Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical PN junction between body region and drift structure

Silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical PN junction between body region and drift structure

Номер патента: US10964808B2
Опубликовано: 30-03-2021
Автор(ы): Andreas Meiser, Roland Rupp, Romain Esteve
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09502552B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having a lower diode region arranged below a trench

Номер патента: US09478655B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device Including Trench Gate Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200098868A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-26.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Insulated gate silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09741797B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160027878A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9306006B2. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160163853A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160027910A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250082A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799515B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09680006B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide trench semiconductor device

Номер патента: US11245016B2. Автор: David Sheridan,Madhur Bobde,Vipindas Pala. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Forming a metal contact layer on silicon carbide and semiconductor device with metal contact structure

Номер патента: US10256097B2. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09704957B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: WO2024052643A1. Автор: Marina Antoniou,Peter Gammon,Yunyi QI,Ben RENZ. Владелец: THE UNIVERSITY OF WARWICK. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB2622268A. Автор: Antoniou Marina,Gammon Peter,Qi Yunyi,Renz Ben. Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Silicon carbide lateral power semiconductor device

Номер патента: GB202213240D0. Автор: . Владелец: University of Warwick. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures, Transistor Mesas and Diode Mesas

Номер патента: US20160190301A1. Автор: Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures, Transistor Mesas and Diode Mesas

Номер патента: US20190245075A1. Автор: Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09786778B1. Автор: Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240282830A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Gyeom KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide MOS type semiconductor device

Номер патента: JP5369464B2. Автор: 俊一 中村,喜幸 米澤,雅秀 後藤. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic device with auto aligned csl and edge termination structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297249A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11769833B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yu-Shu Lin,Chi-Hsuan Tang,Chung-Ting Huang,Bo-Shiun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395719A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yu-Shu Lin,Chi-Hsuan Tang,Chung-Ting Huang,Bo-Shiun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640651B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Sachiko Aoi,Kimimori Hamada. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520503B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043942A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09679971B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079492A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Kazuki Arakawa,Shinichiro Miyahara,Atsuya Akiba,Tomoo MORINO,Yasushi Urakami,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including IGBT, boundary, and diode regions

Номер патента: US11875990B2. Автор: Tetsuya Nitta,Shinya SONEDA,Munenori Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170077239A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09530850B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide mos-gated semiconductor device

Номер патента: US20230071655A1. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20160181408A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide MOS-gated semiconductor device

Номер патента: US11888056B2. Автор: Cheng-Tyng Yen. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode

Номер патента: US20240021670A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190334030A1. Автор: Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Atsuya Akiba,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor Device Having a Source Electrode Contact Trench

Номер патента: US20190157447A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716157B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device, inverter circuit using the same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230378292A1. Автор: Junichi Uehara,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device, electro-optic device, power conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US20140217424A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same

Номер патента: US6133587A. Автор: Toshio Murata,Takeshi Miyajima,Norihito Tokura,Yuichi Takeuchi,Takamasa Suzuki,Shoichi Onda,Hiroo Fuma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Silicon-carbide trench gate MOSFETs

Номер патента: US09893176B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240038851A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Silicon carbide device with trench gate structure

Номер патента: US20220085186A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor Device Including Trench Structures and Manufacturing Method

Номер патента: US20200176568A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US20230395663A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Silicon Carbide Device with Trench Gate

Номер патента: US20210050421A1. Автор: Thomas Basler,Dethard Peters,Jens Peter Konrath,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Paul Ellinghaus,Shiqin Niu,Konrad Schraml,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-02-18.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160181374A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722027B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device having stacked epitaxial layers

Номер патента: US09997358B2. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide semiconductor device including conductivity layer in trench

Номер патента: US09673288B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Kazumi Chida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190341484A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Yu Suzuki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10516046B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Yukihiko Watanabe,Yu Suzuki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Trench Type Silicon Carbide MOSFET Structure and Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240145548A1. Автор: Xin Huang,Hongbo Gao. Владелец: Guangzhou Anhi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190172943A1. Автор: Toru Hiyoshi,So Tanaka,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09627525B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon carbide device with a stripe-shaped trench gate structure

Номер патента: US20240136406A1. Автор: Thomas Basler,Dethard Peters,Jens Peter Konrath,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Paul Ellinghaus,Shiqin Niu,Konrad Schraml,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220376054A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11929397B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of producing a silicon carbide device with a trench gate

Номер патента: US11888032B2. Автор: Thomas Basler,Dethard Peters,Jens Peter Konrath,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Paul Ellinghaus,Shiqin Niu,Konrad Schraml,Bernd Leonhard Zippelius. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-30.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device including trench structures and manufacturing method

Номер патента: US11121220B2. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device, manufacturing method therefor and power conversion apparatus

Номер патента: US10431658B2. Автор: Yutaka Fukui,Atsushi Narazaki,Katsutoshi Sugawara,Yasuhiro Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09972676B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Naruhisa Miura,Rina Tanaka,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180331209A1. Автор: Hideto Tamaso,Hiromu Shiomi,Kenji Fukuda,Hidenori Kitai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313057A1. Автор: Takeru Suto,Tomoka Suematsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150318389A1. Автор: Hiroyuki Matsushima,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09865591B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masashi Hayashi,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for same

Номер патента: US09825164B2. Автор: Yutaka Fukui,Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Kohei Ebihara,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US11848358B2. Автор: Yutaka Fukui,Katsutoshi Sugawara,Yusuke Miyata,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266400A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09490319B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for producing a silicon carbide semiconductor component

Номер патента: US11855147B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: CA2740244A1. Автор: Shin Harada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Silicon carbide insulated gate semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP2538444A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Silicon Carbide Trench Gate MOSFET and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20230130726A1. Автор: Hongyi Xu,Kuang Sheng,Na Ren,Chongyu JIANG. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing

Номер патента: US11961904B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-16.

Silicon carbide field effect transistor

Номер патента: US9685552B2. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including trench gate structure and buried shielding region and method of manufacturing

Номер патента: US20240222498A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

TRENCH SiC POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230327014A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Power semiconductor device with an insulated trench gate electrode and method of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240038879A1. Автор: Chiara Corvasce,Gaurav Gupta,Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A2. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

3d-stacked transistor device with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: EP4404252A3. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853099B1. Автор: Tsung-Yi Huang,Chu-Feng CHEN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon Carbide Devices, Semiconductor Devices and Methods for Forming Silicon Carbide Devices and Semiconductor Devices

Номер патента: US20200176580A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Santos Rodriguez Francisco Javier,von Koblinski Carsten,Siemieniec Ralf,AICHINGER Thomas,Moder Iris. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20170077251A1. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6168996B1. Автор: Satoshi Kudo,Masayoshi Kobayashi,Yasuo Imai,Takashi Shigematsu,Yoshito Nakazawa,Akihiro Ohnishi,Kentaro Oishi,Sakae Kubo,Sumito Numazawa,Kozo Uesawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-02.

