Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: EP1069618B1
Опубликовано: 07-09-2005
Автор(ы): Akira Nakamura, Masami Takai, Satoshi Takeda, Tatsuya 201 Juness Miyazakidai MATSUKI
Принадлежит: Ricoh Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Tamper-resistant semiconductor device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2009016589A3. Автор: Pim T. Tuyls,Nynke Verhaegh,Robertus A. M. Wolters,Johannes A. J. Van Geloven. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-15.

Tamper-resistant semiconductor device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2009016589A2. Автор: Pim T. Tuyls,Nynke Verhaegh,Robertus A. M. Wolters,Johannes A. J. Van Geloven. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20240006193A1. Автор: Hiroaki Yoshino,Shinsuke Tei. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120099243A1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Peter Baumgärtner,Alexander von Glasow,Hans-Joachim Barth,Philipp Riess,Helmut Horst Tews,Thomas Benetik,Erwin Ruderer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8748257B2. Автор: Sun-OO Kim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2005091361A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: DOW CORNING TORAY CO., LTD.. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20070273050A1. Автор: Katsutoshi Mine,Yoshitsugu Morita,Junji Nakanishi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230422510A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197012A1. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484302B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484257B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09530728B2. Автор: Yi-Nien Su,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09515081B2. Автор: Yukio Hayakawa,Yukihiro Utsuno. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230010438A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130328210A1. Автор: Woo-Seok Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09391027B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307391A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057415B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230255022A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220367491A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240105817A1. Автор: LUNG Chen,Long-Jie HONG,Yi-He Tsai,Yi-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230386994A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220238679A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230275043A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US10741508B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device, semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047343A1. Автор: Ho-Ming Tong. Владелец: Nd Hi Technologies Lab inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230069557A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230238324A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20200135538A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Yen-Chang Chu,Sheng-Chau Chen,Chin-Wei Liang,Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen,Cheng-Che Chung,Tsai-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12089417B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, its manufacture and manufacturing equipment of semiconductor device

Номер патента: JPH1116958A. Автор: Yasushi Horibe,裕史 堀部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204151A4. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-10-18.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20020123163A1. Автор: Takehiro Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-09-05.

Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CN1189951C. Автор: 藤井健博. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-02-16.

A metal fuse for semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20070063310A1. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device mounting substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5578704B2. Автор: 博貴 中山. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: JP3835432B2. Автор: 義明 森,拓也 宮川,羊平 倉島,誠 阿南,康男 山▲崎▼,徳方 波間. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200185353A1. Автор: Hayashi Ryo,AKAIKE Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIODE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2776124A1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIODE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2776124B1. Автор: Shigenobu Maeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-30.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100249047B1. Автор: 전일환,박병석,노태효,지연홍. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090141424A1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Peter Baumgärtner,Alexander von Glasow,Hans-Joachim Barth,Philipp Riess,Helmut Horst Tews,Thomas Benetik,Erwin Ruderer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4216259A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device manufacturing substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5034913B2. Автор: 順太郎 三上. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2012-09-26.

Redundancy cell of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100505567B1. Автор: 서태욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100436407B1. Автор: 이시마루가즈나리. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2004-06-16.

Interposers for semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8896089B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Tzu-Yu Wang,Tzu-Wei Chiu,Chun-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Semiconductor device, mounting structure, and manufacturing method of mounting structure

Номер патента: JP5807213B2. Автор: 太一 中村,茂昭 酒谷,誠司 藤原,彰男 古澤,隆広 松尾,松尾　隆広,藤原　誠司. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US7892892B2. Автор: Naomi Masuda,Kouichi Meguro. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20090121361A1. Автор: Naomi Masuda,Kouichi Meguro. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8446015B2. Автор: Naomi Masuda,Kouichi Meguro. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20060220230A1. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US7759161B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: WO2022264427A1. Автор: 広幸 笠間. Владелец: 株式会社新川. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1544913A2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20110062553A1. Автор: Rainer Hoffmann,Joachim Stache,Michael Burnus. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device mounting substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5991712B2. Автор: 薫 菱木. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240038721A1. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof having guard ring structure

Номер патента: US20160133583A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hung-Yi Kuo,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09419003B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Electrical interconnect structure for an embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09653438B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352339A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11721576B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150035125A1. Автор: Ema Taiji,Yoshizawa Kazutaka,Moriki Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160218069A1. Автор: Ema Taiji,Yoshizawa Kazutaka,Moriki Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Output impedance matching circuit for RF amplifier devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09911703B2. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Olivier Lembeye. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140191400A1. Автор: Chi-Ming Yang,Yu-Ming Lee,Man-Kit Leung,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF HAVING GUARD RING STRUCTURE

Номер патента: US20160133583A1. Автор: Chen Jie,CHEN Ying-Ju,Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan,Kuo Hung-Yi,WU NIEN-FANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140264895A1. Автор: Su Yi-Nien,Sung Su-Jen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180182850A1. Автор: KADOSHIMA Masaru,Fujisawa Masahiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150200164A1. Автор: Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150255390A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,Yao Hsin-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160336329A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN103996651A. Автор: 吴宪昌,李明翰,李香寰,杨士亿. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-20.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101979025B1. Автор: 김관수,정종열,신강섭,이태종,김시범,강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9129965B2. Автор: Yi-Nien Su,Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Multi-layer interconnection structure of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR0179707B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-04-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN103531578A. Автор: 陈殿豪,陈文豪,傅宗民. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20180069011A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.,GUO Ta-Pen. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150097293A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,Yao Hsin-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor devices and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20220181246A1. Автор: Christoph Wagner,Walter Hartner,Helmut Kollmann,Vincenzo Fiore,Tuncay Erdoel,Francesca Arcioni,Arif Roni,Emanuele Stavagna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chen Ming-Fa,Yuan Ching-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20200135538A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Yen-Chang Chu,Sheng-Chau Chen,Chin-Wei Liang,Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen,Cheng-Che Chung,Tsai-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150270278A1. Автор: Hayakawa Yukio,UTSUNO Yukihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150380352A1. Автор: Su Yi-Nien,Sung Su-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: KR101483365B1. Автор: 신-푸우 젱,크리스티안토 치-칭 류,슈오-마오 첸,더-컁 예,샹-윤 호우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-01-15.

Interconnections structure of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR0186081B1. Автор: 전영권. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-04-15.

Capacitor of Semiconductor Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: KR100959445B1. Автор: 강명일. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TWI657582B. Автор: 徐志安,王菘豊,江宏禮,許志成,楊育佳,陳奕升. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN103996651B. Автор: 吴宪昌,李明翰,李香寰,杨士亿. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ANTENNA AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200335459A1. Автор: Chen Meng-Tse,Shih Chao-Wen,Pu Han-Ping,Hsieh Ching-Hua,Chiu Sheng-Hsiang,Wan Albert. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device comprising capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102008840B1. Автор: 이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2019-08-08.

Air-gap semiconductor device packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: JP7297329B2. Автор: 雲翔 狄,孟彬 劉,嗣拓 許. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp Shanghai Branch. Дата публикации: 2023-06-26.

ELECTRICAL INTERCONNECT STRUCTURE FOR AN EMBEDDED SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20160056136A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,McConnelee Paul Alan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150084207A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20020033539A1. Автор: Junichi Wada,Tomio Katata,Yasushi Oikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09786515B1. Автор: Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11848310B2. Автор: Won Geol Lee,Won Chul Do,Ji Hun Yi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240194649A1. Автор: Won Geol Lee,Won Chul Do,Ji Hun Yi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor devices and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20240030148A1. Автор: Jürgen SCHREDL,Kok Kiat Koo,Julian Treu,So Seetharam Gobalakrisnan,Dexter Inciong Reynoso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113108A1. Автор: Jianping Zhang,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220115365A1. Автор: Dong Zhan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101243136B1. Автор: 겐이찌 도마루. Владелец: 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨. Дата публикации: 2013-03-15.

Semiconductor device without flag and manufacturing method thereof

Номер патента: KR940022767A. Автор: 아알. 하링스워스 탐,비. 멕쉐인 마이컬. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1994-10-21.

Lead frame, semiconductor device using same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080315381A1. Автор: Yuichi Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200185353A1. Автор: Ryo Hayashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180138138A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20170278819A1. Автор: Toyokazu Eguchi,Takuma Kawamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180323161A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11024599B2. Автор: Ryo Hayashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10937725B2. Автор: Yuya Muramatsu,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200105655A1. Автор: Yuya Muramatsu,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US09425065B2. Автор: Akira Goto,Taichi Obara,Takami Otsuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Package of semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204136A4. Автор: Hidenori Miyakawa,Takashi Akiguchi,Norihito Tsukahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20080090331A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20050194693A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178150A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023245658A1. Автор: JUN TANG,Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065148A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof same

Номер патента: WO2023283955A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11776848B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US7323365B2. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US7582955B2. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20050186702A1. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US7282389B2. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US7884011B2. Автор: Masahiko Fujisawa,Noboru Morimoto,Daisuke Kodama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3631605B2. Автор: 哲浩 山本,靖之 阪下,嘉昭 竹岡. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-03-23.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110101530A1. Автор: Masahiko Fujisawa,Noboru Morimoto,Daisuke Kodama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: CN1956173B. Автор: 藤泽雅彦,森本昇,儿玉大介. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-05-12.

Semiconductor device, electronic module and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5464338B2. Автор: 裕三 根石. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: CN100355069C. Автор: 慎烘縡. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20090302469A1. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8637986B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09437573B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Kuei-Sung CHANG,Nien-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230335517A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: JP7219991B2. Автор: 耕平 瀬山,悠二 永口. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20180102351A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20080265412A1. Автор: Hidenori Hasegawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120146231A1. Автор: Thorsten Meyer,Ludwig Heitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US9030019B2. Автор: Thorsten Meyer,Ludwig Heitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-12.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240313151A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, connection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5449958B2. Автор: 和利 伊藤,成久 元脇,良一 梶原,真二 平光,聡 松吉. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20120329207A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Richard Alfred Beaupre,Thomas Bert Gorczyca. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09997545B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09614062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230048842A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130193555A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321891A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09502502B2. Автор: Samuel C. Pan,Chao-Hsin Chien,Chen-Han CHOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-11-22.

