Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法

层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法

Номер патента: CN101393871A
Опубликовано: 25-03-2009
Автор(ы): 中村岳史, 水原秀树, 臼井良辅
Принадлежит: Sanyo Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having spherical terminals attached to the lead frame embedded within the package body

Номер патента: US5293072A. Автор: Tsuyoshi Aoki,Kazuto Tsuji,Junichi Kasai,Tetsuya Hiraoka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Printed circuit board embedded chip and it's manufacturing method

Номер патента: KR101003585B1. Автор: 김운천,강준석,임순규. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2010-12-22.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20080090331A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20050194693A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Ball grid array IC package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020185746A1. Автор: Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925A1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925B1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-12.

Electronic circuit board with semiconductor chip mounted thereon, and manufacturing method therefor

Номер патента: US5854740A. Автор: Gi-Bon Cha. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09831166B2. Автор: Eiji Hayashi,Kozo Harada,Shinji Baba,Kyo Go. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230178491A1. Автор: Hitoshi Ishii,Masayuki Miura,Yasuo Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: US20070120233A1. Автор: John Tellkamp. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230268310A1. Автор: Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Three-dimensional integrated system of rfid chip and super capacitor and preparation method thereof

Номер патента: US20230095639A1. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Bao Zhu,Qingqing Sun. Владелец: Shanghai IC Manufacturing Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031B1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031A1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-10-14.

Thermal paste preforms as a heat transfer media between a chip and a heat sink and method thereof

Номер патента: US20010021102A1. Автор: Shaji Farooq,Sushumna Iruvanti,David L Edwards,Frank L Pompeo,Glenn G Daves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device including two or more stacked semiconductor structures

Номер патента: US20240021553A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837369B2. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shinji Baba,Toshihiro Iwasaki,Yoshikazu Shimote. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device including protective film over a substrate

Номер патента: US09972600B2. Автор: Hideko Mukaida,Yoichiro Kurita,Satoshi Tsukiyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230065171A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09735127B2. Автор: Tadatoshi Danno,Atsushi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230269868A1. Автор: Tomomi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088583A1. Автор: Naoki Kimura,Hiroshi Ashikaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Low-pin-count chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019854A1. Автор: Chun Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11756868B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7781258B2. Автор: Susumu Toba,Akira Morozumi,Kazuo Furihata. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20090130800A1. Автор: Susumu Toba,Akira Morozumi,Kazuo Furihata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633978B2. Автор: Shota MIKI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11749597B2. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor chip and circuit board, manufacturing method of same, and electronic equipment

Номер патента: US20050253235A1. Автор: Kazumi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190254160A1. Автор: Sensho USAMI. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411313A1. Автор: Akira Hirao,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US10658305B2. Автор: Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200075505A1. Автор: Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Printed circuit board embedded chip and it's manufacturing method

Номер патента: KR101231286B1. Автор: 김남희. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip

Номер патента: US5838603A. Автор: Tsutomu Fujita,Toshiki Mori,Ichiro Nakao,Reiji Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip

Номер патента: EP1154434A1. Автор: Tsutomu Fujita,Toshiki Mori,Ichiro Nakao,Reiji Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip

Номер патента: US6313493B1. Автор: Tsutomu Fujita,Toshiki Mori,Ichiro Nakao,Reiji Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-06.

Ceramic substrate, package substrate, semiconductor chip package component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160049372A1. Автор: Chien-Hung Ho,Chen-Shen Kuo,Chun- Chu WU. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: US20040104404A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Ic chip and ic chip manufacturing method thereof

Номер патента: US20110272799A1. Автор: Yao-Sheng Huang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929113B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466580B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having multiple contact clips

Номер патента: US09837380B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804464B2. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240087969A1. Автор: Shinya Ozawa,Masaru Izumisawa,Shunsuke Kamiya,Shuji Eguma. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US9070659B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162485A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255369A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09905499B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09613883B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130725A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Mold PackageD semiconductor chip mounted on a leadframe and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728493B2. Автор: Volker Strutz,Rainer Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5757080A. Автор: Yoshiki Sota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US20220384319A1. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US11837531B2. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device, a mobile communication device, and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8890334B2. Автор: Toru Narita,Joichi Saito,Teruhito Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395303A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411239A1. Автор: Yuichi Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150104904A1. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US8922015B2. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11854925B2. Автор: Satoshi Kato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device including an encapsulation material defining notches

