Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor element, semiconductor device, and power converter

Semiconductor element, semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20140152374A1
Опубликовано: 05-06-2014
Автор(ы): Kazuhiro Adachi, Koichi Hashimoto, Masao Uchida, Osamu Kusumoto, Shun Kazama
Принадлежит: Panasonic Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and driving method for the same

Номер патента: US09595958B1. Автор: Hayato Nakano,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20230395382A1. Автор: Tomoyasu Furukawa,Tsubasa Moritsuka. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power converter

Номер патента: US11777419B2. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element, and power conversion apparatus using apparatus for controlling insulating gate-type semiconductor element

Номер патента: US09780660B2. Автор: Takayuki Hashimoto,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US11936305B2. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230006571A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240234504A9. Автор: Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Kazuhiro Kawahara,Seiya SUGIMACHI,Okinori Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057500B2. Автор: Kensuke Taguchi,Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240136399A1. Автор: Kazufumi Oki,Kosuke Yamaguchi,Kazuhiro Kawahara,Seiya SUGIMACHI,Okinori Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09654027B2. Автор: Takashi Hirao,Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038868A1. Автор: Ryota Miwa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power conversion apparatus

Номер патента: US20200144250A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Ryu KAMIBABA,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power conversion apparatus

Номер патента: US20200144250A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Ryu KAMIBABA,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and oscillation suppressing device

Номер патента: US20180309438A1. Автор: Susumu Iwamoto,Seiki Igarashi,Hideaki Kakiki,Naotaka Matsuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and oscillation suppressing device

Номер патента: US10566966B2. Автор: Susumu Iwamoto,Seiki Igarashi,Hideaki Kakiki,Naotaka Matsuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20180331631A1. Автор: TANAKA Kan. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND POWER CONVERSION APPARATUS

Номер патента: US20180294258A1. Автор: Tarutani Masayoshi,SONEDA Shinya,KAMIBABA Ryu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

Methods, devices, and systems for power converters

Номер патента: WO2023164566A1. Автор: PING Wang,David Giuliano,Minjie Chen,Yenan Chen. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-08-31.

Bidirectional device, bidirectional device circuit and power conversion apparatus

Номер патента: US09478645B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10529813B2. Автор: Takashi Ishigaki,Masakazu Sagawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20180286774A1. Автор: Yuji Nishibe,Shinichi Miura,Yasuyuki Kageyama,Yasuhide Yagyu,Yasuyoshi Saito. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and power converting device

Номер патента: US20240274557A1. Автор: Seiji Oka,Tetsu Negishi,Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, and power conversion device including the semiconductor device

Номер патента: US20210125891A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and power conversion device provided with same

Номер патента: EP3686925A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12033922B2. Автор: Noboru Nagase,Toshihiro Nagaya,Akihiro Fukatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20210320083A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US11894337B2. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US11784105B2. Автор: Shinya Yano,Seiki Hiramatsu,Shota Morisaki,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Manufacturing method of power semiconductor device, power semiconductor device, and power converter

Номер патента: US20200235072A1. Автор: Keisuke Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device, intelligent power module and power conversion apparatus

Номер патента: US11114836B2. Автор: Manabu Matsumoto,Hiroshi Yoshida,Fumitaka Tametani,Rei YONEYAMA,Haruhiko TAKEMOTO,Motonobu JOKO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20200176366A1. Автор: Hiroyuki Harada,Akira Kosugi,Takamasa Iwai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09685879B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210183823A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Kenta Emori. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device including positive, negative and intermediate potential conductor plates

Номер патента: US09871465B2. Автор: Hiroaki Ichikawa,Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Power semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US09979314B2. Автор: Yasushi Nakayama,Yuji Miyazaki,Hiroshi Nakatake,Yoshiko Obiraki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240030087A1. Автор: Yasuo Tanaka,Shinnosuke Soda,Yasunari Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor module, semiconductor device, and electric power device

Номер патента: US09893643B1. Автор: Nobuhisa Honda,Yasuo Kotake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US11750090B2. Автор: Chihiro Kawahara,Shinya Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200013752A1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20220165630A1. Автор: Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240223101A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200043818A1. Автор: Akitoshi Shirao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power conversion apparatus configured to include plurality of power converter circuits of inverter circuits

Номер патента: US09985552B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Futoshi Okawa,Hiroshi Ikarashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Power conversion apparatus configured to include plurality of power converter circuits of inverter circuits

Номер патента: US20170302190A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Futoshi Okawa,Hiroshi Ikarashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor element, semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20200395314A1. Автор: Yuji Sato,Jun Fujita,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20230207534A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, busbar, and power converter

Номер патента: US20230231487A1. Автор: Eiichi Ide,Masahito Mochizuki,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and power converter

Номер патента: WO2022054560A1. Автор: 洋一 五藤,純司 藤野,貴雅 岩井,知明 橋本,裕一郎 鈴木. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2022-03-17.

Substrate for mounting a semiconductor element thereon and semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on said substrate

Номер патента: US20020167064A1. Автор: Satoru Yamada,Ichiro Kataoka,Yoshifumi Takeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

High voltage ride through device and method, wind power converter, and wind turbine set

Номер патента: US20240322566A1. Автор: Liquan Chen,Liangnian LV. Владелец: Goldwind Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements

Номер патента: US12074213B2. Автор: Ralph G. Nuzzo,John A. Rogers,Etienne Menard,Keon Jae Lee,Dahl-Young Khang,Yugang Sun,Matthew Meitl,Zhengtao Zhu. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements

Номер патента: MY187019A. Автор: Menard Etienne,KHANG Dahl-Young,SUN Yugang,MEITL Matthew,ZHU Zhengtao,A Rogers John,G Nuzzo Ralph,Jae Lee Keon. Владелец: Univ Illinois. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements

Номер патента: US09450043B2. Автор: Ralph G. Nuzzo,John A. Rogers,Etienne Menard,Keon Jae Lee,Dahl-Young Khang,Yugang Sun,Matthew Meitl,Zhengtao Zhu. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US10971415B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20200321258A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor element drive device and power conversion apparatus

Номер патента: US11757444B2. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Koichi Yahata. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Drive circuit and inverter for voltage driving type semiconductor device

Номер патента: EP2015439A3. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-02-17.

Wireless power transmission/reception system, power conversion device including the same, and power conversion method

Номер патента: US20190115789A1. Автор: Yasuaki Norimatsu,Katsuei Ichikawa,Yoshikazu Sugiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Parallel driving device and power conversion device

Номер патента: US11955959B2. Автор: Yasushi Nakayama,Keisuke Kimura,Takayoshi Miki,Yukio Nakashima,Tomonobu Mihara,Yoshiko Tamada,Shota Morisaki,Kenta Uchida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor element bonding body, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor element bonding body

Номер патента: US20200273762A1. Автор: Koji Yamazaki,Tomoaki Kato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor element housing package, semiconductor device, and mounting structure

Номер патента: US09443777B2. Автор: Mahiro Tsujino,Toshihiko Kitamura. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Surface-modified-metal-oxide-particle material, composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: US09972757B2. Автор: Yoichi Sato,Takeshi Otsuka,Kenji Harada,Yasuyuki Kurino,Takeru Yamaguchi. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US20090103585A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Takuya Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US20070228551A1. Автор: Tsutomu Ishikawa,Takuya Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US20050082691A1. Автор: Hisataka Ito,Shinya Ota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

High voltage ride through device and method, wind power converter, and wind turbine set

Номер патента: AU2021454302A1. Автор: Liquan Chen,Liangnian LV. Владелец: GOLDWIND SCIENCE & TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-08.

High voltage ride through device and method, wind power converter, and wind turbine set

Номер патента: EP4358331A1. Автор: Liquan Chen,Liangnian LV. Владелец: Goldwind Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US8921999B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US9484336B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20150102474A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor module and power conversion device

Номер патента: US12074082B2. Автор: Masaru Fuku,Yuya Muramatsu,Noriyuki Besshi,Tomohisa Yamane,Hisayuki Taki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Power Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20200068735A1. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20200052573A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Takashi Masuhara,Mamoru Kamikura,Kodai Katagiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and production method for semiconductor device

Номер патента: US12062634B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and power converter using it

Номер патента: EP2365532A3. Автор: Mutsuhiro Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-28.

Power module and power conversion device using the same

Номер патента: US20230283190A1. Автор: Takashi Hirao,Takeshi Tokuyama,Takahiro Araki,Nobutake Tsuyuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

N-type semiconductor element, complementary type semiconductor device and method for manufacturing the same, and wireless communication device in which the same is used

Номер патента: EP3410468B1. Автор: Seiichiro Murase,Hiroji Shimizu,Daisuke SAKII. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11764141B2. Автор: Shun Takeda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Power semiconductor device, method for manufacturing power semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US11887903B2. Автор: Tomonori Tagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20230282530A1. Автор: Kei Yamamoto,Hodaka Rokubuichi,Wakana Noboru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150206860A1. Автор: Toshiaki Nagase,Kazuyoshi Kontani,Naohito Kanie. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device having a substrate and input and output electrode units

Номер патента: US09543281B2. Автор: Toshiaki Nagase,Kazuyoshi Kontani,Naohito Kanie. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230307326A1. Автор: Takatoshi Yasui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332271A1. Автор: Tetsuo Tateishi,Hiroto Sakai,Yuta OKAWAUCHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

P-type oxide, composition for producing p-type oxide, method for producing p-type oxide, semiconductor element, display element, image display device, and system

Номер патента: US09536957B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20220077034A1. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US11728253B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12068229B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240055357A1. Автор: Kozo Harada,Hodaka Rokubuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Converter and power conversion system for converting power of auxiliary battery using obc

Номер патента: US20240051411A1. Автор: Youn Sik Lee,In Yong Yeo,Se Wan CHOI. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-02-15.

P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170301738A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

OXIDE SEMICONDUCTOR, COATING LIQUID, METHOD OF FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND IMAGE DISPLAY SYSTEM

Номер патента: US20170200606A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

n-type semiconductor elements and complementary semiconductor devices, their manufacturing methods, and wireless communication devices using them.

