Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
Номер патента: JP3978189B2
Опубликовано: 19-09-2007
Автор(ы): 和利 小野澤
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd, Panasonic Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-09-2007
Автор(ы): 和利 小野澤
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd, Panasonic Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A semiconductor device and its manufacture method
Номер патента: KR970005717B1. Автор: 다까오 후지쯔. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1997-04-19.