Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device testing apparatus and power supply unit for semiconductor device testing apparatus

Semiconductor device testing apparatus and power supply unit for semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US7852101B2
Опубликовано: 14-12-2010
Автор(ы): Michinobu Tanioka, Shigeki Hoshino, Toru Taura
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Probe card for semiconductor wafers and method and system for testing wafers

Номер патента: US6060891A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,C. Patrick Doherty,Andrew J. Krivy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Test probe for semiconductor devices, method of manufacturing of the same, and member for removing foreign matter

Номер патента: US20030090280A1. Автор: Takahiro Nagata,Yoshihiro Kashiba,Mutsumi Kano,Shigeki Maekawa,Kazunobu Miki,Megumi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Burn-in apparatus and method which individually controls the temperature of a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US5414370A. Автор: Tatsuya Hashinaga,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Test handler for semiconductor device

Номер патента: WO2008054186A1. Автор: Hong-Jun You,Won-Jin Jang,Woon-Joung Yoon. Владелец: Jt Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for positioning semiconductor devices and corresponding positioning apparatus

Номер патента: EP4439078A1. Автор: Giuliano FILPI,Fabrice Coste,Pedro Jr Santos PERALTA,Alex GRIMA,Moise AVOCI UGWIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of testing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240103069A1. Автор: Osamu Mizoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor chip test apparatus and testing method

Номер патента: US20090167340A1. Автор: Sang Yoon YIM. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Method and apparatus for detecting semiconductor device property

Номер патента: US20140049283A1. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Chun-Fan Dai,Pei-Ting Chou,Yi-Ping Peng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-20.

Apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US11585848B1. Автор: Ji Man PARK,Jong Kyoung Shin. Владелец: EXICON Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device having potential monitoring terminal to monitor potential of power-supply line

Номер патента: US09515001B2. Автор: Atsushi Hatakeyama,Toru Ishikawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device failure analysis method and apparatus and program

Номер патента: EP2302404A3. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-26.

Semiconductor device test apparatuses

Номер патента: US09733304B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Semiconductor device testing apparatus

Номер патента: US20140167806A1. Автор: Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Chul Won Ju,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-19.

Method and testing apparatus related to wafer testing

Номер патента: US12013431B2. Автор: Ting Wei Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor wafer test system for controlling supply of power to semiconductor wafer test apparatus and method of controlling supply of power to semiconductor wafer test apparatus

Номер патента: US20230417824A1. Автор: Yong Hyun Kim,Hyo Sang Jo,Jae Hoon Joo,Ki Young JEON. Владелец: YIK Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device reliability evaluation apparatus and semiconductor device reliability evaluation method

Номер патента: US11808801B2. Автор: Yukihiko Wada,Chihiro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20040206984A1. Автор: Tsugihiro Matsuoka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor inspection apparatus and semiconductor inspection method using the same

Номер патента: US20230197402A1. Автор: Suyoung LEE,Janghee Lee,Chungsam Jun,Jonghyuk KANG,Yujin Cho,Inhye Park,Hongche Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatus and method for managing thermally induced motion of a probe card assembly

Номер патента: EP1877807A2. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,A. Nicholas Sporck,Eric D. Hobbs,Makarand S. Shinde,Thomas N. Watson,Alexander N. Slocum. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor testing apparatus for wafer probing testing and final packaged IC testing

Номер патента: US11835574B2. Автор: Shun-Bon Ho. Владелец: Test21 Taiwan Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor test apparatus and test method for semiconductor device

Номер патента: US20100237893A1. Автор: Norifumi Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Board adapter device, test method, system, apparatus, and device, and storage medium

Номер патента: US11933842B2. Автор: JIN Qian,Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Substrate inspection apparatus and substrate temperature control method

Номер патента: US09885747B2. Автор: Dai Kobayashi,Yutaka Akaike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Testing apparatus and method for operating the testing apparatus

Номер патента: WO2022156985A1. Автор: Shinichiro Nishizawa,Martin Lauersdorf,Remi Pleven. Владелец: Tdk Europe GmbH. Дата публикации: 2022-07-28.

Power failure detection apparatus and method for power supply system

Номер патента: KR102162246B1. Автор: 강연수. Владелец: 한화시스템(주). Дата публикации: 2020-10-06.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor test apparatus

Номер патента: US7199574B2. Автор: Takashi Naito. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-04-03.

Semiconductor test apparatus

Номер патента: US20050077891A1. Автор: Takashi Naito. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Apparatus and method for measuring electrical characteristics of a semiconductor element in a packaged semiconductor device

Номер патента: US20020063570A1. Автор: In-ho Song,Byong-Mo Moon,Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device test method and apparatus and proper stress voltage detection method

Номер патента: KR100934793B1. Автор: 김현주. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-12-31.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Power-supply current measuring unit for semiconductor testing system

Номер патента: CN1234015C. Автор: 菅森茂. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US11789061B2. Автор: Isao Saito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: US11940489B2. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-26.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device testing method and testing equipment

Номер патента: US20060061379A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor Device Testing with Lead Extender

Номер патента: US20240302426A1. Автор: Nee Wan Khoo,Soon Lai Kho. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING POTENTIAL MONITORING TERMINAL TO MONITOR POTENTIAL OF POWER-SUPPLY LINE

Номер патента: US20130162282A1. Автор: Hatakeyama Atsushi,Ishikawa Toru. Владелец: ELPIDA MEMORY INC.. Дата публикации: 2013-06-27.

Apparatus for protecting power supply, supply unit and fault diagnosis method for switch

Номер патента: CN107112744A. Автор: 川内智弘,中本武志,水田芳彦,井村雅行. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor testing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240295599A1. Автор: Takuya Yoshimura,Noritsugu NOMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus comprising a semiconductor device and test apparatus

Номер патента: US20210239754A1. Автор: Antonius Johannes Matheus De Graauw,Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Maristella Spella,Giorgio Carluccio,Waqas Hassan SYED,Henrik Asendorf. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-05.

Socket assembly for testing semiconductor device

Номер патента: US7429868B2. Автор: Woo Young Lim,Chan Ho Park,Chul Ho Ham,Young Geun Park,Ho Keun Song,Jae Bong Seo. Владелец: Mirae Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Automated test apparatus for aircraft flight controls

Номер патента: US5023791A. Автор: Garry G. Herzberg,Robert C. Reynolds. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1991-06-11.