Номер патента: JP6962189B2. Автор: 浩二 清水,清一郎 村瀬,大輔 崎井. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2021-11-05.

N-type semiconductor element and complementary semiconductor device, manufacturing method thereof, and wireless communication device using the above

Номер патента: TWI713227B. Автор: 清水浩二,村瀬清一郎,崎井大輔. Владелец: 日商東麗股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-11.

P-TYPE OXIDE, COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20140353648A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-12-04.

P types oxide, the composition for manufacturing P type oxides, the method for manufacturing P type oxides, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: CN104094407B. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,早乙女辽,早乙女辽一,高田美树子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

P-type oxide, composition for producing P-type oxide, method for producing P-type oxide, semiconductor element, display element, image display device, and system

Номер патента: CN104094407A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,早乙女辽一,高田美树子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-08.

P-type oxide, composition for producing p-type oxide, method for producing p-type oxide, semiconductor element, display element, image display device, and system

Номер патента: TW201330278A. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER MODULE, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20190115465A1. Автор: Shima Akio,KONISHI Kumiko,Tani Kazuki,FUJITA Ryuusei. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2019-04-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER MODULE, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20190288082A1. Автор: Ishigaki Takashi,SAGAWA Masakazu. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Silicon carbide semiconductor device, power module, and power conversion device

Номер патента: US10367090B2. Автор: Kumiko Konishi,Akio Shima,Kazuki Tani,Ryuusei Fujita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-07-30.

Power conversion device and power conversion control device

Номер патента: US11855548B2. Автор: Naoto NIIMURA. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Class-D power converter

Номер патента: US12074516B2. Автор: Takuya Ishii,Hiroki Akashi,Yoshihisa Minami,Takeshi Azuma,Kazuhiro Yahata,Yoshihito KAWAKAMI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Auxiliary pre-charging device and method for power converter and power converter

Номер патента: CN114552959A. Автор: 陈强,罗成,李晗,段佳杰,于健雄. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and production method thereof

Номер патента: US09577050B2. Автор: Tetsuya Imamura,Yoshinori Ikeda,Yuka Tomizawa. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Switching circuit and power converter

Номер патента: EP4380024A1. Автор: Wataru Okada,Hironori Tauchi,Noriyuki NOSAKA,Satoshi Iwai,Junya Mishima,Mamoru SUEKI. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2024-06-05.

PWM control device and three-level power converter using the PWM control device

Номер патента: JP6699265B2. Автор: 拓 高久. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and temperature measurement method

Номер патента: US20220244111A1. Автор: Shinichi Masuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Power converting device

Номер патента: US20190287933A1. Автор: Masahiro Ueno,Yuji Shirakata,Kenta Fujii,Tomoaki SHIMANO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrally bonded semiconductor device and power converter including the same

Номер патента: US11887904B2. Автор: Daisuke Oya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Power conversion device and electric railway vehicle equipped with power conversion device

Номер патента: RU2741318C1. Автор: Кейсуке ХОРИУТИ,Киёси НАКАТА,Нориёси УРУСИВАРА,Суити ТЕРАКАДО,Киёси ТЕРАСАВА. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2021-01-25.

Power converter submodule with a short-circuit device and power converter having same

Номер патента: CA2932530C. Автор: Joerg Janning,Martin Geske,Thomas Brueckner,Roland Jakob. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with a transmitting insulating element

Номер патента: US11894321B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of controlling switching frequency of wind power converter and control device and power generation system using the same

Номер патента: EP3796541A1. Автор: Li Chen,Changyong Wang,Mingxuan Dong,Chaowei Guo. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220077082A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09985464B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09620988B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US20120286288A1. Автор: Shoji Saito,Khalid Hassan Hussein. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor element, semiconductor element fabricating method, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method

Номер патента: SG79222A1. Автор: Yagi Yoshihiko,YONEZAWA Takahiro,TSUKAHARA NORIHITO,Kitayama Yoshifumi,Higashi Kazushi,Otani Hiroyuki. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor element pickup jig, semiconductor element pickup device, semiconductor element pickup method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP4021614B2. Автор: 哲也 黒澤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Semiconductor element, semiconductor element fabricating methd, semiconductor device, and semiconductor device fabricating method

Номер патента: CN1181531C. Автор: , ,东和司,塚原法人,八木能彦,大谷博之,米泽隆弘,北山喜文. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, solid-state image pickup device, and electronic apparatus

Номер патента: CN103999222A. Автор: 山口哲司,泷本香织. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-20.

Methods of transferring semiconductor elements and manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US9082844B2. Автор: Jin-Seung Sohn,Jun-hee Choi,Chang-youl Moon,Eun-Hyoung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-14.

Resin sheet for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: CN101546802B. Автор: 末广一郎,赤沢光治,薄井英之. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: JPH11302499A. Автор: Katsumi Shimada,Masato Noro,Shinjiro Uenishi,悟 奥田,真人 野呂,成哉 駒田,克実 嶋田,伸二郎 上西,那晴 服部,Shigeya Komada,Satoru Okuda,Tomoharu Hattori. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Process for producing a group-III nitride crystal and process for producing a light-emitting semiconductor element or a semiconductor device comprising a group-III nitride crystal

Номер патента: US9428386B2. Автор: Kenji Fujito,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Wavelength conversion element, semiconductor light emitting device and display device therewith and method for producing a wavelength conversion element

Номер патента: DE102012101892A1. Автор: Mikael Ahlstedt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620408B2. Автор: Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12062655B2. Автор: Jun Takaoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Control circuit and power module

Номер патента: US20190326898A1. Автор: Kazuhiro Taguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device, electro-optic device, power conversion device, and electronic apparatus

Номер патента: US20140217424A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180082918A1. Автор: Yoshiharu Takada,Kazuo Fujimura,Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor element, semiconductor device, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20130328065A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Power semiconductor element drive adjustment circuit, power module, and power conversion device

Номер патента: US20240275265A1. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20210143081A1. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230027022A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Senichirou NAGASE,Takehirou MARIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device having a glass piece and a single-crystalline semiconductor portion

Номер патента: US09601376B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09508803B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US9530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09530838B2. Автор: Yasuhiro Shirai,Toshiaki Igarashi,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09929073B2. Автор: Noriyuki Kakimoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09773936B2. Автор: Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Drive circuit for power semiconductor element, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20230308086A1. Автор: Takashi Masuhara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972713B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131798A1. Автор: Takashi Nakano,Takuya Okuno,Syunsuke HARADA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Drive control device for power semiconductor element, and power module

Номер патента: US12132472B2. Автор: Kenichi Morokuma,Yoshiko Tamada,Shotaro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972705B2. Автор: Masashi Iwatsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

n-type semiconductor element, method for producing n-type semiconductor element, wireless communication device, and product tag

Номер патента: US12029107B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150214353A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Display driver semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220336502A1. Автор: Jiman Kim,Kwangho Park,Boseok OH,Taekyun YOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US7939874B2. Автор: Hitomi Sakurai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304589A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device for preventing field inversion

Номер патента: US09887187B2. Автор: Shusaku FUJIE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09806068B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer

Номер патента: US09496405B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269904A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09966322B2. Автор: Hisao Teshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20140077280A1. Автор: Akira Inoue,Yoshinori Yokoyama,Yoshitsugu Yamamoto,Jun Fujita,Shinnosuke Soda,Yoichi Nogami,Kazuyasu Nishikawa,Kazuyo Endo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090152644A1. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20210288140A1. Автор: Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20060131623A1. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296214A1. Автор: Seiichi Kamiyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263611A1. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

n-type semiconductor element, method for manufacturing n-type semiconductor element, wireless communication device, and merchandise tag

Номер патента: US12029106B2. Автор: Yasuhiro Kobayashi,Seiichiro Murase,Kazuki ISOGAI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11750194B2. Автор: Kiyoshi Kato,Masashi Fujita,Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055332A1. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having a pair of transistors that are directly coupled and capacitively coupled

Номер патента: US9142551B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20200152785A1. Автор: Shingo Sato,Yoshiharu Takada,Kikuo Aida,Tatsuya Nishiwaki,Tatsuya Ohguro,Kentaro Ichinoseki,Kohei Oasa,Hideharu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9397155B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Masaki Furumai,Mitsuhiko Sakai,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080197395A1. Автор: Hitomi Sakurai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements

Номер патента: US12062614B2. Автор: Jack O. Chu,Kam-Leung Lee,Paul M. Solomon,Jeng-Bang Yau,Ahmet S. Ozcan,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09871513B2. Автор: Yasuki Yoshida,Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09478621B2. Автор: Nozomu Akagi,Makoto Kuwahara,Yuma Kagata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Oxide precursor, oxide layer, semiconductor element, and electronic device, and method of producing oxide layer and method of producing semiconductor element

Номер патента: US20170335461A1. Автор: Satoshi Inoue,Masahiro Suzuki,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768281B2. Автор: Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and power converter

Номер патента: US12057496B2. Автор: Shiro Hino,Hideyuki HATTA,Koji Sadamatsu,Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara,Shingo Tomohisa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20240297118A1. Автор: Hirofumi Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, organic semiconductor composition, organic semiconductor film, compound, and oligomer or polymer

Номер патента: US09954172B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor power converting apparatus

Номер патента: US20010015670A1. Автор: Hidetoshi Aizawa,Hiromitsu Sakai,Ryuji Iyotani,Masahiro Nagasu,Shuji Katoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240057313A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Taro SHIOKAWA,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200365726A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and power source supply method description

Номер патента: US09740219B2. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Electrically-conductive metal oxide film, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20220310798A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Conductive metal oxide film, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4089728A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20200321258A1. Автор: MATSUSHIMA Hiroyuki,Suzuki Kazuhiro,KOJIMA Kyoko. Владелец: HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240291402A1. Автор: Chihiro Kawahara,Kenichi Morokuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US20150333757A1. Автор: Mitsunori Aiko,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and automobile

