• Главная
  • Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170345925A1. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Yizhi Zeng,Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR910008835B1. Автор: 김의송. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1991-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW515036B. Автор: Shinichiro Kimura,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20190088502A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Ko-Po Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170345925A1. Автор: SYO Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6790808B2. Автор: 栄亮 伴野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Semiconductor device and there manufacturing method

Номер патента: KR920007450B1. Автор: 다까시 호리. Владелец: 다니이 아끼오. Дата публикации: 1992-09-01.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210384107A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11948884B2. Автор: Chen Ying Chieh,Lin TZU HSIANG,Chen CHIH HAO,Wu WEI CHE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170287932A1. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Capacitor, semiconductor device and its manufacture method, electrooptical device and electronic machine

Номер патента: CN1405805A. Автор: 渡边吉祥. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Capacitor, semiconductor device and its manufacture method, electrooptical device and electronic machine

Номер патента: CN100388395C. Автор: 渡边吉祥. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Zhao Jie,ZENG Yizhi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160035739A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

PATTERNED STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160293726A1. Автор: Huang Rai-Min,Huang Tong-Jyun,Tseng I-Ming,Li Kuan-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170358539A1. Автор: TSUNEMINE Yoshikazu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180358301A1. Автор: TSUNEMINE Yoshikazu. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100322821B1. Автор: 미끼히로시,오지유즈루,다찌신이찌,가네호리게이이찌. Владелец: 가나이 쓰도무. Дата публикации: 2002-07-02.

Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof

Номер патента: KR100642406B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device having thinned fins

Номер патента: US10546946B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device manufacturing method including doping from a diffused layer

Номер патента: US10573752B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220376053A1. Автор: King Yuen Wong,Kye Jin Lee. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230103393A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20140077279A1. Автор: Ajin TU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3958329A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230163192A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4254508A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW200514259A. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2005-04-16.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TWI260783B. Автор: Shigeyuki Sugihara. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-08-21.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20170125599A1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3301722A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200105920A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190006509A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8610175B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device doped from a diffused layer

Номер патента: US10964818B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134849B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180097068A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240047212A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Xiang Qin,Hongfeng JIN,Ruibin CAO,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

TEMPLATE, MANUFACTURING METHOD OF TEMPLATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220082934A1. Автор: Iwasaki Takahiro,Hatano Masayuki,MIYOSHI Hirokazu,ASO Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160035826A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING JUNCTION MATERIAL IN A TRENCH AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200066857A1. Автор: LEENDERTZ Caspar,Konrath Jens Peter,WEHRHAHN-KILIAN Larissa. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180082944A1. Автор: Maeda Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170092498A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

ULTRAHIGH VOLTAGE RESISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181351A1. Автор: KIM Young Bae,KIM Kwang Il. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN109786274A. Автор: 吴志伟,林俊成,施应庆,王卜,卢思维,邹贤儒. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100235957B1. Автор: 전용주. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and the manufacture method of semiconductor device

Номер патента: CN106133915A. Автор: 原田祐一,星保幸,木下明将,大西泰彦,原田祐. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190164986A1. Автор: TSUDA Shibun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Electronic component manufacturing method, manufacturing film, and manufacturing tool

Номер патента: US20240312848A1. Автор: Eiji Hayashishita. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic component manufacturing method, manufacturing film, and manufacturing tool

Номер патента: EP4293709A1. Автор: Eiji Hayashishita. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09396971B2. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Superjunction semiconductor device with columnar region under base layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US09490359B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20060194398A1. Автор: Amane Oishi,Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6806539B2. Автор: Hitoshi Aoki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Electrode manufacturing method, fuse device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09589837B2. Автор: Ying Li,GuanPing WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US5926694A. Автор: Kenji Matsuda,Ippei Fujiyama,Yasuhide Chigawa. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230268279A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device having fin-shaped field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US8916918B2. Автор: Hiroo NISHI,Hiromitsu OSHIMA. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11676901B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045009A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213368A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100108979A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device including air gap

Номер патента: US8071971B2. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10903201B2. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190206853A1. Автор: Xin Gui ZHANG,Yao QI DONG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901284B2. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088021A1. Автор: Tae Kyung Kim,Jeong Yun Lee,Jae Yoon Noh,Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107039246A. Автор: 郑圣烨,萧养康. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-11.