Номер патента: US20180190557A1. Автор: Upendra Balehithlu Manjappaiah,Kok Kiat Koo,Khai Seen Yong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230154882A1. Автор: Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor packaging device comprising a semiconductor chip including a MOSFET

Номер патента: US7586180B2. Автор: Hiroshi Sato,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20180012847A1. Автор: Kenji Onoda,Syoichirou Oomae. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Semiconductor Device with Thick Bottom Metal and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20140264802A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038643A1. Автор: Ryusuke Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006287A1. Автор: Akira Hirao,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device, semiconductor device group, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230411253A1. Автор: Kiyoshi Arai,Taketoshi Shikano,Shinya SONEDA,Kotaro Nishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180033709A1. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11855013B2. Автор: Seongho Shin,Se-Ho YOU,Bangweon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having a flat jumper lead

Номер патента: US5389817A. Автор: Tsutomu Imamura,Isao Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240079491A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210098344A1. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device comprising sealing members with different elastic modulus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362019B2. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09748202B2. Автор: Hideaki Nabekura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: EP4379790A1. Автор: Yuji Nishida,Kazutoshi Yokoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200350236A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711A. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-07-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-08-27.

Leadframe of semiconductor device

Номер патента: MY138096A. Автор: Kazumitsu Seki,Harunobu Sato,Muneaki Kure. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: US8624374B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Chia-Ching Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: TW201135895A. Автор: Yi-Chuan Ding,Chia-Ching Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2011-10-16.

Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof

Номер патента: TWI489609B. Автор: Chia Ching Chen,Yi Chuan Ding. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2015-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PENETRATING ELECTRODES EACH PENETRATING THROUGH SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20130249085A1. Автор: IDE Akira. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Ceramic substrate, package substrate, semiconductor chip package component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160049372A1. Автор: Ho Chien-Hung,Kuo Chen-Shen,WU Chun- Chu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device including a package substrate and a semiconductor chip

Номер патента: US11335571B2. Автор: Akira Matsumoto,Hideaki Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20170092609A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20030062620A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164053A1. Автор: Yoshihiro Nakagawa,Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo,Fuyuki Okamoto,Yoshio Kameda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Carrier for chip packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200118898A1. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US9806049B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20180033757A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Metallization system of a semiconductor device with metal columns with a smaller diameter at the bottom and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102009010885B4. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2014-12-31.

Semiconductor chip stack package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130256911A1. Автор: Jae-hak Lee,Chang-woo Lee,Tae-Ho Ha,Joon-Yub Song. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor chip stack package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101144082B1. Автор: 이재학,이창우,송준엽,하태호,김선락,권영설. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2012-05-23.

Semiconductor chip stack package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101036441B1. Автор: 이재학,이창우,송준엽,하태호. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2011-05-25.

Semiconductor chip stack package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101172533B1. Автор: 이재학,이창우,송준엽,하태호,김선락,권영설. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2012-08-10.

Semiconductor device of stacked structure having through electrode, semiconductor memory device, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: KR101817156B1. Автор: 이동혁,유장우,이호철,김중식. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-01-10.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20210225715A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US11984364B2. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor chip die structure for improving warpage and method thereof

Номер патента: KR101590453B1. Автор: 김진성,조병우,송차규. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059493A1. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257332A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11502057B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100155928A1. Автор: Masahiro Sunohara,Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472527B2. Автор: Toshiya Akamatsu,Muneyuki Odaira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220285320A1. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11721672B2. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812388B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Through silicon vias for semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728451B2. Автор: Chen-Chao Wang,Ying-Te Ou. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20140091447A1. Автор: Hiroshi Yamada,Kazuhiko Itaya,Yutaka Onozuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200044306A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chien-Ling Hwang,Pei-Hsuan Lee,Yu-Ting Chiu,Jui-Chang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Multi-chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074137B2. Автор: Chao-Jung Chen,Shin-Yi Huang,Yu-Min Lin,Ang-Ying Lin,Sheng-Tsai Wu,Yuan-Yin Lo,Tzu-Hsuan Ni. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230107554A1. Автор: Dong Su Kim,Jong Min YOOK,Je In YU. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process

