Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof
Номер патента: US20240145576A1
Опубликовано: 02-05-2024
Автор(ы): H. Jim Fulford, Mark I. Gardner, Partha MUKHOPADHYAY
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-05-2024
Автор(ы): H. Jim Fulford, Mark I. Gardner, Partha MUKHOPADHYAY
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device
Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.