Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559063B2
Опубликовано: 31-01-2017
Автор(ы): Hirofumi SAITOU, Hiroyasu Kitajima, Junya Ishii, Takeshi Watanabe, Tatsuki Kojima, Yoshitsugu Kawashima
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321780A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Shih-Wei Chen,Po-Chun Lin,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chun-Ti LU,Zheng-Gang Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Mounting structure and mounting structure manufacturing method

Номер патента: US9099315B2. Автор: Kazushige Toriyama,Keiji Matsumoto,Kei Kawase,Sayuri Hada,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Mounting structure and mounting structure manufacturing method

Номер патента: US20150021777A1. Автор: Kazushige Toriyama,Keiji Matsumoto,Kei Kawase,Sayuri Hada,Yasumitsu Orii. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589915B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Tsung-Yuan Yu,Chen-Chih Hsieh,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307391A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057415B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Meng-Tse Chen,Sheng-Hsiang Chiu,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243084A1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748154B1. Автор: Sang Gyu Lee,Sung Kyu Kim,Jong Sik Paek,Sang Won Kim,Choon Heung Lee,In Bae Park,Boo Yang Jung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997470B2. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same

Номер патента: US20210313240A1. Автор: Michimoto Kaminaga,Takahiro Tanamachi,Shuya HATAO,Hidetoshi Nakamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device structure with bonding pad and method for forming the same

Номер патента: US20240170350A1. Автор: Shih-Wei Liang,Jiun-Yi Wu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device which includes a capacitor and an interconnection film coupled to each other and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20080135979A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Integrated metal resistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2355135A3. Автор: Akira Matsumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20190371755A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods

Номер патента: US20180122762A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Sameer S. Vadhavkar,Suresh Yeruva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304583A1. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484331B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110412A1. Автор: Chen-Hua Yu,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Tzu-Chun Tang,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CRACK-RESISTING RING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140027928A1. Автор: Watanabe Takeshi,ISHII Junya,SAITOU Hirofumi,KITAJIMA Hiroyasu,KOJIMA Tatsuki,KAWASHIMA Yoshitsugu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074139B2. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240371832A1. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793180B2. Автор: Doo Hyun Park,Seung Chul Han,Jong Sik Paek,Joo Hyun Kim,Won Chul Do,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Young Rae Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09735123B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240339510A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09960328B2. Автор: David Clark,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966276B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536858B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Seong Min Seo,Ji Hun Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US12033935B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20240222269A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371284A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170358362A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060040424A1. Автор: Akio Rokugawa,Kiyoshi Ooi,Yasuyoshi Horikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Pad structure and manufacturing method thereof in semiconductor device

Номер патента: US10840198B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Hung-Shu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11114390B2. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor devices with reduced effect of capacitive coupling

Номер патента: US20230386997A1. Автор: Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Meng-Hsueh WANG,Chih-Yu Lu,Shang Hsuan Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device having ring-shaped conductive spacer which connects wiring layers

Номер патента: US5929524A. Автор: Kuniaki Koyama,John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device structures including staircase structures, and related methods

Номер патента: US20190139977A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US11942420B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20210272895A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20220302026A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20220302027A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices including staircase structures

Номер патента: US20210143169A1. Автор: Eric N. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Bonding pad structure disposed in semiconductor device and related method

Номер патента: US20080290457A1. Автор: Ming-Dou Ker,Yuan-Wen Hsiao,Yuh-Kuang Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US11805639B2. Автор: Wooyoung Choi,Kiseok LEE,Sunghee Han,Euna Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device including stack structure with flat region

Номер патента: US11810776B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223346A1. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577131B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-10.

Microelectronic contact structure and the production and use method thereof

Номер патента: KR100577132B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,페더슨데이비드브이.. Владелец: 폼팩터, 인크.. Дата публикации: 2006-05-09.

Chain type mesh capacitor structure and construction method and layout method thereof

Номер патента: CN114023720A. Автор: 王锐,李建军,王亚波,莫军,裴增平. Владелец: Unicmicro Guangzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

MOUNTING STRUCTURE AND MOUNTING STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150021777A1. Автор: MATSUMOTO Keiji,KAWASE Kei,Orii Yasumitsu,Toriyama Kazushige,Hada Sayuri. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443778B2. Автор: Masao Kikuchi,Hiroshi Yoshida,Junji Fujino,Junichi Murai,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device having hard mask structure and fine pattern and forming method thereof

Номер патента: US09437444B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Ho-Jin Jung,Jun-Hyeub Sun,Chun-Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device and method of forming EWLB semiconductor package with vertical interconnect structure and cavity region

Номер патента: US09620557B2. Автор: Rui Huang,Seng Guan Chow,Lee Sun Lim,Ma Phoo Pwint Hlaing,Xu Sheng Bao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for fabricating semiconductor device including a first ILD with sloped surface on a stacked structure and a second ILD on the first ILD

Номер патента: US09780113B2. Автор: Jongwan Choi,Won-Seok Jung,Jiyoun Seo,Kyung-tae Jang,Jongmyeong Lee,Tae-Jong Han,Jiwoon Im,Kwangchul PARK,Byungho CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

A vertical oriented semiconductor device comprising well regions having two lateral doping gradients at different depths and a corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4310920A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor Device Including at Least One Lateral IGFET and at Least One Vertical IGFET and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20170018461A1. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220148987A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200328170A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US11842970B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258253A1. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929113B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466580B2. Автор: No Sun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332032A1. Автор: Hyun Cho,Dong Jin Kim,Jae Hun Bae,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Won Chul Do,Jun Hwan Park,Ji Hun Lee,Dong Hoon Han,Curtis Zwenger,Seung Nam Son,Won Myoung Ki. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226312A1. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941180B2. Автор: Dong Hyun Kim,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Ji Hun Lee,Young Rae Kim,Wang Gu Lee,Mi Kyeong Choi,Jin Ryang Hwang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor package device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466581B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Nai-wei LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769739B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,I-Ting Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010045652A1. Автор: Yoshihiko Toyoda,Takeshi Mori,Tetsuo Fukada,Yoshiyuki Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215462A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220037266A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,I-Ting Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device formed having a metal layer for conducting the device current and for high contrast marking and method thereof

Номер патента: US6984876B2. Автор: Jeffrey Pearse,Kent Kime. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2006-01-10.