Semiconductor device and production device therefor

Номер патента: US20150243749A1. Автор: Yuto Kurokawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20160240643A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device provided with an IE type trench IGBT

Номер патента: US09614066B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09614039B2. Автор: Toru Onishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

3d stacked field-effect transistor device with pn junction structure

Номер патента: US20240047539A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Harsono Simka,Kyungho Kim,Sungil Park,Ming He,Jaehyun Park,Rebecca Park,Myungil KANG,Mehdi Saremi,Muhammed Ahosan UL Karim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222456A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and production device therefor

Номер патента: US9356107B2. Автор: Yuto Kurokawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160336402A1. Автор: Toru Onishi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200135477A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Shu-Hui Wang,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11961890B2. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11990547B2. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Trench gate lead-out structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190027564A1. Автор: Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Trench gate lead-out structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107452787B. Автор: 卞铮. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203794A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074861A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09825142B2. Автор: Jooyoung Lee,Dongjin Jung,Hyeoungwon Seo,Ilgweon KIM,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923249B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207688A1. Автор: Yusuke Nonaka,Takeshi Hagino,Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190074360A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Ryouji Kosugi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-03-07.

Fabrication of a high temperature silicon carbide transistor device

Номер патента: US11823899B1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Aysanew Abate. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258425A1. Автор: Hidefumi Takaya. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide based power semiconductor device with low on voltage and high speed characteristics

Номер патента: US10622446B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-14.

Semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US20130082285A1. Автор: Masahiko Niwayama,Chiaki Kudou,Ryo Ikegami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20210273117A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

SILICON CARBIDE SUPERJUNCTION POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006496A1. Автор: VEMULAPATI Umamaheswara,Bellini Marco,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Bauer Friedhelm. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon carbide single crystal, semiconductor device

Номер патента: JP6806270B1. Автор: 博之 木下,木下　博之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11923444B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide power semiconductor device having uniform channel length and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234508A9. Автор: Jin Young Jung,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223470A1. Автор: Shingo Hayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321967A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170301783A1. Автор: Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240297223A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200251564A1. Автор: Hiroyuki Kamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Silicon carbide field-effect transistors

Номер патента: US11894454B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Lateral semiconductor device having raised source and drain, and method of manufacture thererof

Номер патента: US20200343368A1. Автор: Viet Dinh,Paul Grudowski,Guido Sasse. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device including a vertical PN junction between a body region and a drift region

Номер патента: US09793387B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Matthias Kuenle,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923090B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide transistor device

Номер патента: US12062698B2. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125575A1. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US11695045B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210265469A1. Автор: Toru Hiyoshi,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893177B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100258816A1. Автор: Yoshitaka Sugawara,Tomonori Nakamura,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Joji Nakayama,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543429B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332363A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7968892B2. Автор: Takeshi Endo,Hideo Matsuki,Jun Kojima,Eiichi Okuno,Yoshihito Mitsuoka,Yoshiyuki Hisada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12080792B2. Автор: Youhei Oda,Kouichi Sawada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US20210020751A1. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor circuit device

Номер патента: US10840340B2. Автор: Keiji Okumura,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295140A1. Автор: Hiroshi Kono,Masaru Furukawa,Takuma Suzuki,Shigeto Fukatsu,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210143255A1. Автор: Naoki Watanabe,Hiroshi Miki,Naoki Tega,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Silicon carbide semiconductor apparatus and method of manufacturing same

Номер патента: US09490338B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Seiji Suzuki,Kazuhiro Adachi,Kenji Fukuda,Shinsuke Harada,Tsutomu Yatsuo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20230352520A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8575648B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama,Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Vertical-conduction silicon carbide mosfet device having improved gate biasing structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20220262913A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and associated fabrication method

Номер патента: US20130234245A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Donald Disney,Rongyao Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09704743B2. Автор: Shunsuke Yamada,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09443960B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: US09722046B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: EP3218937A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20150145035A1. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US8890243B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US09786736B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11830919B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11948975B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method for forming gate structure thereof

Номер патента: US11387149B2. Автор: Kai Chen,Qiuxia Xu. Владелец: Shanghai Industrial MicroTechnology Research Institute. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120261764A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11469321B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Ze-Sian Lu,Hui-Wen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110057255A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Termination region for a semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4343853A1. Автор: Yoko Iwakaji,Takako Motai,Kentaro Ichinoseki,Keiko Kawamura,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods of tailoring work function of semiconductor devices with high-k/metal layer gate structures by performing a fluorine implant process

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Jan Hoentschel,Shesh Mani Pandey,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Silicon-carbide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954072B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Shiro Hino,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12094966B2. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240282824A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180175147A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230335632A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258424A1. Автор: Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190123146A1. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220109049A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09793392B2. Автор: Masahito Otsuki,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150214353A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887263B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230361211A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device with termination structure including field zones and method of manufacturing

Номер патента: US10541325B2. Автор: Roland Rupp,Rudolf Elpelt,Bernd Zippelius,Reinhold Schoerner,Larissa Wehrhahn-Kilian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304716A1. Автор: Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234569A9. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240222493A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: EP4160655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi,Paolo BADALÁ. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-04-05.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device having improved mechanical stability

Номер патента: US20230094592A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230395664A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240313058A1. Автор: Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190393312A1. Автор: Koji Nakayama,Koichi Murata,Takeshi Tawara,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170229541A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10600869B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10283591B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: EP4113581A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-04.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US09685550B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2012108165A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Kensaku Yamamoto,Masahiro Sugimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima,Masato NOBORIO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-08-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210184031A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140001472A1. Автор: Akihiko Furukawa,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230327017A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20240297247A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20240297248A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09825166B2. Автор: Takashi Takahama,Satoru Akiyama,Tadao Morimoto,Ryuta Tsuchiya,Naoki Tega,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793357B2. Автор: Hiroshi Kono,Yoichi Hori,Atsuko Yamashita,Tomohiro Nitta,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647108B2. Автор: Masaki Konishi,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4439672A1. Автор: Tsutomu Kiyosawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20180323299A1. Автор: Shiro Hino,Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11888035B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220069089A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Silicon Carbide Semiconductor Device with a Contact region having Edges Recessed from Edges of the Well Region

Номер патента: US20220093397A1. Автор: Bruce Odekirk,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Process for manufacturing a vertical conduction silicon carbide electronic device and vertical conduction silicon carbide electronic device

