토시 미야사카,요지로 마츠에다,사토시 타케나카. Владелец: 야스가와 히데유키. Дата публикации: 1996-02-24.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR101002045B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-12-17.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100363482B1. Автор: 홍성은,김명수,고차원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-30.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609535B1. Автор: 신중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100557551B1. Автор: 이상돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-03.

Super-junction silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing super-junction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN112655096A. Автор: 小林勇介,武井学,京极真也,原田信介. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for making the contacts of a semiconductor device

Номер патента: FR1333644A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1963-07-26.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100609531B1. Автор: 이상도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-04.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100346450B1. Автор: 권세한,김장엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-27.

System and method for improving mesa width in a semiconductor device

Номер патента: US20110037115A1. Автор: Unsoon Kim,Hiroyuki Kinoshita,Yider Wu,Kuo-Tung Chang,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-17.

A method for a designing layout of a semiconductor device

Номер патента: KR100434959B1. Автор: 조규석,고복림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-09.

System and method for improving mesa width in a semiconductor device

Номер патента: TW200721371A. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Kuo-Tung Chang,Angela T Hui,Un-Soon Kim,Yi-Der Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

Method for forming a pattern and a semiconductor device

Номер патента: US6767771B2. Автор: Ki-Bum Kim. Владелец: Ki-Bum Kim. Дата публикации: 2004-07-27.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100756806B1. Автор: 박주온. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-10.

A method for forming a transistor of a semiconductor device

Номер патента: KR100440070B1. Автор: 김진관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-14.

Method for fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20020146882A1. Автор: Kwon Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

A method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100527563B1. Автор: 오기준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-11-09.

Method for fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20080242042A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Phil-Goo Kong,Hyun Ahn,Jung-Seock Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

SEMICONDUCTOR SWITCH AND METHOD FOR DETERMINING A CURRENT THROUGH A SEMICONDUCTOR SWITCH

Номер патента: US20170010318A1. Автор: Butzmann Stefan,Feuerstack Peter,Sievert Holger. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

SUBSTRATE FOR MOUNTING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SUBSTRATE, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140138724A1. Автор: KUBOTA MASASHI,HITOMI Takuma. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR PRODUCING DOPING REGIONS IN A SEMICONDUCTOR LAYER OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Номер патента: US20170236970A1. Автор: Hermle Martin,Reichel Christian,Benick Jan,Muller Ralph,Schrof Julian. Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for Establishing Electrical Contact of a Semiconductor Layer and Semiconductor Component Having Electrical Contact

Номер патента: US20190229241A1. Автор: Holland Brendan,Behringer Martin Rudolf,Sommerfeld Jana,vom Dorp Sabine. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Body of a Semiconductor Component

Номер патента: US20160254200A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor Component with Integrated Crack Sensor and Method for Detecting a Crack in a Semiconductor Component

Номер патента: US20140346509A1. Автор: Zundel Markus,Zelsacher Rudolf,Schmalzbauer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: KR102260081B1. Автор: 신지 아리모토,다케노리 후지와라,마사오 도미카와. Владелец: 도레이 카부시키가이샤. Дата публикации: 2021-06-03.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: JP5699443B2. Автор: 直之 浦崎,勇人 小谷. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: CN106574163A. Автор: 富川真佐夫,有本真治,藤原健典. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-04-19.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: JP5359349B2. Автор: 直之 浦崎,勇人 小谷,宣 菊地. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Semiconductor switch and method for determining a current through a semiconductor switch

Номер патента: DE102014201584A1. Автор: Stefan Butzmann,Peter Feuerstack,Holger Sievert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-07-30.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: KR20170042609A. Автор: 신지 아리모토,다케노리 후지와라,마사오 도미카와. Владелец: 도레이 카부시키가이샤. Дата публикации: 2017-04-19.

Method for fabricating contact holes in a semiconductor body and a semiconductor structure

Номер патента: US7375029B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-20.

Adhesive for electronic components, method for manufacturing semiconductor chip laminate, and semiconductor device

Номер патента: KR100923901B1. Автор: 히데아키 이시자와,아키노부 하야카와. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-10-28.

Method for producing a connection between a semiconductor component and semiconductor module resistant to high temperatures and temperature changes by means of a temperature impinging process

Номер патента: CN102396057B. Автор: M.科克,R.艾希尔. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2014-04-02.

Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, method for manufacturing wafer work piece and semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition

Номер патента: TW201610063A. Автор: Masao Tomikawa,Takenori Fujiwara,Shinji Arimoto. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2016-03-16.

Semiconductor wafer having a multitude of sensor elements and method for measuring sensor elements on a semiconductor wafer

Номер патента: US20090189629A1. Автор: Hubert Benzel,Roland Guenschel,Holger Ross,Harald Guenschel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for Manufacturing Heat Dissipation Bulk of Semiconductor Device

Номер патента: US20120149138A1. Автор: Chun-Liang Lin,Kuan-Chun Chen,Yan-Kuin Su. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2012-06-14.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20130161606A1. Автор: Isobe Atsuo,Godo Hiromichi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for Manufacturing at Least One Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20140034983A1. Автор: Brunner Herbert,Gallmeier Hans-Christoph,Petersen Kirstin,Gebuhr Tobias. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-02-06.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150021603A1. Автор: Isobe Atsuo,Godo Hiromichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING CURED RESIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180031970A1. Автор: OKUDA Ryoji,MASUDA Yuki,ARIMOTO Yukari. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: GB201016929D0. Автор: . Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Motor bobbin and method for manufacturing same

Номер патента: RU2654497C2. Автор: Синдзи НАРУСЕ,Тацуси ФУДЗИМОРИ,Тихиро КОНДО,Ясунори ТАНАКА. Владелец: Дюпон Тейдзин Эдванст Пэйперз (Джепэн), Лтд.. Дата публикации: 2018-05-21.

Complementarity split mask having alignment mark, method for forming alignment mark on the mask, semiconductor device formed by using the mask, and its forming method

Номер патента: TW200414302A. Автор: Shinichiro Nohdo,Keiko Amai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A3. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A Chan. Владелец: Jeffrey A Chan. Дата публикации: 2008-01-10.

Method and apparatus for improving symmetry of a layer deposited on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2007102905A2. Автор: Anthony Ciancio,Jeffrey A. Chan. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and method for controlling amplitude of signal in the semiconductor device

Номер патента: US20210058080A1. Автор: Seung Jin Kim,Seung Hyun Oh,Wan Kim,Byung Ki HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for detecting hysteresis characteristic of comparator and semiconductor device

Номер патента: US09425776B2. Автор: Yanfei Chen. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Structures and methods for deriving stable physical unclonable functions from semiconductor devices

Номер патента: US11962709B1. Автор: Eric D. Hunt-Schroeder,Darren Anand,Dale Pontius. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for monitoring a radio frequency receiver and semiconductor device

Номер патента: US20240039686A1. Автор: Stefan Schmalzl,Andreas Schwarz,Thomas Josef BAUERNFEIND,Thomas Obermueller,Martin Louda,Furqan Farooq FAZILI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284658A1. Автор: Yong-Suk Tak,Seohee PARK,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Using harmonic component(s) to calculate a temperature of a semiconductor device in an inverter module

Номер патента: US09705487B2. Автор: Michael Cade,Gareth Christopher James. Владелец: Nidec Control Techniques Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for manufacturing touch-panel conductive sheet, and touch-panel conductive sheet

Номер патента: US09891777B2. Автор: Akira Ichiki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Preparation method for semiconductor material leg array and batch preparation method for interface layer of semiconductor material leg array

Номер патента: US20240357934A1. Автор: Xun SHI,Ming Gu,Lidong Chen,Pengfei Qiu. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Housing for an ultrasonic transducer; ultrasonic transducer and methods for designing and manufacturing such

Номер патента: EP4218003A1. Автор: Nai Chang Wu,I Chan LI,Ming Yang KAO,Hung Mou LIN. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2023-08-02.

Apparatus and method for controlling signal distribution in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120081147A1. Автор: Neil Price. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for forming a cylinder capacitor in the dram process

Номер патента: US5989954A. Автор: Jenn Ming Huang,Yu-Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Methods for Manufacturing and Operating a Semiconductor Device

Номер патента: US20140028269A1. Автор: Allers Karl-Heinz,Schwab Reiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-30.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TW200820264A. Автор: Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TWI366831B. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20190131972A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-02.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20200252069A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

METHOD FOR GENERATING ELECTRIC ENERGY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: FR2963165A1. Автор: Thomas Skotnicki,Stephane Monfray. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2012-01-27.