Номер патента: US09484927B2. Автор: Mitsunori Aiko,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and electromagnetic wave device

Номер патента: US20240332226A1. Автор: Yosuke Nishida,Kazuisao TSURUDA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Power converter and aircraft equipped with power converter

Номер патента: US12047015B2. Автор: Kenji Fujiwara,Takayoshi Nagai,Yusuke SHIROUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Power conversion device control device and power conversion system

Номер патента: EP4207533A1. Автор: Yoshinori TSURUMA. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Methods of starting power converter systems, and power converter systems

Номер патента: US12040697B2. Автор: Martin Geske,Thomas Brueckner,Hendrik Gloes. Владелец: GE Energy Power Conversion Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate drive circuit and power conversion device

Номер патента: US20240258901A1. Автор: Masahiro Doi,Naoki Sakurai. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor module and power converter

Номер патента: US20230261585A1. Автор: Tetsuro Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US12047041B2. Автор: Satoshi Goto,Satoshi Arayashiki,Shunji Yoshimi,Yuji Takematsu,Yukiya Yamaguchi,Takanori Uejima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Control device and power conversion device

Номер патента: US20240275165A1. Автор: Toshiyuki Fujii,Hiroki Ishihara,Ryosuke UDA,Kaho MUKUNOKI,Kota HAMANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor element and power amplification device

Номер патента: US20200402932A1. Автор: Yuichi Saito,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Inverter device and inverter-integrated electric motor

Номер патента: US09812934B2. Автор: Yasushige Mukunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor element, semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210242363A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Manabu Kiguchi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device, liquid crystal module adopting same, method of manufacturing liquid crystal module, and electronic equipment adopting same

Номер патента: US7271860B2. Автор: Tomohiko Iwane,Kazuhiko Fukuta,Masahiko Monzen. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Cooler and electric power converter

Номер патента: WO2015059549A1. Автор: Shinichi Miura. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-30.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240014088A1. Автор: Eiichi Ide,Akira Mima,Junpei Kusukawa. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor element bonding substrate, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200135682A1. Автор: Satoru Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor element, semiconductor device, semiconductor element manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: JP3801160B2. Автор: 貴幸 近藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-07-26.

SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING BODY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING BODY

Номер патента: US20200273762A1. Автор: Kato Tomoaki,Yamazaki Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-08-27.

Epoxy resin composition for optical semiconductor reflectors, thermosetting resin composition for optical semiconductor devices, lead frame for optical semiconductor devices obtained using said thermosetting resin composition for optical semiconductor devices, sealed optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2014199728A1. Автор: 一浩 福家,佑一 深道. Владелец: 日東電工株式会社. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device with stacked power converter

Номер патента: EP2647047A1. Автор: Bernard J. New. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor element inspection socket, semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device inspection method

Номер патента: JP3453526B2. Автор: 裕之 太田,健一 山本,一郎 安生,英夫 有馬,直敬 田中,昭男 長谷部. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-06.

Semiconductor element mounting substrate, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor element mounting substrate

Номер патента: EP1976004A4. Автор: Masashi Narita,Hideaki Morigami,Kouichi Takashima. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

n-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT, COMPLEMENTARY TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE IN WHICH SAME IS USED

Номер патента: US20190027700A1. Автор: MURASE Seiichiro,SHIMIZU Hiroji,SAKAII Daisuke. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20060131727A1. Автор: Sou Hoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Light-emitting semiconductor element and composite semiconductor device of protection element

Номер патента: CN100524790C. Автор: 加藤隆志,佐藤纯治,大塚康二,杢哲次,丹羽爱玲,神井康宏. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor unit, semiconductor element, light emitting device, display device and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: JP2015195244A. Автор: Akira Omae,剛志 琵琶,暁 大前,Tsuyoshi Biwa,Yusuke Kataoka,Tatsuo Ohashi,Ippei Nishinaka,琵琶　剛志,逸平 西中,祐亮 片岡,達男 大橋. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

SEMICONDUCTOR ELEMENT HOUSING PACKAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20150130043A1. Автор: Tsujino Mahiro,KITAMURA Toshihiko. Владелец: KYOCERA CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor element mounting substrate, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6460407B2. Автор: 覚史 久保田. Владелец: 大口マテリアル株式会社. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor element storage package, semiconductor device, and mounting structure

Номер патента: JPWO2013172420A1. Автор: 真広 辻野,俊彦 北村. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor element mounting member, semiconductor device, imaging device, light emitting diode component, and light emitting diode

Номер патента: JP3977414B1. Автор: 大輔 高木,保志 筑木,賢次郎 桧垣,定 石津. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Collective substrate, semiconductor element mounting member, semiconductor device, imaging device, light emitting diode constituting member, and light emitting diode

Номер патента: KR100765945B1. Автор: 야스시 츠즈키,사다무 이시즈,다이스케 타카기,켄지로 히가키. Владелец: 가부시끼가이샤 아라이도 마테리아루. Дата публикации: 2007-10-10.

RESIN COMPOSITION FOR REFLECTING LIGHT, SUBSTRATE FOR MOUNTING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014729A1. Автор: Ito Masaharu,Tsukurimichi Keiichi. Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2015-01-15.

RESIN COMPOSITION, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220035085A1. Автор: FUJII Hironaka,WENG Yufeng. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2022-02-03.

SURFACE-MODIFIED-METAL-OXIDE-PARTICLE MATERIAL, COMPOSITION FOR SEALING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150021643A1. Автор: SATO Yoichi,OTSUKA Takeshi,HARADA Kenji,Kurino Yasuyuki,Yamaguchi Takeru. Владелец: Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND CMIS SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150084013A1. Автор: Ohmi Tadahiro. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-03-26.

SILICONE RESIN COMPOSITION FOR SEALING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160108240A1. Автор: Kashiwagi Tsutomu,KUSUNOKI Takayuki,MIZUNASHI Tomoyuki. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-04-21.

METHODS OF TRANSFERRING SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140242782A1. Автор: MOON Chang-youl,CHOI Jun-Hee,Sohn Jin-seung,Cho Eun-hyoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160251511A1. Автор: OSADA Shoichi,YOKOTA Ryuhei,Oishi Hiroki,IKEDA Tadaharu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-01.

Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: JP2011155277A. Автор: 直之 浦崎,Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa,加奈子 湯浅. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same

Номер патента: KR101155231B1. Автор: 나오유키 우라사키,카나코 유아사. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-06-13.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: KR20220055469A. Автор: 다카시 야마모토,요시히토 이나바,히카루 스토,나오키 나라. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-05-03.

Material for semiconductor element protection and semiconductor device

Номер патента: KR101808472B1. Автор: 시게루 나까무라,히로시 마에나까,다까시 니시무라,유우스께 고바야시,다꾸지 아오야마,치즈루 김. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-12-12.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: CN114127184A. Автор: 山本高士,稻叶贵一,须藤光,奈良直纪. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-01.

Curable epoxy resin composition for white reflector and cured product thereof, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: JPWO2017131152A1. Автор: 篤志 佐藤,弘世 鈴木,良紀 安達,吉田　司,司 吉田,聡司 大石. Владелец: Cluster Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Surface-modified-metal-oxide-particle material, composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: KR101425545B1. Автор: 요이치 사토,겐지 하라다,야스유키 구리노,다케시 오츠카,다케루 야마구치. Владелец: 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-01.

Silicone resin composition for sealing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US9657175B2. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Takayuki Kusunoki,Tomoyuki MIZUNASHI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Resin composition, optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2020067544A1. Автор: 宏中 藤井,宇峰 翁. Владелец: 日東電工株式会社. Дата публикации: 2020-04-02.

Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same

Номер патента: CN101461070B. Автор: 浦崎直之,汤浅加奈子. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Surface-modified-metal-oxide-particle material, composition for sealing optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: CN103987657A. Автор: 佐藤洋一,原田健司,大塚刚史,栗野恭行,山口健儿. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2014-08-13.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: TW200519135A. Автор: Yuji Tada,Hisataka Ito,Shinya Ota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: EP1529807A3. Автор: Hisataka Ito,Shinya Ota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2006-01-25.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: CN114127185A. Автор: 山本高士,稻叶贵一,须藤光,奈良直纪. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-01.

Semiconductor element substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3444840B2. Автор: 竜太郎 荒川,英明 名倉,裕治 田中. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-09-08.

Curable resin composition and cured product thereof, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201609949A. Автор: Tsukasa Yoshida. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-03-16.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: TW200517437A. Автор: Hisataka Ito,Shinya Ota. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Heat-curable resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: WO2023281922A1. Автор: 光 須藤,由則 遠藤,高士 山本,順子 岡田,龍汰 中村. Владелец: 昭和電工マテリアルズ株式会社. Дата публикации: 2023-01-12.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: CN1621481B. Автор: 伊藤久贵,大田真也,多田佑二. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2010-05-26.

Die-bonding agent composition for optical semiconductor element and optical semiconductor device using the composition

Номер патента: JP5278384B2. Автор: 幸 若尾,佳英 浜本. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-04.

Package for carrying optical semiconductor element and optical semiconductor device using thereof

Номер патента: TW200807763A. Автор: Naoyuki Urasaki,Kanako Yuasa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Resin composition, optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: CN112771124B. Автор: 藤井宏中,翁宇峰. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-05-26.

Semiconductor element pellet and semiconductor device with said pellet

Номер патента: JPS5851526A. Автор: Osamu Sumiya,修 角谷. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-03-26.

Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same

Номер патента: CN101461070A. Автор: 浦崎直之,汤浅加奈子. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: CN1621482A. Автор: 伊藤久贵,大田真也. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Semiconductor device with stacked power converter

Номер патента: WO2012091780A1. Автор: Bernard J. New. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2012-07-05.