Bipolar semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09484221B2. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Georg Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336662A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230119370A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332422A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP1792335A2. Автор: Steven T. Philips IP & Standards GmbH PEAKE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230067984A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Shun Wu Lin,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US7981746B2. Автор: Fumihiko Inoue,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321642A1. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046676B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240322017A1. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12040359B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2009070336A1. Автор: Masayuki Sato,Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09634149B2. Автор: Yuichi Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576796B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09508815B2. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266411A1. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20050224851A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258100A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chunyao Wang,Te-En CHENG,Ming-Han Chung,Shu-Ling Liao,Nai-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371978A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09548305B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Jih-Jse Lin,I-Yin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472648B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220068720A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046515B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20010013601A1. Автор: Takanori Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347387A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12133391B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9125308B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130286622A1. Автор: Hiroyuki Okabe,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094957B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180144994A1. Автор: Hyun Seung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12148671B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240304667A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12051733B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20170323924A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: EP4362115A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9991310B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180247970A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024092544A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230037526A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Three-dimensional memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11980035B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389327A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240047574A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor device, manufacturing program, and manufacturing apparatus

Номер патента: US8691628B2. Автор: Atsushi Yoshimura,Yasuo Tane,Yukio KATAMURA,Fumihiro Iwami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11856744B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240072170A1. Автор: Chia Ming Liang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Yu-Shih Wang,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389254A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US20220149190A1. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Satoshi Kuwano,Yuta FURUMURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20170092686A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9754991B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108422A1. Автор: Yang Liu,King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220285399A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12027521B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11908746B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11854816B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Shun Wu Lin,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060110A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060220A1. Автор: Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240154014A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240014043A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Shun-Wu Lin,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023133664A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240170336A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180182885A1. Автор: Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20230009347A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US4063272A. Автор: John K. Boah,Richard W. Kennedy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-12-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US7723818B2. Автор: Hermann Wendt,Armin Tilke,Frank Huebinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8507347B2. Автор: Thomas Schulz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11942529B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352485A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024055276A1. Автор: Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jian Rao,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230411457A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230387271A1. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065310A1. Автор: Yao Liang,Hung-Yu Chen,Yong Ma,Jingsheng GUO. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065149A1. Автор: Kai Hu,Haibo Guo,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11791403B2. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2601842A. Автор: PETERS Frank,Yu Guomin,Nykänen Henri,John Zilkie Aaron,Su-Chang Tsai Charles. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: EP4350909A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230282702A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chia-Chung Chen,Zi-Ang Su,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102519A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090001502A1. Автор: Lincoln O'riain,Armin Tilke,Cajetan Wagner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12021084B2. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240213344A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12027624B2. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12034063B2. Автор: Yi-Chun Chen,Wei-Han Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Wei-Ting Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8669606B2. Автор: Fumihiko Inoue,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-03-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230067696A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11855093B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150200273A1. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US7696575B2. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2006080552A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Yumiko Noda,Yoshitaka Moriya,Yasuko Watanabe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140312431A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yao-Tsung Huang,Ji-Yin Tsai,Clement Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096893A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352479A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220406920A1. Автор: Chia-Cheng CHAO,Hsin-Chieh Huang,Yu-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11842929B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096705A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Yui Yang,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ke-Chia Tseng,Hsien-Chung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device, power module and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20230253512A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240213335A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11522073B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11923440B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230387272A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023212856A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230207313A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11961899B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984483B2. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230262977A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230163195A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230403858A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150221640A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20160056255A1. Автор: Po-Jen Shih,Cheng-Chun Tsai,Hung-Hsin Liang,Fu-An Li,Ting-Hsien Chen,Mu-Kai Tung,Ben-Zu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20100330769A1. Автор: Koji Yamakawa,Soichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20090091876A1. Автор: Koji Yamakawa,Soichi Yamazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110241123A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230403859A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336476A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US8518804B2. Автор: Yuichi Urano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220013653A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: US20120100639A1. Автор: Yuichi Urano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240105795A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Jih-Sheng Yang,Jun-Ye Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12020940B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Optical device and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2518118C2. Автор: Масаеши ТЕРАДА. Владелец: Доу Корнинг Торэй Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-06-10.

Termination structure for semiconductor devices and process for manufacture thereof

Номер патента: US5940721A. Автор: Daniel M. Kinzer,Kenneth Wagers. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1999-08-17.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023066439A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240097007A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024011610A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11855179B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220352031A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230298942A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2596060A. Автор: PETERS Frank,Yu Guomin,Nykänen Henri,John Zilkie Aaron,Su-Chang Tsai Charles. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230058806A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240099024A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240072148A1. Автор: Chih-Chang Hung,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220130977A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11854899B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11856796B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240014073A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chia-Hao Yu,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024011609A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108490A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240113166A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Fast-Turn-On Floating Island Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230268448A1. Автор: Ce Wang,Kuang Sheng,Na Ren,Hengyu Wang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device including capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268379A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20040217365A1. Автор: Abdallah Ougazzaden,Charles Lentz,Padman Parayanthal,George Przybylek,Bettina Nechay. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-11-04.

Organic light-emitting layer material, coating liquid for use in forming organic light-emitting layer with organic material, organic light-emitting device produced with coating liquid, light source apparatus with organic light-emitting device, and methods for manufacture thereof

Номер патента: US9306177B2. Автор: Sukekazu Aratani,Hirotaka Sakuma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Transistor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20060211195A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-21.

Display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11871598B2. Автор: Seung Min Lee,Hee Keun Lee,Jin Taek Kim,Jung Hwan YI,Kyung Tae CHAE,Baek Hyeon LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Transistor Device and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20110284970A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-11-24.

Transistor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2006100186A1. Автор: Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-28.

Group iii nitride nanorod light emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130252363A1. Автор: Jung Ja YANG,Han Kyu Seong,Cheol Soo Sone,Hun Jae CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-26.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11917868B2. Автор: Chao Liang,Xuyang Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140167127A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Organic light emitting diode display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220037610A1. Автор: Shipan WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140167251A1. Автор: Iwata Yoshihisa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and electronic device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: CN100364086C. Автор: 汤泽秀树. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Semiconductor device and electronic device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US7279794B2. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: EP4216259B1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140252540A1. Автор: Winfried Bakalski,Anton Steltenpohl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: JP2001156091A. Автор: Masaya Sakurai,雅也 櫻井. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CN104103598A. Автор: G·拉克纳,A·毛德,H-J·舒尔策,F·J·桑托斯罗德里奎兹,J·鲍姆加特尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR20220122574A. Автор: 이태용,유지연,한이슬. Владелец: 앰코 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-09-02.

Interconnections structure of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR0179822B1. Автор: 이창재. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR102436836B1. Автор: 이태용,유지연,한이슬. Владелец: 앰코 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-08-26.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: JP3978189B2. Автор: 和利 小野澤. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CN103329267A. Автор: 铃木健司. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-25.

Hybrid semiconductor devices and method of manufacture thereof

Номер патента: TW471073B. Автор: Marie Guillot. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8586412B1. Автор: Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-19.

A multi-chip package, a semiconductor device used therein and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200525671A. Автор: Heung-Kyu Kwon,Hee-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-01.

Semiconductor device mounting structure and manufacturing method thereof, and peeling method of semiconductor device

Номер патента: JP2008311459A. Автор: 裕美 神澤,Hiromi Kanzawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180138138A1. Автор: Rinne Glenn,Balaraman Devarajan,Hames Greg. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220310538A1. Автор: CHEN Dian-Hau,Shen Hsiang-Ku,Hsiao Tsung-Chieh,Hsiao Yuan-Yang,LAI Ying-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180323161A1. Автор: Rinne Glenn,Balaraman Devarajan,Hames Greg. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180342465A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,Ryu Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101641654B1. Автор: 김동호,박성규,조병진,김아라,이규환,함명관. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2016-07-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220077074A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,Ryu Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160086900A1. Автор: Kuo Hung-Jui,Wu Kai-Chiang,Chen Yu-Feng,LU Chun-Lin. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Wu Kai-Chiang,Chen Yu-Feng,LU Chun-Lin,Ko Hung-Jui. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200176392A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,Ryu Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180277489A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,Ryu Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160379945A1. Автор: HEITZER Ludwig,MEYER Thorston. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431356B2. Автор: Hsi-Yu Kuo,Ko-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Insulating film for semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus for insulating film for semiconductor device, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5330747B2. Автор: 直紀 保田,哲也 山本,輝彦 熊田,年彦 西森,英治 信時,卓也 神山,正 嶋津,秀考 加福,敏人 藤原,慎弥 柴田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240120315A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu,Tze-Chiang HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device, semiconductor structure and manufacturing method of interconnection structure

Номер патента: CN112530856A. Автор: 杨军. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2825077B2. Автор: 淳 刈谷. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-18.

Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument

Номер патента: US20070132099A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument

Номер патента: US6972381B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150054170A1. Автор: Chen Chih-Hao,Lee Tze-Liang,Ko Chung-Chi,Hsu Kuang-Yuan,HUANG Pei-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140145346A1. Автор: Chen Jie,CHEN Ying-Ju,Chen Hsien-Wei,YU Tsung-Yuan,Kuo Hung-Yi,WU NIEN-FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180166393A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,SHIM Jae Beom. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150187701A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180277485A1. Автор: Han Yi Seul,Lee Tae Yong,Ryu Ji Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190393158A1. Автор: YOSHINO Manabu,KAWASAKI Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100861873B1. Автор: 박진호,류상욱. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-10-06.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2000022676A1. Автор: Hiroshi Oono,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Michiaki Sugiyama,Tomoko Higashino,Takafumi Nishita. Владелец: Hitachi Ulsi Engineering Corp.. Дата публикации: 2000-04-20.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW201436006A. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2014-09-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220068889A1. Автор: Do Won Chul,Lee Won Geol,Yi Ji Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

ELECTRONICS PACKAGE FOR LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200127178A1. Автор: Kapusta Christopher James,Nagarkar Kaustubh Ravindra,Tuominen Risto Ilkka Sakari. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20210210404A1. Автор: TAKAHASHI Takuya,MASUMOTO Hiroyuki,OTSUBO Yoshitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200219849A1. Автор: Do Won Chul,Lee Won Geol,Yi Ji Hun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190229031A1. Автор: TAKAHASHI Takuya,MASUMOTO Hiroyuki,OTSUBO Yoshitaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180247916A1. Автор: Do Won Chul,Lee Won Geol,Yi Ji Hun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: KR100840880B1. Автор: 에노모토요시유키,가나무라류이치. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100636776B1. Автор: 마사찌까 마스다,다마끼 와다,미찌아끼 스기야마,도모꼬 히가시노,다까후미 니시따,히로시 오오노. Владелец: 가부시기가이샤 히다치초엘에스아이시스템즈. Дата публикации: 2006-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2022082452A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US6989330B2. Автор: Ryuichi Kanamura,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100399862B1. Автор: 히데노리 모찌즈끼. Владелец: 아사히 가세이 마이크로시스템 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-09-29.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: CN104051256A. Автор: 宋述仁,苏怡年. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-17.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2001033644A1. Автор: Takahiro Yamada,Takumi Yamaguchi,Masayuki Masuyama,Hiroyoshi Komobuchi,Yoshikazu Chatani,Rieko Nishio,Hiroaki Uozumi. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023019496A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-02-23.

Light emitting device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847452B2. Автор: Masatsugu Ichikawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Mounting component, semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006310A1. Автор: Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RECESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RECESS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180190819A1. Автор: Huang Tsung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, FILM STACK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180337051A1. Автор: CHANG Yao-Wen,TSAI Cheng-Yuan,Huang Jian-Shiou. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device, wiring board and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5576334B2. Автор: 雅基 田子. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-08-20.

Semiconductor device test contactor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100969482B1. Автор: 이용준. Владелец: 이용준. Дата публикации: 2010-07-14.

Semiconductor device mounting substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6099369B2. Автор: 茂 細樅. Владелец: SH Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Mounting component, semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006310A1. Автор: Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180033762A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-01.

ULTRA-THIN EMBEDDED SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200185349A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,McConnelee Paul Alan,Chauhan Shakti Singh. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

ULTRA-THIN EMBEDDED SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150255418A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,McConnelee Paul Alan,Chauhan Shakti Singh. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170221843A1. Автор: Chang Kuei-Sung,Tsai Nien-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190244919A1. Автор: Chang Kuei-Sung,Tsai Nien-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240282589A1. Автор: Chih-Wei Chang,Ting-Yu Yeh,Han-Hsiang Huang,Chun-Hsien Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Sensor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321658A1. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20170053960A1. Автор: WAKIYAMA Satoru,Hayashi Toshihiko,NAKAMURA Takuya,JYO Naoki,SHIMIZU Kan. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2017-02-23.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20170373050A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chen Hsiao-Yun,Hsiao Yi-Li,Tung Chih-Hang,Shao Tung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2001015216A1. Автор: Yasushi Takahashi,Masahiro Koizumi,Ryoichi Kajiwara,Munehisa Kishimoto,Toshinori Hirashima. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2001-03-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN104752378A. Автор: 杨敦年,刘人诚,蔡纾婷,陈思莹,陈愉婷. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2007082854A1. Автор: Andreas Knorr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20190019775A1. Автор: KAWAMURA Takuma,EGUCHI Toyokazu. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20170278819A1. Автор: KAWAMURA Takuma,EGUCHI Toyokazu. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190279974A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190326344A1. Автор: WAKIYAMA Satoru,Hayashi Toshihiko,NAKAMURA Takuya,JYO Naoki,SHIMIZU Kan. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20060170112A1. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US7626257B2. Автор: Andreas Knorr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11476291B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Takuya Nakamura,Kan Shimizu,Satoru Wakiyama,Naoki JYO. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Air-gap-type semiconductor device packaging structure and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2020228152A1. Автор: 刘孟彬,狄云翔,许嗣拓. Владелец: 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司. Дата публикации: 2020-11-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Viswanathan Lakshminarayan,MOLLA JAYNAL A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Sensor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077013A1. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Sensor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US10672676B2. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Sensor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290699A1. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Fingerprint sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984947B2. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Fingerprint sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728476B2. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW200924129A. Автор: Masataka Hoshino,Koji Taya,Ryoto Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-01.

Handheld device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150145730A1. Автор: Albert Murray Pegg,Rayhan Behin,Eric Gary Malo,Darren Reader. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Stretchable composite conductors for flexible electronics, stretchable plasmonic devices, optical filters, and implantable devices and methods for manufacture thereof

Номер патента: US20180174699A1. Автор: Jian Zhu,Nicholas A. Kotov,Yoonseob Kim,Matthew Di Prima,Bongjun Yeom. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-06-21.

Stretchable composite conductors for flexible electronics, stretchable plasmonic devices, optical filters, and implantable devices and methods for manufacture thereof

Номер патента: US09922746B2. Автор: Jian Zhu,Nicholas A. Kotov,Yoonseob Kim,Matthew Di Prima,Bongjun Yeom. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device

Номер патента: US20060113894A1. Автор: Masafumi Morisue,Gen Fujii. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device

Номер патента: US7582904B2. Автор: Masafumi Morisue,Gen Fujii. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-01.

Tabless energy storage devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP4214786A1. Автор: Matthew Grossman,Douglas Schafer,Matthieu Moors,Bonne EGGLESTON,Andrew KALT,Daniel MACNAUGHTON. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220093604A1. Автор: Jin Xing,SUN Zhengqing. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP6613194B2. Автор: 昇 朝日,将次 仁村. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-27.

Sensor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12002725B2. Автор: Jin Seong Kim,Ji Young Chung,Jae Sung Park,Dong Joo Park,Se Hwan Hong. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2594408A. Автор: Yu Guomin. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US11966078B2. Автор: Guomin Yu. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130320554A1. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130328210A1. Автор: Shim Woo-seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140077347A1. Автор: Sakuma Masao,MEGHRO Kouichi,KASAI Junichi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Kuo Hung-Jui,Wu Kai-Chiang,Chen Yu-Feng,LU Chun-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20160071766A1. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20140209990A1. Автор: Chi-Pin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

RESIN COMPOSITION, RESIN FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20160315025A1. Автор: Kondo Kazunori,KATO Hideto,ICHIOKA Yoichiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100522223B1. Автор: 주니치 히키타,가즈타카 시바타,츠네모리 야마구치,다다히로 모리후지,오사무 미야타. Владелец: 로무 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2824696A4. Автор: Akira Mochida,Takuya Kadoguchi,Shingo Iwasaki,Tomomi Okumura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2824696A8. Автор: Akira Mochida,Takuya Kadoguchi,Shingo Iwasaki,Tomomi Okumura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR20070003800A. Автор: 가쓰토시 미네,히로지 에나미,요시쓰구 모리타,준지 나카니시. Владелец: 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드. Дата публикации: 2007-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20090008747A1. Автор: Masataka Hoshino,Koji Taya,Ryoto Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW202002031A. Автор: 林宗澍,陳琮瑜,文興 洪,顧詩章,李虹錤. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: CN104160493B. Автор: 门口卓矢,奥村知巳,岩崎真悟,持田晶良. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-22.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201208009A. Автор: Takeshi Murakami,Yasuo Yamaguchi,Mika Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Input circuits for RF amplifier devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09979361B1. Автор: Ricardo Uscola,Sai Sunil Mangaonkar. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140159220A1. Автор: Knott Bernhard,Willkofer Stefan,Strasser Andreas,Wahl Uwe,Hammer Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Lo Yi-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200105655A1. Автор: Besshi Noriyuki,Muramatsu Yuya,ISHII Ryuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20170162461A1. Автор: Schwab Stefan,Hutter Herbert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20210202315A1. Автор: CHANG CHIH-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140306327A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,Lackner Gerald,Baumgartl Johannes. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100461220B1. Автор: 후꾸이야스끼,나라이아쯔야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-12-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: ES342653A1. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-12-01.

Semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: KR100239128B1. Автор: 히사오 도미자와. Владелец: 고타니 고이치. Дата публикации: 2000-01-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TWI506746B. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: Intel Mobile Comm Gmbh. Дата публикации: 2015-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP0890989A1. Автор: Osamu Rohm Co. Ltd. MIYATA,Junichi Rohm Co. Ltd. HIKITA,Kazutaka Rohm Co. Ltd. SHIBATA,Tsunemori Rohm Co. Ltd. YAMAGUCHI,Tadahiro Rohm Co. Ltd. MORIFUJI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-01-13.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO1998033217A1. Автор: Kazutaka Shibata,Junichi Hikita,Osamu Miyata,Tsunemori Yamaguchi,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 1998-07-30.

Integrated iii-v / silicon optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210181546A1. Автор: Frank Peters,Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Enhancement mode III-nitride device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09425281B2. Автор: Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor Device, Integrated Circuit and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140048904A1. Автор: Zundel Markus,Meyer Thorsten,IRSIGLER Peter,Meiser Andreas,Lang Hans-Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN105632947A. Автор: 尤文胜. Владелец: Hefei Zuan Investment Partnership Enterprise. Дата публикации: 2016-06-01.

Semiconductor device, lead frame, and manufacturing method for the lead frame

Номер патента: TW200910566A. Автор: Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2009-03-01.

Fingerprint sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304577A1. Автор: Sung Sun Park,Ji Young Chung,Christopher Berry. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor-device manufacturing method and manufacturing device

Номер патента: TW201830540A. Автор: 中村智宣,島津武仁,魚本幸. Владелец: 國立大學法人東北大學. Дата публикации: 2018-08-16.

SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20200006282A1. Автор: Nakamura Tomonori,SHIMATSU Takehito,UOMOTO Miyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Fingerprint sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990435B2. Автор: Sung Sun Park,Ji Young Chung,Christopher Berry. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140113411A1. Автор: Masuda Naomi,HOSHINO Masataka,FUKUYAMA Ryota. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100871551B1. Автор: 심천만. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150348943A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Hsu Tzu-Hsuan,YEH Chao-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device, electronic apparatus, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20110073975A1. Автор: Hideko Mukaida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094782B2. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570319B2. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11967533B2. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

III-V semiconductor layers, III-V semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09876088B1. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09887084B2. Автор: Georgios Vellianitis,Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230118276A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor substrate, manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor substrate, semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240203732A1. Автор: Toshihiro Kobayashi,Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Yuta Aoki,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

High voltage semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20080135971A1. Автор: Hiroyoshi Ogura,Hisaji Nishimura,Akira Ohdaira. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A4. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof, and power conversion apparatus

Номер патента: US20190259872A1. Автор: Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW200737514A. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Chen-Bau Wu,Chien-Shao Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TWI304603B. Автор: Nakayama Junichiro. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW200531272A. Автор: Makoto Takayama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2005-09-16.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TWI279002B. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW200415708A. Автор: Junichiro Nakayama. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW442922B. Автор: Takanori Saeki. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-06-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TWI302019B. Автор: Mong Song Liang,Jim Huang,Yu Lien Huang,Hun Jan Tao,Ling Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW200937524A. Автор: Masayuki Sato,Takayuki Maruyama,Famihiko Inoue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-09-01.

Semiconductor device and semiconductor micro actuator, semiconductor micro valve and semiconductor micro relay using thereof, semiconductor device manufacturing method and manufacturing method of semiconductor micro actuator

Номер патента: KR100414513B1. Автор: 도모나리시게아끼,요시다히또시,가마꾸라마사나오,가와다히로시,사이또마사아끼,노부또끼가즈히로,오기하라준,나가오슈이찌. Владелец: 마츠시다 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-01-13.

Capacitors and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140004670A1. Автор: Martin Ostermayr,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device manufacturing program, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP2021144200A. Автор: 正和 濱崎,Masakazu Hamazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US8242550B2. Автор: Thomas Schiml,Manfred Eller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070085128A1. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byung-Jun Park,Ho-Seok Lee,Il-Young Kwon,Hyeong-Soo Kim,Hyung-Bok Choi,Dong-Sauk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240120407A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240145576A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230386932A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, driver circuit and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20060180862A1. Автор: Tetsuya Nitta,Yasunori Yamashita,Shinichiro Yanagi,Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor luminous element and method for manufacture thereof, and semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: KR100866269B1. Автор: 스즈키야스히코,고토오사무,아사노타케하루,타케야모토노부,시부야카츠요시,미즈노타카시,토조츠요시,우치다시로,이케다마사오. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2008-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10854730B2. Автор: Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200006526A1. Автор: Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device, camera module, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110304003A1. Автор: Hideo Numata,Naoko Yamaguchi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Iii-v semiconductor layers, iii-v semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20180108747A1. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

III-V semiconductor layers, III-V semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US10475897B2. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8172946B2. Автор: Mikio Ohno,Yoshikazu Takashima,Tomoshi Taniyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: KR20180119471A. Автор: 요시히데 야마구치. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2018-11-02.

Semiconductor device having pocket and manufacture thereof

Номер патента: TW536760B. Автор: Kenichi Okabe,Hajime Wada,Kou Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240162308A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Yi-Hsien Chen,Ta-Chun Lin,Shih-Hsun Chang,Jen-Hsiang Lu,Li-Ying WU,Pin Chun Shen,Wen-Chiang Hong,Che Chia Chang,Chun-Wing YEUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, semiconductor system, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP4888390B2. Автор: 成生 佐藤. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US5258644A. Автор: Yutaka Kobayashi,Tetsurou Matsumoto,Akihiro Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-02.

Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20070063199A1. Автор: Kenji Kasahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Iii-v semiconductor layers, iii-v semiconductor device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20190245037A1. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR JUNCTION ELEMENT

Номер патента: US20130126864A1. Автор: Naito Takashi,Aoyagi Takuya,Yamamoto Hiroki,FUJIEDA Tadashi,MIYATA Motoyuki. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-23.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Uematsu Koji,NAKAHATA Seiji,Osada Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor Device, Power Circuit, And Manufacturing Method Of Semiconductor Device

Номер патента: US20160027922A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Kei,Ito Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Iii-v semiconductor layers, iii-v semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20200058750A1. Автор: Martin Christopher Holland,Mark Van Dal,Matthias Passlack. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

III-V SEMICONDUCTOR LAYERS, III-V SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180108747A1. Автор: Passlack Matthias,Van Dal Mark,Holland Martin Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

III-V SEMICONDUCTOR LAYERS, III-V SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180151669A1. Автор: Doornbos Gerben,Passlack Matthias,Van Dal Mark,Holland Martin Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Device, Power Circuit, And Manufacturing Method Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140239299A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshiaki Ito,Kei Takashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

III-V SEMICONDUCTOR LAYERS, III-V SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190245037A1. Автор: Doornbos Gerben,Passlack Matthias,Van Dal Mark,Holland Martin Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8723173B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Transistor, semiconductor device comprising transistor and manufacturing methods for transistor and semiconductor device

Номер патента: CN102569393B. Автор: 朱慧珑,钟汇才,梁擎擎. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-14.

Crystalline semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: CN101043026B. Автор: 森若智昭. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Solid-state image sensor and method for manufacturing thereof as well as semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8030726B2. Автор: Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: KR101811197B1. Автор: šœ페이 야마자키,？페이 야마자키,케이 다카하시,요시아키 이토. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2017-12-22.

Semiconductor device, display module, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI290361B. Автор: Yasuhiko Tanaka,Kenji Toyosawa. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-11-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20080023777A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device, IC card and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: TW535297B. Автор: Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Shinichi Minami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-01.

Heat dissipation material and method of manufacturing thereof, and electronic device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09635784B2. Автор: Shinichi Hirose,Yoshitaka Yamaguchi,Masaaki Norimatsu,Taisuke Iwai,Yohei Yagishita,Yukie SAKITA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE

Номер патента: US20150024520A1. Автор: Tsuji Takashi,TANAKA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200312966A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing device

Номер патента: TWI496203B. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20040126945A1. Автор: Hiroshi Shibata,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing device for marking a crystal defect

Номер патента: US9431348B2. Автор: Atsushi Tanaka,Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device, manufacturing program, and manufacturing apparatus

Номер патента: TW201225189A. Автор: Atsushi Yoshimura,Yasuo Tane,Yukio KATAMURA,Fumihiro Iwami. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-06-16.

Semiconductor Substrate including plural insulating regions in the substrate, semiconductor device using thereof and manufacturing method the same

Номер патента: KR100834742B1. Автор: 이원창. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-05.

Resin composition, resin film, semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160315025A1. Автор: Kazunori Kondo,Hideto Kato,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8004047B2. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-08-23.

Mask for manufacturing semiconductor devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US5352550A. Автор: Yoshihiko Okamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US7986004B2. Автор: Hiroyoshi Ogura,Hisaji Nishimura,Akira Ohdaira. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: JPWO2007043709A1. Автор: 隆史 中川. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP2041780A2. Автор: Jan Sonsky,Gerben Doornbos. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING EQUIPMENT

Номер патента: US20130193612A1. Автор: Watabe Hiroshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20150079701A1. Автор: Yamashita Daisuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-03-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20140242779A1. Автор: Higashi Kazuyuki,ENDO Mitsuyoshi,NAKAMURA Kenro,SHIRONO Takashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-28.

Sloped Field Plate and Contact Structures for Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180204915A1. Автор: Curatola Gilberto,Prechtl Gerhard,Heinle Jens Ulrich. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND POWER CONVERSION APPARATUS

Номер патента: US20190259872A1. Автор: Kagawa Yasuhiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP4205914B2. Автор: 創一 ▲片▼桐,宇唯 山口. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: KR19980077717A. Автор: 박영규,김재욱,한찬희,양창집. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-16.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP5070702B2. Автор: 充明 堀. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: KR100303111B1. Автор: 순페이 야마자끼,코히지로 타나카. Владелец: 순페이 야마자끼. Дата публикации: 2001-12-17.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: WO2005112088A1. Автор: Hiroyuki Ito,Tomohiro Okumura,Ichiro Nakayama,Bunji Mizuno,Yuichiro Sasaki,Cheng-Guo Jin,Katsumi Okashita,Hisataka Kanada. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3087719B2. Автор: 信和 伊藤. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-11.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP6083129B2. Автор: 崇 辻,敦之 田中. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-22.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: KR20220015449A. Автор: 히토시 무라타,마사아키 우에노,야스오 구니이,마사히로 스에미츠. Владелец: 오사까 가스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2022139255A. Автор: Eiichi Yamamoto,栄一 山本,Takahiko Mitsui,翼 坂東,Tsubasa Bando,貴彦 三井. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2022-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3472482B2. Автор: 俊郎 中西,健一 日数谷,聡 大久保,清 入野,龍也 川村,太郎 杉崎,金剛 高崎. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor device and and manufacture method

Номер патента: CN103400857B. Автор: 山崎舜平,细羽幸,平石铃之介. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: KR20220015447A. Автор: 히토시 무라타,마사아키 우에노,야스오 구니이. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing system thereof

Номер патента: KR100306832B1. Автор: 순페이 야마자키,사토시 테라모토,나오토 쿠수모토,히데토 오너마. Владелец: 야마자끼 순페이. Дата публикации: 2001-12-17.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP6527075B2. Автор: 勝広 佐藤,康人 吉水,弘恭 飯森. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-05.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: KR20070011505A. Автор: 유이치로 사사키,이치로 나카야마,히로유키 이토,쳉-구오 진,번지 미즈노,토모히로 오쿠무라,카츠미 오카시타,히사타카 카나다. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-01-24.

Antenna and manufacturing method thereof, semiconductor device including antenna and manufacturing method thereof, and radio communication system

Номер патента: US20070122960A1. Автор: Tomoyuki Aoki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3997859B2. Автор: 勝 伊澤,賢悦 横川,義典 桃井. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-10-24.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: JP5169097B2. Автор: 登志雄 上田,昌紀 上野,容子 渡邊. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: JP4515790B2. Автор: 哲也 黒澤,紀子 清水,真也 田久. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-04.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing system

Номер патента: JP5178760B2. Автор: ハレン，リチャード，ヨハネス，フランシスカス ヴァン,シューエル，ハリー,テナー，マンフレッド，ガウェイン,デュサ，ミルチア,ドイチェヴァ，マヤ，アンゲロヴァ. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2013-04-10.