Semiconductor device formed having a metal layer for conducting the device current and for high contrast marking and method thereof

Номер патента: CN1707790A. Автор: 肯特·凯姆,杰弗里·皮尔斯. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor devices including fine pitch arrays with staggered contacts and methods for their design and manufacture

Номер патента: JP5532400B2. Автор: ケー． リー，ジョン,キム，ヒュンテ,エル． ストックス，リチャード,シー． トラン，ルアン. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2014-06-25.

Electronic device, package structure and electronic manufacturing method

Номер патента: US20230378113A1. Автор: Pei-Jen LO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic device, package structure and electronic manufacturing method

Номер патента: US20230018031A1. Автор: Pei-Jen LO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355733A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Wei-Ting YEH,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040280B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having wafer-to-wafer bonding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321756A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11062996B2. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Embedded component package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343648A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device, integrated circuit component and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11749729B2. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711525B2. Автор: Min Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130334611A1. Автор: Yoshitaka Dozen,Hidekazu Takahashi,Eiji Sugiyama,Kyosuke Ito,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device for avoiding short circuit between adjacent storage nodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US10431587B2. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Barrier-free interconnect structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332169A1. Автор: Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having through silicon vias and manufacturing method thereof

Номер патента: US09515037B2. Автор: Masahiro Yamaguchi,Ryohei Kitada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202399A1. Автор: Yu Shih Wang,Ming-Hsi Yeh,Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chun-Neng LIN,Kao-Feng Lin,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Anodic aluminum oxide film-based interposer for electrical connection and manufacturing method therefor, semiconductor package and manufacturing method therefor, multi-stacked semiconductor device and manufacturing method therefor, display and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240112968A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082892A1. Автор: Yong Woo Lee,Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780209B1. Автор: CHIH-FEN Chen,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US11935834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for preparing semiconductor device with contact structure

Номер патента: US20230343841A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691708B1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115425A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363593A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062640B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor packaging device including via-in pad (VIP) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646941B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal film resistor structure and manufacturing method

Номер патента: WO2013056523A1. Автор: Xiaoxu KANG,Shaohai Zeng,Qingyun Zuo. Владелец: SHANGHAI IC R&D CENTER CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Cascode transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9425176B2. Автор: Chih-Hao Wang,Liang-Yu SU,Jian-Jang Huang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11133327B2. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-28.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200083250A1. Автор: Young-jin JUNG,Hyoung-ryeol In,Sung-Han Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

DBC substrate frame structure and forming jig and forming method thereof

Номер патента: CN113284871A. Автор: 史波,肖婷,杨景城. Владелец: Zhuhai Zero Boundary Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341322A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semicondcutor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148255A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Shih-Hao Tseng,Chia-Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Direct cooling type semiconductor package unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266251A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Sung Jae Chang,Ho Kyun Ahn,Sang Heung LEE,Hae Cheon Kim,Seong Il Kim,Hyoung Soon Lee,Il Gyu CHOI,Jun Rae PARK. Владелец: Republic Of Korea Defense Acquisition Program Administration. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device thermal management module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355699A1. Автор: Dae Young Kong,Hyoung Soon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-10-24.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Power module packaging structure and power module manufacturing method

Номер патента: CN112786555A. Автор: 王琇如,唐和明. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package device with integrated antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365455A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device having a through-silicon via and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899297B1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

multy chip module package structure and the same manufacturing method

Номер патента: KR100529927B1. Автор: 김재찬. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-11-22.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having storage electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09331138B2. Автор: Takashi Miyajima. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069025A1. Автор: Akira Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875902B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653604B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530852B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318368A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140370670A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180102252A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170221717A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190228977A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350173A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230207666A1. Автор: Huan WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HARD MASK STRUCTURE AND FINE PATTERN AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140322915A1. Автор: Jung Ho-Jin,Lee Chun-Hee,Sun Jun-Hyeub,LEE Sung-Kwon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for manufacturing semiconductor device semiconductor device and memory

Номер патента: US20220115385A1. Автор: Shiran ZHANG,Youquan YU,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20240128364A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Sung-En Lin,Chun-Ming Lung,Ting-Hsiang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Dielectric structures for semiconductor devices

Номер патента: US11935921B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066753A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Dielectric structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220328624A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11824058B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200402803A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Shu-Hui Wang,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10062604B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230395655A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20190109206A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US10505023B2. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE MEMORY STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATING GATE-ALL-AROUND VERTICAL GATE MEMORY STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREOF

Номер патента: US20160358932A1. Автор: Yang Ta-Hone. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20230111895A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure with a dummy fin structure

Номер патента: US20200343360A1. Автор: LUNG Chen,Kang-Min Kuo,Wen-Hsin CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US12002871B2. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method fabricating the same

Номер патента: US12009410B2. Автор: Wei-Hao Wu,Jia-Ni YU,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Semiconductor Package with Vertical Interconnect Structure and Cavity Region

Номер патента: US20160104731A1. Автор: Chow Seng Guan,Hlaing Ma Phoo Pwint,Huang Rui,Lim Lee Sun,Bao Xu Sheng. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and method of forming EWLB semiconductor package with vertical interconnect structure and cavity region

Номер патента: US9252172B2. Автор: Xusheng Bao,Rui Huang,Seng Guan Chow,Lee Sun Lim,Ma Phoo Pwint Hlaing. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor Device Including at Least One Lateral IGFET and at Least One Vertical IGFET and Corresponding Manufacturing Method

Номер патента: US20170018461A1. Автор: Meyer Thorsten,Schwetlick Werner. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

MOSFET device having linear transfer characteristic when operating in speed saturation mode, method of manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP2004502306A. Автор: バリガ，バントヴァル・ジェヤント. Владелец: ジャイアント・セミコンダクター・コーポレイション. Дата публикации: 2004-01-22.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: US4649625A. Автор: Nicky C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461062B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

HOLE STRUCTURE AND ARRAY SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD THEREOF, DETECTION DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20180061856A1. Автор: Tian Hui,Lin Chia chiang,Zhang Xiaolong,Jiang Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

A dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: AU575499B2. Автор: Nicky Chau-Chun Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-28.