Semiconductor device having silicide of low contact resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100270614B1. Автор: 김상용. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10116969A. Автор: 宏治 金森,Koji Kanamori,Yoshiaki Hisamune,義明 久宗. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-06.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN103545351B. Автор: �金钟,金钟一. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN109860293A. Автор: 王美匀,王朝勋,薛婉容,赵高毅. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104217959B. Автор: 金成玟,李东奎,姜智秀,车东镐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN101689479B. Автор: 高藤裕,福岛康守,富安一秀,竹井美智子,斯蒂文·道罗斯. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-05-23.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09825133B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11915989B2. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20220238405A1. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090321896A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7919843B2. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20230402445A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Photovoltaic cell manufacturing method and photovoltaic cell manufacturing apparatus

Номер патента: US20110135187A1. Автор: Katsumi Yamane,Junpei Yuyama,Kazuhiro Yamamuro. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10204986B1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180351001A1. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electric apparatus

Номер патента: WO2003079431A1. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190355686A1. Автор: Jun Zhu,You WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308954A1. Автор: Chia-Wei Huang,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20190393049A1. Автор: Shinichi Miyake. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP3392912A3. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170179142A1. Автор: Zhang Yiying,ZHENG Erhu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR102102252B1. Автор: 심재우,박진홍,장성운. Владелец: 성균관대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-04-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100721073B1. Автор: 사또준이찌. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100268453B1. Автор: 구본재. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09553060B2. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor manufacturing method including forming additional active layer

Номер патента: US20040185609A1. Автор: Shuichi Ueno,Haruo Furuta,Yoshinori Okumura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Template, manufacturing method of template, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12087604B2. Автор: Kazuhiro Takahata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411550A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230133883A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4138144A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498522B. Автор: Ikuo Yoshida,Hiroshi Kikuchi,Toshihiko Sato,Tomo Shimizu,Hideko Ando. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

MOS semiconductor device having gate insulating film containing nitrogen and manufacturing method of the same

Номер патента: TW535191B. Автор: Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW399336B. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-21.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW326558B. Автор: Toshio Miyamoto,Kunihiro Tsubosaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-11.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: TW498549B. Автор: Akira Asai,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW449818B. Автор: Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TWI604592B. Автор: Tsutomu Shirakawa,Kenya Sano,Takuma Suzuki,Hirofumi FUJISAWA. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2017-11-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20160141241A1. Автор: Akira Nakajima,Yoshiaki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW447114B. Автор: Hiroshi Miki,Kazunari Torii,Yoshihisa Fujisaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW478157B. Автор: Yukihiro Ushiku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW540103B. Автор: Mitsuo Nissa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: TW200535982A. Автор: Ikuya Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW550767B. Автор: Kenichi Yamamoto,Junichi Arita,Kenji Ujiie. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-01.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI251254B. Автор: Akiyoshi Mutou. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200235233A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190035925A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11164973B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240064975A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11832445B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Contact electrode structure for semiconductor device

Номер патента: US5302855A. Автор: Yoshio Nakamura,Masaru Sakamoto,Shigeyuki Matsumoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074685A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190067114A1. Автор: JIQUAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11869844B2. Автор: Hiroyuki Shinkai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240006492A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4239687A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20140070287A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11776848B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Trench-gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261894A1. Автор: Steven Peake,Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220310617A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170223A1. Автор: Yang Wu,FAN YANG,Sheng Hu,Daohong YANG,Liliang GU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322297A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411204A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Chih-Nan Wu,Wei Pang Chen. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210143270A1. Автор: Kai Jen,Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor crystal plate and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1260804C. Автор: 江头克. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Trench power seminconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11049950B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Trench-gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335634A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378254A1. Автор: Jong Ho Park,Che-Ming Lin,Kwang Yeon JUN. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

3d stacking semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308748A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8723254B2. Автор: Toshiaki Hikichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor device and the manufacture method of semiconductor device

Номер патента: CN103579347B. Автор: 江间泰示,藤田和司,堀充明,鸟居泰伸. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method and electronic device

Номер патента: CN108346658A. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US8304313B2. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Koichiro Tanaka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Semiconductor device and its manufacturing method, and electronic device

Номер патента: WO2003096421A1. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: KR101030101B1. Автор: 다이지 에마,가즈히로 미즈타니. Владелец: 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP2037496A4. Автор: Taiji Ema,Kazuhiro Mizutani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-24.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP2037496B1. Автор: Taiji Ema,Kazuhiro Mizutani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: WO2015097766A1. Автор: 谷江 尚史,英一 井出. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2015-07-02.

Metal insulator semiconductor type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TWI287290B. Автор: Ryuta Tsuchiya,Masatada Horiuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-09-21.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof, and semiconductor wafer

Номер патента: TW200423315A. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor devices and its manufacturing method and electronic equipment including it

Номер патента: CN105789313B. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-04-26.

Semiconductor devices and their manufacturing methods, as well as power conversion devices

Номер патента: JP7045975B2. Автор: 正行 眞舩. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-01.

Semiconductor device and its manufacturing method, power-converting device

Номер патента: CN108886055A. Автор: 吉田基,冈部博明,须贺原和之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-23.