Номер патента: US09406552B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013477A1. Автор: Susumu Yamamoto,Kazuhiro Kato,Masayuki Miura,Soichi Homma,Takeori Maeda,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234267A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Yuta Kawamoto,Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device, semiconductor module and vehicle

Номер патента: EP3761361A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640414B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Michiaki Sugiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09589887B2. Автор: Tadashi Maeda,Shinichi Uchida,Shinpei Watanabe,Kazuo Henmi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536858B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09373593B2. Автор: Sadao Nakayama,Yoshihiro Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20030052394A1. Автор: Namiki Moriga,Yasuhito Suzuki,Akira Takaki,Hiroshi Horibe,Fumiaki Aga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12136589B2. Автор: Taro Nishioka,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI,Tsunehisa Ono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09659906B2. Автор: Youichi Abe,Yuko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor chip stacking assemblies

Номер патента: US09633983B2. Автор: Qing Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with bypass functionality and method thereof

Номер патента: US09589904B2. Автор: Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09589877B2. Автор: Shigefumi Dohi,Kiyomi Hagihara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Multichip power semiconductor device

Номер патента: US09443760B2. Автор: Joachim Mahler,Thomas Bemmerl,Anton Prueckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US20180006604A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, semiconductor module, and vehicle

Номер патента: US20210013141A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226312A1. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119323B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941180B2. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US09787250B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130062758A1. Автор: Jun Tanaka,Shogo Watanabe,Koichi Miyashita,Naoto Takebe,Yuichi Sano,Takashi Imoto,Hideo Taguchi,Akira Tanimoto,Katsuhiro Ishida,Yoriyasu Ando,Yasuo Takemoto,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220285319A1. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Stack-type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100255637A1. Автор: Katsuhiro Ishida,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Sealed semiconductor device and lead frame used for the same

Номер патента: US20020070431A1. Автор: Yoshihiro Hirata,Kazuyuki Misumi,Kazunari Michii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258208A1. Автор: Hajime Okuda,Adrian JOITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321813A1. Автор: Hiroaki Yamashita,Hisao Ichijo,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113029B2. Автор: Tatsuto Nishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09887150B2. Автор: Akihiro Koga,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09793195B1. Автор: Akihiro Koga,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Compound semiconductor device including a multilevel carrier

Номер патента: US09754862B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09685412B2. Автор: Satoru Takaku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09653421B2. Автор: Atsunori Hattori. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09607932B2. Автор: Akihiro Koga,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11699692B2. Автор: Takamitsu Noda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9337127B2. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Resin mold semiconductor device

Номер патента: US20030047815A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Makoto Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150255377A1. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150325500A1. Автор: Yan - Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09922905B2. Автор: Hiroi Oka,Yuichi Yato,Keita Takada,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09607940B2. Автор: Hiroi Oka,Yuichi Yato,Keita Takada,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2065928A3. Автор: Takaharu Shinko Electric Industries Co. Ltd. Yamano,Yoshihiro Shinko Electric Industries Co. Ltd. Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-26.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20020008318A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298984A1. Автор: Atsushi Maeda,Tatsuya Kawase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230021125A1. Автор: Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230067356A1. Автор: Byung Wook KIM,A-young KIM,Seong Won Jeong,Sang Su Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09837373B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09793265B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09543239B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508651B2. Автор: Junichi Kasai,Masanori Onodera. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9984959B2. Автор: Kaoru Ishihara,Takao SHUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088086A1. Автор: Masatoshi Arai,Kazuki Matsuo,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280537A1. Автор: Daisuke Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060040424A1. Автор: Akio Rokugawa,Kiyoshi Ooi,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Multirow semiconductor chip connections