Manufacturing method of laminated substrate, and semiconductor device for module and manufacturing apparatus

Номер патента: CN1691877A. Автор: 西井利浩,木村润一,原田真二,森敏彦,北川元祥,西村干夫,本城和彦. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing system thereof

Номер патента: KR960039437A. Автор: 슌페이 야마자키,사토시 테라모토,나오토 쿠수모토,히데토 오너마. Владелец: 한도타이 에네루기 겐쿠쇼 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-11-25.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: JP7224694B2. Автор: 耕平 瀬山,悠二 永口. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2023-02-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240021600A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Jia-Hong Gao,Po-Hsien Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230317827A1. Автор: Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Chen-Wei Pan,Chi-Ming Huang,Chun-I Liu,Chih-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: GB9522520D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-01-03.

Capacitors and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090294820A1. Автор: Martin Ostermayr,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130193493A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130224941A1. Автор: HARADA Shin,Honaga Misako. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SAME MANUFACTURED THEREOF

Номер патента: US20130248878A1. Автор: Jang Taehoon,Eum Youngshin. Владелец: LG Electronic Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130288430A1. Автор: MEGURO Kouichi,ONODERA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130328166A1. Автор: Knott Bernhard,Willkofer Stefan,Strasser Andreas,Wahl Uwe,Hammer Markus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-12.

Band Engineered Semiconductor Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140077332A1. Автор: Benjamin Vincent,Geert Hellings,David Brunco. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150041803A1. Автор: Sato Yuichi,NODA Kosei,ENDO Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220068720A1. Автор: LIN SHIH-YAO,Ku Shu-Yuan,Jang Shu-Uei. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220102519A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Lee Hsiao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2022-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20220149190A1. Автор: FURUMURA Yuta,Nishiwaki Tsuyoshi,KUWANO Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140183633A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Yen-Yu Chen,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Wan-Chun Pan,Hsiang-Pi Chang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Transistors, Semiconductor Devices, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160118487A1. Автор: Gerben Doornbos,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Band Engineered Semiconductor Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150126010A1. Автор: Vincent Benjamin,Hellings Geert,Brunco David Paul. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

CONDUCTIVE PASTE FOR FRONT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140220732A1. Автор: LIU Xiaoli,Li Delin,Guo Ran. Владелец: Soltrium Technology, LTD. Shenzhen. Дата публикации: 2014-08-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180144994A1. Автор: SONG Hyun Seung. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140235049A1. Автор: Wu Hsien-Chang,Lee Hsiang-Huan,YANG Shin-Yi,Lee Ming Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

CONDUCTIVE PASTE FOR FRONT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150162481A1. Автор: LIU Xiaoli,Li Delin. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150171084A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Chang Ming-Ching,LIN Jih-Jse,LIN Yu Chao,Lu I-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140252377A1. Автор: Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi,ICHIKAWA Hiroyuki,KOUCHI Tsuyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220310806A1. Автор: YANG Sheng-Jier. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220310819A1. Автор: Chang Ming-Ching,LIN SHIH-YAO,Lee Hsiao Wen,Cheng Yu-Shan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150179776A1. Автор: Isobe Atsuo,Sasaki Toshinari,Sasagawa Shinya,ISHIZUKA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180182885A1. Автор: Kobayashi Yusuke. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-28.

BIPOLAR JUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20170186648A1. Автор: Yoo Ji-Hyoung,Fu Daping,Lian Yanjie. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150214342A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150236151A1. Автор: Stevanovic Ljubisa Dragoljub,Beaupre Richard Alfred,Gorczyca Thomas Bert,ARTHUR STEPHEN DALEY,Stum Zachary Matthew,Bolotnikov Alexander Viktorovich,MCMAHON James Jay. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180247970A1. Автор: KASAI Hiroki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160336177A1. Автор: VELLIANITIS Georgios,Holland Martin Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170338203A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chen Ming-Fa,Yuan Ching-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190326437A1. Автор: LIU Chi-Wen,Huang Shih-Hsien,Yeh Hung-Yu,TSAI Chung-En,WONG I-Hsieh,LIU Cheewee,LAN Huang-Siang. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220352031A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Lee Hsiao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100552839B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6579736B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101407698B1. Автор: 김승환,송영호,전성란,양계모. Владелец: 한국광기술원. Дата публикации: 2014-06-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: KR102344881B1. Автор: 김정환,남궁현,김동겸,지정근,양한빛,유지만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-12-29.

Transistor of a semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100824919B1. Автор: 심성보. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-23.

Wiring over substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: KR101102783B1. Автор: 신야 사사가와,사토루 오카모토,시게하루 모노에. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR20010039857A. Автор: 시바타히로시,이소베아츠오. Владелец: 야마자끼 순페이. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR102106828B1. Автор: 신야 사사가와,아츠오 이소베,도시나리 사사끼,아끼히로 이시즈까. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2020-05-07.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR102055086B1. Автор: 김관수,정종열,신강섭,이태종,김시범,강양범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20110114964A1. Автор: Hiroshi Shibata,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100695047B1. Автор: 다키자와테루오,시마다히로유키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR930007524B1. Автор: 타이지 에마. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1993-08-12.

Semiconductor device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: KR101576675B1. Автор: 윤여조. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2015-12-21.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1100128A1. Автор: Hiroshi Iwata,Seizo Kakimoto,Masayuki LM Nara Yasuraginomichi 201 NAKANO,Kouichiro Adachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

A semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB2323850B. Автор: Hidemitsu Aoki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-20.

Transistors, Semiconductor Devices, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: KR101397334B1. Автор: 저벤 도른보스,리차드 케니스 옥슬란드. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-05-19.

Gate line of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100632046B1. Автор: 이상범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: KR100349768B1. Автор: 이와타히로시,가키모토세이조,나카노마사유키,아다치고이치로. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US8164100B2. Автор: Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Multi-trench semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US10957685B2. Автор: Wolfgang Schnitt,Zhihao Pan,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Jochen Wynants,Tobias Sprogies,Thomas Igel-Holtzendorff,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-03-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2004042825A1. Автор: Eddie Huang,Sandra M. Crosbie. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-05-21.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: CN101140933B. Автор: 陈晓萌,金炳烈,大谷洋一. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-19.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US7883987B2. Автор: Hermann Wendt,Armin Tilke,Frank Huebinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2804214A4. Автор: Yasuhiro Hirabayashi,Akinori Sakakibara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Wiring over substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: CN100474559C. Автор: 笹川慎也,冈本悟,物江滋春. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8889497B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Yen-Yu Chen,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Wan-Chun Pan,Hsiang-Pi Chang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor devices and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100446654B1. Автор: 정순욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-09-04.

Transistor of a semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR20030040919A. Автор: 서재범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TWI525829B. Автор: 蔡騰群,朱熙甯,潘婉君,江國誠,陳繼元,林國楹,張翔筆,陳彥友,欒洪發. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-03-11.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101972759B1. Автор: 신야 사사가와,아츠오 이소베,도시나리 사사끼,아끼히로 이시즈까. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2019-09-02.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US6730581B2. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US7579241B2. Автор: Katsuhiko Hieda,Daisuke Hagishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9006803B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20050224796A1. Автор: Hideomi Suzawa,Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma,Naoaki Yamaguchi,Hideto Ohnuma,Hideki Uochi,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Band engineered semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8963225B2. Автор: Benjamin Vincent,David Paul Brunco,Geert Hellings. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9818603B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Wei-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100779395B1. Автор: 전행림. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-11-23.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1969622A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR101154870B1. Автор: 한철구,최홍구. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2012-06-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230069279A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Vertical Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: CN104425627A. Автор: J.康拉特,R.西米尼克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2777675A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230253500A1. Автор: Chi-Wen Liu,Shih-Hsien Huang,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Chung-En TSAI,Hung-Yu Yeh,Huang-Siang LAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW202002245A. Автор: 瀧澤直樹,齋藤朋也. Владелец: 日商瑞薩電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW533459B. Автор: Takashi Uehara,Hiroshi Maeda,Toshiyuki Oashi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1969622B1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Kromek Ltd. Дата публикации: 2018-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR20190037214A. Автор: 신야 사사가와,아츠오 이소베,도시나리 사사끼,아끼히로 이시즈까. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2019-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR20120031450A. Автор: 나오토 사이토. Владелец: 세이코 인스트루 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR101480077B1. Автор: 이정희,김동석,강희성,조영우,김륜희. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-01-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230246092A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023082203A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW200931647A. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-16.