Circuit board, bumped semiconductor element mounting structure, electro-optical device, and electronic device

Номер патента: JP4270210B2. Автор: 剛士 芦田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Power semiconductor device manufacturing method and power semiconductor device

Номер патента: JP6433590B2. Автор: 裕 米田,純司 藤野,藤野　純司,米田　裕,和良 重,陽一 廣中. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-12-05.

Power semiconductor device manufacturing method and power semiconductor device

Номер патента: JPWO2018138902A1. Автор: 博 吉田,秀俊 石橋,伸洋 浅地,紀和 境. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE PROTECTION CIRCUIT AND POWER MODULE

Номер патента: US20210028702A1. Автор: Sakai Takuya,MOROKUMA Kenichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: JPWO2016016970A1. Автор: 感 安井,和弘 鈴木,安井　感,高志 平尾,廉一 山田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor devices, semiconductor device manufacturing methods and power conversion devices

Номер патента: JPWO2020174584A1. Автор: 山本　圭,圭 山本,穂隆 六分一,邦孝 佐藤. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102474A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device driving apparatus and power conversion apparatus

Номер патента: JPWO2018203422A1. Автор: 亮太 近藤,陽平 丹,航平 恩田,寛康 岩蕗. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND SUBSTRATE

Номер патента: US20140353705A1. Автор: Kamikawa Takeshi,Katoh Masaaki,Hanamoto Tetsuya. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-12-04.

Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them

Номер патента: CN1300859C. Автор: 井上登美男,真田研一,小屋贤一,福田康彦. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1187778A. Автор: Nobuhiro Suzuki,Satoshi Kawamoto,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,田 康 一 新,野 邦 明 紺,木 伸 洋 鈴,本 聡 河. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing semiconductor light-emitting element

Номер патента: KR101361392B1. Автор: 신야 누노우에,도시유끼 오까,에이지 무라모또. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2014-02-11.

Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element

Номер патента: US7161188B2. Автор: Kenji Orita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US6642072B2. Автор: Tomio Inoue,Kenichi Koya,Kenichi Sanada,Yasuhiko Fukuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor light emitting element, method for manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and substrate

Номер патента: WO2013141032A1. Автор: 哲也 花本,加藤　正明,神川　剛. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2013-09-26.

Light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for manufacturing them

Номер патента: WO1998034285A1. Автор: Tomio Inoue,Kenichi Koya,Kenichi Sanada,Yasuhiko Fukuda. Владелец: Matsushita Electronics Corporation. Дата публикации: 1998-08-06.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210249526A1. Автор: Norikazu Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20100187653A1. Автор: Seiji Otake. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP2622640A1. Автор: Takashi Okawa,Kiyoharu Hayakawa,Atsushi Onogi,Hiroomi Eguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-08-07.

Driving device for semiconductor elements, and semiconductor device

Номер патента: US09627878B2. Автор: Masahiro Yamamoto,Yo Habu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device and power semiconductor core module

Номер патента: US20180331077A1. Автор: Seiji Oka,Yoshihiro Yamaguchi,Tetsuo Motomiya,Yoshiko Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060186435A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP2304789A2. Автор: Johan H. Klootwijk,Eugene Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09831160B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Masayoshi Nishihata,Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Takahiro Hirano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09818705B1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20200052065A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170301753A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10903312B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Organic semiconductor element, strain sensor, vibration sensor, and manufacturing method for organic semiconductor element

Номер патента: US12068093B2. Автор: Junichi Takeya,Yu Yamashita,Keita Yaegashi,Shunichiro Watanabe. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and solid-state imaging device with tantalum oxide layer formed by diffusing a material of an electrode of necessity or a counter electrode

Номер патента: US09577005B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508619B2. Автор: Tomoyuki Aoki,Hisashi Ohtani,Hiroki Adachi,Takuya Tsurume,Nozomi Horikoshi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056273A1. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991349B2. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and heat-conductive sheet

Номер патента: US09627293B2. Автор: Kozo Harada,Isao Oshima,Rei YONEYAMA,Yoshitaka Otsubo,Rena KAWAHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: EP1603155A4. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-08-06.

System including power supply and power converter for providing AC power to medical devices

Номер патента: US09806627B2. Автор: Ryan M. Albu. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resonant type high frequency power supply device and switching circuit for resonant type high frequency power supply device

Номер патента: US09882435B2. Автор: Yuki Ito,Toshihiro Ezoe,Yoshiyuki Akuzawa,Kiyohide Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Clamp diode reset in a power converter and power outage detection in a switched mode power supply

Номер патента: WO2008022232A9. Автор: Aaron Jungreis. Владелец: Aaron Jungreis. Дата публикации: 2008-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09496204B2. Автор: Hajime Hasebe,Tadatoshi Danno,Yukihiro Satou. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: GB9024722D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-02.

Method for controlling power conversion device, and power conversion device

Номер патента: EP3878682A1. Автор: Yuji Saito,Yosuke Tomita,Shigeharu Yamagami,Yusuke ZUSHI,Keisuke Takemoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20010018124A1. Автор: Katsutoshi Mine,Minoru Isshiki,Kimio Yamakawa,Yoshiko Otani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for controlling power conversion device, and power conversion device

Номер патента: US20220001750A1. Автор: Yuji Saito,Yosuke Tomita,Shigeharu Yamagami,Yusuke ZUSHI,Keisuke Takemoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Encapsulating sheet, optical semiconductor device, and producing method thereof

Номер патента: US8957451B2. Автор: Hirokazu Matsuda,Yasunari Ooyabu,Haruka Ona. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Semiconductor device, solid-state imaging device with tantalum oxide layer formed by diffusing a material of an electrode of necessity or a counter electrode

Номер патента: US09947710B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09572291B2. Автор: Masanori Minamio. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Mass transfer method and system for semiconductor element

Номер патента: US20210249553A1. Автор: Tzu Ping Lin,Chia-Hua Huang,Peng Yue ZHANG,Po Fu CHEN. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US12027492B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20120018890A1. Автор: Takahiro Matsuo,Taichi Nakamura,Akio Furusawa,Shigeaki Sakatani,Hidetoshi Kitaura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Power conversion device and power conversion method

Номер патента: EP3849072A1. Автор: Yasuhiko Kouno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09570329B2. Автор: Kenichi Hashimoto,Misako Hirosue,Shingo Eguchi,Yasuharu Hosaka,Yohei Monma,Atsuhiro Tani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09397126B2. Автор: Kenichi Hashimoto,Misako Hirosue,Shingo Eguchi,Yasuharu Hosaka,Yohei Monma,Atsuhiro Tani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Power converter

Номер патента: RU2408971C2. Автор: Родни ДЖОНС,Пол Брайан БРОГАН,Эрик ГРОНДАЛ,Хенрик СТИЕСДАЛ. Владелец: КОНВЕРТИМ ЮКей ЛТД. Дата публикации: 2011-01-10.

Control device and power conversion device

Номер патента: US12074535B2. Автор: Yoshiyuki Kono,Shuhei Fujiwara,Takeshi Kikuchi,Ryosuke UDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09935165B2. Автор: Yuichi Kato,Kenta Masuda,Takashige Fujimori,Keiichi Akamatsu,Tomoatsu Kinoshita,Yuichiro Ishiyama. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of operating a power converter, control circuit, and power converter

Номер патента: EP4148962A1. Автор: Deboy Gerald,Matthias Joachim Kasper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-15.

Power supply and power converter booster

Номер патента: EP4156486A1. Автор: Kennith Kin Leong,Darryl Tschirhart,Matthias Joachim Kasper,Luca PELUSO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-03-29.

Optoelectronic device and method for manufacturing same

Номер патента: US09537050B2. Автор: Alexei Tchelnokov,Philippe Gilet,Ivan Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device

Номер патента: EP1155452A1. Автор: Marcel R. Bohmer,Nicolaas Kooyman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-21.

Spherical or grain-shaped semiconductor element for use in solar cells and method for producing the same; method for producing a solar cell comprising said semiconductor element and solar cell

Номер патента: CA2540723A1. Автор: Volker Geyer,Patrick Kaas,Jaques Scheuten. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20240292641A1. Автор: Yosuke Saito,Yasuharu Ujiie,Mari Ichimura,Yuki NEGISHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Power converter and power converting method

Номер патента: US20080049474A1. Автор: Wen-Yin Tsai,Yan-Song Lu,Jing-Tao Tan,Qiu-Hua Zhu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Power converter and power supplying method thereof

Номер патента: US09627965B2. Автор: Xing-Kuan Guo,Li-Tao Xia. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for operating a power converter circuit and power converter circuit

Номер патента: US09647548B2. Автор: Kennith Kin Leong,Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Single stage forward-flyback converter and power supply apparatus for light emitting diode

Номер патента: US09450495B2. Автор: Heung Gyoon Choi,Sang Kyoo Han,Hong Sun Park,Byoung Woo Ryu,Keun Wook Lee. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Plastic encapsulated semiconductor devices and method of making same

Номер патента: CA1079868A. Автор: Kiyoshi Ishibashi,Masahiro Yamane,Yutaka Morita,Isamu Yamamoto,Toshimi Watanabe,Keiji Itoga,Kiyoji Imanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Lighting and power control system with increased dynamic response for improved light quality

Номер патента: WO2018007182A1. Автор: Jurgen Margriet Antonius Willaert,Jeroen Johannes Michiel VAN HELVOORT,Mingyao GONG. Владелец: PHILIPS LIGHTING HOLDING B.V.. Дата публикации: 2018-01-11.