TEMPLATE, MANUFACTURING METHOD OF TEMPLATE, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220301908A1. Автор: TAKAHATA Kazuhiro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and its manufacture method, lead frame and its manufacture method

Номер патента: CN106847782A. Автор: 林真太郎. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Template, manufacturing method of template, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301908A1. Автор: Kazuhiro Takahata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method, manufacturing program and manufacturing system for semiconductor device

Номер патента: US20120054705A1. Автор: Kyoko Izuha. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130143359A1. Автор: Abe Yoshiyuki,HIGASHINO Tomoko,MIYAZAKI Chuichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130240919A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: VERTICLE, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170005089A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180019303A1. Автор: YOKOTA Kazuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING WAFER-TO-WAFER BONDING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220045009A1. Автор: OH Sung Lae. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170033056A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180061964A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180076206A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,YOSHITOMI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160093649A1. Автор: Huang Feng,Wang Xuemei,CHEN FUGANG,LIN Shuaibing. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170125397A1. Автор: Zhou Fei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160141241A1. Автор: Nakajima Akira,Yamamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160181184A1. Автор: Maekawa Kazuyoshi,Matsumoto Masahiro,KAWANO Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180197753A1. Автор: Maekawa Kazuyoshi,Matsumoto Masahiro,KAWANO Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170200655A1. Автор: Wang Liang,Zhao Jie,LIU Jia Lei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170207233A1. Автор: Shinohara Masaaki,MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160218108A1. Автор: TOKITA Hirofumi,OGATA Tamotsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170221942A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor Device Including First and Second Contact Layers and Manufacturing Method

Номер патента: US20190229013A1. Автор: Huesken Holger,Pfirsch Frank Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150249102A1. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293427A1. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Field-Effect Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20180294333A1. Автор: Weber Hans,Riegler Andreas,Fachmann Christian,Mezoesi Gabor. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170373055A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: EP1331664A4. Автор: Hisaya Sakai,Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-08.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW490718B. Автор: Hideaki Hirabayashi,Tetsuo Matsuda,Hisashi Kaneko,Hiroshi Toyoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR0129985B1. Автор: 박규찬,신현국,문종,심태언. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-07.

A cof semiconductor device and a manufacturing method for the same

Номер патента: KR100563502B1. Автор: 세꼬도시하루. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-28.

Power semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6979864B2. Автор: 円丈 露野. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100520633B1. Автор: 하라다요시나오. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108140675A. Автор: 伊东笃,伊东一笃. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-08.

Complementary semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR980006025A. Автор: 아키라 히로키,신지 오다나카. Владелец: 마쓰시타 덴키 산교주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR20150102695A. Автор: 다까시 데라다,신야 호리. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-09-07.

A kind of semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN104425384B. Автор: 谢欣云. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1518100A. Автор: ,金志永,朴柄俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-04.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107680931A. Автор: 邱威鸣,曾健旭,张峰荣. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-09.

A kind of semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104362160B. Автор: 黄峰,陈福刚,王雪梅,林率兵. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-25.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN110085523A. Автор: 都原彻,朴斗铉,白钟植,李志宪,徐成民. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100486187B1. Автор: 마나베카즈타카. Владелец: 엘피다 메모리, 아이엔씨.. Дата публикации: 2005-05-03.

Semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR950006970B1. Автор: 쯔또무 나까자와. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1995-06-26.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN101312209A. Автор: 千成吉. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100289962B1. Автор: 히로유키 시마. Владелец: 료덴 세미컨덕터 시스템 엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7140349B2. Автор: 良一 片岡. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Structure of semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100223915B1. Автор: 길경선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1027887A. Автор: Naoki Kasai,Ichiro Yamamoto,Hiromitsu Namita,一郎 山本,博光 波田,直記 笠井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6931102B2. Автор: 建廷 陳,耀庭 蔡,修漢 廖. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7189848B2. Автор: 佑樹 藤農. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: JPH11121716A. Автор: 泰示 江間,Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-04-30.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107924912A. Автор: 李光珠,金荣国,金丁鹤,金熹正,金塞拉,南承希. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Multilayer pad of semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100482364B1. Автор: 안경호,최치영,박형무. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1173739A. Автор: 金载甲. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108364939A. Автор: 中村弘幸,团野忠敏,锦泽笃志. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN110211943A. Автор: 栗田洋一郎,田嶋尚之,下川一生. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-06.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100259075B1. Автор: 김종채. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-06-15.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP7074046B2. Автор: 崇功 川島,明徳 榊原. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: KR100252866B1. Автор: 손정환. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100227766B1. Автор: 도루 야마자끼. Владелец: 닛본덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-11-01.

Insulated gate power semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP6980692B2. Автор: デ−ミキエリス,ルカ,コルバシェ,キアラ. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-12-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2008047714A. Автор: Hirohisa Yamamoto,裕久 山本. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2007019129A. Автор: Shigeki Komori,重樹 小森. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device silicon wire manufacturing method

Номер патента: KR960016237B1. Автор: Sung-Wook Park. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-12-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN106486530B. Автор: 吉村尚弥,二宫英彰. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1280890C. Автор: 增田秀显,宫岛秀史,中田錬平. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-18.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09715987B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09991082B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Electrical cable manufacturing method and electrical cable manufacturing apparatus

Номер патента: US20220102030A1. Автор: Yasunori Nabeta. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Wire harness, wire harness manufacturing method and wire harness manufacturing apparatus

Номер патента: US09653197B2. Автор: Osamu Sato. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Wire harness, wire harness manufacturing method and wire harness manufacturing apparatus