Power-Semiconductor-Device Test Apparatus Facilitating Test-Connection Changes

Номер патента: US20240310426A1. Автор: Hiroshi Takahara,Seiichiro Kihara,Shigeo Sakata,Takahiro Kajinishi. Владелец: Qualtec Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor testing apparatus and method for optimizing a wait time until stabilization of semiconductor device output signal

Номер патента: US6895548B2. Автор: Masatsugu Kitada,Motoyuki Katayama,Akiyoshi Kuramoto,Tatsuhisa Nii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PHYSICAL QUANTITY SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND MOVING OBJECT

Номер патента: US20160209468A1. Автор: SATO Hideki. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, PHYSICAL QUANTITY SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND MOVING OBJECT

Номер патента: US20140298127A1. Автор: SATO Hideki. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device, physical quantity sensor, electronic apparatus, and moving object

Номер патента: US9880221B2. Автор: Hideki Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Board adapter device, test method, system, apparatus, and device, and storage medium

Номер патента: US20230134661A1. Автор: JIN Qian,Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Storage battery deterioration diagnosis method and apparatus, and AC uninterruptible power supply

Номер патента: JP3697818B2. Автор: 憲一朗 水流,浩一 田尻. Владелец: Shin Kobe Electric Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Non-contact power supply apparatus and non-contact power supply system

Номер патента: US09680530B2. Автор: Tadashi Kondo. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and test apparatus and method thereof

Номер патента: US11887901B2. Автор: Jae Won Kim,Wan Tae Kim,Jin A Kim,Yong Jun BAN,Soo Chul JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device including memory circuit and logic array

Номер патента: US09494644B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Overvoltage detection test apparatus for military aircraft weapons systems

Номер патента: US4996520A. Автор: Robert A. Williams,Stephen Tye. Владелец: Williams Instruments Inc. Дата публикации: 1991-02-26.

Relay monitoring device, dual power supply switching control device and relay monitoring method

Номер патента: EP4258317A1. Автор: Jie Huang,Baoyun Bi,Chaomin ZHAO. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2023-10-11.

Relay monitoring device, dual power supply switching control device and relay monitoring method

Номер патента: AU2023202207A1. Автор: Jie Huang,Baoyun Bi,Chaomin ZHAO. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Relay monitoring device, dual power supply switching control device and relay monitoring method

Номер патента: AU2023202207B2. Автор: Jie Huang,Baoyun Bi,Chaomin ZHAO. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2024-03-28.

Low voltage high current bus-bar test apparatus using low capacity dc power supply

Номер патента: KR102004226B1. Автор: 김수한,손희수. Владелец: 재단법인경북테크노파크. Дата публикации: 2019-07-26.

Apparatus and method for power supply of rse

Номер патента: KR101576253B1. Автор: 류승기. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2015-12-10.

Apparatus and method for diagnosing abnormality of battery

Номер патента: EP4343349A1. Автор: Cheol-Taek Kim,Sun-Jong Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Power theft inspection apparatus and power theft inspection method

Номер патента: US09476917B2. Автор: Yuji Tawaragi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Wave shaping circuit of semiconductor testing apparatus

Номер патента: US5955901A. Автор: Makoto Kikuchi,Kiyotaka Mizuno. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor device having circuitry for detecting abnormalities in a power supply wiring network

Номер патента: US09797945B2. Автор: Masayuki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US10069347B2. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US10014727B2. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353059A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353057A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170222487A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Power transmitting device, power receiving device, power supply system, and power supply method

Номер патента: US20170353058A1. Автор: Daiju Nakano,Nobuyuki Ohba,Kohji Takano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09912291B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for testing indirect bandgap semiconductor devices using luminescence imaging

Номер патента: US09482625B2. Автор: Thorsten Trupke,Robert Andrew Bardos. Владелец: BT IMAGING PTY LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US20190389368A1. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US10766405B2. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230037526A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor devices with ion-sensitive field effect transistor

Номер патента: US20210055256A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Thermal monitoring system for semiconductor devices

Номер патента: US6092926A. Автор: Ray Garcia,Kendall Anthony Honeycutt,Stephen Eugene Still,James J. Tout, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-07-25.

GRIP APPARATUS AND SUBSTRATE INSPECTION SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SUBSTRATE INSPECTION SYSTEM

Номер патента: US20190092580A1. Автор: HEO YOUNG,SEO WONGUK,YOON Kuihyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Test apparatus for early landslide detection fully-connected with pore water pressure, surface displacement and shear surface

Номер патента: US09488561B2. Автор: Kyeong-Su Kim,Young-suk Song,Byung-Gon Chae,Sueng Won Jeong,Choon Oh Lee,Junghae CHOI. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2016-11-08.

Non-contact power supply apparatus and non-contact power supply system

Номер патента: EP2784908A4. Автор: Tadashi Kondo. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

Engine piston and fatigue testing apparatus for engine piston

Номер патента: US11761853B2. Автор: Lei Li,Fei Ma,Haijun LIU,Baoyu Liu,Ninglu WANG. Владелец: Weichai Heavy Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Instrumentation power supply and read unit for testing gearboxes through various speeds and gears

Номер патента: US5661659A. Автор: Stanley Frank Forecast,Ajay Kumar Sattee. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

ELECTRONIC DEVICE, APPARATUS AND METHOD FOR POWER SUPPLYING THEREFOR

Номер патента: US20190339761A1. Автор: RYU Seung Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and method for power supply

Номер патента: US09811139B2. Автор: Chien-Li Tsai. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device or printed wiring board design method and design support system that implements settings by using a semiconductor device model that expresses parasitic elements that occur when packaged

Номер патента: US20090327981A1. Автор: Satoshi Nakamura,Tsutomu Hara,Ken Iwakura,Mitsuaki Katagiri,Yukitoshi Hirose,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Online upgrading method, apparatus and medium for power supply

Номер патента: US11824432B2. Автор: Chengrui HE. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Online upgrading method, apparatus and medium for power supply

Номер патента: US20230327534A1. Автор: Chengrui HE. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Chamber apparatus and method of maintaining target supply unit

Номер патента: US20110310365A1. Автор: Yukio Watanabe,Osamu Wakabayashi,Kouji Kakizaki,Takayuki Yabu. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2011-12-22.

Chamber apparatus and method of maintaining target supply unit

Номер патента: US20130277452A1. Автор: Yukio Watanabe,Osamu Wakabayashi,Kouji Kakizaki,Takayuki Yabu. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2013-10-24.

