半導体装置及びその製造方法
Номер патента: JPH11121716A
Опубликовано: 30-04-1999
Автор(ы): Taiji Ema, 泰示 江間
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Опубликовано: 30-04-1999
Автор(ы): Taiji Ema, 泰示 江間
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Реферат: (57)【要約】
【課題】 フォトレジストの開口サイズを緩くすること ができ、リソグラフィーの位置合わせズレによるコンタ クトホールサイズの変動がなく、且つ、トランジスタの ホットキャリア効果に対する耐性に優れた半導体装置及 びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板10と、半導体基板10上に 形成され、隣接する2つの導電体パターンを有する導電 膜20と、導電膜20の上面を覆うエッチングストッパ 膜22と、2つの導電体パターン間の半導体基板10に 達し、端部が2つの導電体パターン上のエッチングスト ッパ膜22上に位置するコンタクトホール30が形成さ れた絶縁膜28と、コンタクトホール30内の導電膜2 0及びエッチングストッパ膜22の側壁に形成されたサ イドウォール絶縁膜32とにより半導体装置を構成す る。
Semiconductor device having multilayered metal interconnection structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US6087250A. Автор: Yasuhito Hyakutake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-11.