Method for manufacturing a highly intergrated semiconductor device

Номер патента: CN1050695C. Автор: 安太赫,南仁浩,尹宙永. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-22.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100230738B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: KR102554565B1. Автор: 딘 간스. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2023-07-13.

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING NETLIST OBFUSCATION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210243041A1. Автор: SCHAT Jan-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

LIMITING CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND METHOD FOR LIMITING THE VOLTAGE ACROSS A SEMICONDUCTOR TRANSISTOR

Номер патента: US20140070877A1. Автор: Peuser Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210099160A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR CALIBRATING ADJUSTABLE IMPEDANCES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180167055A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING BIAS SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190172507A1. Автор: TSUKADA Shuichi,Asaki Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING CLOCK SIGNALS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304532A1. Автор: YAMASHITA Akira,KURIHARA Kazuhiro,Kitagawa Katsuhiro,NAKAMURA Kohei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

APPARATUSES AND METHODS FOR DUTY CYCLE ADJUSTMENT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200336137A1. Автор: Gans Dean D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-22.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A4. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-05.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A4. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming saw-cuts into a semiconductor product

Номер патента: NL2034529B1. Автор: Hermans Mark. Владелец: Besi Netherlands Bv. Дата публикации: 2024-10-14.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1363323A3. Автор: William H. Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: US20050203654A1. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Methods for modelling and manufacturing a device

Номер патента: EP4443325A1. Автор: LIU Jin,Warner Matthew,Bornoff Robin,BLACKMORE Byron,Alkhenaizi Mahmood. Владелец: Siemens Industry Software NV. Дата публикации: 2024-10-09.

System and method for designing and manufacturing a protective sports helmet

Номер патента: US12059051B2. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09953578B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09761176B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09626911B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for customizing and manufacturing a composite helmet liner

Номер патента: US09545127B1. Автор: Alan T. Sandifer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for use in manufacturing a bicycle spoked wheel, an accessory for a bicycle, a kit of parts intended for use with the accessory, and a magnetic insert that is destined to be removably attached to a spoke attachment element

Номер патента: US20040139609A1. Автор: Maurizio Passarotto,Mario Meggiolan. Владелец: Campagnolo SRL. Дата публикации: 2004-07-22.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US20090035693A1. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Assembly of conducting tracks, device, and method for the fault detection of a semiconductor circuit

Номер патента: US20180143243A1. Автор: Franz Dietz,Lichao Teng,Markus OST. Владелец: Autolus Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for determining the temperature of a semiconductor component

Номер патента: US20020101906A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Jens Braun,Detlev Richter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Reset signal generator and a method for generating reset signal of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7795932B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230276891A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230337779A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

System and method for designing and manufacturing a protective helmet tailored to a selected group of helmet wearers

Номер патента: US20230301391A1. Автор: Thad M. Ide,Vittorio Bologna,Murphy GILLOGLY. Владелец: Riddell Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for processing and manufacturing a metal structural material by a coiling, sintering and plastic working of a metal screen mesh

Номер патента: US11407029B2. Автор: Zhaoyao Zhou. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-08-09.

Method for designing and manufacturing a micromechanical device

Номер патента: US6514670B1. Автор: Bernhard Elsner,Josef Hirtreiter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-02-04.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170352315A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20160321998A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus, semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20170069272A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Light emitting period setting method, driving method for display panel, driving method for backlight, light emitting period setting apparatus , semiconductor device, display panel and...

Номер патента: US20160189637A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Hironobu Abe,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Manufacturing method for a building system in regards to structural and environmental factors

Номер патента: US11141881B2. Автор: Sevil YAZICI. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2021-10-12.

Semiconductor device resolution enhancement by etching multiple sides of a mask

Номер патента: US09658531B2. Автор: Guoxiang Ning,Paul Ackmann,Chunyu WONG,Sarasvathi Thangaraju. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Valve for throttling gas flow from a semiconductor processing tool

Номер патента: US12055228B2. Автор: Chang Chun,Yi-Ming Lin,Sheng-chun YANG,Po-Chih Huang,Xuan-Yang Zheng,Ren-Jyue Wang,Tzu-Chuan Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Computer-implemented method and system for ordering and manufacturing a set of decorative panels

Номер патента: WO2024033478A1. Автор: Li Lin. Владелец: Patentwerk B.V.. Дата публикации: 2024-02-15.