Power supply switching apparatus and multi-input power supply

Номер патента: EP4329174A1. Автор: Jinliang Huang,Dongsheng ZHAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US11901036B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Power supply switching apparatus and multi-input power supply

Номер патента: US20240069615A1. Автор: Jinliang Huang,Dongsheng ZHAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US20230290386A1. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Apparatus and method for an extended arithmetic logic unit for expediting selected floating point operations

Номер патента: CA1286779C. Автор: Edward J. McLellan,Gilbert M. Wolrich,Roy Wilfred Bateau,John A. Kowaleski,Robert A.J. Yodlowski. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Power supply system and controller for container inspection system located in vehicle

Номер патента: RU2721433C2. Автор: Ли ЧЖАН,Хао ЮЙ,Дунюй ВАН,Цзяньминь ЛИ,Юйлань ЛИ,Чжицян ЧЭНЬ,Юаньцзин ЛИ,Цзинюй ГУ. Владелец: Ньюктек Компани Лимитед. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Storage subsystem and power supply system

Номер патента: US20110258473A1. Автор: Masahiro Sone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and control system

Номер патента: US09472510B2. Автор: Kazuki Watanabe,Yosuke TANNO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Image forming apparatus and power supply failure detection method

Номер патента: US20170082967A1. Автор: Takuma Nishio. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Power generation control system and power generation control method

Номер патента: US20230102236A1. Автор: Yoshiaki Kotani,Tatsuya Jinno,kohei Okaguchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Power generation control system and power generation control method

Номер патента: US12081029B2. Автор: Yoshiaki Kotani,Tatsuya Jinno,kohei Okaguchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09455225B2. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Internal power supply generating circuit without a dead band

Номер патента: US20070206427A1. Автор: Atsunori Hirobe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160334827A1. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Transmitting data and power to a memory sub-system for memory device testing

Номер патента: US20210193249A1. Автор: Larry J. Koudele,Michael T. Brady,Gary D. Hamor,William A. Marcus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US10175898B2. Автор: Hajime Matsumoto,Toyokazu Eguchi,Hitoshi YAGISAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200133727A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Internal power control circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5892386A. Автор: Seung-Moon Yoo,Jung-Hwa Lee,Kyu-Chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-06.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20100188907A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US8120982B2. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Wafer repair method, apparatus and device, and storage medium

Номер патента: US12055912B2. Автор: Yubin Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09478535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Yukinori Shima,Ami Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor system including semiconductor device for performing defective analysis

Номер патента: US12131791B2. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160372477A1. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150008590A1. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160049368A1. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Power supply apparatus and its method, power supply system and power supply service using the same

Номер патента: KR101132623B1. Автор: 손영욱,이수영. Владелец: 자동차부품연구원. Дата публикации: 2012-04-02.

Power generation detection circuit, semiconductor device, electronic device, clockwork, power generation detection and power consumption control method

Номер патента: DE69811428T2. Автор: Teruhiko Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-17.

Software test apparatus, software test method and computer readable medium thereof

Номер патента: US09454457B1. Автор: Kai-Yuan JAN. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240185800A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device, liquid crystal module adopting same, method of manufacturing liquid crystal module, and electronic equipment adopting same

Номер патента: US7271860B2. Автор: Tomohiko Iwane,Kazuhiko Fukuta,Masahiko Monzen. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-09-18.

Method and apparatus for externally configuring and modifying the transaction request response characteristics of a semiconductor device coupled to a bus

Номер патента: US5983320A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US10942674B2. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240032308A1. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11818899B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190187933A1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2955323A1. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20240014218A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Kiyofumi Ogino,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20230343754A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20070235371A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US20240201875A1. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US11263046B2. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20160179377A1. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Liquid crystal display device having tape carrier with semiconductor device on flap portion

Номер патента: US5448387A. Автор: Kazunari Kurokawa,Hironobu Abe,Kazuyuki Kitagawa. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

TEST METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR TEST APPARATUS

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Lee Sung Hee,XIA Zhiliang,KIM Chiho,KIM NARA,KIM Dae Sin. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR UNIT, SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT-EMITTING APPARATUS, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170098740A1. Автор: Kataoka Yusuke,Ohmae Akira,Nishinaka Ippei,Ohashi Tatsuo,Biwa Goshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US9640255B2. Автор: Tatsuya Onuki,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor system including semiconductor device for performing defective analysis

Номер патента: US20240079077A1. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US11646736B2. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220182056A1. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Task mapping method of network-on-chip semiconductor device

Номер патента: US20200125415A1. Автор: Tae Hee Han,Hyun Joong Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-04-23.

Task mapping method of network-on-chip semiconductor device

Номер патента: US11113116B2. Автор: Tae Hee Han,Hyun Joong Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20230258860A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method, Apparatus And System For Power Supply Policy Exchange On A Bus

Номер патента: US20190087378A1. Автор: Amit Kumar SRIVASTAVA,Kenneth P. Foust. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20210167219A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210383881A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takanori Matsuzaki,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device, search system and search method

Номер патента: US20170277431A1. Автор: Yasuto Kuroda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US11953720B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20150280005A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US10997105B2. Автор: Yoshitaka Taki,Tadaaki Tanimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20190006522A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20230402547A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20220310848A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of Designing Semiconductor Device, Designing Assistance Program, Designing Apparatus, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150161307A1. Автор: UEKI Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium

Номер патента: US6892375B2. Автор: Shigeru Kimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

A semiconductor device, a driver circuit, a display device, a liquid display device, and a driving method of the semiconductor device

Номер патента: KR101282818B1. Автор: 아츠시 우메자키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2013-07-05.

Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and semiconductor manufacturing factory

Номер патента: KR100453343B1. Автор: 아라카와기요시. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-10-20.

Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, and program which can smoothly perform troubleshooting after an alarm is issued for a semiconductor device and capable of reducing downtime for production improvement

Номер патента: TW202145405A. Автор: 奥野正則,川崎潤一,森一朗,城宝泰宏,山崎智美. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device including a plurality of circuits and bud interconnecting the plurality of circuits and operating method of semiconductor device

Номер патента: KR102500821B1. Автор: 류승철,유범석,홍혜정,송제혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-02-17.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20140009514A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20190172914A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20170345901A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: US10923569B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: WO2012133915A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

P-type oxide, producing p-type oxide composition, method of producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image reproducing apparatus and system

Номер патента: RU2556102C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Микико ТАКАДА. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-07-10.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: SG193994A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: KR102045364B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,미키코 다카다. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2019-11-15.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

A contour analysis apparatus, a processing condition determination system, a shape estimation system, a semiconductor device manufacturing system, a search apparatus, and a data structure used therefor

Номер патента: KR20220116421A. Автор: 다케시 오모리,햑카 나카다,?e카 나카다,나오토 다카노. Владелец: 주식회사 히타치하이테크. Дата публикации: 2022-08-23.