Power storage system, voltage transformer and power storage power conditioner

Номер патента: US20190165725A1. Автор: Junichiro Yamada,Katsumi Ohashi,Atsuo Minato,Yasuhiro Tsubota,Katsutaka Tanabe,Kazumi Tsuchimichi,Arata YONEDA. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US20150205059A1. Автор: Daisuke Tanaka,Takeo Satake,Daisuke Sakumoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: US9459416B2. Автор: Daisuke Tanaka,Takeo Satake,Daisuke Sakumoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: WO2014119550A1. Автор: 作本　大輔,田中　大輔,佐竹　猛夫. Владелец: 京セラ株式会社. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222344A1. Автор: Yoshiaki Yasuda,Hirofumi Chiba. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor element, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09553063B2. Автор: Akira Yamada,Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Kenji Ohtsu,Taku Kusunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US20160155833A1. Автор: Yasuyuki YOSHINAGA,Kenta Sadakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09972612B2. Автор: Tomoo MORINO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US09711630B2. Автор: Yasuyuki YOSHINAGA,Kenta Sadakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240170480A1. Автор: Taishu OYAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method of manufaturing the same

Номер патента: US20070243684A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050087774A1. Автор: Masahiro Yoshida,Noriyuki Ota,Nobuyuki Katsuki,Atsushi Nakagawa,Atsushi Oga,Kenta Arai,Shuuichi Senou,Tomotaka Murakami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Compound semiconductor device, method for producing same, and resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US09865679B2. Автор: Hideki Mizuhara,Yoshihiro Matsushima,Shinichi Oohashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor element, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150091062A1. Автор: Takako Motai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of manufacturing semiconductor device, and probe card

Номер патента: US09829507B2. Автор: Takashi Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030298A1. Автор: Yosui FUTAMURA,Shunya Mikami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09443779B2. Автор: Kenji Okamoto,Katsuhiko Yanagawa,Yuji Takematsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170103995A1. Автор: Osamu Matsuura,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09673214B2. Автор: Osamu Matsuura,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor element, semiconductor device including the same, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09748455B2. Автор: Masafumi Kuramoto,Shuji Shioji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US09515061B2. Автор: Seiichiro Inokuchi,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Surge protection element and semiconductor device

Номер патента: US09570435B2. Автор: Tatsuo Morita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device including a bidirectional switch

Номер патента: US11217510B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Michael Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-01-04.

High-Heat-Resistant Semiconductor Device

Номер патента: US20090072356A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US7554114B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-06-30.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20080087898A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

High-heat-resistant semiconductor device

Номер патента: US20070096081A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: US20040085011A1. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: EP1278227A4. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-07-05.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100129969A1. Автор: Yasuyuki Arai,Ikuko Kawamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240290695A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and power converter

Номер патента: US20230253349A1. Автор: Yuji Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240128166A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Power converter

Номер патента: US20130241082A1. Автор: Makoto Okamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240234233A1. Автор: Hiroyuki Shinkai,Naoyuki Sano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09953961B2. Автор: Takeshi Yokoyama,Atsushi Maruyama,Tomonori Seki,Masaaki Ochiai,Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and equipment

Номер патента: US20240006389A1. Автор: Hiroaki Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252290A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298974A1. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230140664A1. Автор: Hiroyuki Harada,Yusuke Kaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312868A1. Автор: Yukinori Hatori. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09449937B2. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12057375B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US12080675B2. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US09941237B2. Автор: Motoharu Haga,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and bonding method

Номер патента: US20240379610A1. Автор: Kazunori Fuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for making semiconductor device

Номер патента: US09601455B2. Автор: Motoharu Haga,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343641A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090154126A1. Автор: Nozomi Shimoishizaka,Kouichi Nagao. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304567A1. Автор: Fumihito KAWAHARA,Aya Muto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09786587B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition

Номер патента: US09450158B2. Автор: Naoko Yoshida,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Ryusuke Naito,Yuichi Fukamichi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09406603B2. Автор: Yoshito Kinoshita,Tatsuo Nishizawa,Yoshinari Ikeda,Eiji Mochizuki,Shinji Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170354A1. Автор: Yasutaka Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258264A1. Автор: Takanori Kawashima,Tomomi Okumura,Shinji Hiramitsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and electrical device

Номер патента: US09905489B2. Автор: Akira Iso,Takahiro Mitsumoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502327B2. Автор: Yasushi Ookura,Shun SUGIURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298983A1. Автор: Osamu Ikeda,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Shota Funato. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200185316A1. Автор: Akira Sengoku,Hidesato HISANAGA. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260686A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025320A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230307419A1. Автор: Soichi Homma,Chikara Miyazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09847311B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Resin-encapsulatd semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728478B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508684B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490224B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and mounting structure for semiconductor device

Номер патента: US20240203849A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Kohei Tanikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US7884463B2. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: EP4167274A1. Автор: Mutsuo Tsuji. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170005044A1. Автор: Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Face down type semiconductor device and manufacturing process of face down type semiconductor device

Номер патента: US20070152347A1. Автор: Eiji Hori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and power conversion apparatus

Номер патента: US20240355724A1. Автор: Tatsuya Kawase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887178B2. Автор: Masanori Onodera. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768228B2. Автор: Yuta OKA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069597A1. Автор: Keiichi Matsushita,Yo Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343658A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013097A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09922902B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178100A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Shintaro Araki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Stacked semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010020742A1. Автор: Masayuki Arakawa,Naotake Watanabe,Yasuhito Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230032353A1. Автор: Naohito Mizuno,Takahiro Nakano,Yasushi Ookura,Seigo Oosawa,Yoshihiro INUTSUKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240312878A1. Автор: Hiroaki Aoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Power storage pack, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240312881A1. Автор: Kouki Yamamoto,Toshifumi Ishida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355774A1. Автор: Nozomi Saito,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and electronic component using the same

Номер патента: US09997432B2. Автор: Takeo Yamamoto,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222206A1. Автор: Takayuki Matsumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230115289A1. Автор: Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4075494A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor devices and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20090020866A1. Автор: Junji Fujino,Shinichi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150348937A1. Автор: Hiroshi Yamada,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Resin-encapsulation semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030015775A1. Автор: Toru Nomura,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: EP4398290A1. Автор: Toshihiro Murayama,Masaki Hatano,Yoshihiro Makita,Atsushi TUKADA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20200105655A1. Автор: Yuya Muramatsu,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12107024B2. Автор: Takayuki Onaka,Yuki Yano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Optoelectronic semiconductor element, optoelectronic semiconductor device and method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor elements

Номер патента: US09722141B2. Автор: Stefan Brandl,Tilman Eckert. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Electric power converter

Номер патента: US09419535B2. Автор: Ken Maeda,Atsuo Nishihara,Yukio Hattori,Kinya Nakatsu. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20070246829A1. Автор: Takashi Miyamoto,Keiji Yamane,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10937725B2. Автор: Yuya Muramatsu,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997470B2. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947613B2. Автор: Satoshi Kondo,Hiroshi Kawashima,Yoshihiro Takai,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto,Claudio Feliciani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Au-based solder die attachment semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698082B2. Автор: Satoshi Tanimoto,Shinji Sato,Kohei Matsui,Hidekazu TANISAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455231B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105539A1. Автор: Masayuki Miura,Naoya Shiroshita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and electronic equipment using same

Номер патента: US20100046564A1. Автор: Noriyuki Yoshikawa,Masanori Minamio,Shinichi Ijima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20110233738A1. Автор: Takahiro Yurino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100102448A1. Автор: Tooru Ichikawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013477A1. Автор: Susumu Yamamoto,Kazuhiro Kato,Masayuki Miura,Soichi Homma,Takeori Maeda,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and lead frame used for the same

Номер патента: US09589870B2. Автор: Yoshiaki Goto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and electronic equipment using same

Номер патента: US7970033B2. Автор: Noriyuki Yoshikawa,Masanori Minamio,Shinichi Ijima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for use in such a method

Номер патента: EP1647045A1. Автор: Ingrid A. Rink,Reinoldus B. M. Vroom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110256703A1. Автор: Masahiro Inohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312877A1. Автор: Keiji Wada,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768095B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI,Masataka DEGUCHI,Akio Kitami. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09466548B2. Автор: Taishi Sasaki,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200118965A1. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Optical semiconductor device package, optical semiconductor device, and manufacturing method for optical semiconductor device package

Номер патента: US20200251634A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Akinobu KITTAKA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Metal frame, dummy wafer, semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069654B2. Автор: Jo Umezawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US12080673B2. Автор: Kazuhiro Tada,Masaaki Taruya,Tatsuya Kitagawa,Masao Akiyoshi,Dai YOSHII,Shin Uegaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304510A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Element housing package, component for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09491873B2. Автор: Mahiro Tsujino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and cooler thereof

Номер патента: US09472488B2. Автор: Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Lead frame, resin-equipped lead frame, optical semiconductor device, and method for manufacturing lead frame

Номер патента: US20200035889A1. Автор: Shunichi Kidoguchi. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307349A1. Автор: Naoki Okawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: SE2050185A1. Автор: Kazuhiko Yamada,Kohei Seki,Eiichi Satoh,Mitsuo Togawa,Daichi Takemori,Mizuko Sato. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20120211877A1. Автор: Tomohiko Iwane. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Power conversion device and power conversion system

Номер патента: EP3683948A1. Автор: Toshiyuki Fujii,Takeshi Kikuchi,Ryosuke UDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140151718A1. Автор: Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200251433A1. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and mounting structure thereof

Номер патента: US12087675B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Process for producing liquid composition for organic semiconductor element

Номер патента: US09716231B2. Автор: Hidenobu Kakimoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2003069670A1. Автор: Keiichi Masaki,Futoshi Tsukada. Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2003-08-21.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020119658A1. Автор: Susumu Moriya,Hiroshi Aoki,Toshiyuki Honda,Kazuto Tsuji,Izumi Kobayashi,Masanori Onodera,Hiroshi Kaiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190355653A1. Автор: Hitoshi Ozaki,Takanori Kawashima,Takuya Isomura. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12087736B2. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Package for semiconductor device and method of manufacturing it

Номер патента: IE54664B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-01-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09716072B2. Автор: Hiroshi Kawashima,Taketoshi Shikano,Ken Sakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09659892B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Takuya Kadoguchi,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601438B2. Автор: Taizo Nomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device including a semiconductor element and a fixed member to which the semiconductor element is fixed

