Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US11804449B2
Опубликовано: 31-10-2023
Автор(ы): Akihito SAWANOBORI
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-10-2023
Автор(ы): Akihito SAWANOBORI
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having a multilayer interconnection structure, fabrication method thereof, and designing method thereof
Номер патента: US20070037382A1. Автор: Toshio Takayama,Tetsuya Itou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.