Projection exposure apparatus, semiconductor device manufacturing method using the apparatus, and exposure method

Номер патента: JP4066085B2. Автор: 秀基 小松田,孝司 森,麻衣子 武内. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

Recipe creation method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recipe creation program

Номер патента: SG11202110248VA. Автор: Takatoshi Seki. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

APPARATUSES AND METHODS OF POWER SUPPLY CONTROL FOR THRESHOLD VOLTAGE COMPENSATED SENSE AMPLIFIERS

Номер патента: US20220101910A1. Автор: Sato Toshiyuki,Noguchi Hidekazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Method, Apparatus And System For Power Supply Policy Exchange On A Bus

Номер патента: US20190087378A1. Автор: Amit Kumar SRIVASTAVA,Kenneth P. Foust. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Apparatus and method for power supply

Номер патента: US20150180278A1. Автор: Chien-Li Tsai. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

AIR-CONDITIONING APPARATUS AND REMOTE CONTROLLER POWER SUPPLY METHOD

Номер патента: US20160265799A1. Автор: KOBATA Tomoaki,MATSUNO Souichirou,NISHI Yuuichi,MAEKITA Akihisa. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Apparatus and method for power supply of digital door lock

Номер патента: KR100636055B1. Автор: 윤기권,박우하. Владелец: 서울통신기술 주식회사. Дата публикации: 2006-10-19.

apparatus and method for power supply of LCD TV

Номер патента: KR101476195B1. Автор: 박중현. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2014-12-24.

Control apparatus and method for power supply of monitor having audio system

Номер патента: KR100225057B1. Автор: 송문종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Apparatus and method for power supplying depending on peripheral luminance of a computer

Номер патента: KR0180802B1. Автор: 임정규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-05-15.

CHAMBER APPARATUS AND METHOD OF MAINTAINING TARGET SUPPLY UNIT

Номер патента: US20130277452A1. Автор: Wakabayashi Osamu,KAKIZAKI Kouji,YABU Takayuki,WATANABE Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Interactive content control apparatus and method

Номер патента: US9704267B2. Автор: Ki-Hong Kim,Hang-Kee Kim,Hong-Kee Kim,Woo-Jin Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-07-11.

Electrophotographic apparatus and electrophotographic photosensitive member and process cartridge therefor

Номер патента: US20030099488A1. Автор: Daisuke Tanaka,Yosuke Morikawa,Kouichi Nakata,Kimihiro Yoshimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Vibration generating apparatus and the operation feeling imparting type input unit for using the vibration generating apparatus

Номер патента: CN107847978B. Автор: 涌田宏,伊藤隆幸,安西步. Владелец: Arukisiasu Sect. Дата публикации: 2019-11-08.

Image forming apparatus and voltage applying device comprising a control unit for controlling another control unit when the other control unit is abnormally restarted

Номер патента: US8391728B2. Автор: Tsuyoshi Maruyama,Katsumi Inukai,Masahito HAMAYA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURABLE COMMAND AND DATA INPUT CIRCUITS FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190080743A1. Автор: Porter John D.,Kim Kang-Yong,Lee Hyun Yoo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-14.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURABLE COMMAND AND DATA INPUT CIRCUITS FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190172519A1. Автор: Porter John D.,Kim Kang-Yong,Lee Hyun Yoo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURABLE COMMAND AND DATA INPUT CIRCUITS FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20180330775A1. Автор: Porter John D.,Kim Kang-Yong,Lee Hyun Yoo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-15.

Apparatuses and methods for configurable command and data input circuits for semiconductor memories

Номер патента: US10153030B2. Автор: John D. Porter,Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Apparatus and method for configurable instruction and data input circuitry for semiconductor memory

Номер патента: KR102287306B1. Автор: 존 디. 포터,현유 이,강용 김. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2021-08-09.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US12125758B2. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US09741662B2. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20130102161A1. Автор: Masayuki Asai. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2013-04-25.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060186435A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20170272069A1. Автор: Junichi CHISAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device, power supply circuit, computer, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204916A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Apparatus and method for power supply and electronic device

Номер патента: US12125990B2. Автор: Jialiang Zhang,Hongbin XIE. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Apparatus and method for power supply using cooperation of fuel cell and energy storage

Номер патента: US20230178771A1. Автор: Wan Ki PARK,Sewan HEO,Tai-Yeon Ku. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: EP4350909A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Optical semiconductor device, method for manufacturing the same, and optical module and optical communication apparatus provided with the optical semiconductor device

Номер патента: US20020003914A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Methods, apparatus, and manufacturing system for self-aligned patterning of contacts in a semiconductor device

Номер патента: US20200066588A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatus and method for power supply

Номер патента: US20140021784A1. Автор: Chien-Lung Hsu. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

On-Grid/Off-Grid Scheduling Method and Apparatus, and Energy Storage Power Supply System

Номер патента: US20230283082A1. Автор: Weijin Li,Yunhong ZENG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-09-07.

Wire electric discharge machining apparatus and manufacturing method for thin plate and manufacturing method for semiconductor wafer using wire electric discharge machining apparatus

Номер патента: US20160059338A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hidetaka Miyake,Atsushi Itokazu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Apparatus and method for improving throughput in a cluster tool for semiconductor wafer processing

Номер патента: WO2003060964A1. Автор: ZHENG Xu,Gongda Yao,Hougong Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-24.

Power supply conductive trace structure of semiconductor device and power supply conductive trace layout method of semiconductor device

Номер патента: US12100659B2. Автор: Mitsuru Onodera. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Power supply unit

Номер патента: US20020140409A1. Автор: Hitoshi Takeda,Masayasu Ito,Tomokazu Suzuki. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Power supply control device, image processing apparatus, and power supply control method

Номер патента: US09461503B2. Автор: Kouichi Azuma,Keiko Shiraishi,Masafumi Ono,Kenji Kuroishi,Kazuhiko Narushima,Hidenori Horie,Motofumi Baba,Kenta Ogata,Susumu Yamashina. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024881A1. Автор: Naohisa Nishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Display apparatus and power supply method thereof

Номер патента: US20130127701A1. Автор: Kang-hyun Yi,Eun-Il Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device having signal line and power supply line intersecting with each other

Номер патента: US09379053B2. Автор: Kazuhiko Matsuki,Yoshimi Terui. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-06-28.