Номер патента: US20220415655A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Paolo BADALA',Massimo Boscaglia,Valentina Scuderi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: EP4411830A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide power mosfet device having improved performances and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240258377A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Laura Letizia SCALIA,Alfio Guarnera. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230361209A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210272867A1. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11824093B2. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon-carbide shielded-mosfet embedded with trench schottky diode and heterojunction gate

Номер патента: WO2021072791A1. Автор: Shu Kin Yau,Siu Wai Wong. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20180308935A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US10249718B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Yuichiro Mitani,Hirotaka Nishino,Masayasu Miyata,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09882036B2. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device including current spread region

Номер патента: US11552170B2. Автор: Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt,Thomas Ganner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Devices with fully and partially silicided gate structures in gate first cmos technologies

Номер патента: US20160204217A1. Автор: Stefan Flachowsky,Peter Javorka,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09748229B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Complex semiconductor devices of the SOI type

Номер патента: US09466717B1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor Device with Stripe-Shaped Trench Gate Structures and Gate Connector Structure

Номер патента: US20160181408A1. Автор: AICHINGER Thomas,BERGNER Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9318586B2. Автор: Nam Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor devices with dielectric passivation layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11955385B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847410B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure with counter doping region between n and p wells under gate structure

Номер патента: US20210043766A1. Автор: Haiting Wang,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Sipeng Gu,Baofu ZHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502496B2. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: CN102422388A. Автор: 藤原伸介,原田真,西口太郎,佐佐木信,并川靖生. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: EP2432002A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20220013437A1. Автор: Koichi Nishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014313A1. Автор: Casey Clendennen. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799769B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20200295162A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device having an insulated gate bipolar transistor arrangement and a method for forming such a semiconductor device

Номер патента: US09515066B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Siemieniec Ralf,Laforet David. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051748B2. Автор: Chien-Hung Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347630A1. Автор: Chien-Hung Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for processing a semiconductor workpiece and semiconductor device

Номер патента: US20180277641A1. Автор: Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20150311076A1. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Silicon carbide n-channel power LMOSFET

Номер патента: US6593594B1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09397214B1. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Neng-Hui Yang,Ming-Hua Chang,Hsin-Chang Wu,Chung-Min Tsai,Sheng-Hsu Liu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640484B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing a metal silicide layer above a silicon carbide substrate, and semiconductor device comprising a metal silicide layer

Номер патента: US20230215729A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Axel König,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Gregor Langer,Florian Markus GRASSE,Bemhard LEITL,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

High voltage semiconductor device including buried oxide layer

Номер патента: US20240322036A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method of trench-gate semiconductor device

Номер патента: US7566933B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method of trench-gate semiconductor device

Номер патента: US20070023793A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20180026136A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20210050449A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20200083376A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20190189802A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US20170012127A1. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device with fin and related methods

Номер патента: US09466718B2. Автор: Pierre Morin,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230352565A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210399097A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220367645A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230352544A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749723B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034052B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: EP2589083A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: WO2012002999A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916113B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240154002A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240297229A1. Автор: Yutaka Fukui,Yoshitaka Kimura,Tetsuo Takahashi,Katsutoshi Sugawara,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09472635B2. Автор: Shunsuke Yamada,Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194781A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092735A1. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232A1. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-12-11.

Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor

Номер патента: CA2257232C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11121250B2. Автор: Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299152A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090271A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307507A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240243122A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-18.

Mosfet device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190013312A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-10.

Process for manufacturing a power device with a trench-gate structure and corresponding device

Номер патента: US09536743B2. Автор: Giacomo Barletta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282851A1. Автор: Yoshinori Fukuda,Yuji Osumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150236148A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09647106B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US09543386B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-10.

MOSFET device of silicon carbide having an integrated diode and manufacturing process thereof

Номер патента: US11916066B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Simone Rascuna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US20160035836A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping

Номер патента: US09577045B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240162297A1. Автор: Keisuke Kobayashi,Haruka Shimizu,Takeru Suto,Tomoka Suematsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Trench moseft with trench gates underneath contact areas of esd diode for prevention of gate and source shortage

Номер патента: US20100224931A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device having needle-shaped first field plate structures and needle-shaped second field plate structures

Номер патента: US20220376062A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: USRE43840E1. Автор: Rajesh Kumar,Yuuichi Takeuchi,Tsunenobu Kimoto,Hiroyuki Matsunami,Masami Naito,Mitsuhiro Kataoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-12-04.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090170264A1. Автор: Masahiro Niizato. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362113B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11894387B2. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128273A1. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220085206A1. Автор: Tsuyoshi Kachi,Kentaro Ichinoseki,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240079490A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high break down voltage

Номер патента: US20020167010A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

High resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: EP1386026A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-02-04.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: WO2002092886A1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc.. Дата публикации: 2002-11-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160181373A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150295048A1. Автор: Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and electric power converter

Номер патента: US20240290830A1. Автор: Yutaka Fukui,Takaaki TOMINAGA,Yuichi Nagahisa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09608104B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Silicon carbide substrate, silicon carbide wafer, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250128A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691859B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640610B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274709A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347599A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12125881B2. Автор: Hiromu Shiomi,Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240213332A1. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223443A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12107123B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide wafer and silicon carbide semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234515A9. Автор: Hideyuki Uehigashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor layer, unit cells, source, and gate

Номер патента: US09691759B2. Автор: Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Trench power MOSFET in silicon carbide and method of making the same

Номер патента: US20050266623A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen Chuo,Yung-Chung Lee,Tsung-Ming Pan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09892919B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Naoto Fujishima,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide semiconductor devices having buried silicon carbide conduction barrier layers therein

Номер патента: US5543637A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1996-08-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200185519A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Silicon carbide device with transistor cell and clamp regions in a well region

Номер патента: US12057473B2. Автор: Ralf Siemieniec,Dethard Peters,Joachim Weyers,David Kammerlander,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618555B2. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Hideo Matsuki,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Silicon carbide semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057496B2. Автор: Shiro Hino,Hideyuki HATTA,Koji Sadamatsu,Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara,Shingo Tomohisa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130341646A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for manufacturing silicon carbide substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8969103B2. Автор: Shin Harada,Satomi Itoh,Makoto Sasaki,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313104A1. Автор: Masaru Furukawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09806167B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210111251A1. Автор: Yukihiko Watanabe,Hajime Tsukahara,Kentarou OKUMURA,Hidekazu Odake. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190371893A1. Автор: Yusuke Wada,Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100244051A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20180323261A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura,Kayo Kondo,Yasuji KIMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Vertical MOSFET having trench gate structure containing silicon carbide