Interposer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09412686B2. Автор: Chien-Li Kuo,Ming-Tse Lin,Kuei-Sheng Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Pore structure and array substrate, manufacturing methods of pore structure and array substrate, detection device and display device

Номер патента: CN105742238A. Автор: 田慧,江峰,林家强,张潇龙. Владелец: Ka Image. Дата публикации: 2016-07-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374805A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Ching Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device with protective films and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437734B2. Автор: Kiyotaka Yonekawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: CN109801931B. Автор: 蔡正原,王昱仁,江彦廷,陈子祥,周正贤,陈奕男,李升展. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12033970B2. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Hun Bae,Min Hwa Chang,Won Chul Do,Seok Geun Ahn,Young Rae Kim,Min Yoo,Ah Ra Jo. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Curable silicone composition, cured product therefrom, and optical semiconductor device

Номер патента: US09944759B2. Автор: Michitaka Suto,Akihiko Kobayashi,Tomohiro Iimura,Kazuhiro Nishijima,Akito Hayashi,Takashi Sagawa. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Double-source semiconductor device

Номер патента: US09425210B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices including charge storage patterns

Номер патента: US09960171B2. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Junghoon Park,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20170118419A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20150243702A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US9578263B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240266350A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4411801A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105257A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234417A9. Автор: Yuri Masuoka,Sung Won Kim,Keun Hwi Cho,Byeol Hae EOM,Byung Ha Choi,Won Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Welding Part Structure Of A Stem And A Component To Be Welded, A Semiconductor Device Which Has The Welding Part Structure, An Optical Module Which Has The Semiconductor, And The Production Method Thereof

Номер патента: US20090262509A1. Автор: Mitsutoshi Kamakura,Motoki Saji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor devices having different impurity regions in active pattern

Номер патента: US20240006485A1. Автор: Taehyeon Kim,Seunghun LEE,Seokhyeon YOON,Hyeongrae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Display device having transmission hole passing through substrate and thin-film encapsulation layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11380739B2. Автор: Kihyun Kim,Younggil PARK,Hyunsang SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Organic electroluminescent diode device having light-emitting layer disposed on electron injection layer, display panel, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11302887B2. Автор: Wei Yuan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device including ferroelectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11792995B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Dong Ik SUH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240136356A1. Автор: Yuri Masuoka,Sung Won Kim,Keun Hwi Cho,Byeol Hae EOM,Byung Ha Choi,Won Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device with integrated magnetic element provided with a barrier structure against metal contamination, and manufacturing

Номер патента: US20140167193A1. Автор: Vincenzo Palumbo,Paolo Iuliano,Francesca Milanesi,Sonia Pirotta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-06-19.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional memory device having enhanced contact between polycrystalline channel and epitaxial pedestal structure and method of making the same

Номер патента: US20210035998A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Three-dimensional memory device having enhanced contact between polycrystalline channel and epitaxial pedestal structure and method of making the same

Номер патента: US20210035999A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ENHANCED CONTACT BETWEEN POLYCRYSTALLINE CHANNEL AND EPITAXIAL PEDESTAL STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210035998A1. Автор: NISHIKAWA Masatoshi,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ENHANCED CONTACT BETWEEN POLYCRYSTALLINE CHANNEL AND EPITAXIAL PEDESTAL STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210035999A1. Автор: NISHIKAWA Masatoshi,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

PACKAGING STRUCTURE, AND FORMING METHOD AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210098426A1. Автор: WANG Chaohong,YANG Ke,LENG Hanjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

power metal oxide semiconductor(MOS) type diode having superjuction structure and trench gate and fabrication method thereof

Номер патента: KR20160092337A. Автор: 김영,이상용,강진영. Владелец: 주식회사 화진. Дата публикации: 2016-08-04.

Anisotropic conductive film, bonding structure, and display panel and preparation method thereof

Номер патента: CN105493204A. Автор: 李红,黄维,陈立强. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Base island exposed type and embedded type base island lead frame structure and first-engraving last-plating method thereof

Номер патента: CN101853832A. Автор: 梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Conductive paste, conductive paste manufacturing method, connection structure, and connection structure manufacturing method

Номер патента: JPWO2015174299A1. Автор: 英亮 石澤,敬士 久保田,仁志 山際,石澤　英亮. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US20220085027A1. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220173111A1. Автор: YING Zhan,ZHU Yuhan,Liao Chuxian. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

STAINLESS SENSITIVE SOLAR CELL MODULE HAVING A SERIES STRUCTURE AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: BR112014024936B1. Автор: Lindstrom Henrik,Fili Giovani. Владелец: Exeger Operations AB. Дата публикации: 2021-07-20.

Vapor deposition apparatus providing improved carrier gas supplying structure and the OLED manufacturing method using the same

Номер патента: KR101074810B1. Автор: 정민재,이길원,나흥열. Владелец: 삼성모바일디스플레이주식회사. Дата публикации: 2011-10-19.

Multilayer substrate, connection structure and connection structure manufacturing method

Номер патента: TW202038426A. Автор: 阿久津恭志,石松朋之,篠原誠一郎. Владелец: 日商迪睿合股份有限公司. Дата публикации: 2020-10-16.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812544B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379458A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472620B1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574916B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449882B1. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711661B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343373A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905467B2. Автор: Chi-Wen Liu,Hsin-Chieh Huang,Chih-Sheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679901B1. Автор: Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Le-Tien Jung,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Harn-Jiunn Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with epitaxial structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530886B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Neng-Hui Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134798A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350214A1. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Iuan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343127A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Che-Chih Hsu,Chinyu Su,Po-Han Tseng,Wen Han Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180342509A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10038080B1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device having principal surface of polar plane and side surface at specific angle to nonpolar plane and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090283760A1. Автор: Tetsuo Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564528B2. Автор: Che-Cheng Chang,Bo-Feng YOUNG,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang,Cheng-Yen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450093B2. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Chih-Ming Hsieh,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050098838A1. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113116B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922865B2. Автор: Hyun Tae Jung,Jeong Gyu PARK,Woo Sig Min,Meng An Jung,Gil Ho LEE,Hyung Suk Choi,Da Soon Lee,Pil Seung Kang. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905641B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Lilly SU,Heng-Wen Ting,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748363B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478673B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472648B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7008831B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120292699A1. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595532B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425313B1. Автор: Yuan-Shun Chao,Chao-Hsuing Chen,Hou-Yu Chen,Chie-Iuan Lin,Kuo Lung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8871583B2. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09412878B2. Автор: Tomohiro Hayashi,Koji Ogata,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180248022A1. Автор: Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-08-30.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7745318B2. Автор: Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-29.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213083A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250187A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160240537A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having a field effect transistor formed on a silicon-on-insulator substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966452B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954076B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935103B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865504B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812576B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09679938B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical junctionless transistor device and manufacturing methods