Medicine powder cleaning apparatus and medicine powder cleaning method

Номер патента: US10583467B2. Автор: Yu-Ting Wang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-10.

Medicine powder cleaning apparatus and medicine powder cleaning method

Номер патента: US20180071796A1. Автор: Yu-Ting Wang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device whose operation frequency and power supply voltage are dynamically controlled according to load

Номер патента: US7532539B2. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and power receiving device

Номер патента: US09531214B2. Автор: Takeshi Osada,Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Power supply management device, electronic apparatus, and power supply management method

Номер патента: US09535478B2. Автор: Michihiro Ochiai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Power supply unit and power supply method for electrically operated device

Номер патента: RU2540803C2. Автор: Маркус ВОЛЬШЛАГЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-02-10.

Power supply apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US09391443B2. Автор: Takao Kawazu,Nozomu Nakajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Method and apparatus for generating a spread spectrum signal in a printer power supply unit

Номер патента: US7933532B2. Автор: Jerry F. Adams,William R. Harris. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Method and apparatus for generating a spread spectrum signal in a printer power supply unit

Номер патента: US20090279915A1. Автор: Jerry F. Adams,William R. Harris. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for improving base station efficiency and power consumption

Номер патента: EP3977579A1. Автор: YANG Zuo,Bin Sun,Lackis ELEFTHERIADIS,Athanasios KARAPANTELAKIS,Marin ORLIC,Adam Bergkvist. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-04-06.

Method for improving base station efficiency and power consumption

Номер патента: US12127114B2. Автор: YANG Zuo,Bin Sun,Lackis ELEFTHERIADIS,Athanasios KARAPANTELAKIS,Marin ORLIC,Adam Bergkvist. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-10-22.

Image display apparatus and method for controlling same

Номер патента: US09836109B2. Автор: Soogi LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-05.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Power management method and apparatus, and power supply system

Номер патента: US09703357B2. Автор: Qingyin Fang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electronic apparatus and its control method, and accessory and its control method

Номер патента: US12047675B2. Автор: Takayuki Hoshina,Tsuyoshi Fujisaki,Hirokazu Izuoka,Yuki Tsujimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Power supply assembly with input module and power supply unit

Номер патента: US20230266807A1. Автор: Katsuhiro Okamura,Jaspal S. Gill,Muhammad Sagarwala,David K. Owen,Franklin Demick Boyden,Varaha Venkata Satya Narayana JAGARAPU. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and SRAM having plural power supply voltages

Номер патента: US5825707A. Автор: Kenichi Nakamura,Takayuki Otani,Makoto Segawa,Yasumitsu Nozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Image forming apparatus and light scanning apparatus

Номер патента: US8130248B2. Автор: Jae-yoon One,Ho-Ill Hyun,Yoon-soo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-06.

Power supply unit for applying a voltage to a developer carrier, image forming apparatus, and method for applying voltage

Номер патента: US09471002B2. Автор: Tatsuya Nakagawa,Masanori Okada. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Display apparatus and power supplying method performed by display apparatus in different power modes

Номер патента: US09595216B2. Автор: Wook Lee,Sung-un Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device including buffer circuit and level shifter circuit, and electronic device including the same

Номер патента: US09755643B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Fed device and power distribution system comprising powered device

Номер патента: RU2709188C2. Автор: Леннарт ИСЕБОДТ,Маттиас ВЕНДТ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-12-17.

Power supply unit for aerosol inhaler

Номер патента: RU2747604C1. Автор: Кейдзи МАРУБАСИ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US7818598B2. Автор: Takefumi Hiraga. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Monitor system and power supply control method

Номер патента: US12107440B2. Автор: Kuan-Chou Ko,Cheng-Shen Lee,Chih-Neng Tseng. Владелец: Coretronic Intelligent Robotics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Electronic apparatus, power supply system and power supply control method

Номер патента: US11728685B2. Автор: Kentaro Taniguchi,Toshiya Mitomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Electronic apparatus, power supply system and power supply control method

Номер патента: US20230344277A1. Автор: Kentaro Taniguchi,Toshiya Mitomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09876499B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09461646B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11296118B2. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US10879271B2. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190319047A1. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210111194A1. Автор: Kazuya Uejima,Kazuhiro Koudate. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Power supply apparatus for reducing noise induced in DC wires

Номер патента: US09923473B2. Автор: Shuji KURAUCHI,Shotaro Yamasaki,Katsutoyo Misawa,Yuuki Takemoto,Yuuichi HANDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068326B2. Автор: Young-hun Kim,Jae-Seok Yang,Hae-Wang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Drive circuit of bridge arm switching transistor, drive circuit, and power converter

Номер патента: EP4113587A1. Автор: Jing Wen,Shaoqing Dong,Xingqiang Peng. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Circuit device, electronic apparatus and moving object

Номер патента: US09984991B2. Автор: Hisahiro Ito,Shoichiro Kasahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Charge storage apparatus and methods

Номер патента: US09754953B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US09865611B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having multi-level wiring structure

Номер патента: US5517042A. Автор: Mamoru Kitamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor device, electronic system device, and driving method thereof

Номер патента: US20200321861A1. Автор: Kazuya Hashimoto,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Mechanisms for semiconductor device structure

Номер патента: US09425048B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device package

Номер патента: US20070096343A1. Автор: Dong Kim,Jin Park,Young Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device package

Номер патента: US7629685B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Woo Park,Young Bok Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US09768149B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461164B2. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

System, apparatus and method for supplying electric power, apparatus and method for receiving electric power, storage medium and program

Номер патента: US11936217B2. Автор: Shinji Kimura,Shinpei Nishikawa,Yuuki Iwasaki,Yusuke Hori,Yosuke Kozuma,Goro Mikano,Shigetoshi Onitsuka. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Adhesive composition for producing semiconductor device, and adhesive sheet for producing semiconductor device