Номер патента: US11948976B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160336390A1. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Silicon carbide semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170207305A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee,Yao-Feng Huang,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Silicon carbide device and a method for forming a silicon carbide device

Номер патента: US20160104779A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Bergner,Christian Hecht,Rudolf Elpelt,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9627487B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11862684B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050093000A1. Автор: Satoshi Tanimoto,Hideyo Okushi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-05-05.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210320005A1. Автор: Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230038280A1. Автор: Hui Chen. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE WITH SILICON CARBIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160126321A1. Автор: WATANABE Yukimune. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Substrate with silicon carbide film, method for producing substrate with silicon carbide film, and semiconductor device

Номер патента: US9362368B2. Автор: Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899522B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200212209A1. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High-voltage FinFET device having LDMOS structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640663B2. Автор: Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210167165A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device including memory cells and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030015747A1. Автор: Jiro Ida,Naoko Nakayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device having a buried electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US9859416B2. Автор: Takahiro Mori,Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170025532A1. Автор: Takahiro Mori,Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12010846B2. Автор: Sungkweon Baek,Hakseon KIM,Jaehwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: EP1882273A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-30.

High voltage silicon carbide mos-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006124174A2. Автор: John W. Palmour,Mrinal K. Das,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Jason R. Jenny,Hudson McDonald Hobgood. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954076B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403082A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US12051628B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with funnel shape spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20240363426A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

SILICON CARBIDE WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220403551A1. Автор: CHOI Jung Woo,PARK Jong Hwi,KU Kap-Ryeol,KIM Jung-Gyu,KYUN Myung Ok,SEO Jung Doo. Владелец: SENIC INC.. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicon carbide wafer and semiconductor device

Номер патента: KR102434780B1. Автор: 김정규,구갑렬,견명옥,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 주식회사 쎄닉. Дата публикации: 2022-08-22.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: KR102236397B1. Автор: 김정규,구갑렬,서정두,박종휘,최정우. Владелец: 에스케이씨 주식회사. Дата публикации: 2021-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130886A1. Автор: Dong Suk Shin,Hyun Jung Lee,Tae Jin Park,Sun Jung Kim,Gyeom KIM,Jeong Ho Yoo,Cho Eun LEE,Seok Hoon Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170141217A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor devices including a narrow active pattern

Номер патента: US20200111781A1. Автор: Ki Tae Lee,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Byung Gook Park,Si Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411213A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Dien-Yang Lu,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Devices Including Backside Power Via and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387012A1. Автор: Tze-Liang Lee,Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021673A1. Автор: Po-Chin Chang,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SUPERLATTICE AND REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURE AND RELATED METHODS

Номер патента: US20160149023A1. Автор: Takeuchi Hideki,Mears Robert J.,King LIU Tsu-Jae. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SUPERLATTICE AND REPLACEMENT METAL GATE STRUCTURE AND RELATED METHODS

Номер патента: US20170301757A1. Автор: Takeuchi Hideki,Mears Robert J.,King LIU Tsu-Jae. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

DEVICES WITH FULLY AND PARTIALLY SILICIDED GATE STRUCTURES IN GATE FIRST CMOS TECHNOLOGIES

Номер патента: US20160204217A1. Автор: Flachowsky Stefan,Javorka Peter,Zschatzsch Gerd. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210226051A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230282645A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG,Walter Wohlmuth. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09614103B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Kensuke Ota,Toshifumi Irisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007015194A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190348425A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-14.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256461A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256460A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Integrated chip with a gate structure disposed within a trench

Номер патента: US20230345728A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150318357A1. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9324806B2. Автор: Yoichiro Tarui,Koji Okuno,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09761453B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Device Comprising a Clamping Structure

Номер патента: US20180190641A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Stephan Voss,Roman Baburske,Thomas Kimmer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with multi-finger structure

Номер патента: US09972691B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326981A1. Автор: Chih-hao Chen,Yi-Ru Shen. Владелец: Ganrich Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20170222001A1. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Power device with trenched gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120256230A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tieh-Chiang Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Drain extended transistor with trench gate

Номер патента: US20200365727A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Drain extended transistor with trench gate

Номер патента: US20200152788A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide epitaxial wafer and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190333998A1. Автор: Tomohisa Kato,Takashi Mitani,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO,Kazuma ETO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-10-31.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363692A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with trench structures and method for manufacturing same

Номер патента: US20240072160A1. Автор: Zhiyong Chen,Vipindas Pala,Haifeng Yang,Joel McGregor,Zeqiang Yao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US09966249B2. Автор: Kenji Kanbara,Taro Nishiguchi,So Tanaka,Kyoko Okita,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for silicon carbide gate formation

Номер патента: US20230207638A1. Автор: Yi Zheng,Er-Xuan Ping. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Resurf semiconductor device charge balancing

Номер патента: US09466712B2. Автор: Zhihong Zhang,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo,Hongzhong Xu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US7727844B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220069103A1. Автор: Wei Huang,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855183B2. Автор: Wei Huang,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method of gate structure

Номер патента: US20240063052A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chao-Sheng Cheng,Tzu-Feng Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11923427B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130037887A1. Автор: Osamu Takata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056257A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Superjunction silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing superjunction silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240347587A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of determining whether a silicon-carbide semiconductor device is a conforming product

Номер патента: US20200292612A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09559217B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3989264A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304673A1. Автор: Tomohiro Moriya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321968A1. Автор: Hiroshi Kono,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210036149A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240339502A1. Автор: Tomohiro Moriya. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210288158A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220262916A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon carbide semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20230282741A1. Автор: Shiro Hino,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120302051A1. Автор: Yoichiro Tarui,Yoshinori Matsuno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170373152A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming a silicon-carbide device with a shielded gate

Номер патента: US09577073B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120126250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140170841A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A PN JUNCTION

Номер патента: EP1016142A2. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 2000-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425566A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297258A1. Автор: Shigeaki Takagi,Hideo Yoshihashi,Tomomi Kuraguchi,Naofumi HIRATA,Yohei ARAKAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US11024706B2. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20200266268A1. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20170271457A1. Автор: Shuhei Mitani,Toru Onishi,Atsushi Onogi,Yusuke Yamashita,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same

Номер патента: US09595618B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices with non-implanted barrier regions and methods of fabricating same

Номер патента: US09466674B2. Автор: Qingchun Zhang,Scott Thomas Allen. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Silicon-carbide transistor device with a shielded gate

Номер патента: US09960230B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevating machine

Номер патента: US20210184030A1. Автор: Katsuhisa Tanaka,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Junction field-effect transistor formed in silicon carbide

Номер патента: US5264713A. Автор: John W. Palmour. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1993-11-23.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110278595A1. Автор: Shin Harada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Method for forming a two-layered hard mask on top of a gate structure

Номер патента: US09607892B2. Автор: Chih-Sen Huang,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: TW591751B. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-06-11.