Номер патента: US20220189879A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Packaged multi-chip semiconductor devices and methods of fabricating same

Номер патента: US12132019B2. Автор: SANGHOON Lee,JONGHO LEE,Taehun Kim,Jihoon Kim,Jinkyeong SEOL,Hyuekjae Lee,Sangcheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09991229B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793180B2. Автор: Doo Hyun Park,Seung Chul Han,Jong Sik Paek,Joo Hyun Kim,Won Chul Do,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Young Rae Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09716068B2. Автор: Thorsten Meyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595507B2. Автор: Yoichiro Kurita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09570405B2. Автор: Atsushi Tomohiro. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466581B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Fan-out wafer level package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449911B1. Автор: Hee Cheol Kim,Jae Hyun Yoo,Young Seok Lee. Владелец: STS Semiconductor and Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11837569B2. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170040246A1. Автор: Kaoru Ishihara,Takao SHUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277498A1. Автор: Masato Sugita,Gen Watari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180138145A1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105562A1. Автор: Toshihiro TSUJIMURA,Taira Tabakoya. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20220293485A1. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277514A1. Автор: Masaji IWAMOTO.. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20190198462A1. Автор: Yoshiaki Sato,Yutaka Uematsu,Kazuyuki Nakagawa,Masayoshi Yagyu,Shuuichi Kariyazaki,Norio Chujo,Keita TSUCHIYA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20090020867A1. Автор: Yoshikatsu Soma,Yoshiharu Ogata,Munehide Saimen,Hiroharu KONDO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12100638B2. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap

Номер патента: US09502367B2. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060208349A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Mutsuo Tsuji,Takashi Yui,Yoshiaki Takeoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210066249A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having a buffer material and stiffener

Номер патента: US20140306337A1. Автор: Peter R. Harper,Amit S. Kelkar,Vivek S. Sridharan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200135687A1. Автор: Takehiko Maeda,Hideki Ishii,Kenji IKURA,Takeumi KATO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: EP1069618B1. Автор: Akira Nakamura,Satoshi Takeda,Masami Takai,Tatsuya 201 Juness Miyazakidai MATSUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150279802A1. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09929185B2. Автор: Shinya Suzuki,Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device with multi-layered source/drain regions having different dopant concentrations and manufacturing method thereof

Номер патента: US11776851B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor Device with Multi-Layered Source/Drain Regions Having Different Dopant Concentrations and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220262681A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan,Chih-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20150008582A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro Suematsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Benefit and semiconductor device made of a composite board with semiconductor chips and plastic housing composition and method for producing the same

Номер патента: DE102005026098B3. Автор: Michael Dipl.-Ing. Bauer,Kai Chong Chan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYERED SOURCE/DRAIN REGIONS HAVING DIFFERENT DOPANT CONCENTRATIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190334029A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang,Ma Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTI-LAYERED SOURCE/DRAIN REGIONS HAVING DIFFERENT DOPANT CONCENTRATIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200365720A1. Автор: LEE CHENG-HAN,Chang Shih-Chieh,MORE Shahaji B.,Pan Zheng-Yang,Ma Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having signal line above main ground or main VDD line, and manufacturing method thereof

Номер патента: US6445018B1. Автор: Katsumi Okuaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-03.

Semiconductor chip size package and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100259361B1. Автор: 유중하. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-06-15.

Compact semiconductor device capable of mounting a plurality of semiconductor chips with high density and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100511728B1. Автор: 다고마사모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020105086A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor chip package module and manufacturing method

Номер патента: KR20150014282A. Автор: 박대근,박종필. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2015-02-06.