Номер патента: US09673322B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570556B1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559100B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09530851B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chih-Wei Yang,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406680B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105454A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yi-Tse Hung,Meng-Zhan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343872A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043090A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device including source/drain epitaxial layer having facets and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105888A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297252A1. Автор: Chan-Lon Yang,Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954067B2. Автор: Hsin-Hung Chen,Wei-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09941294B2. Автор: Shih-Lu HSU,Cheng-Ming Wu,Ching-Yen HSAIO,Chien-Hsian WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741829B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09716099B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601602B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490345B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Ko-Min Lin,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device including oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425045B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6593611B1. Автор: Kiyoshi Mori,Yutaka Inaba,Junichi Tsuchimoto,Tamotu Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Fiber SOI substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US8598017B2. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-03.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170162696A1. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Fiber soi substrate, semiconductor device using this, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130023090A1. Автор: Kenkichi Suzuki,Takashi Fuyuki,Hisashi Koaizawa,Sadayuki Toda. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10446648B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030127685A1. Автор: Takashi Kuroi,Katsuyuki Horita,Katsuomi Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device including fin structure with two channel layers and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966469B2. Автор: Tung Ying Lee,Yasutoshi Okuno,Wang-Chun Huang,Chien-Chang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09685439B1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Liang-Yi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570484B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1817796A1. Автор: Hiroko Abe,Mikio c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd YUKAWA,Ryoji c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd NOMURA,Satoshi Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd SEO,Shunpei c/o Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. YAMAZAKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472664B1. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240304718A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9455248B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140346594A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148363A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358906A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device having a memory cell region and a peripheral circuit region and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6849490B2. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087843B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200259082A1. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11011703B2. Автор: Tianhui Li,Qiang Ma,Yanlei Ping. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250133A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Kai-Wen Cheng,Chi-Min Chen,Yin-Hao Wu,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150076611A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Composite element chip, a semiconductor device and manufacturing method thereof, a printing head, and an image forming apparatus

Номер патента: US09614125B2. Автор: Takahito Suzuki,Taishi Kaneto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601636B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001226A1. Автор: Akio Iwabuchi,Shuichi Kaneko. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871143B2. Автор: Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010040251A1. Автор: Shinya Watanabe,Shunji Yasumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having a filling conductor comprising a plug portion and a cap portion and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780092B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666574B1. Автор: Chen-Yi Lee,Alexander Kalnitsky,Pei-Lun Wang,Mohammad Al-Shyoukh,Yu-Chang Jong,Dah-Chuen Ho,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660104B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371988A1. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080153212A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070172746A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12080720B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837513B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hitoshi Nakayama,Masashi TSUBUKU,Daigo SHIMADA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09755019B1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653488B2. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640642B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hitoshi Nakayama,Masashi TSUBUKU,Daigo SHIMADA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508730B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050116272A1. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7208788B2. Автор: Takashi Nishida,Masahito Hiroshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831205B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773912B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09406810B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200185533A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12040368B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: MY138802A. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Koji Ono,Toru Takayama,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2009-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070238290A1. Автор: Tadashi Miwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor Device And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258431A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812570B2. Автор: CHIH-FEN Chen,Ching Yu,Yen Chuang,Yuh-Ta FAN,Chui-Ya Peng,Pin-Hen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having improved superjunction trench structure and method of manufacture

Номер патента: US09768247B1. Автор: Joris Baele,Samir Mouhoubi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including electrostatic discharge (ESD) protection circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679889B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455318B2. Автор: Zhenghao Gan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241758A1. Автор: Yuichi Minoura,Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Optical semiconductor device having ridge structure formed on active layer containing p-type region and its manufacture method

Номер патента: US20140017841A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Hisao Sudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING RIDGE STRUCTURE FORMED ON ACTIVE LAYER CONTAINING P-TYPE REGION AND ITS MANUFACTURE METHOD

Номер патента: US20140017841A1. Автор: Yamamoto Tsuyoshi,Sudo Hisao. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-01-16.

Electrosurgical devices having dielectric loaded coaxial aperture with distally positioned resonant structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20150157403A1. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2015-06-11.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Electrosurgical devices having dielectric loaded coaxial aperture with distally positioned resonant structure and method of manufacturing same

Номер патента: AU2010206116A1. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2011-02-24.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Light-emitting keyswitch, cap structure and cap structure manufacturing method thereof

Номер патента: US10892121B2. Автор: Tsai-Jung Hu,Wei-Yan You. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Light-emitting keyswitch, cap structure and cap structure manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294739A1. Автор: Tsai-Jung Hu,Wei-Yan You. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Electrosurgical devices having dielectric loaded coaxial aperture with distally positioned resonant structure and method of manufacturing same

Номер патента: CA2712140C. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2018-08-28.

Composite of glass fiber with hierarchical structure and metallic lithium and preparation method thereof

Номер патента: CN111613773A. Автор: 许晓雄,张秩华,崔言明,黄园桥,詹盼. Владелец: Zhejiang Funlithium New Energy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Connector structure, and connector structure manufacturing method

Номер патента: US11837834B2. Автор: Kazuaki Hamada,Junichi Ono,Atsushi Murata. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Connector structure and connector structure manufacturing method

Номер патента: US11855402B2. Автор: Kazuaki Hamada,Junichi Ono,Atsushi Murata. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264006A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264005A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264001A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264004A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Antenna structure and antenna structure manufacturing method

Номер патента: EP4362219A1. Автор: Alexander Schneider,Arndt Ott,Ramona Cosmina HOTOPAN. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264004A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

CONNECTOR STRUCTURE, AND CONNECTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220069533A1. Автор: Murata Atsushi,Ono Junichi,HAMADA Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Proximity sensor, proximity sensor mounting structure, and proximity sensor manufacturing method

Номер патента: JP5500530B2. Автор: 栄一 小菅,秀二 与那城. Владелец: Nippon Aleph Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Conductive paste, connection structure, and connection structure manufacturing method

Номер патента: CN105493201A. Автор: 石泽英亮,久保田敬士,山际仁志,长谷川淳,斋藤谕,宫崎弹一. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Conductive paste, connection structure, and connection structure manufacturing method

Номер патента: WO2015125778A1. Автор: 敬士 久保田,弾一 宮崎,諭 齋藤,長谷川　淳,仁志 山際,石澤　英亮. Владелец: 積水化学工業株式会社. Дата публикации: 2015-08-27.