High-resistivity silicon carbide substrate for semiconductor devices with high breakdown voltage

Номер патента: EP1386026B1. Автор: Stephan Mueller. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-11-12.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and power conversion device using same

Номер патента: US20160020309A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tetsuya Ishimaru,So Watanabe. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09508861B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical field-effect transistor devices with non-uniform thickness bottom spacers for increased device performance

Номер патента: US20200279779A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and a method of making the same

Номер патента: US3681668A. Автор: Isamu Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230354583A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11915981B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12074158B2. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210376089A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and inverter using same

Номер патента: US09543858B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masao Uchida,Hideki Nakata,Keiji Akamatsu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of forming spacers for semiconductor devices including backside power rails

Номер патента: US11915972B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Spacers for Semiconductor Devices Including a Backside Power Rails

Номер патента: US20220037193A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of Forming Spacers for Semiconductor Devices Including Backside Power Rails

Номер патента: US20240186179A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Enhanced HEMT radio frequency device with gate-drain composite stepped field plate structure and preparation method thereof

Номер патента: CN113178480A. Автор: 孙慧卿,李渊,夏凡,张淼,夏晓宇,谭秀洋,马建铖,黄志辉,王鹏霖,丁霄. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device having insulated gate bipolar transistor with dielectric isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1239522A3. Автор: Fumito K. K. Toshiba Suzuki,Hitoshi K. K. Toshiba Takahashi,Haruki K. K. Toshiba Arai,Yoshihiro K. K. Toshiba Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040513A1. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1796148A3. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307556A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Fu-Jen Hsu,Hsiang-Ting Hung. Владелец: Fast SIC Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Solderable top metal for silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US09496421B2. Автор: Rossano Carta,Luigi Merlin,Laura Bellemo. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09728628B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Taro Nishiguchi,Taku Horii,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing ohmic contacts on silicon carbide substrate of semiconductor device of e.g. power electronics device, involves producing oxide layer on surface of substrate, and applying contact metallization layer on contact region

Номер патента: DE102011078331A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner,Tim Behrens,Kathrin Rueschenschmidt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11227769B2. Автор: Yu-Jen Liu,Chun-Jung Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088073A1. Автор: Yoichi Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478673B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide epitaxial wafer, method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, device for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US09587326B2. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor apparatus and silicon carbide semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US09768260B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion apparatus, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor

Номер патента: US20220406897A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9040402B2. Автор: Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro,Masahide Goto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor element, semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20140152374A1. Автор: Koichi Hashimoto,Osamu Kusumoto,Kazuhiro Adachi,Masao Uchida,Shun Kazama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

High voltage silicon carbide semiconductor device with bended edge

Номер патента: US5914499A. Автор: Willy Hermansson,Lennart Ramberg,Dag Sigurd. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1999-06-22.

Process for Producing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20090317983A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Masahiro Nagano,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140077226A1. Автор: Yoichiro Tarui,Takeshi Kitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Methods of fabricating voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US5635412A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-06-03.

Method for manufacturing silicon carbide base body, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide base body, and semiconductor device

Номер патента: US20210217619A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Junction Field Effect Transistor with Vertical PN Junction

Номер патента: US20150076568A1. Автор: Ralf Siemieniec,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Junction field effect transistor with vertical PN junction

Номер патента: US9276135B2. Автор: Ralf Siemieniec,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor apparatus, and energization test apparatus

Номер патента: US09874596B2. Автор: Akihiro Koyama,Shigehisa Yamamoto,Yukiyasu Nakao,Kazuya Konishi,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10396163B2. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Methods of forming uniformly doped deep implanted regions in silicon carbide and silicon carbide layers including uniformly doped implanted regions

Номер патента: US20230420575A1. Автор: Steven Rogers,Edward Robert Van Brunt,Rahul R. Potera. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING MICROSTRIP TRANSMISSION LINES ON THIN SILICON CARBIDE ON INSULATOR (SiCOI) WAFERS

Номер патента: EP3437125A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-02-06.

Methods of fabricating silicon carbide power devices by at least partially removing an n-type silicon carbide substrate, and silicon carbide power devices so fabricated

Номер патента: EP2149154A2. Автор: Mrinal Kanti Das,Matthew Donofrio,Qingchun Zhang,John M. Clayton, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09818860B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09543428B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Masahiro Sugimoto,Jun Morimoto,Naohiro Suzuki,Yukihiko Watanabe,Akitaka SOENO,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: US09455200B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of annealing semiconductor device having silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: JPWO2008136126A1. Автор: 真果 柴垣,明宏 江上. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130228797A1. Автор: NAGASAWA Hiroyuki,Hatta Naoki,Kawahara Takamitsu,Yagi Kuniaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-05.

Silicon carbide channel-type semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN103606551B. Автор: 陈彤,倪炜江. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210050253A1. Автор: Li-Han Chen,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190157392A1. Автор: Chih-Wei Lin,Tsung-Han Lin,Chao-Wei Wu,Yen-Kai CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420446A1. Автор: Kenichi Yoshimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VOIDS WITHIN SILICON-ON-INSULATOR (SOI) STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150348825A1. Автор: Hebert Francois. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and method of fabricating a metal gate structure over a substrate

Номер патента: TW201214704A. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Han-Guan Chew. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2012-04-01.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Asymmetric finfet device with improved parasitic resistance and capacitance

Номер патента: US20110065244A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230067962A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky,Li-Feng Teng,Chia Wen Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of fabricating semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation

Номер патента: US20040082091A1. Автор: Scott Duncan,Geoff Taylor. Владелец: Opel Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation

Номер патента: US6841795B2. Автор: Geoff W. Taylor,Scott W. Duncan. Владелец: Opel Inc. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power converter

Номер патента: US11777419B2. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide static induction transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO1998034283A1. Автор: Saptharishi Sriram,Rowland C. Clarke,Richard R. Siergiej. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-08-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing a gate structure in a semiconductor device and method of manufacturing a cell gate structure in non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100583609B1. Автор: 이재동,김정환,유영섭,나기수,임헌형,이웅,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

SUPER LATTICE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING SUPER LATTICE STRUCTURE, AND METHOD OF MAKING SUPER LATTICE STRUCTURE

Номер патента: US20130270517A1. Автор: Nozawa Tomohiro,Arakawa Yasuhiko,TATEBAYASHI Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

CMOS semiconductor device

Номер патента: US6153915A. Автор: Tomohide Terashima,Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Silicon carbide wafer and semiconductor device applied the same