Номер патента: US09437520B2. Автор: Makoto Imai,Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and power conversion apparatus using the same

Номер патента: EP1758440A3. Автор: Katsunori c/o Hitachi Ltd Azuma,Toshiaki c/o Hitachi Ltd Morita,Hiroshi c/o Hitachi Ltd Hozoji,Kazuhiro c/o Hitachi Ltd Suzuki,Toshiya c/o Hitachi Ltd Satoh,Osamu c/o Hitachi Ltd Otsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-01-11.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20240222233A1. Автор: Kei Yamamoto,Hodaka Rokubuichi,Yasuyuki Sanda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234402A9. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096727A1. Автор: Hiromi Shimazu,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11948866B2. Автор: Nahoko KAWASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234271A1. Автор: Norikazu Sakai,Fumihito KAWAHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor module, semiconductor device, and vehicle

Номер патента: US20240297100A1. Автор: Ryusuke Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20220293138A1. Автор: Masayuki Miura,Hideko Mukaida,Kazushige Kawasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor module, semiconductor device and vehicle

Номер патента: US20230290741A1. Автор: Tomoyuki WAKIYAMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290694A1. Автор: Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device connection structure, ultrasonic module, and ultrasonic endoscope system having ultrasonic module

Номер патента: US09997449B2. Автор: Junya Yamada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream

Номер патента: US09640437B2. Автор: Belgacem Haba,Ilyas Mohammed,Vage Oganesian,Piyush Savalia,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455215B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443778B2. Автор: Masao Kikuchi,Hiroshi Yoshida,Junji Fujino,Junichi Murai,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11990391B2. Автор: Masayoshi Nishihata,Shota Yoshikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303345A1. Автор: Yoshiaki Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321693A1. Автор: Tomohiro YASUNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US12148667B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181147A1. Автор: Yasuo Inoue,Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita,Jiro Yugami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240030106A1. Автор: Yosui FUTAMURA,Shunya Mikami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120261A1. Автор: Koshun SAITO,Daichi NIWA,Yuki Seta. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12040301B2. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: WO2015033209A9. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device

Номер патента: US10276464B2. Автор: Yasutaka Shimizu,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor power device and a method of assembling a semiconductor power device

Номер патента: US20180286814A1. Автор: Jacques Pierre Henri FAVRE,Jean-Michel Francis REYNES,Renaud André LACABANNE. Владелец: Agile Power Switch 3d - Integration Apsi3d. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12068235B2. Автор: Masaaki Matsuo,Yoshihisa Tsukamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device with stacked semiconductor elements

Номер патента: US6858920B2. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20190157178A1. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Organic el device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008145999A1. Автор: Kiyotaka Mori,Hidehiro Yoshida,Shinya Ono,Keisei Yamamuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

A semiconductor device

Номер патента: WO2001001485A3. Автор: Henricus G R Maas,Deurzen Maria H W A Van. Владелец: Deurzen Maria H W A Van. Дата публикации: 2001-05-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243100A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09984946B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490309B2. Автор: Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Sealing sheet, method for producing semiconductor device, and substrate with sealing sheet

Номер патента: US20160056123A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Double-side cooling-type semiconductor device

Номер патента: US20230119737A1. Автор: Young Seok Kim,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12074185B2. Автор: Shuichi Oka,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US20140183730A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181287A1. Автор: Takashi Ito. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11742279B2. Автор: Koshun SAITO,Kota ISE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having a liquid cooling module

Номер патента: US8937390B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Shigeo Ohashi,Yasuo Osone,Masakazu Ishino,Shiro Uchiyama,Nae Hisano,Hiroyuki Tenmei,Hideharu Miyake. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-01-20.

Interconnect structure for stacked device and method

Номер патента: US20160276383A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20060244145A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266315A1. Автор: Kazuya Okada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258188A1. Автор: Taishi Sasaki,Shoji Saito,Seiichiro Inokuchi,Hiroya Sannai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US7554178B2. Автор: Hiroyuki Nakanishi,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332101A1. Автор: Yusuke Harada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09927499B2. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09899300B2. Автор: Kenji Fujii,Naoki Kinoshita,Mamoru Yamagami,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Interconnect structure for stacked device and method

Номер патента: US09865645B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09773770B2. Автор: Chih-hao Chen,Kei-Kang Hung. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150262959A1. Автор: Kazuya Kodani,Hitoshi Matsumura,Yo Sasaki,Nobumitsu Tada,Hideaki Kitazawa,Daisuke Hiratsuka,Yuuji Hisazato,Hiroki Sekiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128169A1. Автор: Hajime Okuda,Toru TAKUMA,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Package of semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204136A4. Автор: Hidenori Miyakawa,Takashi Akiguchi,Norihito Tsukahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Underfill film, sealing sheet, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160035640A1. Автор: Kosuke Morita,Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20140001656A1. Автор: Hiroyuki Katayama,Ryuichi Kimura,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Yuki EBE. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20120175761A1. Автор: Shinichi Zenbutsu. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290693A1. Автор: Bin Zhang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US7151316B2. Автор: Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304590A1. Автор: Masakazu Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255425A1. Автор: Hiroyuki Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12113009B2. Автор: Yasufumi Matsuoka,Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12125756B2. Автор: Yuko Nakamata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363572A1. Автор: Akinori NII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20150021752A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Stacked type semiconductor device and printed circuit board

Номер патента: WO2013051247A1. Автор: Yoshitomo Fujisawa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device having contacts in drawing area and the contacts connected to word lines extending from element formation area

Номер патента: US09917049B2. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09799682B2. Автор: Akihiro Chida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09741634B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09721861B2. Автор: Tetsuo Yamashita,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo,Mituharu Tabata,Tomohiro Hieda,Masaomi MIYAZAWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same

Номер патента: US09673362B2. Автор: Naoyuki Urasaki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09640530B2. Автор: Yoshinobu Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device packaging having plurality of wires bonding to a leadframe

Номер патента: US09536859B2. Автор: Hiroyuki Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09379051B2. Автор: Ryuichi Murayama,Yasuo Shimobe,Keiji Mitote. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20010013646A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20170345998A1. Автор: Yoshiyuki Kono,Akitoshi Mizutani,Seiji Nishimoto,Tomoyuki Takiguchi,Yoshinori Inuzuka,Camillo Pilla,Toshiyuki KOUMORI. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11776891B2. Автор: Yasufumi Matsuoka,Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20020045292A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20090057723A1. Автор: Atsushi Kaneko,Yasuo Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160247798A1. Автор: Yoshinobu Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20160035691A1. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP3703118A1. Автор: Soichiro UMEDA,Takenori ISHIOKA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device including light shieled structures

Номер патента: US7126175B2. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20060138496A1. Автор: Susumu Inoue,Yutaka Maruo,Yo Takeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20040061203A1. Автор: Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20150194353A1. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP4447109A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Electric power converter

Номер патента: US09999150B2. Автор: Ken Maeda,Toshiya Satoh. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09953905B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09935030B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09881846B2. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09824961B2. Автор: Takuya Kadoguchi,Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Breakdown voltage measuring method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09799506B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09716054B2. Автор: Akihiro Koga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US09711433B2. Автор: Jun Taniguchi,Yoshihiro Mizuno,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US09698091B2. Автор: Junji Fujino,Naoki Yoshimatsu,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor device

Номер патента: US09685399B2. Автор: Toru Kimura,Yoichi Goto,Kiyofumi Kitai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09536855B2. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09502320B2. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09472482B2. Автор: Takumi Ihara,Masami Mouri. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Power converter, power adapter, electronic device and power conversion method

Номер патента: EP4401293A1. Автор: Guolei Yu,Shuchao SONG,Junliang QIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220045027A1. Автор: Hidetoshi Kitaura,Shozo Ochi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of bonding a semiconductor device to an electrically conductive plate

Номер патента: EP1366514A1. Автор: Johannes W. Van Rijckevorsel,Eugene A. Vriezen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240355693A1. Автор: Katsuya Sato,Shogo Minami,Keiichiro Matsuo,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Cleaning liquid composition, method for cleaning semiconductor element, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09587208B2. Автор: Kenji Shimada,Masaru Ohto,Hiroshi Yoshida,Kojiro Abe. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Power conversion device and method for controlling power conversion device

Номер патента: US20240178742A1. Автор: Yoshitaka Miyaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213123A1. Автор: Sachio KODAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240072227A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20210313257A1. Автор: Hisato Michikoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303338A1. Автор: Tetsuya Matsuda,Yoshitaka Otsubo,Shun Tonooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197512A1. Автор: Okimoto KONDO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Device and method for testing semiconductor element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080150561A1. Автор: Wang Zhiping,Ma Zhaohui,CHEW Hwee-Seng Jimmy,ONG Chee Kian,ABD. RAZAK Bin Chichik. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20030094686A1. Автор: Takahiro Iijima,Yoshikatsu Seki,Takaharu Yamano,Takako Yoshihara,Akihito Takano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258186A1. Автор: Koshun SAITO,Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12057365B2. Автор: Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282692A1. Автор: Yo Mochizuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20170047266A1. Автор: Nobutaka Shimizu,Takumi Ihara,Masamitsu Ikumo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor module, method for manufacturing semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US20200035639A1. Автор: Yusaku Ito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282676A1. Автор: Yasumasa Kasuya,Koshun SAITO,Ryotaro KAKIZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the optical semiconductor element

Номер патента: US20160244604A1. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20190080988A1. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240297107A1. Автор: Kohei IKEGAMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US20120068357A1. Автор: Yasuhito Saito,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240112988A1. Автор: Kaori UEBAYASHI,Maki MITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor element encapsulation resin composition and semiconductor device having cured product thereof

Номер патента: US20240239988A1. Автор: Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200135624A1. Автор: Hisato Michikoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250014A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253283A1. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220208634A1. Автор: Masanori OOSHIMA,Takahiro Hirano,Shun SUGIURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203861A1. Автор: Tadayuki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230058727A1. Автор: Yuko Nakamata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor module and semiconductor device

Номер патента: US20240321699A1. Автор: Kazunori Fuji,Yo Mochizuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312896A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Optical semiconductor element, optical semiconductor device, optical transmission system, and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US12119417B2. Автор: Kenichi Ono,Satoshi Inada,Akemi Murakami,Tsutomu Otsuka,Junichiro Hayakawa,Takeshi MINAMIRU. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09627571B2. Автор: Yoichiro Tarui,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US09627302B2. Автор: Taketoshi Shikano,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09599655B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus

Номер патента: US09589886B2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including a radio frequency identification tag

Номер патента: US09483725B2. Автор: Carlos Castro Serrato,Jose Javier Padilla Alcaide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-01.