Betatron structure and betatron structure manufacturing method

Номер патента: RU2434369C2. Автор: Феликс К. ЧЕН,Джойс ВОНГ,Гари В. КОРРИС,Стефен С. БАЛКУНАС,Цзылу ЧЖОУ,Джеймс ХОГ. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2011-11-20.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Tire having crack resistant sidewalls

Номер патента: US20160297243A1. Автор: Glenn Denstaedt. Владелец: Lehigh Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Optoelectronic interconnection board, optoelectronic interconnection apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080181561A1. Автор: Hideto Furuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and preparation method thereof, and memory apparatus

Номер патента: US11985810B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A2. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Delay line structure and delay jitter correction method thereof

Номер патента: EP4024707A3. Автор: Yahuan LIU. Владелец: Suzhou Motorcomm Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

GLASS-BASED ARTICLES HAVING CRACK RESISTANT STRESS PROFILES

Номер патента: US20190104627A1. Автор: Schneider Vitor Marino,Reiman Kevin Barry,Egboiyi Benedict Osobomen,Chambliss Kameron Isaiah. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Glass-based articles having crack resistant stress profiles

Номер патента: WO2019070724A1. Автор: Vitor Marino Schneider,Kevin Barry Reiman,Benedict Osobomen Egboiyi,Kameron Isaiah Chambliss. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Glass-based articles having crack resistant stress profiles

Номер патента: US11968794B2. Автор: Vitor Marino Schneider,Kevin Barry Reiman,Benedict Osobomen Egboiyi,Kameron Isaiah Chambliss. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224518A1. Автор: Yu Chun Lin,Anqi LIU,Sun-Hung Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Decoder for increasing throughput using double buffering structure and pipelining technique and decoding method thereof

Номер патента: KR101433620B1. Автор: 조경래,공준진,채동혁,조남필,윤찬호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-25.

A kind of gradual approaching A/D converter structure and low power consumption switch method thereof

Номер патента: CN106301364A. Автор: 陈超,黄�俊,黄成�,李红,吴建辉. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-01-04.

Reading circuit structure and working time sequence control method thereof

Номер патента: CN111263090B. Автор: 何学红,杨海玲,严慧婕,金毓奇,连夏梦. Владелец: Chengdu Image Design Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Integrated circuit devices having data inversion circuits therein with multi-bit prefetch structures and methods of operating same

Номер патента: US6992506B2. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang,Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-31.

Reproducing device and method, program, recording medium, data structure, and recording medium manufacturing method

Номер патента: WO2006093218A1. Автор: Motoki Kato,Shinobu Hattori,Ayako Iwase. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Connection structure and connection structure manufacturing method

Номер патента: US20230262895A1. Автор: Sho Fujita,Yuma Otsuka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Playback apparatus, playback method, program, program storage medium, data structure, and recording-medium manufacturing method

Номер патента: US8340496B2. Автор: Motoki Kato,Shinobu Hattori,Ayako Iwase. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Information processing device, information processing method, program storage medium, program, data structure, and recording medium manufacturing method

Номер патента: TW201112009A. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Kazuo Yamamoto,Kouichi Uchimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

Motor armature structure and motor armature manufacturing method

Номер патента: US20220271578A1. Автор: Manabu Horiuchi,Yasushi Misawa,Shintarou Koichi. Владелец: Sanyo Denki Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

ROTOR STRUCTURE AND ROTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200251945A1. Автор: HOSODA Akihiro. Владелец: FANUC Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

A kind of oblique slot type balance ring rotor structure and its balance manufacture method

Номер патента: CN107896019A. Автор: 徐杰,董毅,安高峰,侯跃岭,竺湘灵,何程峰. Владелец: NINGBO FEISHI AUTOMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Zero-Poisson-Ratio Honeycomb Structure And Interlocking Assembly Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20220339892A1. Автор: WEI QIAN,Wen Zhang,Fei Gao,Rui Yang,Junlong WANG,Shiyong SUN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-10-27.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Variable-rate spray control system based on annular application structure and tree canopy volume calculation method thereof

Номер патента: US20240299966A1. Автор: Hui Liu,Xuan Zhang,Yue Shen,Yunpeng Duan,Jinming Chen. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-09-12.

Instant noodles with multi-layered structure and such noodles manufacture method

Номер патента: RU2569963C1. Автор: Мицуру ТАНАКА,Юкио ХИРАНО,Кунихико ЁСИДА,Такэси АСАХИНА. Владелец: Ниссин Фудз Холдингз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-12-10.

Structure and resin structure manufacturing method, structure, and x-ray imaging apparatus including structure

Номер патента: US20140185779A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Liner structure and blow-molding manufacturing method forliner structure

Номер патента: US20230158729A1. Автор: Tong Liu,Lei Fan,Xiaogong CHEN,Mingche ZHOU. Владелец: Canature Health Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09718677B1. Автор: Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device including a buried cell array transistor (bcat) structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251547A1. Автор: Jungwoo Song,Byeongjun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240147712A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Optical system, optical equipment, and manufacturing method for optical system