Semiconductor chip package structure and manufacturing method for achieving front electrical connection without using wire-bonding process

Номер патента: TW200939430A. Автор: bing-long Wang,Song-Yi Xiao,yun-hao Zhang,Zheng-Ji Chen. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Flip heat source chip and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN113097200A. Автор: 张剑,赵明,董乐,卢茜,曾策,向伟玮,蒋苗苗,朱晨俊,叶永贵,叶惠婕. Владелец: CETC 29 Research Institute. Дата публикации: 2021-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion

Номер патента: US20080029857A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Yoshikazu Takada,Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6475829B2. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and adhesive sheet

Номер патента: US8294282B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Yukiko Kitajima,Junya Sagara,Norihiro Togasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Underfill material and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US09437462B2. Автор: Taichi Koyama. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085458A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085457A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089972A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210074362A1. Автор: Minoru Oda,Yuka Itano,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024156585A1. Автор: Thomas Schwarz. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20010015445A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Layered semiconductor device, and production method therefor

Номер патента: US20190043537A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Takao Adachi,Kouji Uemura. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor device and adhesive sheet

Номер патента: US20110068480A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Yukiko Kitajima,Junya Sagara,Norihiro Togasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device and adhesive for mounting flip chip

Номер патента: US20160056120A1. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device including mosfet region and diode region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240128260A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON,Soon Jong Park. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20040206984A1. Автор: Tsugihiro Matsuoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20170118419A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20150243702A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US9578263B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for use in manufacturing a semiconductor device and the method of manufacturing a semiconductor chip using the tape

Номер патента: TW201241132A. Автор: Kazuki Soejima,Daisuke Shimokawa,Takamasa Hirayama,Yuta Shimazaki,Eiichi Imoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220140216A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240079453A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855194B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Kosei Noda,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160197019A1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09390983B1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device including an oxide semiconductor thin film layer of zinc oxide and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101014473B1. Автор: 다카시 히라오,다카히로 히라마츠,마모루 후루타,히로시 후루타,도키요시 마츠다. Владелец: 자이단호진 고치켄산교신코센타. Дата публикации: 2011-02-14.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATING FILM WITH DIFFERENT STRESS LEVELS IN ADJACENT REGIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Murata Tatsunori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device with trench isolation layer for surrounding bottom of junction region and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100434715B1. Автор: 송택근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-06.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20160027682A1. Автор: Satoshi Kato,Hiroyuki Fukumizu,Kenichi Yoshino,Shintaro Okujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200395536A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob,Park Jeong-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor chip test socket and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101410866B1. Автор: 신종천,하동호. Владелец: 신종천. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor chip mounting structure and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4536291B2. Автор: 豊 熊野,豊 田口,峰広 板垣,善広 戸村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Semiconductor chip for optoelectronics and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5175027B2. Автор: ヴェークライター ヴァルター,ヴィルト ラルフ,ヴィンディッシュ ライナー. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-04-03.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230307447A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Resin composition, resin film, semiconductor laminate, method for producing semiconductor laminate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20200231743A1. Автор: Yoichiro Ichioka,Tamotsu Oowada. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

A semiconductor device with a via-hole or a contact-hole using FSG, and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100571385B1. Автор: 김형윤. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Semiconductor package, manufacture thereof, semiconductor chip mounting body, and manufacture thereof

Номер патента: JP2000208664A. Автор: Tsutomu Mitani,Sei Yuhaku,峰広 板垣,祐伯　　聖,善広 戸村,力 三谷,Minehiro Itagaki,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-28.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

process gas flow apparatus of semiconductor device manufacturing equipment make using of the radio frequency power, process gas flow system and method thereof

Номер патента: KR100500470B1. Автор: 박진준,최성석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-12.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

semiconductor chip electron beam evaporation device and mounting method thereof

Номер патента: CN108950487B. Автор: 李勇,刘军,李军,王明,张谦,焦莎莎,银登杰,窦金龙,贺振卿. Владелец: Zhuzhou CRRC Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

APPARATUS AND METHOD FOR DIRECT TRANSFER OF SEMICONDUCTOR DEVICES FROM A SUBSTRATE AND STACKING SEMICONDUCTOR DEVICES ON EACH OTHER

Номер патента: US20200251453A1. Автор: Huska Andrew,Peterson Cody,Adams Clinton,Kupcow Sean. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor Device and Method of Forming Stacked Semiconductor Die and Conductive Interconnect Structure Through an Encapsulant