High-power LED lamp cooling device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09412925B2. Автор: Zhiming Chen,Wei Gu. Владелец: Suzhou Weiyuan New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11742269B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393115A1. Автор: Norihiko Okumura,Dai Ichihoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20080296755A1. Автор: Hideo Kubo,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device with molten metal preventing member

Номер патента: US7834443B2. Автор: Hideo Kubo,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100216300A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Toshihisa Nozawa,Akinobu Teramoto,Takaaki Matsuoka,Hirokazu Ueda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Imaging device, electronic device, and manufacturing method

Номер патента: US20220328549A1. Автор: Yuichi Yamamoto,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11699641B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20150206827A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230298981A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Power converter and drive device

Номер патента: US20240305213A1. Автор: Keisuke Sawazaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12094808B2. Автор: Hiroaki Matsubara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Optical device and light irradiation apparatus

Номер патента: US09859681B2. Автор: Naoto Jikutani,Kazuhiko Adachi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20050045989A1. Автор: Kaoru Ishida,Tsukasa Fukui. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Encapsulating layer-covered optical semiconductor element, producing method thereof, and optical semiconductor device

Номер патента: US20140183593A1. Автор: Hiroyuki Katayama,Hiroshi Noro,Hisataka Ito. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Light emitting diode switch device and array

Номер патента: US09851826B2. Автор: Peter Sui Lun Fong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, and alternator and power converter using the semiconductor device

Номер патента: US09831145B2. Автор: Shinichi Kurita,Mutsuhiro Mori,Junichi Sakano,Shigeru Sugayama,Tetsuya Ishimaru,Kohhei ONDA. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Light emitting diode switch device and array

Номер патента: US09471181B2. Автор: Peter Sui Lun Fong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09355937B2. Автор: Hidetoshi Koyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Multilevel power converter

Номер патента: RU2614051C1. Автор: Исаму ХАСЕГАВА,Такаши КОДАМА,Такеши КОНДО,Шота УРУШИБАТА. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2017-03-22.

Improved disc cell for several semiconductor elements contacting through clamping

Номер патента: RU2642117C1. Автор: Йорг ДОРН,Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Марио ШЕНК,Йенс ПШИБИЛЛА. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-01-24.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258248A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic semiconductor element, production method therefor and organic semiconductor device

Номер патента: EP1532688A4. Автор: Akira Unno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-11-09.

Power supply apparatus and power supply method

Номер патента: US20150303688A1. Автор: Chien-Li Tsai. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Power module and power conversion system

Номер патента: EP4422059A1. Автор: Eryong Guan,Dongyang Wang. Владелец: Jingtsing Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210193592A1. Автор: Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device

Номер патента: US20200119117A1. Автор: Seungjun LEE,Myounghwa KIM,Seunghun LEE,Kyoung Seok Son,Jun Hyung LIM,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Power semiconductor module device and power semiconductor module manufacturing method

Номер патента: US20190198428A1. Автор: Kohei Tatsumi. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-27.

Power converting device and power supply apparatus

Номер патента: EP2283570A1. Автор: Philip Perry Waite,Rodney Jones. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-02-16.

Semiconductor device

Номер патента: WO2015026034A1. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device having external electrodes exposed from encapsulation material

Номер патента: US20120319283A1. Автор: Toru Kanno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200020648A1. Автор: Tuneyuki TANAKA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US10903171B2. Автор: Tuneyuki TANAKA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20190103330A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Shinsuke Asada,Minoru EGUSA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP3036762A1. Автор: Byungjoon Rhee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190385934A1. Автор: Masato Furukawa,Akitada KODAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US10978375B2. Автор: Masato Furukawa,Akitada KODAMA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12046549B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200312802A1. Автор: Takanori Kawashima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12051633B2. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240096743A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Shiori Uota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11764130B2. Автор: Satoshi Kageyama,Yoshihisa Takada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20070273012A1. Автор: Hiroko Ikuta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-29.

Packaging of a semiconductor device with a plurality of leads

Номер патента: US12046541B2. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor device including press-fit connection terminal

Номер патента: US11742251B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Hidetoshi Ishibashi,Minoru EGUSA,Nobuhiro Asaji,Kazunari Teshigawara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20070224800A1. Автор: Kei Miyoshi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266265A1. Автор: Naoyuki Kanai,Mai Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device for reducing concentration of thermal stress acting on bonding layers

Номер патента: US11769717B2. Автор: Hiroyuki Shinkai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: SG41284G. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-02-08.

Semiconductor device shielding

Номер патента: GB2039145B. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-04-13.

Packaging Method and Semiconductor Device

Номер патента: US20180090657A1. Автор: YUE Fei,Ying Zhang,Xuhong Wang. Владелец: Shanghai Industrial Micro Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device with cooler including heat dissipating substrate having a plurality of fins bonded to reinforcing plate

Номер патента: US12074091B2. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20160225701A1. Автор: Yoshihiro Tanaka. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device with reliable connection between projective electrode and conductive wire of the substrate

Номер патента: US6344372B1. Автор: Takatoshi Suzuki,Rieka Ohuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Under-fill material, sealing sheet, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20160064297A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20120181685A1. Автор: Hirotaka Ohno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266261A1. Автор: Kenji Hayashi,Hidetoshi Abe,Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258209A1. Автор: Kazuo Funahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240297102A1. Автор: Masato Ikeda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347426A1. Автор: Katsuhiro IWAI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device for reducing self-inductance

Номер патента: US09991180B2. Автор: Hideki Tsukamoto,Mituharu Tabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

White heat-curable epoxy resin composition, optical semiconductor element case made of the white heat-curable epoxy resin composition and optical semiconductor device comprised of the case

Номер патента: US09884960B2. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09868629B2. Автор: Eiji Hayashi,Wataru Kobayashi,Yasuhiro Yamashita,Nobukazu Oba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Electrical power converter with a converter cell series unit

Номер патента: US09780685B2. Автор: Yasuhiko Hosokawa,Kimiyuki Koyanagi,Takushi Jimichi,Satoshi Azuma,Sadao Funahashi,Shinzo Tamai,Kotaro Higashi. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09748164B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347405A1. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09601408B2. Автор: Shoji Saito,Khalid Hassan Hussein,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09595488B2. Автор: Yoshihiro Tanaka. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09559042B2. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09553037B2. Автор: Rintaro Asai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09537019B2. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Heat-curable epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using same

Номер патента: US09441104B2. Автор: Tadashi Tomita,Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US09433075B2. Автор: Yutaka Yoneda,Masafumi Sugawara,Junji Fujino,Yoshitaka Onishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Light-emitting device and organic-inorganic hybrid pre-polymer composition comprising phosphor

Номер патента: US09428689B2. Автор: Toru Inagaki,Kenji Arima,Koichi Fukuda,Takuya Shindo,Rika Nogita,Jin Amagai,Kaoru Takazaki,Midori Sato. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Efficient light emitting semiconductor device

Номер патента: US8258537B2. Автор: Hiroyuki Fujiwara,Takahito Suzuki,Mitsuhiko Ogihara,Hironori Furuta,Yusuke Nakai,Tomoki Igari,Tomohiko Sagimori. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Power converter, power adapter, electronic device, and power conversion method

Номер патента: US20240258923A1. Автор: Guolei Yu,Shuchao SONG,Junliang QIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing a plurality of light emitting devices and component

Номер патента: US20240322090A1. Автор: Thomas Schwarz,Herbert Brunner,Tobias Gebuhr,Michael Zitzlsperger. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Power-converting device and power conditioner using the same

Номер патента: US09866147B2. Автор: Mitsuru Tanabe,Kazunori Kidera,Mariko KIFUJI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Light-emitting device and display device

Номер патента: US09786638B2. Автор: Hiroyuki Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Wire bonding structure of semiconductor device and wire bonding method

Номер патента: US09379085B2. Автор: Yasufumi Matsuoka,Ryuji TSUBAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Lead frame, semiconductor device, and manufacturing method of lead frame

Номер патента: US20220077028A1. Автор: Yoshio Furuhata,Kentaro Kaneko,Konosuke Kobayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20190006272A1. Автор: Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: USRE41826E1. Автор: Hiroyuki Juso,Yoshiki Sota,Hisashige Nishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20180096944A1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and power converter

Номер патента: US20240282666A1. Автор: Keisuke Ogura,Yuta NAKAJIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09852995B1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472429B2. Автор: Kenichi Hashimoto,Misako Hirosue,Shingo Eguchi,Yasuharu Hosaka,Yohei Monma,Atsuhiro Tani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Wireless charging circuit for power bank and power bank thereof

Номер патента: US09467004B2. Автор: Down Xu CHUANG. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US11942382B2. Автор: Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20070001192A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275005A1. Автор: Shogo Tokumaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150262913A1. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Kazuyuki Higashi,Mitsuyoshi Endo,Kengo Uchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20040169193A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20020123162A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089968A1. Автор: Shinya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200235060A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi,Takuya KITABAYASHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Switched Reconfigurable Multi-Converter Multi-Source Energy Storage System Configuration for Electrified Vehicles and Power Flow Control Scheme Thereof

Номер патента: US20240088665A1. Автор: Santu Kumar Giri,Pratim Bhattacharyya,Siddheswar Sen,Naresh Chandra Murmu,Sourav Sadhukhan. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device for audio

Номер патента: US20240304591A1. Автор: Yosuke Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device

Номер патента: US09944772B2. Автор: Haruhiko Furukawa,Yusuke Miyamoto,Tomohiro Iimura,Sawako INAGAKI,Nohno TODA. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09620442B2. Автор: Eiji Shimada,Gentaro Ookura,Hiroyuki INAGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Addition-curable silicone composition and a semiconductor device

Номер патента: US09587075B2. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Power converter and power conversion method

Номер патента: EP4462663A1. Автор: Kennith Kin Leong,Matthias Joachim Kasper,Gerald Josef DEBOY,Alex Pacini. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-13.