Номер патента: US09613732B2. Автор: Osamu Sato. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Electrode plate manufacturing method and electrode plate manufacturing apparatus

Номер патента: US20170155125A1. Автор: Takenori Ikeda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Manufacturing method of electrode and manufacturing apparatus of electrode

Номер патента: US10403877B2. Автор: Takahiko Nakano,Katsushi Enokihara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method of electrode and manufacturing apparatus of electrode

Номер патента: US20180006292A1. Автор: Takahiko Nakano,Katsushi Enokihara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Electrical cable manufacturing method and electrical cable manufacturing apparatus

Номер патента: US11869682B2. Автор: Yasunori Nabeta. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Electric wire manufacturing method and electric wire manufacturing apparatus

Номер патента: US20220029370A1. Автор: Kei Sato. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Manufacturing method of inductor and manufacturing method of electronic component

Номер патента: US20230253150A1. Автор: Tatsuo Mikami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and its manufacturing method, a circuit board and an electronic device

Номер патента: US20030218260A1. Автор: Jun Taniguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10103082B2. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024113076A1. Автор: Sichao LI,Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180005915A1. Автор: Junhong Feng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method therof

Номер патента: US20200075593A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210399097A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367645A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352544A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749723B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187484A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11588025B2. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045179A1. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US11991872B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294881A1. Автор: Ying-Ru Shih,Hsien-Chin Chiu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034052B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Insulation gate type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200707745A. Автор: Tetsuya Okada,Makoto Oikawa,Kazunari Kushiyama. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-02-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200931665A. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW461089B. Автор: Takashi Miyato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-21.

Organic semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: AU2003261715A1. Автор: Kenji Nakamura,Satoru Ohta. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-03-19.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW465077B. Автор: Tomohiro Saito,Toshihiko Iinuma,Junji Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor devices and the manufacturing method

Номер патента: TW552562B. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI238441B. Автор: Katsuhiko Hieda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Junction type field-effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55143076A. Автор: Tadahiko Tanaka,Takeshi Omukae. Владелец: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-08.

Thin semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW452903B. Автор: Tzung-Je Tsai,Jin-Chiuan Bai. Владелец: United Test Ct Inc. Дата публикации: 2001-09-01.

Semiconductor device and the manufacture method thereof, circuit board and the electronic machine

Номер патента: TW404027B. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-09-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328151B. Автор: Toru Tono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW200529408A. Автор: Kazunari Suzuki,Toshihiro Shiotsuki,Hideyuki Suga,Kouichi Kanemoto. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

The semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW328652B. Автор: Masayuki Yasuda,Michio Tanaka,Michio Nishimura,Katsuhiro Saitou,Takashi Hayakawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150228682A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150380360A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9048355B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-02.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4297096A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Ken Zhang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240162379A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210043742A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160336500A1. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230403856A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030218230A1. Автор: Hideki Takahashi,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240170540A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-23.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120386A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4376056A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4383346A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

LC element manufacturing method

Номер патента: US5846845A. Автор: Takeshi Ikeda,Akira Okamoto,Tsutomu Nakanishi. Владелец: TIF Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor devices and preparation methods therefor

Номер патента: US20240040807A1. Автор: Eunseok Lee. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187485A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4322045A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor device and manufacturing mehtod thereof

Номер патента: US20190206854A1. Автор: Yu-Lin Chu,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040256623A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230059600A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11869949B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088245A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110073934A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110291173A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220045093A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180053744A1. Автор: TANIGUCHI Katsumi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200202940A1. Автор: PARK Eun Young. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170263535A1. Автор: Nakamura Hideyo,NAKANO Hayato. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Spherical semiconductor device and the manufacture method for the same and spherical semiconductor device material

Номер патента: AU736457B2. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor chip, semiconductor wafer and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1518105A. Автор: ����һ,原一巳. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-04.

Substrates for semiconductor devices and their manufacturing methods, semiconductor devices

Номер патента: JP6846484B2. Автор: 佑也 五郎丸,真幸 林田. Владелец: Maxell Holdings Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Semiconductor devices and the manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN103534809B. Автор: 阿部和. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Semiconductor devices and its manufacture method and the electronic equipment including the device

Номер патента: CN107887444A. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-06.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display and its manufacturing method

Номер патента: CN101689535A. Автор: 龙谷胜弘. Владелец: Shindo Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-31.

Capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US5568352A. Автор: Cheol-Seong Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-22.

Semiconductor devices and its manufacture method and the electronic equipment including the device

Номер патента: CN107887442A. Автор: 朱慧珑. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-06.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display and its manufacturing method

Номер патента: EP2151862A1. Автор: Katsuhiro Ryutani. Владелец: Shindo Company Ltd. Дата публикации: 2010-02-10.

Semiconductor device having wire loop and method and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290372A1. Автор: Won-Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-20.

