Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US12058856B2
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Li-Feng Teng, Wei Cheng Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-08-2024
Автор(ы): Li-Feng Teng, Wei Cheng Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof
Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.