Номер патента: US20110190421A1. Автор: Yasushi Inoue,Takeshi Matsumura,Kenji Oonishi,Yuichiro Shishido,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Structures and methods for dicing semiconductor devices

Номер патента: US20230290684A1. Автор: Raj K. Bansal,Youngik Kwon,Radhakrishna Kotti,Po Chih Yang,Venkateswarlu Bhavanasi,Wei Chang Wong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09935363B2. Автор: Teruyuki Fujii,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device structure with metal ring on silicon-on-insulator (SOI) substrate

Номер патента: US09799557B2. Автор: Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for protecting copper wire bonds on aluminum pads of a semiconductor device from corrosion

Номер патента: US09508622B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device comprising a slit insulating layer configured to pass through a stacked structure

Номер патента: US09502432B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09379001B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Yongchul Oh,Yonggyu Choi,Kichul NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120261A1. Автор: Koshun SAITO,Daichi NIWA,Yuki Seta. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Power supply switching method and apparatus, and multi-power supply system

Номер патента: EP4415220A1. Автор: Meng HUANG,Yingyi JIANG,Zhiguo Xu,Pengliang FU,Yusheng QI,Chunyang Song. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

PECVD protective layers for semiconductor devices

Номер патента: US09761439B2. Автор: Zoltan Ring,Daniel Namishia,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Composite material, process of its production, panel of semiconductor device emitting heat, semiconductor device ( variants ), dielectric panel and electrostatic absorbing facility

Номер патента: RU2198949C2. Автор: Казутака ОКАМОТО,Йасуо КОНДО,Теруйоси АБЕ,Йасухиса АОНО,Дзунйа КАНЕДА,Риуити САИТО,Йосихико КОИКЕ. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200350468A1. Автор: Min Ji Jin,Koh Eun LEE,Hui Seong KANG. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180040641A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Kenichi SHIOHAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266321A1. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Wireless power supply apparatus and wireless power receiving terminal

Номер патента: EP4407889A2. Автор: Yuan Cheng,Wei Shui. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Package and packaging process of a semiconductor device

Номер патента: US09991232B2. Автор: Yu-Ming Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09691674B2. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09496149B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437461B2. Автор: Makoto Higashidate. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190067273A1. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Portable respiratory device having power supply via power grid and electricity storage device

Номер патента: US20230020531A1. Автор: Daniel Zach,Niko Sinogowitz,Daniel Barandun,Kaouther Saihi,Gabriele WITTON. Владелец: HAMILTON MEDICAL AG. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device having a plurality of adhesion area patterns and one or more non-adhesion area patterns

Номер патента: US8269353B2. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230039359A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148311A1. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Auxiliary power supply apparatus and electric power steering system

Номер патента: US12134429B2. Автор: Wataru Yokoyama,Yuhei MATSUO. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device having fuse elements

Номер патента: US09984966B2. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09761483B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Power module semiconductor device

Номер патента: US09691673B2. Автор: Hirotaka Otake,Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: TW200305942A. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-01.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: AU2002359813A8. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255617A1. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Packages for encapsulated semiconductor devices and method of making same

Номер патента: US20060131704A1. Автор: Patrick Carberry,Jeffery Gilbert,George Libricz,Ralph Moyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device

Номер патента: US20030222673A1. Автор: Katsuhiro Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Lateral high-Q inductor for semiconductor devices

Номер патента: US20010043136A1. Автор: Jerome Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09917204B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09899487B2. Автор: Young-Sin Kim,Yong-Kwan Kim,Chang-Hyun Cho,Augustin Jinwoo Hong,Myeong-Dong LEE,Hye-Young Kang,Byoung-Wook JANG,Dong-Sik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Aggregation of semiconductor devices and the method thereof

Номер патента: US09881907B2. Автор: Chun-Chang Chen,Hsu-Cheng Lin,Ching-Yi Chiu,Pei-Shan Fang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US09659891B2. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09293590B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Impact sound stressing for semiconductor devices

Номер патента: US4018626A. Автор: Guenter H. Schwuttke,Kuei-Hsiung Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Method of supplying flux to semiconductor device

Номер патента: WO2006046806A1. Автор: Myung-Soon Park. Владелец: Korea Semiconductor System Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-05-04.

Device with integrated power supply

Номер патента: US20140035155A1. Автор: WEI Liu,Yeow Kheng Lim,Soh Yun Siah,Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20120217591A1. Автор: Yoichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20130077352A1. Автор: Atsushi Yamada,Sanae Shimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20150091173A1. Автор: KAMADA Youichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for producing the same, and power supply

Номер патента: US8492784B2. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060033526A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: TWI460861B. Автор: Tadahiro Imada,Kazukiyo Joshin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: TW201225295A. Автор: Tadahiro Imada,Kazukiyo Joshin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-16.

Semiconductor device and power conversion device using same

Номер патента: US20160020309A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masaki Shiraishi,Tetsuya Ishimaru,So Watanabe. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Apparatus and method for power supply modulation

Номер патента: US09813025B2. Автор: Zhancang WANG. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-11-07.

Bonded body, power semiconductor device and method for manufacturing bonded body and power semiconductor device

Номер патента: EP2650074A4. Автор: Masanori Minamio,Tatsuo Sasaoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-18.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

JOINED BODY, POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHODS OF JOINED BODY AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130221502A1. Автор: Minamio Masanori,SASAOKA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER-SUPPLY DEVICE, AMPLIFIER, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170125567A1. Автор: Yamada Atsushi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-05-04.

DBC SUBSTRATE FOR POWER SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR FABRICATING A DBC SUBSTRATE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A DBC SUBSTRATE

Номер патента: US20220301974A1. Автор: Roth Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY DEVICE AND CONTROL METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170163278A1. Автор: Kitamura Mamoru,SUZUKI Motoaki,FUKUDA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Liquid impingement cooling module for semiconductor devices

Номер патента: US5270572A. Автор: Kenichi Kasai,Noriyuki Ashiwake,Toshio Hatsuda,Toshio Hatada,Motohiro Sato,Tadakatsu Nakajima,Shigeo Ohashi,Shigeyuki Sasaki,Atsuo Nishihara,Takahiro Daikoku,Heikichi Kuwahara,Hiroshi Inouye. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor device, power supply device and control method for semiconductor device

Номер патента: US9831890B2. Автор: Motoaki Suzuki,Mamoru Kitamura,Keisuke Fukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Direct-current power supply device and electric motor driving device

Номер патента: US09948203B2. Автор: Takashi Yamakawa,Kazunori Hatakeyama,Yosuke Shinomoto,Koichi Arisawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY CIRCUIT, COMPUTER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180204916A1. Автор: Ono Hiroshi,SHIMIZU Tatsuo,SAITO Hisashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2018-07-19.