Lead frame and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7145414B2. Автор: 一範 大内,昌博 永田. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-10-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US8497539B2. Автор: Yoshimasa Horii. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device and its manufacturing method and inspection method

Номер патента: JP4610447B2. Автор: 義英 田崎. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Vertical type semiconductor device and its manufacturing method and operating method

Номер патента: CN104037188B. Автор: 崔康植. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor layer stack, semiconductor device, and their manufacture method

Номер патента: CN107658212A. Автор: 富泽由香,池田吉纪,今村哲也. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

Nitride semiconductor device and its manufacturing method and applied encapsulating structure

Номер патента: CN109863609A. Автор: 陈宗源,林宏诚. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-07.

Semiconductor device and its manufacturing method and connection structure

Номер патента: JPH10289908A. Автор: Noboru Taguchi,昇 田口. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor device package and its mfg. method, and semiconductor

Номер патента: CN1428800A. Автор: 饭岛隆广,六川昭雄. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050087800A1. Автор: Naoto Fujishima,Katsuya Tabuchi,Akio Sugi,Mutsumi Kitamura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Light emitting semiconductor device, its assembly manufacture method and electronic equipment

Номер патента: CN101859730A. Автор: 小林新. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

Semiconductor devices and its manufacturing method, liquid discharging head and liquid discharge device

Номер патента: CN109203695A. Автор: 成濑裕章,清水昭宏,江藤徹. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Light emitting device, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1970968A1. Автор: Kazuhiro Kamada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105448833B. Автор: 赵猛. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device, image display device, and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: WO2000070686A1. Автор: Kouzou Katayama,Hazime Akimoto. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2000-11-23.

Laser welding method, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2009190067A. Автор: 克彦 吉原,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD

Номер патента: US20130171791A1. Автор: SUZUKI Toshihide,JOSHIN Kazukiyo,Shima Masashi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-04.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130200423A1. Автор: FU Jenn-Hwa,Huang Hsin-Hsiung,YU Tz-Chiang. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130256860A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130277635A1. Автор: TANAKA Toshihiro,Matsuzaki Nozomu,HANZAWA Satoru,NITTA Fumihiko. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140035027A1. Автор: Chakihara Hiraku,Ishii Yasushi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140054692A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160005854A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor Device Comprising a Plurality of Transistor Cells and Manufacturing Method

Номер патента: US20160020315A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-01-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170033074A1. Автор: YAJIMA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220068792A1. Автор: TZU HSIANG Lin,CHIH HAO Chen,WEI CHE Wu,YING CHIEH Chen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Hirler Franz,Weyers Joachim,Treiber Maximilian. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160064344A1. Автор: YAJIMA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064654A1. Автор: Takashi Tonegawa,Eiji Kariyada,Takayasu Kazamatsuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180061997A1. Автор: Kawashima Yoshiyuki,INOUE Masao,YOSHITOMI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150076566A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140206115A1. Автор: YU Tz Chiang,FU Jenn Hwa,HUANG Hsin Hsiung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-24.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160155689A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: MIHARA Tatsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210184054A1. Автор: Usami Tatsuya,Miyamoto Hironobu,NAKAYAMA Tomoo,SAWADA Masami. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140239367A1. Автор: Chakihara Hiraku,Saito Kentaro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160172419A1. Автор: KAMINO Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140252456A1. Автор: Liao Zhongping. Владелец: SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160181301A1. Автор: Terada Takashi,HORI Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor Device Comprising a Plurality of Transistor Cells and Manufacturing Method

Номер патента: US20180175187A1. Автор: Hirler Franz. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150187736A1. Автор: LIU Yao,HUANG Herb He,Chen Fucheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor Device and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20180190651A1. Автор: Siemieniec Ralf,Konrath Jens Peter,Draghici Mihai. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180198001A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170200808A1. Автор: ZHANG Hai Yang,Zheng Zhe. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190198660A1. Автор: KACHI Tsuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING COMBINATION ROWS AND METHOD AND SYSTEM FOR GENERATING LAYOUT DIAGRAM OF SAME

Номер патента: US20210240900A1. Автор: PENG SHIH-WEI,TZENG JIANN-TYNG. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Shinohara Hirofumi,IWAMATSU Toshiaki,YOSHIMORI Hiromasa. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

On-Chip Antennas for Semiconductor Devices and Related Manufacturing Methods

Номер патента: US20190221531A1. Автор: Meyer Thorsten,Wojnowski Maciej,Hartner Walter. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150243843A1. Автор: Yoo Myung Cheol,Park Moo Keun,Oh Se Jong. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140332878A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Shiraishi Masaki,UNO Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

RESIN-ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140332944A1. Автор: Kasuya Yasumasa,Haga Motoharu,Yasunaga Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

THYRISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200258981A1. Автор: Guitard Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170279005A1. Автор: Lee Rong Ren,LEE Shih Chang,CHEN Meng Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180286881A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180308884A1. Автор: KAMINO Takeshi,GOTO Yotaro,TAKAHASHI Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325506A1. Автор: Sato Yukihiro,Koike Nobuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Amo Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190348429A1. Автор: Hashimoto Takashi,YAMAKOSHI HIDEAKI,ABE SHINICHIRO,Omizu Yuto. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160372553A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5534488A. Автор: Kunihiko Hirashima. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1980-03-11.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP7033445B2. Автор: 光廣 咲間,勝 秋野. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and capacitor manufacturing method including capacitor

Номер патента: KR970063745A. Автор: 요시히로 다카이시. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2007075931A. Автор: Satoshi Inaba,聡 稲葉. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

SiGe Semiconductor Device And The Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100877689B1. Автор: 김상훈,배현철,이상흥. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2009-01-09.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244812B1. Автор: 후미히코 사토. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100712461B1. Автор: 다이 히사모토,요시미 스도우. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2007-11-02.

Semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2008047753A. Автор: Toru Matsumoto,Yoshio Imamura,徹 松本,Yoshihiko Minamoto,良彦 皆本,圭男 今村. Владелец: CMK Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor devices and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100221622B1. Автор: 이욱하. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100544631B1. Автор: 기쿠치고우지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-01-24.

Semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: JP2002158258A. Автор: Koji Yoshida,浩二 吉田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-31.

Three-dimensional semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105321952B. Автор: 刘东哲,黄棋铉,延国贤,金东宇,金东谦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-30.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR970053866A. Автор: 요꼬 호리구찌,가오루 나리따,다께오 후지. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-07-31.

Light emitting semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104508842B. Автор: 安相贞. Владелец: 安相贞. Дата публикации: 2017-06-09.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: KR920004028B1. Автор: 김성태,최수한. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1992-05-22.

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment

Номер патента: JP3573133B2. Автор: 卓也 高橋. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-06.

High voltage semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR0183669B1. Автор: 최영석,유광동. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55111135A. Автор: Takeshi Sakashita,Yoshihiro Matsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-08-27.

A semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: KR970000972B1. Автор: 다까오 후지쯔. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1997-01-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN100461410C. Автор: 宇佐美光雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-02-11.

Comprise semiconductor device and the manufacture method thereof of resistor

Номер патента: CN102024822B. Автор: 金建秀,辛镇铉,朴允文,沈载煌. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003158215A. Автор: Akira Takashima,晃 高島,浩 小野寺,正 宇野,Hiroshi Onodera,Tadashi Uno. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-30.

Capacitor for Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100712355B1. Автор: 김수곤. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-02.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP6909666B2. Автор: 尚 長田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-28.

Light emitting semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN104241486B. Автор: 金基石,李相奭,李守烈,林璨默. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-25.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104347408B. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Dynamic type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR920006260B1. Автор: 가츠히코 히에다. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-08-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2001339012A. Автор: Nobuyuki Umezaki,信之 梅崎. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 2001-12-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1131778A. Автор: Yasuhiro Suzuki,康弘 鈴木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100244671B1. Автор: 고이치 엔도. Владелец: 사토 후미오. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN103367403B. Автор: 张乃千,裴风丽. Владелец: Suzhou Nexun High Energy Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN104022151B. Автор: 邓光敏,裴轶. Владелец: SUZHOU JIEXINWEI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-02.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN108807524A. Автор: 朱永生,邓光敏,裴轶. Владелец: SUZHOU JIEXINWEI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2006032574A. Автор: Yoshihiro Sato,好弘 佐藤. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2010021251A. Автор: Katsumi Otani,Takuhiko Son,卓彦 孫,克実 大谷,Keiko Shimohikari,敬子 下光. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor devices and their manufacturing methods

Номер патента: JP7055087B2. Автор: 真哉 赤尾. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-04-15.

A kind of enhanced nitride compound semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN104051522B. Автор: 程凯. Владелец: SUZHOU JINGZHAN SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR910007379B1. Автор: 무네나리 가쿠모토,소우이치 이마무라. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1991-09-25.

Semiconductor device and its manufacturing method with field plate

Номер патента: KR920009751B1. Автор: 다카시 기무라,다이라 마츠나가. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-10-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: KR100209250B1. Автор: 히데키 이시이. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-07-15.

A semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: KR970005717B1. Автор: 다까오 후지쯔. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1997-04-19.

Semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN102867854B. Автор: 山崎舜平,筱原聪始. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2002124627A. Автор: Hiroaki Fujimoto,Nobuitsu Takehashi,信逸 竹橋,博昭 藤本. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-26.

Stacked core manufacturing method and stacked core manufacturing apparatus

Номер патента: US12015313B2. Автор: Yuki Iwamura,Kazutoshi Yamazoe,Yohei TSUJITA,Mariko AOYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150279607A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170294284A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device with CMOS process based hall sensor and manufacturing method

Номер патента: US12035637B2. Автор: Jungmun JUNG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Manufacturing method of a semiconductor device with a trench capacitor

Номер патента: US5302541A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5218218A. Автор: Moriaki Akazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW517381B. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-11.

Semiconductor device and its manufacture method, magnetic detection device and electronic compass

Номер патента: CN107658381A. Автор: 石原祐子,瀬良和彦. Владелец: Asahi Kasei EMD Corp. Дата публикации: 2018-02-02.

Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof

Номер патента: US8681077B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof

Номер патента: TWI453965B. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2014-09-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20120268981A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN105470260B. Автор: 叶甜春. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-18.

Three-dimensional semiconductor device and its manufacture method

Номер патента: CN107403803A. Автор: 黄盛珉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN110190058A. Автор: 李赟,薛广杰,曹开玮. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-30.

Optical disc manufacturing method and optical disc manufacturing apparatus

Номер патента: US20100225028A1. Автор: Yusuke Suzuki,Hiroshi Uchiyama,Takao Kudo,Noriyuki Saito. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Optical fiber manufacturing method and optical fiber manufacturing apparatus

Номер патента: US20240228359A1. Автор: Tomoyasu Honda. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Optical element manufacturing method and optical element manufacturing apparatus

Номер патента: US09481596B2. Автор: Hiroyuki Seki,Hiroyuki Shibuki. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Rubber strip manufacturing method and rubber strip manufacturing apparatus

Номер патента: US11745404B2. Автор: Naoki Mori,Keisuke Nakatani. Владелец: Toyo Tire Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Fiber body manufacturing method and fiber body manufacturing apparatus

Номер патента: US12139851B2. Автор: Shunichi Seki,Hideki Tanaka,Yoko Nakai,Naotaka Higuchi,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Manufacturing Method Of Cap And Manufacturing Apparatus Of Cap

Номер патента: US20190248090A1. Автор: Kenji Takagi,Takashi Kawada,Eiji Araki,Junji Matsumura,Eiji Fujishige. Владелец: Daiwa Can Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method, control device, and manufacturing apparatus of optical fiber

Номер патента: US09878935B2. Автор: Kenji Okada. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method, control device, and manufacturing apparatus of optical fiber

Номер патента: US09873630B2. Автор: Kenji Okada. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Manufacturing method of structure and manufacturing apparatus

Номер патента: US09636897B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Hiroshi Taniuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Pneumatic tire manufacturing method and pneumatic tire manufacturing apparatus

Номер патента: EP4335632A1. Автор: Yuichi Kato,Toshiharu Shibano. Владелец: Toyo Tire Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Color-filter manufacturing method and color-filter manufacturing apparatus

Номер патента: US20090244229A1. Автор: Yasuhiko Maeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Optical fiber manufacturing method and optical fiber manufacturing apparatus

Номер патента: EP4342858A1. Автор: Tomoyasu Honda. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Damper pulley manufacturing method and damper pulley manufacturing apparatus

Номер патента: US20160102749A1. Автор: Tomohito ISHIKURA. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Lens sheet manufacturing method and lens sheet manufacturing apparatus

Номер патента: US20130214440A1. Автор: Kazuo Onishi,Ryuichi Katsumoto,Yuji ONODA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Optical element manufacturing method and optical element manufacturing apparatus

Номер патента: US20130098114A1. Автор: Hiroyuki Seki,Hiroyuki Shibuki. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Fixing member manufacturing method and fixing member manufacturing apparatus

Номер патента: US9110411B2. Автор: Naoki Akiyama,Yoshiaki Yoshida,Jun Miura,Hiroto Sugimoto,Yasuhiro Miyahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Resin container manufacturing method and resin container manufacturing apparatus

Номер патента: US20230321890A1. Автор: Takayuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-12.

Resin container manufacturing method and resin container manufacturing apparatus

Номер патента: EP4261009A1. Автор: Takayuki Nakamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Resin container manufacturing method and resin container manufacturing apparatus

Номер патента: US20230321891A1. Автор: Takayuki Nakamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Resin container manufacturing method and resin container manufacturing apparatus

Номер патента: EP4261008A1. Автор: Takayuki Nakamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Green tire manufacturing method and green tire manufacturing apparatus

Номер патента: US20240092045A1. Автор: Kazuma Hanafusa. Владелец: Toyo Tire Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Fiber body manufacturing method and fiber body manufacturing apparatus

Номер патента: US20210301463A1. Автор: Shunichi Seki,Hideki Tanaka,Yoko Nakai,Naotaka Higuchi,Shinobu Yokokawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Automobile part, manufacturing method for same and manufacturing device of same

Номер патента: US20130180629A1. Автор: Shintaro Suzuki. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device, correlation value operation method, and recording medium

Номер патента: US20240303077A1. Автор: Atsushi Yamazaki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Evaluation method, display sheet manufacturing method and display sheet manufacturing apparatus

Номер патента: US20110043893A1. Автор: Satoshi Ogawa,Yuji Misawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Manufacturing apparatus and manufacturing method for manufacturing less unbalanced blower blade

Номер патента: US09849547B2. Автор: Satoru Kawai,Kazuya Ohta. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Remaining printing material measurement method and additive manufacturing apparatus

Номер патента: US20240308140A1. Автор: xinqiao Deng. Владелец: Shenzhen Anycubic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Resin container manufacturing method and resin container manufacturing apparatus