Silicon carbide semiconductor device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: WO2015126575A2. Автор: Stephen Daley Arthur,Richard Alfred Beaupre,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Zachary Matthew Stum,James Jay McMahon,Thomas Bert GROCZYCA. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8273627B2. Автор: Yukihiro Utsuno. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-09-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: GB201415753D0. Автор: . Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW538531B. Автор: Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Kazunobu Hori,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210043630A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2021025797A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Light emitting display device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332313A1. Автор: Sung Chul Hong,Do Yeong PARK,Ki Hyun PYO,Kyung-Bae KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor electronic devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09978600B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor electronic devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09530649B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130203221A1. Автор: CHENG Kai,Degroote Stefan. Владелец: IIMEC. Дата публикации: 2013-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130221431A1. Автор: KAWANO Takahiro,SAKAI Takayuki,Okumura Hideki,MUSHA Yuta. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130221480A1. Автор: Maynollo Josef. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140021476A1. Автор: Isobe Atsuo,Shibata Hiroshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140048859A1. Автор: NAKANO Yoko. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140061735A1. Автор: Witters Liesbeth,Vos Rita,Brunco David,VAN DAL Marcus Johannes Henricus. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Lee Ya Jui,Chen Kaun Fu. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20200006526A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,HISAMOTO Digh. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF USING A FLOWABLE MATERIAL DURING THE CONTROL GATE REMOVAL FOR WORD LINE END FORMATION

Номер патента: US20160020216A1. Автор: Han Tzung-Ting,Hung Yu-Min,HSU Yu-Wei,Lin Shang-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20160056255A1. Автор: Shih Po-Jen,Tsai Cheng-Chun,LIANG HUNG-HSIN,LI Fu-An,CHEN Ting-Hsien,TUNG Mu-Kai,WANG Ben-Zu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Vertical Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150061089A1. Автор: Siemieniec Ralf,Konrath Jens Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160064564A1. Автор: Eller Manfred,Han Jin-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150084039A1. Автор: Miyamoto Mitsunobu,Nakazawa Makoto,UCHIDA SEIICHI,Ogawa Yasuyuki,Takamaru Yutaka,Mori Shigeyasu,Miyamoto Tadayoshi,ITO Kazuatsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20170092686A1. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20160104780A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Timme Hans-Joerg,Santos Rodriguez Francisco Javier,Hirler Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140203366A1. Автор: Schulz Thomas,Luan Hongfa. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20160133656A1. Автор: Isobe Atsuo,Shibata Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20160141412A1. Автор: Hung Chien-Chung,Yen Cheng-Tyng,Lee Chwan-Ying,HUNG Hsiang-Ting,Huang Yao-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220293594A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170154772A1. Автор: VELLIANITIS Georgios,Holland Martin Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220302276A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Lee Hsiao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20170179145A1. Автор: CHEE Boon Jiew. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140273366A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Wang Chih-hao,CHANG Huicheng,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Wang Li-Ting,Chen Chi-Yuan,Lin Kuo-Yin,Pan Wan-Chun,LIN CHENG-TUNG,YEN Ming-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197012A1. Автор: BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,Yao Hsin-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160197079A1. Автор: MING-CHING Chang,yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Jih-Jse Lin,I-Yin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Bipolar Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150200247A1. Автор: Schmidt Gerhard,Bauer Josef Georg. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150221525A1. Автор: Goto Akira,OTSUKI Takami,OBARA Taichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Thereof

Номер патента: US20150221640A1. Автор: Shih Po-Jen,Tsai Cheng-Chun,LIANG HUNG-HSIN,LI Fu-An,CHEN Ting-Hsien,TUNG Mu-Kai,WANG Ben-Zu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-06.

Composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20170221705A1. Автор: Mie Matsuo,Atsuko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20170221707A1. Автор: Sato Yuichi,NODA Kosei,ENDO Yuta. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140312431A1. Автор: KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,Huang Yao-Tsung,Wann Clement. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150243655A1. Автор: Martin Andreas,Hodel Uwe,Heinrigs Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150255581A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Wei-Chi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20210335674A1. Автор: LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Ku Shu-Yuan,YANG I-Wei,Jang Shu-Uei,Tsai Ya-Yi. Владелец: Taiwan Semicondutor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2021-10-28.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20160276436A1. Автор: PAN Samuel C.,Chien Chao-Hsin,CHOU Chen-Han. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20170278968A1. Автор: LIU Chi-Wen,Huang Shih-Hsien,Yeh Hung-Yu,TSAI Chung-En,WONG I-Hsieh,LIU Cheewee,LAN Huang-Siang. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20180286683A1. Автор: MATSUNAGA Shinichiro. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20170323924A1. Автор: KASAI Hiroki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190378851A1. Автор: TAKIZAWA Naoki,SAITO Tomoya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220359306A1. Автор: LIN SHIH-YAO,Ku Shu-Yuan,Jang Shu-Uei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220359712A1. Автор: Wang Chih-hao,Cheng Kuan-Lun,Chiang Kuo-Cheng,PAN Kuan-Ting,JHAN Yi-Ruei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220367672A1. Автор: Chen Chen-Ping,LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Kao Kuei-Yu,Lee Hsiao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220415716A1. Автор: LIN SHIH-YAO,Ku Shu-Yuan,Jang Shu-Uei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-12-29.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20220415889A1. Автор: Wang Tzu-Chung,Chang Ming-Ching,LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Ku Shu-Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR920006736B1. Автор: 김성태,최수한. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1992-08-17.

A semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100663879B1. Автор: 시바타히로시,이소베아츠오. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2007-01-03.

Inter-layer dielectric layer of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100746628B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR101223417B1. Автор: 이종욱,손용훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100383773B1. Автор: 김의식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20230011293A1. Автор: Chen Chao-Cheng,Chang Ming-Ching,LIN SHIH-YAO,LIN Chih-Han,Kao Kuei-Yu,Lu Wei-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20100197100A1. Автор: Oh Jung Kwon,Jin-Ping Han,Henry Utomo,O. Sung Kwon,Judson Robert Holt,Thomas N. Adam. Владелец: Adam Thomas N. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: KR100594924B1. Автор: 나까야마준이찌로. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-06-30.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20040188699A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Kanto Sanyo Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220223587A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

A power semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100304718B1. Автор: 최창성. Владелец: 김덕중. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN1711643A. Автор: E·黄,S·M·克罗斯比. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2013105350A1. Автор: 明徳 榊原,康弘 平林. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230061497A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20070015302A1. Автор: Kazuo Nishi,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023035102A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: NL8800157A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1989-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100758496B1. Автор: 최기준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-12.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20100136761A1. Автор: Jin-Ping Han. Владелец: Jin-Ping Han. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: KR101745795B1. Автор: 차오신 치엔,첸한 쵸우,사무엘 씨 팬. Владелец: 네이셔널 치아오 텅 유니버시티. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP2293339A2. Автор: Thomas Schulz,Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20080211030A1. Автор: Kazutaka Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: NL8701251A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-12-16.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US8188511B2. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2009107086A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9659962B2. Автор: Thomas Schulz,Hongfa Luan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: DE102011088867B4. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US8580626B2. Автор: Kai Cheng,Stefan Degroote. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10699904B2. Автор: Yuichi Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW202320134A. Автор: 陳仲誠,郭民松,洪義凱,陳柏瑋. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2023-05-16.

Trench gate semiconductor device and method of manufacturing thereof.

Номер патента: WO2009144640A1. Автор: Jan Sonsky,Eero Saarnilehto. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US7659169B2. Автор: Radu Surdeanu,Erwin Hijzen,Michael Antoine Zandt,Raymond Josephus Hueting. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9917191B2. Автор: Jin-Ping Han,Manfred Eller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: KR100674061B1. Автор: 준이찌로 나까야마. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090032841A1. Автор: Jin-Ping Han,Manfred Eller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-02-05.

Trench gate semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP2286455B1. Автор: Jan Sonsky,Eero Saarnilehto. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-10.

Wiring over substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20050245087A1. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Shigeharu Monoe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: TW200701401A. Автор: Yu-Lien Huang,Mong-Song Liang,Hun-Jan Tao,Jim Huang,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-01.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2000001015A1. Автор: Hiroshi Iwata,Masayuki Nakano,Seizo Kakimoto,Kouichiro Adachi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2000-01-06.

Silicon carbide semiconductor device, and methods for manufacturing thereof

Номер патента: WO2015126575A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Richard Alfred Beaupre,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Zachary Matthew Stum,James Jay McMahon,Thomas Bert GROCZYCA. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-10-29.

Termination structure for semiconductor devices and process for manufacture thereof

Номер патента: US6180981B1. Автор: Daniel M. Kinzer,Kenneth Wagers. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20090065870A1. Автор: Thomas Schulz,Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100756844B1. Автор: 김양환. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor device, and method for manufacturing thereof

Номер патента: CN101180641B. Автор: 山崎舜平,荒井康行,渡边康子,守屋芳隆,野田由美子. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-08.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20100219484A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR20100079380A. Автор: 윤여조. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: EP1677361A2. Автор: Masaaki Niwa,Masaru Moriwaki,Masafumi Kubota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US7196384B2. Автор: Natsuki Yokoyama,Tsuyoshi Yamauchi,Toshiyuki Mine,Jiro Yugami,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR101716113B1. Автор: 윤보언,한정남,송명근,박상진. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TW200926420A. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Katsuhide Sone. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-16.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: GB9802396D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: TWI259579B. Автор: Makoto Takayama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-08-01.

Vertical-conduction integrated electronic device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20120049940A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-03-01.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793458B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Yi Ming Chen,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Graphene nanoribbon electronic device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09786797B2. Автор: Naoki Harada,Hideyuki JIPPO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Light-emitting device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09614127B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chia-Liang Hsu,Chih-Chiang Lu,Yi Ming Chen,Tzu Chieh Hsu,Yao-Ning CHAN,Hsin-Chih CHIU,Chun-Hsien CHANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Opto-electrical device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09437510B2. Автор: Herbert Lifka,Jeroen Van Den Brand,Edward Willem Albert Young. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2016-09-06.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258418A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical gate all around (VGAA) devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09536738B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Lien Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Heterogeneous substrate, nitride-based semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120086017A1. Автор: Sung Min Hwang,Jae Hyoun Park,Kwang Hyeon BAIK,Yong Gon SEO,Hyung Do YOON. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2012-04-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINTING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130234248A1. Автор: Suzuki Satoshi,Suzuki Nobuyuki,Ohmura Masanobu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-09-12.

RESISTANCE VARIABLE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING IT AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR

Номер патента: US20150001456A1. Автор: Tada Munehiro,BANNO Naoki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200006466A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE LAYOUT STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Qian Gang,Miao Yiming,Sun Yanlin,Chen Xubo. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210083042A1. Автор: Wu Wei Cheng,Lin Meng-Han,Chiu Te-Hsin,CHEN TE-AN. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor Device Having Electrode and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140239417A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Wang Pai-Chieh,Wen Tsung Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINTING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150200273A1. Автор: Suzuki Satoshi,Suzuki Nobuyuki,Ohmura Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, FILM STACK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170194152A1. Автор: CHANG Yao-Wen,TSAI Cheng-Yuan,Huang Jian-Shiou. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor Device Having Electrode and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160254360A1. Автор: CHEN Jyh-Huei,Wang Pai-Chieh,Wen Tsung Yao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device, mos capacitor, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20180374964A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100559270B1. Автор: 가지따아끼히로,야마다마사끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-03-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE PREVENTING UNLOCKING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2750799A1. Автор: Hideki Nakamura,Tadaharu Minato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-01-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PREVENTING UNLOCKING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2750799B1. Автор: Hideki Nakamura,Tadaharu Minato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-13.