Input overvoltage protecting unit for field effect semiconductor device

Номер патента: JPS55117279A. Автор: Hitoshi Takahashi,Tsuyoshi Yamamoto,Katsumi Nishimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-09-09.

External unit for an inhalation component generation apparatus, inhalation component generation system, method for controlling the external unit for the inhalation component generation apparatus, and program

Номер патента: RU2754894C1. Автор: Манабу ТАКЕУТИ,Манабу ЯМАДА,Такеси Акао,Хадзиме Фудзита. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US7462886B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor device assemblies and systems including at least one conductive pathway extending around a side of at least one semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20080122113A1. Автор: David J. Corisis,Chin Hui Chong,Choon Kuan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: CN101271871A. Автор: 菅原良孝. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US7462888B2. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor device and method of producing the same, and power conversion apparatus incorporating this semiconductor device

Номер патента: US20060208276A1. Автор: Yoshitaka Sugawara. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200381555A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyoungmin CHOI,Myunggil Kang,Krishna Bhuwalka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Stacked semiconductor devices with topside and backside interconnect wiring

Номер патента: US20230352406A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Methods for assembling semiconductor devices in superimposed relation with adhesive material defining the distance adjacent semiconductor devices are spaced apart from one another

Номер патента: US20050067684A1. Автор: James Derderian. Владелец: Derderian James M.. Дата публикации: 2005-03-31.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

A stacked semiconductor device

Номер патента: WO2023151950A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device used as high-speed switching device and power device

Номер патента: US20070040216A1. Автор: Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20180294201A1. Автор: Kondo Satoshi,KAJI Yusuke. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-10-11.

Method and apparatus for determining the control electrode to cathode junction voltage of a control turn-off semiconductor device and use of such determined voltage in the controlof the device

Номер патента: CA1306773C. Автор: Loren H. Walker,Georges R.E. Lezan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-08-25.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20220415738A1. Автор: Kazuya Okada,Hidetoshi Ishibashi,Nobuhiro Asaji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device, method of making a semiconductor device, and processing system

Номер патента: US20200258997A1. Автор: Sanjay Natarajan,Yi-Chiau Huang,Patricia M. Liu,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Gaurav Thareja,Abhishek Dube,Andy Lo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Packaged semiconductor devices, methods of packaging semiconductor devices, and PoP devices

Номер патента: US9355973B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US11894304B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device structure with high contact area

Номер патента: US11855215B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Pang-Yen Tsai,Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20160276278A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20160027682A1. Автор: Satoshi Kato,Hiroyuki Fukumizu,Kenichi Yoshino,Shintaro Okujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11810919B2. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Ground connection for semiconductor device assembly

Номер патента: US11764161B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120235291A1. Автор: Masayuki Uchida,Takashi Togasaki,Satoru Hara,Kentaro Suga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Non-planar I/O and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US11823954B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-planar i/o and logic semiconductor devices having different workfunction on common substrate

Номер патента: US20240038592A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Roman W. OLAC-VAW,Pei-Chi Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US20180331088A1. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US10431574B2. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Packaged semiconductor devices, methods of packaging semiconductor devices, and PoP devices

Номер патента: US9570401B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor devices with gate isolation structions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230343783A1. Автор: Chieh-Ning Feng,Wen-Shuo Hsieh,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device structure with conductive via structure

Номер патента: US20240079409A1. Автор: PENG Wang,Jyun-De Wu,Huan-Just Lin,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210391466A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055326A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device semiconductor device and memory

Номер патента: US20220115385A1. Автор: Shiran ZHANG,Youquan YU,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE DRIVING METHOD AND DRIVING APPARATUS AND POWER CONVERSION APPARATUS

Номер патента: US20200052686A1. Автор: WADA Yukihiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor substrate, process for production thereof, and semiconductor device

Номер патента: US5858855A. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor device and method of forming directional RF coupler with IPD for additional RF signal processing

Номер патента: US9484334B2. Автор: Kai Liu,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Power supply and heat dissipation device for power semiconductor device

Номер патента: TW472428B. Автор: Nobuyuki Kasuga. Владелец: Tokyo R & Amp D Kk. Дата публикации: 2002-01-11.

Charge storage apparatus and methods

Номер патента: US9231117B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and method of forming directional rf coupler with ipd for additional rf signal processing

Номер патента: SG169928A1. Автор: Kai Liu,Robert C Frye. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Semiconductor device with semiconductor device components embedded in plastic package compound

Номер патента: US20070200258A1. Автор: Joachim Mahler,Seow Tang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230411453A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having laterally offset stacked semiconductor dies

Номер патента: US11929349B2. Автор: Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200335492A1. Автор: Akira Yamamoto,Yuki HATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Radio-frequency device comprising semiconductor device and waveguide component

Номер патента: US11854917B2. Автор: Ernst Seler,Bernhard Rieder,Ulrich Moeller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210343854A1. Автор: Atsufumi Inoue,Kojiro Hara,Tatsuro Watahiki,Kengo Matsufuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Bipolar Semiconductor Device with Sub-Cathode Enhancement Regions

Номер патента: US20170271487A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having multiple wells

Номер патента: US20230378296A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US20160204200A1. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US9966436B2. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device with modified mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20050139923A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069044A1. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Charge storage apparatus and methods

Номер патента: US20230269937A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Circuit device, electronic apparatus and moving object

Номер патента: US20160020379A1. Автор: Hisahiro Ito,Shoichiro Kasahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11081454B2. Автор: Takashi Tonegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor device with multiple independent gates

Номер патента: US11824523B2. Автор: Sanjay Havanur,M. Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device having multiple wells and method of making

Номер патента: US11769812B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus

Номер патента: US20090095962A1. Автор: Yoshio Inagaki,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device with multiple independent gates

Номер патента: US20210083660A1. Автор: Sanjay Havanur,M. Ayman SHIBIB. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with multiple independent gates

Номер патента: WO2021050748A1. Автор: Sanjay Havanur,M. Ayman SHIBIB. Владелец: SILICONIX INCORPORATED. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with multiple independent gates

Номер патента: EP4029056A1. Автор: Sanjay Havanur,M. Ayman SHIBIB. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Bonding method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190386191A1. Автор: Biing-Seng Wu,Chao-Wen Wu,Hsing-Ying LEE. Владелец: Prilit Optronics Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to control load distribution of integrated circuit packages

Номер патента: US20230027076A1. Автор: Rolf Laido,Jeffory Smalley,Andres Ramirez Macias,Fernando Gonzalez Lenero,Eric Buddrius,Francisco Javier Colorado Alonso,Fatima Elias Flores. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device with reduced gate length

Номер патента: US20150097227A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ta-Pan Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200402910A1. Автор: Yuta Endo,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Extended bond pad for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240071990A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method

Номер патента: SG119281A1. Автор: . Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2006-02-28.