Computer-Implemented Method and System for Ordering and Manufacturing a Set of Decorative Panels

Номер патента: US20240054466A1. Автор: LIN Li. Владелец: Northann Building Solutions LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for optimizing element sizes in a semiconductor device

Номер патента: TW445511B. Автор: Joseph Norton,David Blaauw,Satyamurthy Pullela,Timothy J Edwards,Abhijit Dharchoudhury. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Method for designing a surgical guide

Номер патента: US09785747B2. Автор: Benjamin Geebelen. Владелец: Materialise NV. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

System, method and non-transitory computer readable medium for dynamically assessing degradation of semiconductor device

Номер патента: WO2024098237A1. Автор: Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Integrated valve, and method for designing and manufacturing valve body of integrated valve

Номер патента: US20240352950A1. Автор: Lei Xu,Bing He,Yajie Liu,Fuxiang Bo. Владелец: XCMG Fire Fighting Safety Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Support pad for a drill head and method for designing and manufacturing a support pad

Номер патента: US09999959B2. Автор: Tony Evans,Simon LAWES. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for calibrating and manufacturing a force-sensing touch screen panel

Номер патента: US09500552B2. Автор: William R. Williams. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Detecting method for manufacturing process of semiconductor

Номер патента: US20220128909A1. Автор: Heng Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method, apparatus and system for use in manufacturing a material

Номер патента: WO2023110387A1. Автор: Nick Talken,Zack Kisner,Natarajan CHENNIMALAI KUMAR. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2023-06-22.

System and method for scheduling manufacturing jobs for a semiconductor manufacturing tool

Номер патента: TW200530893A. Автор: Hui-Tang Liu,Ko-Pin Chang,Jui-An Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-16.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Design and Manufacturing Method For a Building System in Regards to Structural and Environmental Factors

Номер патента: US20190375132A1. Автор: Sevil YAZICI. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A3. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Andrzej Buczkowski. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor workpieces

Номер патента: WO2007008311A2. Автор: Steve Hummel,Andrzej Buczkowski. Владелец: Nanometrics Incorporated. Дата публикации: 2007-01-18.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for in-situ manufacturing a protective liner on an elongated structural part of an aircraft

Номер патента: US20240336024A1. Автор: Jose Martins. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-10-10.

A method for in-situ manufacturing a protective liner on an elongated structural part of an aircraft

Номер патента: EP4442441A1. Автор: Jose Martins. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-10-09.

DEVICES AND METHODS FOR DETECTING DETERIORATION OF THE CONDITION OF SEMICONDUCTOR DEVICES DUE TO EXPOSURE TO THEIR RADIATION

Номер патента: RU2018104580A. Автор: Адам Джозеф ВИТТКОП. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-09-05.

Apparatus and methods for retaining bedding and methods for manufacturing same

Номер патента: US5946751A. Автор: Steven E. DeMay. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-09-07.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and device for electrically contacting components in a semiconductor wafer

Номер патента: US11796567B2. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor memory

Номер патента: US20040238899A1. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: WO2005093761A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-10-06.

Integrated semiconductor memory and method for reducing leakage currents in an integrated semiconductor

Номер патента: US6903423B2. Автор: HELMUT Fischer,Jens Egerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US9620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Reception circuit, method for adjusting timing in reception circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09620196B2. Автор: Hiroyuki Kano,Kazumi Kojima,Hiroaki Ukai,Takanori Aoshima. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Warewashing composition comprising zinc and aluminum ions and methods for manufacturing and using

Номер патента: CA2531098C. Автор: Terrence P. Everson,Steven E. Lentsch,Burton M. Baum,Victor F. Man,Michael J. Bartelme. Владелец: Ecolab Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Systems, devices, and methods for designing and manufacturing a dental implant for a multi-rooted tooth

Номер патента: EP4178483A4. Автор: Brian Bowman,Colin Murphy,Michael Collins,David Sanderson,Todd Wedeking,Iris WEDEKING. Владелец: Identical Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for analyzing the operation of a semiconductor device, method for analyzing a specific physical phenomenon and device for carrying out these methods

Номер патента: DE69033893T2. Автор: Mamoru Kurata,Shin Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Spacer fabrication process for manufacturing reflective stealth mirrors and other MEMS devices

Номер патента: US20060001945A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Hung-Hsin Liu,Fei-Yun Chen,Shan-Hua Wu,Wei-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TWI294626B. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-11.