Номер патента: EP4261008B1. Автор: Takayuki Nakamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Pure water manufacturing method and pure water manufacturing apparatus

Номер патента: TWI394716B. Автор: Hideki Kobayashi. Владелец: Kurita Water Ind Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

Semiconductor device test circuit, semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: US8407539B2. Автор: Satoshi Ishizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

A kind of exposure method, exposure machine, semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN110361937A. Автор: 樊春华. Владелец: Shanghai Micro Electronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device, battery monitoring system, measurement method, and equalization method

Номер патента: US20230098901A1. Автор: Takatsugu KAI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN108313975A. Автор: 王伟,郑超. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: TW416125B. Автор: Hidenori Mochizuki. Владелец: Asahi Chemical Micro Syst. Дата публикации: 2000-12-21.

Method for isolating element of semiconductor device, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10209264A. Автор: Takeshi Takahashi,剛 高橋. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-08-07.

Semiconductor device and its manufacturing method, and liquid crystal device

Номер патента: JPH10335334A. Автор: 清文 北和田,Kiyobumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

MIM capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP3324946B2. Автор: 信之 松本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

The semiconductor device and its manufacture method and operating method that size reduces

Номер патента: CN105321872B. Автор: 李亚叡,陈冠复. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor element, semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003243566A. Автор: Toshio Kimura,Yoshihisa Totsuta,義久 土津田,敏夫 木村. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

Semiconductor device forming substrate manufacturing method and dry etching method

Номер патента: JP5691357B2. Автор: 久雄 登坂. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105990093B. Автор: 林静. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105448724B. Автор: 刘杰,李伟,马强,郝龙,金炎,任占强. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-22.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method, electronic device

Номер патента: CN105097696B. Автор: 韩秋华. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-20.

Semiconductor device, packaging air tightness detecting method and distribution device

Номер патента: CN101136378A. Автор: 张明,李继鲁,蒋谊,童宗鉴. Владелец: Zhuzhou CSR Times Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Khan Tahir A.,Grote Bernhard H.,Khemka Vishnu K.,Zhu Ronghua. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20120107985A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120119309A1. Автор: HORITA Katsuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120153368A1. Автор: Horii Yoshimasa. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120168869A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD

Номер патента: US20120208331A1. Автор: Kikkawa Toshihide. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120217609A1. Автор: Tanabe Akira. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120286427A1. Автор: Horibe Hiroshi,Sumitomo Kaori,Arakawa Hideyuki,Takata Yasuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

DOUBLE-SIDE EXPOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130026615A1. Автор: Xue Yan Xun,Gong Yuping. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

FLIP CHIP TYPE FULL WAVE RECTIFICATION SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130075891A1. Автор: HUANG Wen-Ping,Wu Paul. Владелец: FORMOSA MICROSEMI CO., Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130168746A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN-SHAPED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130264621A1. Автор: Oshima Hiromitsu,NISHI Hiroo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140001509A1. Автор: Lee Shih-Chang,Chen Cheng-Hong,Lin Yi-Hung. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5515230A. Автор: Yasusuke Yamamoto,Tetsushi Sakai,Yoshiharu Kobayashi,Hiroki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-02-02.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105304629B. Автор: 陈邦明,许静,唐波,杨萌萌,王红丽,李春龙,闫江,唐兆云,徐烨锋. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-07-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN109786412A. Автор: 陈世杰,黄晓橹,陈�峰,赵强. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

A kind of semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104716085B. Автор: 邓浩. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-21.

Semiconductor device having end mark of mechanochemical polishing and manufacturing method

Номер патента: KR19990070214A. Автор: 김상용. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP2003264314A. Автор: Tetsuzo Ueda,哲三 上田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN104124164B. Автор: 朱慧珑,殷华湘. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-03-15.

Semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR950013739B1. Автор: 유스케 고야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-11-15.

A semiconductor device and the manufacturing method

Номер патента: KR100230350B1. Автор: 김경태,신윤승. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

A kind of semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN107546179A. Автор: 李勇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS55113378A. Автор: Ryoichi Ono,Fujihiko Inomata,Shuichi Shimizu,Toshiaki Kitahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-09-01.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105336784B. Автор: 赵超,徐强,王桂磊. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-01-18.

Multipellet type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPS5211779A. Автор: Shigeru Mitsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1977-01-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1140670A. Автор: Yasuhiro Miura,恭裕 三浦. Владелец: NEC Kyushu Ltd. Дата публикации: 1999-02-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH10233442A. Автор: Yuuichi Miyamori,雄壱 宮森. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-09-02.

Semiconductor devices and its manufacturing method

Номер патента: CN105322012B. Автор: 陈邦明,许静,唐波,杨萌萌,王红丽,李春龙,闫江,唐兆云,徐烨锋. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-12-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1056147A. Автор: Yasuo Nara,安雄 奈良. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

A kind of semiconductor devices and its manufacture method

Номер патента: CN104347482B. Автор: 李广宁,沈哲敏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-06.