Номер патента: US12025779B2. Автор: Hiroki Harada,Toshinori Take,Keisuke TSUBONOYA. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES HAVING CRACK RESISTANT MEMBRANE STRUCTURES AND METHODS FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20150059484A1. Автор: Liu Lianjun,BILIC Dubravka,Dawson Chad S,McNeil Andrew C. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES HAVING CRACK RESISTANT MEMBRANE STRUCTURES AND METHODS FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20140210018A1. Автор: McNeil Andrew C.,Liu Lianjun,Dawson Chad S.,BILIC Dubravka. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICES HAVING CRACK RESISTANT MEMBRANE STRUCTURES AND METHODS FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20170341926A9. Автор: Liu Lianjun,BILIC Dubravka,Dawson Chad S,McNeil Andrew C. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Microelectromechanical system devices having crack resistant membrane structures and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US9926187B2. Автор: Lianjun Liu,Dubravka Bilic,Andrew C Mcneil,Chad S Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Tire having crack resistant sidewalls

Номер патента: GB2539310B. Автор: Denstaedt Glenn. Владелец: Lehigh Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-03.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Admixture for cement mortar having crack resistance and cement mortar including the same

Номер патента: US20120006233A1. Автор: Wook Hwan Noh,Joon Soo Lee. Владелец: Samsung Fine Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

TIRE HAVING CRACK RESISTANT SIDEWALLS

Номер патента: US20160297243A1. Автор: Denstaedt Glenn. Владелец: LEHIGH TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-10-13.

Paperboard tray having crack-resistant barrier coating

Номер патента: CA2391458C. Автор: Alan W. Denney,Jerry Deweese. Владелец: Blue Ridge Paper Products Inc. Дата публикации: 2006-01-17.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: Ting-Jui Chang,Po-Lun Chen,Ming-Feng Tien,Jenn-Jia Su,Chia-Jung Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-25.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

Joint structure and joint structure manufacturing method

Номер патента: US09643356B2. Автор: Hiroyuki Kurokawa,Yasuhide Matsuo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Optical device sealing structure and optical device manufacturing method

Номер патента: US09459410B2. Автор: Katsutoshi Kondou,Masaru Shiroishi,Kazuhiro Ooto. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Mechanical stopper device having elastically deformable body with slit, and multi-joint robot having the stopper device

Номер патента: US9796098B2. Автор: Kentarou Ootani. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Detection apparatus, lithography apparatus, and article manufacturing method

Номер патента: US20230375956A1. Автор: Yuichi Fujita,Takahiro Matsumoto,Ryo Nakayama,Takafumi Miyaharu,Hironobu Fujishima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: US20240352918A1. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: EP4321752A4. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated flat plate micro-heat pipe structure and 3D printing manufacturing method thereof

Номер патента: CN111590073A. Автор: 汪小明,王耿,明宪良,唐晔. Владелец: Beijing Institute of Remote Sensing Equipment. Дата публикации: 2020-08-28.

Heterogeneous metal bionic skeleton energy-absorbing noise-reducing structure and material increase manufacturing method thereof

Номер патента: CN114789256B. Автор: 张晓龙,张志辉,张宝玉,王书鹏,姜鹏飞,任露泉,于征磊,刘瑞佳,李星燃,江月. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2022-09-09.

CARRIER STRUCTURE AND DRUG CARRIER, AND PREPARING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200179286A1. Автор: WANG Chung-Hao,YANG SHU-JYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Small-space swinging and convex-beating structure and swinging and convex-beating method thereof

Номер патента: CN110756667A. Автор: 张勇,陈利,郭宏林. Владелец: FINEFORMING PRECISION ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Catalytic cracking catalyst containing molecular sieve with Y and BEA structures and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN112473731A. Автор: 王鹏,宋海涛,孙敏,林伟,王丽霞. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2021-03-12.

Regulate and control high-strength high-plastic heat resistance magnesium alloy of LPSO structures and nanoprecipitation phase and preparation method thereof

Номер патента: CN107058924A. Автор: 刘欢,宋丹,杨晓伟,李程,马爱斌,江静华,孙甲鹏. Владелец: MARINE AND OFFSHORE ENGINEERING INSTITUTE OF HOHAI UNIVERSITY NANTONG. Дата публикации: 2017-08-18.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498A. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Packaging bag heat sealing structure and production device and technological method thereof

Номер патента: CN112960203A. Автор: 吕庆,金昌飞,余凌云,陈懂华,汪胜启. Владелец: Anqing Hengchang Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Bio-iron-based alloy with optimized tissue structure and accelerated degradation and preparation method thereof

Номер патента: CN110699607A. Автор: 高成德,帅词俊. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-17.

Inverted step type vertical shaft structure and blowout reducing and avoiding method thereof

Номер патента: CN111705839B. Автор: 张宇,徐鹏,赵宇航,王小东,王芳芳,高昂,何建明,崔鹏飞,俞雷,杨倩倩,吴时强,吴修锋,戴江玉,黄标,徐准,沙海明,杜庭宝,樊顾飞. Владелец: Nanjing Hydraulic Research Institute of National Energy Administration Ministry of Transport Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2021-09-21.

Ceramic plate with net-shaped structure and production device and production method thereof

Номер патента: CN113771198A. Автор: 常松,许建方,胡继成,周杭阳,雷应飞,王之本. Владелец: Zhejiang Jinze Energy Saving Building Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Porous surface structure and substrate connecting structure, preparation method thereof and prosthesis

Номер патента: CN112237498B. Автор: 史金虎,姚建清,朱永良. Владелец: Abbott Medical Technology Suzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-10-28.

Paper disc taking and placing manipulator with inner centering structure and control system and control method thereof

Номер патента: CN107932497B. Автор: 吴晓,李慧,董宁,堵俊,白祥,吴加莹,王梓州,顾燕辉,谢茂良. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-12-04.

ELECTROSURGICAL DEVICES HAVING DIELECTRIC LOADED COAXIAL APERTURE WITH DISTALLY POSITIONED RESONANT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20140005655A1. Автор: Brannan Joseph D.. Владелец: Vivant Medical, Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

ELECTROSURGICAL DEVICES HAVING DIELECTRIC LOADED COAXIAL APERTURE WITH DISTALLY POSITIONED RESONANT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150157403A1. Автор: Brannan Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Assembly type steel-concrete combined cast-in-place structure and on-site integral casting method thereof

Номер патента: CN111997183A. Автор: 杨琦,辛力,史生志. Владелец: China Northwest Architecture Design and Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-27.

Semiconductor memory device having energy-saving word line enable signal line arrangement structure and word line enable signal line arrangement method

Номер патента: JP4989077B2. Автор: 哲佑 朴,大熙 鄭,潤相 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-01.