Номер патента: US20140322865A1. Автор: Kim YoungJoon,Jeong YongHyuk,Park SangMi. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same, memory core chip and memory peripheral circuit chip

Номер патента: KR100268961B1. Автор: 토시키 모리,이치로 나카오,츠토무 후지타,레이지 세가와. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE TYPES OF TRANSISTORS FORMED IN A CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: FR2760566A1. Автор: Shuichi Ueno,Shigenobu Maeda,Yoshinori Okumura,Shigeto Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE TYPES OF TRANSISTORS FORMED IN A CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: FR2760566B1. Автор: Shuichi Ueno,Shigenobu Maeda,Yoshinori Okumura,Shigeto Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTIPLE TYPES OF TRANSISTORS FORMED IN A CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2766617A1. Автор: Shuichi Ueno,Shigenobu Maeda,Yoshinori Okumura,Shigeto Maegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-29.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A2. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Heterojunction field effect type semiconductor device having high gate turn-on voltage and low on-resistance and its manufacturing method

Номер патента: EP1424734A3. Автор: Yasunori c/o NEC Compound Semiconductor Bito. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-03-02.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

LAMINATED CHIP AND LAMINATED CHIP MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160211243A1. Автор: KANDA Takashi,Baba Shunji,KAINUMA Norio,SUWADA MAKOTO. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186296A1. Автор: Akio Watanabe,Hideko Mukaida,Yusuke Akada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including crack detection circuit

Номер патента: US20240258180A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20210280234A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230042190A1. Автор: Yutaka Moriyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11742256B2. Автор: Tomomi Okumura,Masanori OOSHIMA,Takahiro Hirano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09711500B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device for use in flip-chip bonding, which reduces lateral displacement

Номер патента: US09520381B2. Автор: Yuichi Higuchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303009A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12087735B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240355770A1. Автор: Mi-Na Choi,Heejung Hwang,Young-Deuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3940766A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200135607A1. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Shuuichi Kariyazaki,Michiaki Sugiyama,Keita TSUCHIYA,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11049786B2. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Shuuichi Kariyazaki,Michiaki Sugiyama,Keita TSUCHIYA,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12068280B2. Автор: Hideaki Kitazawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132061B2. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having stacked chips, a re-distribution layer, and penetration electrodes

Номер патента: US09917066B2. Автор: Toshio Fujii,Masaru Sasago,Yoshihiro Mori,Nobuo Aoi,Takeshi Kawabata,Takashi Yui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, in-millimeter-wave dielectric transmission device, method of manufacturing the same, and in-millimeter-wave dielectric transmission system

Номер патента: US09705202B2. Автор: Yasuhiro Okada,Hirofumi Kawamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040314B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Stacked semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754892B2. Автор: Yong-Tae Kwon,Jun-Kyu Lee. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09466546B2. Автор: Koichi Hatakeyama,Mitsuhisa Watanabe,Keiyo Kusanagi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Organic semiconductor device comprising organic-inorganic nano composite dielectric layer, organic-inorganic nano composite dielectric solution, and method thereof

Номер патента: KR100878225B1. Автор: 김선일,설영국,이내응,노화영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2009-01-13.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060071346A1. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014146A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804449B2. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246539A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304607A1. Автор: Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, structure, and manufacturing method for expanding chip heat dissipation area

Номер патента: US20240186208A1. Автор: Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215462A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8623701B2. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110304033A1. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including filling material provided in space defined by three semiconductor chips

Номер патента: US09443823B2. Автор: Norio Hatakeyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US20140084488A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US9281294B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US09905534B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3745449A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11482555B2. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-10-25.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20150069634A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Hideko Mukaida,Satoshi Tsukiyama,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: GB2629261A. Автор: MIYAWAKI Katsumi,NAGAMINE Takumi,Abe Shunichi,Higashide Seiu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180025993A1. Автор: Manabu Matsumoto,Yasutaka Shimizu,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, circuit board, and electronic appliance

