A method for forming a capacitor of a semiconductor device
Номер патента: KR100756806B1
Опубликовано: 10-09-2007
Автор(ы): 박주온
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-09-2007
Автор(ы): 박주온
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Use of a plasma source to form a layer during the formation of a semiconductor device
Номер патента: US6117764A. Автор: Thomas A. Figura,Kevin G. Donohoe,Thomas Dunbar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-12.