Номер патента: US20220320296A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Jung Woo Choi,Kap-Ryeol KU,Jung Doo Seo. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device and structure with trenches in passivation film

Номер патента: US9553217B2. Автор: Nobutaka Ukigaya,Masao Ishioka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Microelectronic devices with a polysilicon structure above a staircase structure, and related methods

Номер патента: US20230361053A1. Автор: Lifang Xu,Jivaan Kishore Jhothiraman,John M. Meldrim. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices including an air gap adjacent to an interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240347380A1. Автор: Anthony Jeremy Villalon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US09659891B2. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240179916A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240178140A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: WO2016118209A3. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for preparing semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion

Номер патента: US11948968B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for preparing semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion

Номер патента: US20230197768A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: WO2024118160A1. Автор: Koichi Matsuno,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Methods for Processing a Silicon Carbide Wafer, and a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190362972A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Guenter Denifl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09422639B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240304676A1. Автор: Takaya MIYASE,Hideyuki Hisanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide substrate, silicon carbide ingot, and methods for manufacturing silicon carbide substrate and silicon carbide ingot

Номер патента: US09605358B2. Автор: Makoto Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US20150228482A1. Автор: Naohiko Hirano,Shouichi Yamauchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Silicon carbide substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371945A1. Автор: Ching-Shan Lin,Ying-Ru Shih,Chung Chi Yang,Chih Shan Tan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including gate pattern having pad region

Номер патента: US20200091071A1. Автор: Dong Ik Lee,Ji Woon Im,Dai Hong Kim,Se Mee Jang,Bo Ra Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH SELF-ALIGNED DRAIN SELECT LEVEL ISOLATION STRUCTURES AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20190267461A1. Автор: Hu Xiaolong,YADA Shinsuke,Ariyoshi Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Methods and structures for forming microstrip transmission lines on thin silicon carbide on insulator (SICOI) wafers

Номер патента: US09761445B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Precursor derived semiconductor devices having pn junctions

Номер патента: US20230117290A1. Автор: Pawel Czubarow,Anthony Nicholas Czubarow,Philip Abraham Premysler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-20.

Radiation hardened semiconductor devices and packaging

Номер патента: US20230387079A1. Автор: Chong Leong Gan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Wafer structure and semiconductor device

Номер патента: US20230260845A1. Автор: Junho Yoon,Junyun Kweon,Heejae Nam,Yeongbeom Ko,Wooju Kim,Jungseok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices with ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20210055256A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Nmos structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230145660A1. Автор: Chia-Chen Tsai,Shou-Wei Hsieh,Hau-Yuan Huang,Jia-Bin Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US09721956B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with fine metal lines for beol structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213155A1. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Packaged high voltage mosfet device with connection clip and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240234263A9. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Fabio Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-11.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110183483A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Hyun-Gi Kim,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim,Kang-Uk Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20190333985A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20180211919A1. Автор: CHI Shen,Chang-Yu Tsai,Yung-Chung PAN,Ching-Chung HU,Ming-Pao CHEN,Wei-Chieh Lien. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431476B2. Автор: Ji-Young Kim,Seung-Jun Lee,Hoon Jeong,Jun-Soo Lee,Sung-eui Kim,Young-Seung Cho,Chan-Won Kim,Jong-bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US4194162A. Автор: Yutaka Uematsu,Yoichi Unno. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-18.

Method for controlling semiconductor device

Номер патента: US11837654B2. Автор: Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Packaged high voltage MOSFET device with connection clip and manufacturing process thereof

Номер патента: US11830794B2. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Fabio Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190237414A1. Автор: Hyung-Gil Baek,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11901424B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Packaged high voltage mosfet device with connection clip and manufacturing process thereof

Номер патента: US20240136260A1. Автор: Cristiano Gianluca Stella,Fabio Russo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20230123438A1. Автор: Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240136418A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: EP4398701A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US20240234448A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US11943908B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US10276580B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US20150333073A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Methods, Structures and Devices for Intra-Connection Structures

Номер патента: US20240196585A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device with self-aligned word line contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240237354A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming highly scaled semiconductor devices using a disposable spacer technique

Номер патента: US20130095620A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Shiang Yang Ong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device with test pattern structures

Номер патента: US20230238292A1. Автор: Nozomi Kojima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor Devices with Single-Photon Avalanche Diodes, Light Scattering Structures, and Multiple Isolation Structures

Номер патента: US20240055537A1. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes, light scattering structures, and multiple deep trench isolation structures

Номер патента: US11837670B2. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VOIDS WITHIN SILICON-ON-INSULATOR (SOI) STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254177A1. Автор: Hebert Francois. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US9368389B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190244884A1. Автор: Yong Sang Cho,Sung Young Yoon,Sang Su Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes, light scattering structures, and multiple isolation structures

Номер патента: US20210175265A1. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-06-10.

Module mounted with semiconductor device

Номер патента: US5949135A. Автор: Katsunori Ochi,Tetsuro Washida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Semiconductor device and nonvolatile memory device including crack detection structure

Номер патента: US20210074596A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200075488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180331256A1. Автор: Yi-Wen Huang,Shou-Lung Chen,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Kang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230422507A1. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Supporting Layer Over Semiconductor Die in Thin Fan-Out Wafer Level Chip Scale Package

Номер патента: US20160276238A1. Автор: KANG Chen,Yu Gu,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150348937A1. Автор: Hiroshi Yamada,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method For Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080081408A1. Автор: Myung Hwan Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080293225A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Batch type substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20230054580A1. Автор: Minju Lee,Hyungjoon Kim,Sangyub IE,Eunyeoung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

VIA CONNECTION STRUCTURES, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME, AND METHODS OF FABRICATING THE STRUCTURES AND DEVICES

Номер патента: US20130200525A1. Автор: Park Byung-lyul,Kang Pil-kyu,Choi Gil-heyun,LEE Ho-Jin,Lee Kyu-Ha,Chung Hyun-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES AND STRUCTURES WITH IMPROVED PLANARIZATION UNIFORMITY, AND RESULTING STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150083986A1. Автор: Albini Giulio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Methods of forming semiconductor devices and structures with improved planarization uniformity, and resulting structures and semiconductor devices

Номер патента: TWI541886B. Автор: 吉歐力歐 亞比尼. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Organic silica film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for manufacturing the same, and wiring structure and semiconductor device

Номер патента: JPWO2007088908A1. Автор: 達也 山中,恭志 中川,将宏 秋山,輝一 小久保,洋平 野辺,小久保　輝一,秋山　将宏. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180019300A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210159310A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device having a heat dissipation structure connected chip package