Номер патента: US20050199997A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09960126B2. Автор: Manabu Matsumoto,Yasutaka Shimizu,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09503018B2. Автор: Akihisa Uchida,Tomohisa Suzuki,Toshiaki Tsutsumi,Takeshi Terasaki,Tomonori Okudaira,Tadato Yamagata,Yoshihiro Funato,Yoshiharu Kanegae. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device with protective films and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437734B2. Автор: Kiyotaka Yonekawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240784A1. Автор: Motoaki Saito. Владелец: Pezy Computing KK. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180096944A1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US8906746B2. Автор: Takashi Oda,Eiji Toyoda,Kosuke Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US20020041033A1. Автор: Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09852995B1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked via relay substrate

Номер патента: US09508670B2. Автор: Koji Hara,Yoshihiro Ihara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082892A1. Автор: Yong Woo Lee,Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US8394673B2. Автор: Irmgard Escher-Poeppel,Gerhard Josef Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304583A1. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor packaging device including via-in pad (VIP) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646941B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484331B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079370A1. Автор: Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284684A1. Автор: Masahiro Inohara,Masayuki Miura,Shinya Watanabe,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284685A1. Автор: Ryoya Hasebe,Tomoki AKIMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20090200629A1. Автор: Akihiro Morimoto,Hiroshi Asami,Yoshihiro Nabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09812490B2. Автор: Kazuichiroh Itonaga,Machiko Horiike. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210193523A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09331042B2. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369253A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182737A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE,Takeshi Kotegawa,Noriaki Sugahara. Владелец: Buffalo Memory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691708B1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing an optoelectronic semiconductor device, and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09490397B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Stephan Preuβ,Caroline Kistner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20210090663A1. Автор: Dae Seok Byeon,Jae Ick Son,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09484324B2. Автор: Toshio NAKASAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472648B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor package, semiconductor device manufacturing method, and solid-state imaging device

Номер патента: US09472585B2. Автор: Masayuki Ishikida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device including grinding semiconductor wafer

Номер патента: US09425177B2. Автор: Tadashi Koyanagi,Youkou Ito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Photoresist structure, patterned deposition layer, semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040188B2. Автор: Shengyu ZHANG,Wenlong Zhang,Yarui ZHENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225427A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150076611A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20170069588A1. Автор: Yoshihiro MONMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09754920B2. Автор: Naoki Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601636B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570414B2. Автор: Masatoshi Fukuda,Satoshi Tsukiyama,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472664B1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240258371A1. Автор: Kosaku Adachi,Nobuyuki OTSUBO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472620B1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425313B1. Автор: Yuan-Shun Chao,Chao-Hsuing Chen,Hou-Yu Chen,Chie-Iuan Lin,Kuo Lung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Article and panel comprising semiconductor chips, casting mold and methods of producing the same

Номер патента: US09362144B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-06-07.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090283895A1. Автор: Shintaro Yamamichi,Takehiko Maeda,Kentaro Mori,Hideya Murai,Katsumi Maeda,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Takuo Funaya,Yuuji Kayashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530852B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having multiple magnetic shield members

Номер патента: US09490221B2. Автор: Tadashi Arai,Yukiharu Takeuchi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130203238A1. Автор: Akira Tamenori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3817034A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395343A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180158795A1. Автор: Yasuhiko Tanaka,Masaki Nakayama,Takashi Matsui,Motoji Shiota,Seiji Muraoka,Hiroki Miyazaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653488B2. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having multiple magnetic shield members

Номер патента: US09466784B2. Автор: Tadashi Arai. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105454A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yi-Tse Hung,Meng-Zhan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080153212A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043090A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010045652A1. Автор: Yoshihiko Toyoda,Takeshi Mori,Tetsuo Fukada,Yoshiyuki Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831205B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601602B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device package including bonding layer having Ag3Sn

Номер патента: US09520377B2. Автор: Jeong-Won Yoon,Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee,Chang-mo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449882B1. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070238290A1. Автор: Tadashi Miwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices having ZQ calibration circuits and calibration methods thereof

Номер патента: US20110025373A1. Автор: Jun-Bae Kim,Yang-ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device including a magnetic tunnel junction device including a laminated structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US8383427B2. Автор: Takashi Takenaga,Takeharu Kuroiwa,Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Power converting device containing high frequency inverter and low frequency inverter connecting in parallel and the method thereof

Номер патента: US20180138805A1. Автор: Tsai-Fu Wu,Yen-Hsiang Huang,Li-Chun Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-17.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Power converting device containing high frequency inverter and low frequency inverter connecting in parallel and the method thereof

Номер патента: US20180138805A1. Автор: Tsai-Fu Wu,Yen-Hsiang Huang,Li-Chun Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-05-17.