The gold nano superlattice structure and its self-assembly preparation method thereof of a kind of close coupling

Номер патента: CN107699954A. Автор: 刘红,张海斌. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-16.

Marine engineering fan foundation single-pile scouring protection structure and scouring depth reduction calculation method thereof

Номер патента: CN111576470A. Автор: 杨帆,范成,屈丽丽,娄晓帆. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-08-25.

Fingerprint sensing device having flexible printed circuit board serving as signal transmission structure and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20090039449A1. Автор: Bruce C.S. Chou. Владелец: Egis Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Cable-stayed bridge tower beam installation structure and space-ectopic interactive construction method thereof

Номер патента: CN114108475B. Автор: 刘勇,陈晓杰,司松闯,赵海江,于松聆,张留军,张徐鑫. Владелец: PowerChina Roadbridge Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-22.

Variable-Rate Spray Control System Based On Annular Application Structure and Tree Canopy Volume Calculation Method Thereof

Номер патента: GB2616746B. Автор: Liu Hui,Zhang Xuan,SHEN Yue,CHEN Jinming,Duan Yunpeng. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-03-06.

Side door structure and side door manufacturing method of vehicle

Номер патента: US20210387517A1. Автор: Yukihiro Moriyama. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Structure and resin structure manufacturing method, structure, and x-ray imaging apparatus including structure

Номер патента: US20140185779A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Wiring structure and electrooptical device manufacturing method, electrooptical device and electronic apparatus

Номер патента: CN1488976A. Автор: 石田幸政. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Delayed fracture prevention method for steel structure and steel structure manufacturing method

Номер патента: WO2004046392A1. Автор: Tadashi Ishikawa,Kiyotaka Nakashima,Tetsuro Nose. Владелец: NIPPON STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Flow path, flow path manufacturing method, electrode structure, and electrode structure manufacturing method

Номер патента: JPWO2020013256A1. Автор: 川合　知二,知二 川合,正輝 谷口,真楠 筒井. Владелец: AIPORE INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: EP4321752A1. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

SOUNDPROOF STRUCTURE AND SOUNDPROOF STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180002919A1. Автор: HAKUTA Shinya,Kasamatsu Tadashi,NAYA Masayuki,YAMAZOE Shogo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Optical device sealing structure and optical deveice manufacturing method

Номер патента: US20170023742A1. Автор: Katsutoshi Kondou,Masaru Shiroishi,Kazuhiro Ooto. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

SOUNDPROOF STRUCTURE AND SOUNDPROOF STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180051462A1. Автор: HAKUTA Shinya,Kasamatsu Tadashi,NAYA Masayuki,YAMAZOE Shogo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-02-22.

HONEYCOMB CORE, HONEYCOMB SANDWICH STRUCTURE, AND HONEYCOMB CORE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180117802A1. Автор: Kobayashi Hiroki,SEKINE Kazushi,KUME Masami,MIYASHITA Masahiro,MURASE Saburo,ARIKI Shigeru,HAYATA Kozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

JOINT STRUCTURE AND JOINT STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160136880A1. Автор: Kurokawa Hiroyuki,Matsuo Yasuhide. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-19.

Honeycomb bodies with multi-zoned honeycomb structures and co-extrusion manufacturing methods

Номер патента: US20210197185A1. Автор: Douglas Munroe Beall,David John Thompson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

SIDE DOOR STRUCTURE AND SIDE DOOR MANUFACTURING METHOD OF VEHICLE

Номер патента: US20210387517A1. Автор: MORIYAMA Yukihiro. Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

SOUNDPROOF STRUCTURE AND SOUNDPROOF STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170341186A1. Автор: YOSHIHIRO Tatsuya,HAKUTA Shinya,Kasamatsu Tadashi,NAYA Masayuki,YAMAZOE Shogo,OHTSU Akihiko. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

A fiber manufacturing apparatus with a contact webbing structure and a fiber manufacturing method using the same

Номер патента: KR20220109353A. Автор: 이진규,이남근. Владелец: 슈팹 주식회사. Дата публикации: 2022-08-04.

Table top structure and top plate manufacturing method

Номер патента: KR101995897B1. Автор: 이현용. Владелец: 이현용. Дата публикации: 2019-07-04.

Improved dust cap mounting structure and fixed cap manufacturing method for Car suspension

Номер патента: KR101401878B1. Автор: 이정원,최병진. Владелец: 주식회사 대원티시. Дата публикации: 2014-05-29.

A fishing rod having a multiple tube structure and a related manufacturing method

Номер патента: AU2009200008A1. Автор: Roberto Gazzara,Mauro Pinaffo,Michele Pozzobon,Mauro Pezzato,Stephen J Davis. Владелец: Prince Sports LLC. Дата публикации: 2009-07-30.

Photomask Structure and Array Substrate Manufacturing Method

Номер патента: KR102278989B1. Автор: 훙위안 쉬. Владелец: 선전 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-07-19.

Cover plate formwork structure and cover plate manufacturing method

Номер патента: CN113323021A. Автор: 李晓克. Владелец: Clp Shandong Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

The bobbin structure and the bobbin manufacture method of z-continuous winding

Номер патента: KR100639566B1. Автор: 이준,김상현,백승명,천현권. Владелец: 경상대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-10-30.

Glass run, glass run mounting structure, and glass run manufacturing method

Номер патента: CN114802039A. Автор: 春田辉,宫田知范. Владелец: Nishikawa Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

360 MPa-grade high-toughness steel plate for ship structure and low-cost manufacturing method

Номер патента: CN108796365B. Автор: 王强,石晓伟,刘宝喜,尹绍江,郑文超,刘伟建,李可斌,郝鑫,安海玉. Владелец: TANGSHAN ZHONGHOU BOARD MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Micromechanical cap structure and the respective manufacturing method

Номер патента: US6462392B1. Автор: Stefan Pinter,Helmut Baumann,Harald Emmerich,Hans-Peter Trah. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-10-08.

A handle structure and it's manufacture method

Номер патента: KR100720166B1. Автор: 서석호. Владелец: 주식회사 골든벨금속. Дата публикации: 2007-05-18.