Method for detecting central position of pellet in semiconductor device

Номер патента: JPS57125307A. Автор: Takashi Kamiharashi. Владелец: Kaijo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-04.

Circuit and method for preserving data in sleep mode of semiconductor device using test scan chain

Номер патента: TW200531074A. Автор: Jin-Hyeok Choi,Sam-Yong Bahng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-16.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US9547742B2. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A2. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Systems and methods for via placement

Номер патента: US20160314238A1. Автор: Chi-Min Yuan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for regulating voltage characteristics of a latch circuit, method for regulating voltage characteristics of a semiconductor device, and regulator of voltage characteristics of a latch circuit

Номер патента: WO2010143707A1. Автор: 鈴木　誠,俊郎 平本,貴康 桜井. Владелец: 国立大学法人東京大学. Дата публикации: 2010-12-16.

Monitor system and method for semiconductor processes

Номер патента: US20150148933A1. Автор: Chih-Wei Huang,Feng-Ning Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR IDENTIFYING MEMORY DEVICES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE SHARING AN EXTERNAL RESISTANCE

Номер патента: US20220035539A1. Автор: GANS DEAN. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Device and method for detecting the overheating of a semiconductor device

Номер патента: US20050133785A1. Автор: Thomas Huber,Herbert Benzinger,Norbert Wirth,Georg Eggers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-23.

Processing arrangement, memory card device and method for operating and manufacturing a processing arrangement

Номер патента: TWI333627B. Автор: Gilad Ofir,Curatolo Giacomo. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-11-21.

METHOD FOR PLACING OPERATIONAL CELLS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Priel Michael,Rozen Anton,BERKOVITZ ASHER. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-11-27.

METHODS FOR DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RISK VIA

Номер патента: US20160283634A1. Автор: KIM Byung-Moo,PAEK Seung Weon. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Method for improved die release of a semiconductor device from a wafer

Номер патента: US6544898B2. Автор: Nan Zhang,Bruce Polson,Howard P. Wilson. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Non-volatile memory circuit, a method for driving the same, and a semiconductor device using the memory circuit

Номер патента: US6847543B2. Автор: Kiyoyuki Morita,Kenji Toyoda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-25.

Method for improved die release of a semiconductor device from a wafer

Номер патента: TW531845B. Автор: Nan Zhang,Bruce Polson,Howard P Wilson. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-05-11.

Method for measuring the density of a semiconductor device layout

Номер патента: US10671794B1. Автор: Stefan Halama,Saravanan Padmanaban,Phanindra Bhagavatula. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-02.

Photosensitive resin composition, method for forming resist pattern, method for manufacturing plated formed body, and semiconductor device

Номер патента: TW202012464A. Автор: 西口直希,松本朋之,榊原宏和,谷口拓弘,廣昭人,秋丸尚徳. Владелец: 日商Ｊｓｒ股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Photosensitive resin composition, method for forming resist pattern, method for manufacturing plated formed body, and semiconductor device

Номер патента: US20210311391A1. Автор: Naoki Nishiguchi,Hisanori AKIMARU,Hirokazu Sakakibara,Tomoyuki Matsumoto,Takuhiro Taniguchi,Akito HIRO. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor memory device and method for reading data from such a semiconductor memory device

Номер патента: DE4206079C2. Автор: Mitsuru Sugita,Toyokatsu Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-08-03.

Method for manufacturing copper thin film for semiconductor device using ion cluster beam

Номер патента: KR970008415A. Автор: 김기환,고석근,정형진. Владелец: 김은영. Дата публикации: 1997-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming a pattern and a semiconductor device

Номер патента: AU2002219700A1. Автор: Ki-Bum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for manufacturing cleaved facets of nitride semiconductor devices

Номер патента: TWI328907B. Автор: Weili Chen. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2010-08-11.