Chip and transmittal device and control method thereof

Номер патента: TWI616028B. Автор: 吳俊儀,朱炳盈. Владелец: 新唐科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-21.

Gateway controlling chip and network packet processing method

Номер патента: US11153120B2. Автор: Tsung-Yin Su,Chen-He Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Gateway controlling chip and network packet processing method

Номер патента: US20210144027A1. Автор: Tsung-Yin Su,Chen-He Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device comprising a pressure sensor and a semiconductor chip

Номер патента: EP1003021B1. Автор: Günter Dipl.-Ing. Igel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2001-08-08.

Semiconductor device comprising a pressure sensor and a semiconductor chip

Номер патента: EP1003021A3. Автор: Günter Dipl.-Ing. Igel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2000-11-02.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory chip and test circuit and test method thereof

Номер патента: CN111292797B. Автор: 刘飞,霍宗亮,王颀,张桔萍. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-04-19.

Ultramicro-feature anti-counterfeiting chip and production method and identification method thereof

Номер патента: CN113592054A. Автор: 王浩然. Владелец: Jiangsu Zhonghuai Data Co ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

High-flux microfluidic electrophoresis screening chip and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN111250182A. Автор: 邓玉林,李永瑞,吕雪飞,赵可心. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2020-06-09.

High-power soliton frequency comb chip and pulse generation system and method thereof

Номер патента: CN112526673A. Автор: 李朝晖,黄向信,宋景翠,卓少斌,曹子晗. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-03-19.

3D printing multilayer microfluidic chip and high-throughput liposome preparation method thereof

Номер патента: CN113600251A. Автор: 陈翔,孙鑫,王丹凤,陈泽宇,肖嘉莹,单晗,林旗波,全彪. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-05.

Four-core lens optical fiber for silicon optical chip and wedge-shaped lens processing method thereof

Номер патента: CN113835153A. Автор: 宋帆,关培. Владелец: Wuhan Chuxing Optical Fiber Application Technologies Co ltd. Дата публикации: 2021-12-24.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060038277A1. Автор: Tetsuya Katoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20150204926A1. Автор: Daisuke Nakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11392478B2. Автор: Masashi Niimura,Kenshi Fukuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11726895B2. Автор: Masashi Niimura,Kenshi Fukuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device having face-down bonded and sealed semiconductor chip

Номер патента: CA1016272A. Автор: Alexander M. Intrator. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATING FILM WITH DIFFERENT STRESS LEVELS IN ADJACENT REGIONS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130032888A1. Автор: Murata Tatsunori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH STACKED STRUCTURE HAVING THROUGH ELECTRODE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120163413A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE INCLUDING A LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120301975A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor wafer dividing method and semiconductor chip without edge cracking produced by the method thereof

Номер патента: TWI222172B. Автор: Te-Tsung Chao,Shu-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Stacked Semiconductor Die and Conductive Interconnect Structure Through an Encapsulant

Номер патента: US20130069239A1. Автор: Kim YoungJoon,Jeong YongHyuk,Park SangMi. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-03-21.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Laminar flow based multichannel pressure detection chip and production and pressure detection method thereof

Номер патента: CN101819078B. Автор: 刘畅,杨军,郑小林,廖彦剑,罗洪艳,杨国清. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2012-04-18.

Packet processing chip and data storage and forwarding method thereof

Номер патента: CN101753580B. Автор: 李祥辉,董志兵,黄元波,匡可. Владелец: Fiberhome Telecommunication Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.