Vehicle body structure and vehicle body manufacturing method

Номер патента: JP5976615B2. Автор: 勇 長澤. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 2016-08-23.

Door panel structure and door panel manufacturing method

Номер патента: JP4305484B2. Автор: 秀至 亀岡. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Porous structure and porous structure manufacturing method

Номер патента: WO2020235154A1. Автор: 佳之 ▲高▼橋,大一 板橋. Владелец: 株式会社ブリヂストン. Дата публикации: 2020-11-26.

Glow plug, glow plug mounting structure, and glow plug manufacturing method

Номер патента: US7041938B2. Автор: Chiaki Kumada,Shunsuke Gotou. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-09.

Flare joint structure and flare pipe manufacturing method

Номер патента: JP2021080946A. Автор: 威一郎 清野,Iichiro Kiyono. Владелец: Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Flare fitting structure and flared tube manufacturing method

Номер патента: US20220381379A1. Автор: Iichiro Seino. Владелец: Usui Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

A battery assembly plate structure and the corresponding manufacturing method

Номер патента: CN101217190A. Автор: 方有福,林椿住,柳仁志. Владелец: WELLDONE CO Ltd. Дата публикации: 2008-07-09.

Bellows structure and bellows structure manufacturing method

Номер патента: KR20120113895A. Автор: 송영민. Владелец: 송영민. Дата публикации: 2012-10-16.

Flare fitting structure and flared tubing manufacturing method

Номер патента: EP4060213A4. Автор: Iichiro Seino. Владелец: Usui Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09643838B1. Автор: Jung-Huei Peng,Chia-Hua Chu,Li-Min Hung,Yi-Chien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Gypsum boards having crack resistant edge portions

Номер патента: CA558524A. Автор: E. Gibson Oliver. Владелец: CANADIAN GYPSUM Co Ltd. Дата публикации: 1958-06-10.

Semiconductor Device and Method of Forming EWLB Semiconductor Package with Vertical Interconnect Structure and Cavity Region

Номер патента: US20120306038A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Triazine ring structure containing caged organic phosphate and preparation method thereof

Номер патента: CN103113409A. Автор: 周易,彭治汉,孙柳,赵海珠,谭逸伦,邵偲淳. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-22.

ELECTRONIC DEVICE HAVING FUNCTIONAL BLOCKS INDIVIDUALLY CONTROLLED TO SELECTIVELY ENTER POWER-SAVING MODE AND RELATED POWER CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120122417A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Motor rotor mold structure and motor rotor manufacturing method

Номер патента: TWI430857B. Автор: Nai Kuang Tang,Chi Ming Hung. Владелец: Metal Ind Res & Dev Ct. Дата публикации: 2014-03-21.

Pixel Structure and Forming Method and Driving Method Thereof

Номер патента: US20120268443A1. Автор: . Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163A. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-15.

Semiconductor test structure and forming method and testing method thereof

Номер патента: CN103107163B. Автор: 王立,黄晓辉,秋艳鹏,李彦勋. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Passivation layer structure, and forming method and etching method thereof

Номер патента: CN103378128A. Автор: 张海洋,张城龙. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Common line structure and display panel and fabrication method thereof

Номер патента: CN102651344B. Автор: 蔡东璋. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-11-05.

Hot-pressed leather sheath keyboard structure and production equipment and machining method thereof

Номер патента: CN105045404A. Автор: 柴建波. Владелец: Dongguan Haojianxuan Electronic Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

Offshore wind power submersible foundation structure and complete fan installation construction method thereof

Номер патента: CN102677694A. Автор: 丁红岩,练继建,张浦阳,朱奇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-19.

A combined house plate wall structure and a digital printing production method thereof

Номер патента: CN104895215A. Автор: 马义和. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-09-09.

Electrosurgical devices having dielectric loaded coaxial aperture with distally positioned resonant structure and method of manufacturing same

Номер патента: AU2015201444B2. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2017-04-20.

Electrosurgical devices having dielectric loaded coaxial aperture with distally positioned resonant structure and method of manufacturing same

Номер патента: AU2010206116B2. Автор: Joseph D. Brannan. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2013-12-12.

OPTICAL DEVICE SEALING STRUCTURE AND OPTICAL DEVEICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120251770A1. Автор: Kondou Katsutoshi,Shiroishi Masaru,Ooto Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264001A1. Автор: Nagai Hiroki,TSUCHIYA Takenori,HIKOSAKA Masahide. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264003A1. Автор: Nagai Hiroki,TSUCHIYA Takenori,HIKOSAKA Masahide. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264005A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264006A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Body frame structure and side frame manufacturing method

Номер патента: JP6907891B2. Автор: 泉太郎 田坂,豪太 山根. Владелец: Toyota Auto Body Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Glass run, glass run mounting structure and glass run manufacturing method

Номер патента: JP2022111983A. Автор: 知範 宮田,輝 春田,Teru Haruta,Tomonori Miyata. Владелец: Nishikawa Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-01.

Rail vehicle roof structure and rail car manufacturing method

Номер патента: JP6487865B2. Автор: 渡邊　俊之,俊之 渡邊,謙二 磯見. Владелец: 近畿車輌株式会社. Дата публикации: 2019-03-20.

Motor insulation structure and motor stator manufacturing method

Номер патента: JP3632511B2. Автор: 茂利 山口,康憲 柵木. Владелец: Toyoda Koki KK. Дата публикации: 2005-03-23.

Body front pillar structure and front pillar manufacturing method

Номер патента: JP5098398B2. Автор: 秀樹 伊藤,康司 藤井,速水 中川,哲史 柳本,裕之 清野,拓生 中村,純一 柳瀬,孝徳 谷本. Владелец: Mitsubishi Motors Corp. Дата публикации: 2012-12-12.

Door trim mold structure and door trim manufacturing method

Номер патента: JP3506378B2. Автор: 剛 関口,実 井本. Владелец: Ikuyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-15.

Electronic component testing device, test board structure, and test board manufacturing method

Номер патента: TWI805218B. Автор: 盧昱呈. Владелец: 萬潤科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-06-11.

Semiconductor structure and its corresponding manufacturing method

Номер патента: TWI573197B. Автор: zhong-ping Liao. Владелец: Silergy Semiconductor Tech (Hangzhou) Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.