Method for manufacturing cleaved facets of nitride semiconductor devices

Номер патента: TW200832853A. Автор: Wei-li CHEN. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2008-08-01.

Method for Manufacturing Contacts for a Semiconductor Device, and Semiconductor Device Having Such Contacts

Номер патента: US20120056278A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor circuit and method for mitigating current variation in a semiconductor circuit

Номер патента: TW200935731A. Автор: Chih-Chien Hung,Sy-Chyuan Hwu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

System and method for testing for defects in a semiconductor memory

Номер патента: TW201225098A. Автор: Cheng-Chi Liu,Yin-Chin Huang,Yi-Fang Chang,Chu-Pang Huang,Min-Kuang Li,Chang-Chan Yang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Method for preparing and manufacturing a composition to boost and enchange immune system

Номер патента: MY160444A. Автор: Bin Hj Ibrahim Othman. Владелец: Bin Hj Ibrahim Othman. Дата публикации: 2017-03-15.

PATTERN BASED METHOD FOR IDENTIFYING DESIGN FOR MANUFACTURING IMPROVEMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130227498A1. Автор: PATHAK Piyush,MADHAVAN Sriram,MALIK Shobhit. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD FOR MEASURING SERIAL RESISTANCE OF A SEMICONDUCTOR DIODE BASE

Номер патента: RU2013145530A. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Илья Владимирович Фролов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for diffusion of antimony into a semiconductor

Номер патента: CA868645A. Автор: L. Gittler Frank. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-04-13.

Manufacturing method for a node contact on a semiconductor chip

Номер патента: TW430976B. Автор: Szu-Min Lin,Chuan-Fu Wang,Chin-Hui Lee,Jung-Chao Chiou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-04-21.

Method for protecting the apparatus in a semiconductor chamber

Номер патента: TW446996B. Автор: Wen-Chin Tzeng,Chuen-Ji Pang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-07-21.

Method for manufacturing mosfet of a semiconductor device

Номер патента: KR0137816B1. Автор: 김영관. Владелец: 엘지일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1998-06-01.

Substrate for lead frame for optical semiconductor device, manufacturing method thereof, lead frame for optical semiconductor device therefor, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: TWI612691B. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Yoshiaki Kobayashi,Satoru Zama,Tatsuya Nakatsugawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-21.

METHODS FOR STRESSING TRANSISTOR CHANNELS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20130001575A1. Автор: Forbes Leonard,Bhattacharyya Arup,Farrar Paul A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Troppmann Rainer,Noha Frank. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for forming silicide in removable spacer of semiconductor device

Номер патента: TW471041B. Автор: Jian-Ting Lin,Hua-Jou Tzeng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for automatically improving technological structure parameters of semiconductor device based on physical constraint

Номер патента: CN118839646A. Автор: 陈静,张珺,杜炜,郭宇锋,姚清,姚佳飞,杨可萌. Владелец: Nanjing University Of Posts And Telecommunications Nantong Institute Co ltd. Дата публикации: 2024-10-25.

Base for lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: JP5901382B2. Автор: 智 鈴木,晃 松田,悟 座間,鈴木　智,達也 中津川,良聡 小林,座間　悟,松田　晃. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-06.

Method for reducing grid induction drain leakage of semiconductor device and method for manufacturing metal oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: CN102610528B. Автор: 俞柳江. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

METHOD FOR FORMING A PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120083127A1. Автор: Clark Robert D.,Strang Eric J.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD FOR FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120208361A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-16.

VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND METHODS FOR MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130009123A1. Автор: Tada Munehiro,Hada Hiromitsu,Okamoto Koichiro,Sakamoto Toshitsugu. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacturing and designing soi type semiconductor device, and soi type semiconductor device

Номер патента: JP2003218356A. Автор: Koichi Matsumoto,光市 松本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for forming a laminated structure, a semiconductor device, and a crystalline oxide film

Номер патента: JP7078582B2. Автор: 武紀 渡部,洋 橋上,崇寛 坂爪. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR970077649A. Автор: 김현수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

METHOD FOR PRODUCING CONTACT OPENINGS IN A SEMICONDUCTOR BODY AND SELF-ALIGNED CONTACT STRUCTURES ON A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: US20120315759A1. Автор: Hofer Heimo,Poelzl Martin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-12-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.