Semiconductor device including capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4884104B2. Автор: 文生 王. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof.

Номер патента: EP0642167A3. Автор: Yasuhiro Shimada,Akihiro Matsuda,Koji Arita,Tatsuo Otsuki,Toru Nasu,Taketoshi Matsuura,Eiji Fujii,Yasuhiro Uemoto,Atsuo Inoue,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-06-28.

Surface protective film, resin encapsulated semiconductor device having same, and manufacturing method thereof

Номер патента: KR960007653A. Автор: 쥰 다나까,후미오 가따오까,게이꼬 이소다,하루히꼬 긱가와,이시오 오바라. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1996-03-22.

Semiconductor device with mosfet and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100265523B1. Автор: 노리후미 사또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-09-15.

Semiconductor device with capacitor and manufacturing method therefor

Номер патента: DE10359276A1. Автор: Yutaka Inaba,Kazuhiro Aihara,Junichi Tsuchimoto,Kazutoshi Wakao. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9941372B2. Автор: Jyh-Huei Chen,Pai-Chieh Wang,Tsung Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device array substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: KR100693236B1. Автор: 가와무라데쯔야. Владелец: 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor device, integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102013108946A1. Автор: Thorsten Meyer,Hans-Peter Lang,Andreas Meiser,Markus Zundel,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111463174A. Автор: 张国旗,王文博,孙跃. Владелец: Shenzhen Third Generation Semiconductor Research Institute. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device, chip, apparatus and manufacturing method

Номер патента: CN113299732A. Автор: 曾丹,史波,敖利波,陈道坤. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING FRAMEWORK AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: DE102015108690A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with insulator and manufacturing method therefor

Номер патента: TW200401395A. Автор: Hiroshi Tobimatsu,Yoshio Hayashide,Mahito Sawada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-16.

Vertical gate all around (VGAA) devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09899489B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Cheng-Long Chen,Ming-Shan Shieh,Chin-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor Devices, Transistors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061035A1. Автор: HUANG Ching-Kun,YU Hung-Chih,Lin Shih-Che. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Spin orbit torque mram and manufacture thereof

Номер патента: EP3884530A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

ceramic part for apparatus manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR102095159B1. Автор: 이재범,오준록,김경인,한영욱,강중근,민경열,황성식. Владелец: 에스케이씨솔믹스 주식회사. Дата публикации: 2020-03-31.

Antenna device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US12119562B2. Автор: Chia-Wei Kuo,Ching-Lang Hung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130301187A1. Автор: KIM Yoon-Hae,Kim Sun-Oo. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Laser device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120320940A1. Автор: Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Laser device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8472495B2. Автор: Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

Energy storage device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023133216A1. Автор: Saban Akyildiz. Владелец: Pow-Stor Inc.. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High-frequency, low-voltage switch devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240341204A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Hung-Ju Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240357830A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230326510A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20090001425A1. Автор: Hiroshi Morioka,Toru Anezaki,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389306A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11758734B2. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240023338A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Display device and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP4340578A1. Автор: Young Hoon Lee,So Young Lee,Yong Seung Park,Wan Jung Kim,Hyo Young Mun,Yi Seul Um,Kyung Ah Nam,Dae Sang Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Display device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240099105A1. Автор: Young Hoon Lee,So Young Lee,Yong Seung Park,Wan Jung Kim,Hyo Young Mun,Yi Seul Um,Kyung Ah Nam,Dae Sang Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Active matrix organic electroluminescent device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110221331A1. Автор: Hui Lin,Jian Zhong,Junsheng Yu,Yadong Jiang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2011-09-15.

Active matrix organic electroluminescent device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8278820B2. Автор: Hui Lin,Jian Zhong,Junsheng Yu,Yadong Jiang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2012-10-02.

Microfluidic devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8877320B2. Автор: Andrew John Naisby,Miguel Angel Torello Arevalo,Josef Kugler,Wolfgang Franz Reiter. Владелец: SONY DADC AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-04.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230309316A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Metallic based electromagnetic interference shielding materials, devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: CA3199923A1. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Jack KAVANAUGH,Scott Laine. Владелец: Nanotech Energy Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Metallic based electromagnetic interference shielding materials, devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP4252501A1. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Jack KAVANAUGH,Scott Laine. Владелец: Nanotech Energy Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Metallic based electromagnetic interference shielding materials, devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20230413500A1. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Jack KAVANAUGH,Scott Laine. Владелец: Nanotech Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Electromagnetic interference shielding materials, devices, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20230255011A1. Автор: Richard B. Kaner,Maher F. El-Kady,Jack KAVANAUGH,Scott Laine. Владелец: Nanotech Energy Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Spin-orbit torque mram structure and manufacture thereof

Номер патента: US20230389441A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Minrui Yu,Sahil Patel,Huixiong Dai,Christopher S. Ngai,Jong Mun Kim,Wenhui Wang,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130286622A1. Автор: OBARA Taichi,YONEYAMA Rei,OKABE Hiroyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-10-31.

Langasite single crystal ingot, substrate for piezoelectric device and method for manufacture thereof, and surface coustic wave device

Номер патента: US20040137727A1. Автор: Satoshi Uda,Shouqi Wang. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Organic photovoltaic layer, organic photovoltaic device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2007012835A1. Автор: Pavel Ivan Lazarev. Владелец: Cryscade Solar Limited. Дата публикации: 2007-02-01.

Piezoelectric microelectromechanical device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024194533A1. Автор: Kristina BESPALOVA,Artem GABRELIAN,Mervi PAULASTO-KRÖCKEL,Glen ROSS,Tarmo NIEMINEN. Владелец: AALTO UNIVERSITY FOUNDATION SR. Дата публикации: 2024-09-26.

Flexible and/or stretchable electronic device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09807847B2. Автор: Pooi See Lee,Jiangxin Wang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-31.

CIRCUIT BOARD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130206460A1. Автор: Hoshino Tomohisa,Mochizuki Jun,Hosaka Hisatomi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMTED. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device including capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5007723B2. Автор: 文生 王. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Bulk acoustic wave resonator device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240235514A1. Автор: Maximilian SCHIEK,Willi Aigner,Giuseppe Toscano,Ulrike Monika Roesler. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210229978A1. Автор: Thomas Kieran Nunan,Ijaz Jafri,Diego Emilio Serrano,Amir Rahafrooz. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: RU2647442C2. Автор: Брайан ХОЛМС. Владелец: Де Ла Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2018-03-15.

Needle tip storage and removal device and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP2996739A1. Автор: Toby Cowe,Timothy Evans,Alan Hawkins. Владелец: OWEN MUMFORD LTD. Дата публикации: 2016-03-23.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09724955B2. Автор: Brian Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Microfluidic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20230166253A1. Автор: Sabrina Marie Wells Torres. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: AU2020249803A1. Автор: John Godfrey. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP3946964A1. Автор: John Godfrey. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Braided, branched, implantable device and processes for manufacture thereof

Номер патента: EP1330211A2. Автор: Patrick A. Haverkost,Paul F. Chouinard,Dennis A. Peiffer,Bradley R. White. Владелец: Boston Scientific Ltd Barbados. Дата публикации: 2003-07-30.

Medical device and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11752034B2. Автор: James C. Easley,Douglas R. Parr. Владелец: Xrv Ip LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: RU2669738C2. Автор: Брайан ХОЛМС. Владелец: Де Ла Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2018-10-15.

Lighting device and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2683960C2. Автор: ОС Якобус Петрус Йоханнес ВАН,Астрид МОДИ,Гофу ЧЖО. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-04-03.

Dental and facial imaging device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220361757A1. Автор: Jamal AL WAKED. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2022-11-17.

Dental and facial imaging device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11980445B2. Автор: Jamal AL WAKED. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, routing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050081176A1. Автор: Shinichiro Ohshige. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Peptide nanotube device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140072801A1. Автор: Jiahorng Liaw,Hui-Min Chen,Wei-Hsien Hsieh,Jeng-Hsien Chen,Shwu-Fen Chang. Владелец: Jiahorng Liaw. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method

Номер патента: JP3658727B2. Автор: 康雄 田中,二郎 松本. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-08.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP4085147B2. Автор: 亨 東. Владелец: スパンション エルエルシー. Дата публикации: 2008-05-14.

Photosensitive monomer, liquid crystal material having the same, liquid crystal panel and method for manufacturing thereof by incorporating the same, optic-electronic device and method for manufacturing thereof by incorporating the same

Номер патента: TW200831542A. Автор: Shih-Feng Hsu,Te-Sheng Chen,Chung-Ching Hsieh,Chia-Hsuan Pai,Chao-Cheng Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-08-01.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4247645A1. Автор: Brian Holmes,Felicity Child,Chris WILCOX. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155508A1. Автор: Lee Ya Jui,Chen Kuan Fu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

CONDUCTIVE PASTE FOR FRONT ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150159026A1. Автор: LIU Xiaoli,Li Delin. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11358858B2. Автор: Thomas Kieran Nunan,Ijaz Jafri,Diego Emilio Serrano,Amir Rahafrooz. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: ZA202302559B. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De La Rue Int Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Lab-on-pcb device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024088766A1. Автор: Eckardt Bihler,Birgit Neubauer,Gregor Schmidt,Marc Robert Hauer. Владелец: DYCONEX AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: GB2627801A. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Heat flux sensor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4407286A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT,Luc BUYDENS,Dirk Terryn,Stijn REEKMANS,Benny Van Daele,Jietse VAN THIENEN. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2024-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20150049278A1. Автор: Isobe Atsuo,Shibata Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20210229978A1. Автор: Nunan Thomas Kieran,Rahafrooz Amir,EMILIO SERRANO Diego,JAFRI Ijaz. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Mask of semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR20020017760A. Автор: 최재승. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-07.

Resist composition, method for forming resist pattern, semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20070048660A1. Автор: Takahisa Namiki,Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Capacitive touch sensing devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2012087764A1. Автор: Alok Govil,Russel A. Martin,Marc Maurice Mignard,Donald J. Elloway. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP3325281A1. Автор: Brian William Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2018-05-30.