Номер патента: US20220208680A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Tin-Hao Kuo,Po-Yuan TENG,Shih-Wei Chen,Yu-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230187212A1. Автор: Se Ra HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-Layer Semiconductor Devices Fabricated Using a Combination of Substrate and Via Structures and Fabrication Techniques

Номер патента: US20170040296A1. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US20150069604A1. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias Through Interconnect Structures and Encapsulant of WLCSP

Номер патента: US20150091145A1. Автор: Lin Yaojian,Marimuthu Pandi C.. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2015-04-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A BOUNDARY STRUCTURE, A PACKAGE ON PACKAGE STRUCTURE, AND A METHOD OF MAKING

Номер патента: US20190237422A1. Автор: Jang Bor-Ping,Hwang Chien Ling,Lin Yeong-Jyh,Liang Hsiao-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US20170256513A1. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

INTEGRATED ELECTRONIC DEVICE WITH A PAD STRUCTURE INCLUDING A BARRIER STRUCTURE AND RELATED MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: US20220415705A1. Автор: Doria Daria. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device having a semiconductor chip enclosed by a body structure and a base

Номер патента: US7838976B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device and method of forming conductive vias through interconnect structures and encapsulant of WLCSP

Номер патента: TW201145456A. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Yao-Jian Lin. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device and method of prodn. thereof and semiconductor mounting structure and method

Номер патента: CN1288591A. Автор: 田口升,户井田孝志. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-21.

Deposition of metallic structure on substrate in semiconductor device manufacture, includes ductile layer to accommodate stresses between structure and substrate by plastic deformation

Номер патента: DE102004024644A1. Автор: Matthias Dr. Stecher,Peter Dr. Nelle,Werner Schetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210057444A1. Автор: Jisung Cheon,Joowon Park,Woongseop Lee,Eiwhan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11716859B2. Автор: Carlos H. Diaz,Shy-Jay Lin,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including standard cell having split portions

Номер патента: US11803682B2. Автор: Ta-Pen Guo,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230329005A1. Автор: Carlos H. Diaz,Shy-Jay Lin,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Highly integrated semiconductor device containing multiple bonded dies

Номер патента: US20240055372A1. Автор: Jihoon Kim,Ae-nee JANG,Seungduk Baek,Hyuekjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US20220181349A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongke Xu,Jingjing Geng,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Standard cell, semiconductor device having standard cells, and method for laying out and wiring the standard cell

Номер патента: US20110272776A1. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Standard cell, semiconductor device having standard cells, and method for laying out and wiring the standard cell

Номер патента: US20120292714A1. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for interconnecting semiconductor devices

Номер патента: US5536683A. Автор: Sun-Chieh Chien,Jeng Ping Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377889A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Chanmi LEE,Jungpyo Hong,Sanggyo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317632A1. Автор: Takuya Konno,Sachiyo Ito,Mayuka OJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Wafer base for silicon carbide semiconductor devices, incorporating alloy substrates

Номер патента: US5043773A. Автор: Walter Precht,Richard Koba,Donald Kupp,Delwyn Cummings. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1991-08-27.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide structure

Номер патента: US8865519B2. Автор: Joung Il Kim,Jae Seok Lim,Mi-Ra Yoon. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Substrate material for mounting a semiconductor device, substrate for mounting a semiconductor device, semiconductor device, and method of producing the same.

Номер патента: MY139560A. Автор: Makoto Imamura,Akira Fukui,Yoshishige Takano,Yoshiyuki Hirose,Shinichi Yamagata,Takatoshi Takikawa,Yugaku Abe. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2009-10-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140065800A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for producing substrate based on silicon carbide and silicon carbide substrate

Номер патента: RU2756815C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2021-10-05.

Substrate material for mounting a semiconductor device substrate for mounting a semiconductor devicesemiconductor device and method of producing the same

Номер патента: SG63717A1. Автор: Makoto Imamura,Akira Fukui,Yoshishige Takano,Yoshiyuki Hirose,Shinichi Yamagata,Takatoshi Takikawa,Yugaku Abe. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 1999-03-30.

Method for producing a porous layer of a silicon carbide heterostructure on a silicon substrate

Номер патента: RU2653398C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Михаил Вячеславович Долгополов,Альбина Валентиновна Гурская,Наталья Виленовна Латухина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2018-05-08.

Composite silicon carbide substrate and preparation method therefor

Номер патента: EP4411788A1. Автор: Chao Guo,Fengwen MU. Владелец: Tj Innovative Semiconductor Substrate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy

Номер патента: US09903046B2. Автор: Michael John O'Loughlin,Joseph John Sumakeris. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Silicon carbide semiconductor film-forming apparatus and film-forming method using the same

Номер патента: US09879359B2. Автор: Masahiko Ito,Hideki Ito,Koichi Nishikawa,Masami Naito,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Hiroaki FUJIBAYASHI,Ayumu Adachi. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide-tantalum carbide composite and susceptor

Номер патента: US09764992B2. Автор: Masato Shinohara. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of depositing an alpha-silicon-carbide-containing film at low temperature

Номер патента: US09546420B1. Автор: Scott D. Habermehl. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of forming microcrystalline silicon-containing silicon carbide film

Номер патента: US5021103A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hiroaki Okamoto,Yutaka Hattori. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Improvements relating to Silicon Carbide Crystals

Номер патента: GB1182634A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1970-02-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055375A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US20220052218A1. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-02-17.

Optical semiconductor device having active layer of p-type quantum dot structure and its manufacture method

Номер патента: US20080157059A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Hisao Sudo,Yasuhiko Arakawa,Nobuaki Hatori. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2008-07-03.

Optical semiconductor device

Номер патента: US7515779B2. Автор: Tsutomu Ishikawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Silicon carbide junction thermistor

Номер патента: US3832668A. Автор: H Berman. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-08-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240324186A1. Автор: Kiseok LEE,Chansic Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Low frequency loudspeaker device with configurable directivity

Номер патента: RU2323550C2. Автор: Гуидо НОСЕЛЛИ,Стефано НОСЕЛЛИ,Мишель НОСЕЛЛИ. Владелец: АУТЛАЙН ди НОСЕЛЛИ ДЖИ энд СИ. ЭС ЭН СИ.. Дата публикации: 2008-04-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230309293A1. Автор: Yoosang Hwang,Manbok Kim,Chulkwon Park,Keunnam Kim,Hyosub Kim,Soojeong Kim,Seungbae Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Micro-electro-mechanical device with a shock-protected tiltable structure

Номер патента: US12043540B2. Автор: Roberto Carminati,Massimiliano Merli,Nicolo' BONI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20230018223A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuto Yakubo,Shoki Miyata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Device with vertical wind tunnel for imitation of delayed drop, and vertical wind tunnel

Номер патента: RU2458825C2. Автор: Алан Н. МЕТНИ,Уилльям Дж. КИТЧЕН,Кеннет У. МОРТ,Чарльз Н. ИСТЛЕЙК,Майкл Дж. ПАЛМЕР. Владелец: СКАЙВЕНЧЕР, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-08-20.