Fabrication method of semiconductor package having embedded semiconductor elements

Номер патента: US09397081B2. Автор: Chun-Tang Lin,Hung-Wen Liu,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao,Hsi-Chang Hsu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: EP1094517A2. Автор: Kaname c/o Fujitsu Ltd. Ozawa,Hayato c/o Fujitsu Tohoku Electronics Ltd. Okuda,Ryuji c/o Fujitsu Ltd. Momoto,Yuji c/o Fujitsu Vlsi Ltd. Akashi,Katsuro c/o Fujitsu Ltd. Hiraiwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-04-25.

Power source switch device and power source system provided with same

Номер патента: US20130009624A1. Автор: Masaki Tagome. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240178093A1. Автор: Takayuki Tanaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090170288A1. Автор: Daisuke Ito. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190326196A1. Автор: Yuko Nakamata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Heat absorbing element, semiconductor device provided with same, and method for manufacturing heat absorbing element

Номер патента: US20180358530A1. Автор: Kei Yonemori,Nobuhide Seo,Shinichiro Kuroki,Takafumi Tanehira,Yutaka Furubayashi. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Controller for driving a power switch in slave phase of a multiphase power converter and power converter comprising the same

Номер патента: US20230299679A1. Автор: Yan-Cun Li. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Optical device and light emitting device

Номер патента: US20220247157A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120083058A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Kan Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Power converter, motor drive device, and refrigeration cycle application apparatus

Номер патента: US20240372498A1. Автор: Takaaki Takahara,Koichi Arisawa,Tomohiro Kutsuki,Haruka MATSUO,Koyo MATSUZAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Power converter, motor drive system, and power conversion method

Номер патента: US20240380352A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Keisuke Uemura,Tomoyuki Taniguchi,Kazushige Sawada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Power supply apparatus and power supply method

Номер патента: US09991704B2. Автор: Chien-Li Tsai. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20050249480A1. Автор: Yuji Hotta,Noriaki Harada,Kazuki Uwada. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Power supply and the control method for controlling the same and power supply system incorporating such power supplies

Номер патента: US20110102951A1. Автор: Bin Wang,Xiaoni Xin,Hongyang Wu,Qikun Wu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Cooperative control method for power semiconductor elements connected in parallel, current balance control device, and power module

Номер патента: US09729139B2. Автор: Masahiro Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor element drive device having a plurality of protection circuits and outputting a protection operation notification signal that identifies which of the protection circuits detected a problem

Номер патента: US8779929B2. Автор: Satoru Motohashi,Sachiaki Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor element drive device

Номер патента: EP2466752A3. Автор: Satoru Motohashi,Sachiaki Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-23.

Process for producing organic semiconductor element, organic semiconductor element, and organic semiconductor device

Номер патента: CN101743628A. Автор: 山手信一. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Process for producing organic semiconductor element, organic semiconductor element, and organic semiconductor device

Номер патента: US20100207111A1. Автор: Shinichi Yamate. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US8164098B2. Автор: Shinobu Furukawa,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US20120199839A1. Автор: Shinobu Furukawa,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US20090267077A1. Автор: Shinobu Furukawa,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Power converter system

Номер патента: EP4079118A1. Автор: Piranavan Suntharalingam,Galen CHUI,Yash Veer Singh,Mikhail Goykhman,Armen Baronian. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Power converter system

Номер патента: WO2021121660A8. Автор: Piranavan Suntharalingam,Galen CHUI,Yash Veer Singh,Mikhail Goykhman,Armen Baronian. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device comprising light-blocking region enclosing semiconductor element

Номер патента: US7728410B2. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20060231855A1. Автор: Hiroyuki Nakanishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240349482A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor element for thermoelectric module and method of its manufacturing

Номер патента: RU2563550C2. Автор: Рольф БРЮКК. Владелец: Континенталь Аутомотив ГмбХ. Дата публикации: 2015-09-20.

Testing system, crack noise monitoring device and method for monitoring crack noise

Номер патента: US11699457B2. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20070077762A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20040106219A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

HEAT-CURABLE EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер патента: US20160024294A1. Автор: TSUTSUMI Yoshihiro,TOMITA Tadashi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-01-28.

Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, and optical semiconductor device

Номер патента: KR20220055470A. Автор: 다카시 야마모토,요시히토 이나바,히카루 스토,나오키 나라. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor device testing apparatus and power supply unit for semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US7852101B2. Автор: Shigeki Hoshino,Toru Taura,Michinobu Tanioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device, temperature sensor and power supply voltage monitor

Номер патента: US20210231508A1. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, TEMPERATURE SENSOR AND POWER SUPPLY VOLTAGE MONITOR

Номер патента: US20170315001A1. Автор: Ikeda Masanori,KAMEYAMA Tadashi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, TEMPERATURE SENSOR AND POWER SUPPLY VOLTAGE MONITOR

Номер патента: US20190346317A1. Автор: Ikeda Masanori,KAMEYAMA Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Power converter used to feed electric arc furnace with direct current and power converter unit

Номер патента: RU2115268C1. Автор: Дю Парк Жак,Гленски Кристоф,Вюрстейзен Мишель. Владелец: Сежелек Металь Систем. Дата публикации: 1998-07-10.

Emergency supply of aircraft with turbine driven by ram airflow and power converter

Номер патента: RU2402463C2. Автор: Уве ХУНТЕМАНН. Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2010-10-27.

Service life diagnostic device and power conversion device

Номер патента: US20240255565A1. Автор: Yukihiko Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Photoelectric converting semiconductor device

Номер патента: US20020175388A1. Автор: Toshiharu Miyahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor element inspection device and inspection method

Номер патента: US09632110B2. Автор: Hiroyuki Yamagishi,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US9417264B2. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US09417264B2. Автор: Hitoshi Saito,Koichiro Sato,Hiroyuki Yamagishi,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Shinyu Hirayama,Machie Saitou,Yoko Yamaji. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Measuring apparatus, measuring method, and ion-sensitive semiconductor device

Номер патента: US20230097075A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Switching module, related server device and power switching method

Номер патента: US09760143B2. Автор: Cheng-Kuang Hsieh,Han-Chieh Kuan. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Current application device and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US09541577B2. Автор: Hitoshi Saito,Satoshi Hasegawa,Shigeto Akahori,Yoko Yamaji,Shinya Maita. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for testing defective portion of semiconductor device

Номер патента: US20050218922A1. Автор: Kohji Kanamori,Junichi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of resin composition for encapsulating optical semiconductor element, resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device obtained thereby

Номер патента: JP4722686B2. Автор: 真也 大田,久貴 伊藤. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-07-13.

Curable epoxy resin composition and cured product thereof, board for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: JP2016108499A. Автор: Tsukasa Yoshida,吉田　司,司 吉田. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-06-20.

Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same

Номер патента: JP3481452B2. Автор: 悟志 奥田,成哉 駒田,伸二郎 上西,邦晴 服部. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2003-12-22.

Die bond agent composition for optical semiconductor element and optical semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101652120B1. Автор: 요시히라 하마모또,미유끼 와까오. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2016-08-29.

Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: JP2004259771A. Автор: Hiroshi Kawakami,浩 川上. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device

Номер патента: JP2003243762A. Автор: Nobuyuki Tanaka,信幸 田中. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120199839A1. Автор: IMAHAYASHI Ryota,FURUKAWA Shinobu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130062745A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-14.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Detector-based power converter

Номер патента: RU2256185C2. Автор: Г.П. Русских,Г.В. Шелуднева. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Рязанский Приборный Завод". Дата публикации: 2005-07-10.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC POWER CONVERTING APPARATUS

Номер патента: US20120001597A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Power Supply Circuit Capable of Handling Direct Current and Alternating Current and Power Supply Control Method

Номер патента: US20120001599A1. Автор: Tanaka Masayasu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE-LEVEL INVERTER, POWER CONDITIONER, AND POWER GENERATING SYSTEM

Номер патента: US20120002454A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: MY118977A. Автор: Yoshitada Morikawa,Mitsuyoshi Shirai,Yoshiaki Mitsuoka,Miho Yamaguchi,Michio Koumoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-02-28.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for climatic test of semiconductor devices

Номер патента: RU2042295C1. Автор: В.И. Макаров,П.И. Куперштох,Г.П. Урусова. Владелец: Научно-производственное предприятие "Восток". Дата публикации: 1995-08-20.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor element emitting light in ultraviolet range

Номер патента: RU2262155C1. Автор: С.Ю. Карпов,В.Ф. Мымрин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Нитридные источники света". Дата публикации: 2005-10-10.

Module of semiconductor element and method of its manufacturing

Номер патента: RU2458431C2. Автор: Кендзи ФУДЗИВАРА,Синити КОБАЯСИ,Кодзи НАКАНО,Даиси УЕНО,Таро ВАДА,Масахиро ФУНАЯМА,Йосикацу КУРОДА,Юити КОНДО,Теруо ТАКЕСИТА,Кодзи НАКАНО (JP),Даиси УЕНО (JP),Таро ВАДА (JP),Масахиро ФУНАЯМА (JP),Йосикацу КУРОДА (JP),Юити КОНДО (JP),Синити КОБАЯСИ (JP),Кендзи ФУДЗИВАРА (JP),Теруо ТАКЕСИТА (JP). Владелец: Мицубиси Хэви Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.