Process challenge device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2024089533A3. Автор: Jener de OLIVEIRA,Paul N. Holt,Dorivaldo L. SIQUEIRA. Владелец: Solventum Intellectual Properties Company. Дата публикации: 2024-06-13.

Holographic security device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2018215794A3. Автор: Brian Holmes,Frederic Fournier,Maria del Pilar KING. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2019-01-10.

Capacitive touch sensing devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: EP2656186A1. Автор: Alok Govil,Russel A. Martin,Marc Maurice Mignard,Donald J. Elloway. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Capacitive touch sensing devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2012087764A9. Автор: Alok Govil,Russel A. Martin,Marc Maurice Mignard,Donald J. Elloway. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-09-19.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2017017418A1. Автор: Brian William Holmes. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2017-02-02.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: WO2024180326A1. Автор: John Godfrey,Rebecca LOCKE. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2024-09-06.

Space-based imaging device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240010365A1. Автор: David B. Shrekenhamer,Joseph A. Miragliotta,Juliana T. Vievering,Angelos Vourlidas,Joseph L. Centurelli,Chad N. Weiler,Nora C. Lane. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-11.

A wearable band structure having a band portion including embedded structural members with signal-processing components and another band portion not including any electrical components, and systems, devices, and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2024097364A2. Автор: Eric Chang,Marc-Aurelien Vivant,Shane Michael Ellis,Phelan Miller,Jess Brandon Pool,Yi Hsieh,Cameron O'Neill,Audrey Caroline Christine Louchart,Andrew Rosenkranz. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

Optoelectronic device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20220276438A1. Автор: Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Device and method of manufacture thereof for creating a positive pressure environment for treatment of oral biofilms associated with periodontal disease

Номер патента: US20140080089A1. Автор: Duane C. Keller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Optical devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP4240594A2. Автор: Brian Holmes,Frederic Fournier,Maria KING. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: ZA202302558B. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De La Rue Int Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Security substrates, security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP3319811A1. Автор: Brian William Holmes,Navin Suyal. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2018-05-16.

Exhaust device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US12071875B2. Автор: Frederick M. Baumgartner,Srinivasa N Rangan Chakravarthi,Jonar MENDOZA. Владелец: Tenneco Automotive Operating Co Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Improved Prosthesis, Exoskeleton, and Orthosis Devices and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20240238105A1. Автор: Dirk Lefeber,Joost GEEROMS,Louis FLYNN. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2024-07-18.

Liquid crystal device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2009068287A3. Автор: Han-Ping D Shieh,Bo-Ru Yang,Steve Elston,Peter Raynes. Владелец: Peter Raynes. Дата публикации: 2009-08-06.

Wearable electronic device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09861314B2. Автор: Markku Koskela,Kari KIVELÄ,Teemu Haverinen,Marko Kelloniemi,Tomi Hautala. Владелец: OURA HEALTH OY. Дата публикации: 2018-01-09.

Sealed sensor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240295443A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT,Stijn REEKMANS,Jietse VAN THIENEN. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Sealed sensor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4425127A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT,Stijn REEKMANS,Jietse VAN THIENEN. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, and method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1609133A. Автор: 番场敏夫,平野孝. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Liquid crystal device and method of manufacture thereof

Номер патента: US8830423B2. Автор: Han-Ping Shieh,Bo-Ru Yang,Steve Elston,Peter Raynes. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-09-09.

Liquid crystal device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2009068287A2. Автор: Han-Ping D. Shieh,Bo-Ru Yang,Steve Elston,Peter Raynes. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2009-06-04.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09804497B2. Автор: Adam Lister. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW200921796A. Автор: Daniel Hwang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-16.

Semiconductor device isolation structure and manufacturing method thereby

Номер патента: TW200949993A. Автор: Chieh-Te Chen,Tsung-Wen Chen,Shui-Yen Lu,Shin-Chi Chen,Chi-Horn Pai,Guang-Wei Ye,Ching-Fang Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Semiconductor device with capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200816455A. Автор: Pittikoun Saysamone,Chun-Hung Chen,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Semiconductor device manufacturing facility, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP2009170475A. Автор: Kenichi Ito,辰華 李,健一 伊東,Shinka Ri,Susumu Tsumura,進 津村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Thin film semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus thereof, and thin film single crystal semiconductor solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR19980033377A. Автор: 야마우찌가즈시,마쯔시따다께시,나까고에미야꼬,웨스트워터조나단,구스노끼미사오. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Ema Taiji,Yoshizawa Kazutaka,Moriki Takuya. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-03-21.

Polishing apparatus, semiconductor wafer polishing method, semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP4826013B2. Автор: 重人 泉. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-11-30.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Ishikawa Akira. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Capacitive element, semiconductor device using it and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP2006060174A. Автор: Akihiko Nishio,Toshiharu Tanpo,敏治 反保,明彦 西尾. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING PROGRAM, AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120149151A1. Автор: TANE Yasuo,KATAMURA Yukio,YOSHIMURA Atsushi,IWAMI Fumihiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3494904B2. Автор: 博司 山口,稔 野口,行雄 見坊,洋 森岡,真貴子 河野,良正 大島. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120100639A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP4024624B2. Автор: 正弘 清利,順也 中平. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3749637B2. Автор: 勝啓 太田,昭男 斉藤. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-01.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP5610493B2. Автор: 利雄 工藤,直之 小林,俊明 清野,一也 佐野,工藤　利雄. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2014-10-22.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2620355B2. Автор: ミチック、リュボミル,ゲルトライン、ギュンター,シュミット、エバーハルト,ミューラー、アレックス,ゼンク、エーゴン,シュピンドラー、ジークフリート. Владелец: ドイチエ・アイテイーテイー・インダストリーズ・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクタ・ハフツンク. Дата публикации: 1997-06-11.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2795529B2. Автор: 正博 渡辺,広明 萩前. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-09-10.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2890902B2. Автор: 山田　　豊. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-05-17.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP3723159B2. Автор: 達明 長屋. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4542789B2. Автор: 哲也 黒澤,真也 田久,二尚 佐藤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-15.

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Номер патента: JP2978619B2. Автор: 勝弥 奥村,孝彦 守屋,武彦 折居. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-11-15.

Photosensitive monomer, liquid crystal material having the same, liquid crystal panel and method for manufacturing thereof by incorporating the same, optic-electronic device and method for manufacturing thereof by incorporating the same

Номер патента: TW200832062A. Автор: Te-Sheng Chen,Chung-Ching Hsieh,Chia-Hsuan Pai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-08-01.

WIRING SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120115283A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120119297A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20120181656A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Stadtmueller Michael,Pompl Stefan,Meyer Markus. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120181874A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120199850A1. Автор: HARADA Shin,Honaga Misako. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120199909A1. Автор: Schulz Thomas,Luan Hongfa. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120267624A1. Автор: Isobe Atsuo,Sasaki Toshinari,Sasagawa Shinya,ISHIZUKA Akihiro. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120282753A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130049186A1. Автор: KIKUCHI Masao,MIYAMOTO Noboru. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130082283A1. Автор: Goto Akira,OTSUKI Takami,OBARA Taichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20130256620A1. Автор: Huang Yude,Zheng Junmin. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140001638A1. Автор: Chen Wen-Hao,Fu Chung-Min,CHEN Dian-Hau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140042612A1. Автор: Hou Shang-Yun,Jeng Shin-Puu,Yeh Der-Chyang,Chen Shuo-Mao,Liu Christianto Chih-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

Transistors, Semiconductor Devices, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140061722A1. Автор: Doornbos Gerben,Oxland Richard. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TWI227543B. Автор: Chien-Hung Liu,Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120049362A1. Автор: MEGURO Kouichi,Masuda Naomi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20120080686A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Timme Hans-Joerg,Hirler Franz,Rodriguez Francisco Javier Santos. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120099243A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-04-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120280363A1. Автор: SUMIDA Yasunobu,Kawai Hiroji,YAGI Shuichi,Hirata Shoko,Inada Takayuki. Владелец: POWDEC K. K.. Дата публикации: 2012-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120305924A1. Автор: Shibata Hiroshi,ISOBE Atsugo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Interposers for Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130113070A1. Автор: Hou Shang-Yun,WU Wei-Cheng,CHIU Tzu-Wei,Wang Tzu-Yu,Liu Chun-Yi,Hu Hsien-Pin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130193555A1. Автор: Tu Kuo-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20130200502A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,LANDAU Stefan,HEINRICH Alexander,Wombacher Ralf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130234203A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin,Tsai Ji-Yin,Huang Yao-Tsung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor devices and method of manufacture thereof

Номер патента: CA787048A. Автор: M. Minton Robert,Glicksman Richard. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: GB201915864D0. Автор: . Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: AU410590B2. Автор: DENNING and SCARLES LEE TOLLIN RICHARD. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1967-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: TW200522260A. Автор: Chien-Hung Liu,Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-01.

FIBER SOI SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130023090A1. Автор: TODA Sadayuki,KOAIZAWA Hisashi,Fuyuki Takashi,Suzuki Kenkichi. Владелец: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device using CMP and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101471288A. Автор: 井谷直毅. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Nitride semiconductor device, interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115732555A. Автор: 张雷,曹凯,陈邦星. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-03.

Semiconductor device, capacitive element and manufacturing method therefor

Номер патента: JP2003078030A. Автор: Toshihiko Nagai,俊彦 永井,昭彦 皷谷,Akihiko Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-14.

Thin film capacitor, semiconductor device using same, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2006019443A. Автор: 健司 塩賀,Kazuaki Kurihara,和明 栗原,Kenji Shioga,ベネキ ジョン,John Baniecki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device isolation structure and manufacturing method thereby

Номер патента: TWI364815B. Автор: Tsung Wen Chen,Chieh Te Chen,Chi Horn Pai,Shui Yen Lu,Shin Chi Chen,guang wei Ye,Ching Fang Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120146234A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha,Beaupre Richard Alfred,Gorczyca Thomas Bert,McConnelee Paul Alan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor Devices, Transistors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130341686A1. Автор: HUANG Ching-Kun,YU Hung-Chih,Lin Shih-Che. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.