Rehabilitation device with pace pattern projecting function and seat structure and control method thereof

Номер патента: US09510992B2. Автор: Li-Chen Fu,Cheng-Hsien Lin,Chia-Ming Wang,Chung-Dial Lim,Shih-Huang Tseng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-06.

Preparation method of silicon carbide crystal, silicon carbide substrate and semiconductor device

Номер патента: CN113463197A. Автор: 王治中,林大野,蔡钦铭. Владелец: Guangzhou Aisiwei Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

Epitaxial growth on low degree off-axis silicon carbide substrates and semiconductor devices made thereby

Номер патента: CN102037164B. Автор: 张洁. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Slit grating and its manufacturing method, grating structure and display device

Номер патента: US09612371B2. Автор: Chiachiang Lin,Naifu WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

REHABILITATION DEVICE WITH PACE PATTERN PROJECTING FUNCTION AND SEAT STRUCTURE AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160058649A1. Автор: Fu Li-Chen,Lin Cheng-Hsien,Lim Chung-Dial,Wang Chia-Ming,Tseng Shih-Huang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20170123695A1. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Article with silicon carbide coating and method for manufacturing of article with silicon carbide coating

Номер патента: RU2684128C1. Автор: Алексей Викторович Редьков,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Александр Сергеевич Гращенко,Генадий Викторович Святец,Сергей Дмитриевич Федотов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-04.

Material having multilayer structure and intended for contact with liquid silicon

Номер патента: RU2494999C2. Автор: Жан-Поль ГАРАНДЕ,Дени КАМЕЛЬ,Беатрис ДРЕВЕ,Николя ЭСТАТОПУЛО,Рана ИСРАЭЛЬ. Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

Device for growing silicon carbide crystals

Номер патента: RU2341595C2. Автор: Данило КРИППА,Франко ПРЕТИ,Натале СПЕЧИАЛЕ,Джан Лука ВАЛЕНТЕ,Витторио ПОДЗЕТТИ,Ольле КОРДИНА,Маурицио МАСИ. Владелец: Лпе Спа. Дата публикации: 2008-12-20.

Silicon carbide porous material, honeycomb structure and electric heating-type catalyst carrier

Номер патента: US09457345B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Silicon carbide porous body, honeycomb structure, and electric heating type catalyst carrier

Номер патента: US09440225B2. Автор: Katsuhiro Inoue,Yoshimasa Kobayashi,Takahiro Tomita,Kiyoshi MATSUSHIMA. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for producing ceramic composite material based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibers

Номер патента: RU2744543C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-03-11.

Ultrasonic device with the built-in gas supply system

Номер патента: RU2638909C2. Автор: Виктор Ф. РАНДКВИСТ,Кевин С. ДЖИЛЛ. Владелец: Саутвайэ Компэни. Дата публикации: 2017-12-18.

Method for modification of silicon carbide

Номер патента: RU2600065C1. Автор: Виктор Федорович Каблов,Виталий Сергеевич Лифанов,Вера Павловна Шабанова,Никита Викторович Писарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2016-10-20.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method for obtaining silicon carbide

Номер патента: RU2767270C1. Автор: Владимир Николаевич Старовойтов,Виктор Юрьевич Пиирайнен,Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Владелец: Кирилл Борисович ИГНАТЬЕВ. Дата публикации: 2022-03-17.

Composition for bonding ceramic composite materials based on silicon carbide

Номер патента: RU2604530C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Олег Юрьевич Сорокин,Денис Вячеславович Гращенков,Сергей Станиславович Солнцев,Мария Леонидовна Ваганова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2016-12-10.

Silicon carbide seed crystal

Номер патента: US20240262084A1. Автор: Ray-Hua Horng,Ying-Ru Shih,Tsung-Po Chuang,Chai-Wei Ku. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon carbide substrate

Номер патента: US20240254656A1. Автор: Hiroki Takaoka,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for obtaining a wear-resistant composite material based on silicon carbide

Номер патента: RU2759858C1. Автор: Петр Александрович Витязь,Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова,Владимир Анатольевич Осипов. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of applying gas-tight coating of silicon carbide

Номер патента: RU2601049C1. Автор: Владимир Николаевич Курлов,Ирина Алексеевна Шикунова,Сергей Леонидович Шикунов,Антон Евгеньевич Ершов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2016-10-27.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE FABRICATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120112209A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126251A1. Автор: Sasaki Makoto,Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Inoue Hiroki,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo,Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120061687A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-03-15.

EPITAXIAL GROWTH ON LOW DEGREE OFF-AXIS SILICON CARBIDE SUBSTRATES AND SEMICONDUCTOR DEVICES MADE THEREBY

Номер патента: US20120248463A1. Автор: Zhang Jie. Владелец: SS SC IP, LLC. Дата публикации: 2012-10-04.

METHODS OF TAILORING WORK FUNCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HIGH-K/METAL LAYER GATE STRUCTURES BY PERFORMING A FLUORINE IMPLANT PROCESS

Номер патента: US20130330900A1. Автор: Hoentschel Jan,Pandey Shesh Mani,Ong Shiang Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

Quantum dot light-emitting device with double-function electron transport layer inverted structure and preparation method thereof

Номер патента: CN109768172B. Автор: 李宏,叶琪,刘立旺,吴智鑫. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2021-07-06.

Flat-panel display device with semi-trapezoidal tilt gate-modulated emission structure and its preparing process

Номер патента: CN101071743B. Автор: 李玉魁. Владелец: Zhongyuan University of Technology. Дата публикации: 2012-03-14.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of product containing siliceous substrate with silicon carbide film on its surface

Номер патента: RU2363067C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Фонд поддержки науки и образования. Дата публикации: 2009-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2446511C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" (ООО НКТ). Дата публикации: 2012-03-27.

Method of producing refractory material based on silicon carbide and silicon

Номер патента: RU2439032C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2012-01-10.

Carbon-silicon carbide composite material and method for manufacturing products from thereof

Номер патента: RU2573141C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Михайлович Никулин,Елена Юрьевна Турбина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing titanium dioxide and silicon carbide from abrasive processing waste

Номер патента: RU2281912C2. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль. Владелец: Галина Ивановна Гиль. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of making airgtight articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2480433C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-04-27.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.