Systems and methods for fabricating cross-pillar superjunction structures for semiconductor power conversion devices

Номер патента: US20240038836A1. Автор: Reza Ghandi,Collin William Hitchcock. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A2. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Laser beam adjustment in semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230377915A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,wei-fu Wang,Yi-Chao Yi-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US20180053789A1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device with anti-fuse and metal-insulator-metal (mim) capacitor connected to redistribution layer (rdl) and method for forming the same

Номер патента: US20220173037A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1719164A1. Автор: Gerben Doornbos,Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-08.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20220310592A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20220020672A1. Автор: Yamamoto Kei,ROKUBUICHI Hodaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-01-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: US20200020622A1. Автор: Kondo Satoshi,KAJI Yusuke,ROKUBUICHI Hodaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-01-16.

FIBER-CONTAINING RESIN SUBSTRATE, SEALED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED THEREON, SEALED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREON, A SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20140329363A1. Автор: SHIOBARA Toshio,SEKIGUCHI Susumu. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor devices with an ohmic contact to n-type group iii-v semiconductors

Номер патента: CA1124410A. Автор: Shohei Nakahara,Felix Ermanis,Robert J. McCoy,Chuan C. Chang,Tan T. Sheng. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Anti-reflective coating layer for semiconductor device

Номер патента: US5986344A. Автор: Suzette K. Pangrle,John G. Pellerin,Ramkumar Subramanion,Ernesto A. Gallardo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230178577A1. Автор: Masaaki Bairo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: WO2019231919A8. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US20190189469A1. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US20180138072A1. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Handler bonding and debonding for semiconductor dies

Номер патента: US20200168475A1. Автор: John U. Knickerbocker,Jeffrey Donald Gelorme,Cornelia Tsang YANG,Li-Wen Hung,Paul S. Andry,Bing Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device having a redistribution line

Номер патента: US20200152589A1. Автор: Anhao CHENG,Chun-Chang Liu,Sheng-Wei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11855093B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US20240006321A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: WO2019231919A1. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Power supply switching method and apparatus, and multi-power supply system

Номер патента: AU2022358795A1. Автор: Meng HUANG,Yingyi JIANG,Zhiguo Xu,Pengliang FU,Yusheng QI,Chunyang Song. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-02-22.

Power Semiconductor Device with dV/dt Controllability and Low Gate Charge

Номер патента: US20230307499A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske,Alexander Philippou,Helmut Maeckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: EP3804478A1. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor device and related chip and preparation method

Номер патента: EP4113624A1. Автор: Wentao Yang,Zhihua Liu,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Semiconductor device having a passivation layer

Номер патента: US20190273056A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180138138A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240096893A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Wei-liang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US20230352612A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180323161A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING AND INSPECTING APPARATUS, AND INSPECTING APPARATUS

Номер патента: US20150104889A1. Автор: Akahoshi Haruo,NAKANO Hiroshi,KATO Takahiko,KANNO Itaru,TAKADA Yuuji,SUDO Yoshimi,FUJIWARA Tetsuo,SHONO Tomoryo,HIROSE Yukinori. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD FOR OPERATING A NICKEL-HYDROGEN BATTERY BATTERY IN AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR THE SPACE APPARATUS AND AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2012126210A. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько,Сергей Григорьевич Кочура. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: CA1170787A. Автор: Makoto Matsui,Yoshifumi Katayama,Yasuhiro Shiraki,Eiichi Maruyama,Keisuke Kobayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-07-10.

Packaged semiconductor devices with wireless charging means

Номер патента: US10097030B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor device, semiconductor device design method, semiconductor design apparatus, and program

Номер патента: CN102760721B. Автор: 友田雅史,佃昌幸. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Transparent amorphous carbon structure in semiconductor devices

Номер патента: US20060022247A1. Автор: Zhiping Yin,Weimin Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device having dual damascene line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020030280A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Seong-ho Liu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170229477A1. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160379990A1. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150001604A1. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673212B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US10861968B1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US20230298935A1. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901332B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device with u-shaped channel and manufacturing method thereof, and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210175355A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US10269575B2. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10008512B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device and drive recorder using same

Номер патента: US20100271509A1. Автор: Kyoji Marumoto,Yuji Kurotsuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device with negative capacitance structure and method for forming the same

Номер патента: US20200381559A1. Автор: Chih-Hao Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method for semiconductor device embedded substrate

Номер патента: US20100112802A1. Автор: Toshio Kobayashi,Tadashi Arai,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US20140246716A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US20160020218A1. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Multi-tiered semiconductor devices and associated methods

Номер патента: US9147691B2. Автор: Nishant Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060234459A1. Автор: Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Power module semiconductor device

Номер патента: US20150364393A1. Автор: Hirotaka Otake,Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Composite semiconductor device

Номер патента: US20180083613A1. Автор: Akio Nakajima,Hisao ICHIJOH. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Package and packaging process of a semiconductor device

Номер патента: US20180005993A1. Автор: Yu-Ming Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Underwater power supply system

Номер патента: EP3808647A1. Автор: Makoto Mukai,Koichi Fukui,Minehiko MUKAIDA,Noriyuki OKAYA,Fumitaka TACHINAMI,Yuki KAGA. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US20160196983A1. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9105504B2. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Fracturing equipment having multiple electric-power supplies

Номер патента: US20230193734A1. Автор: Jian Zhang,SHENG Chang,Jifeng ZHONG,Liang LV,Shuzhen CUI,Shouzhe LI,Xiaolei Ji,Chunqiang Lan,Zhuqing Mao,Kaishen LIU,Shanwu Fu,Ruijie DU. Владелец: Yantai Jereh Petroleum Equipment and Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device with c-shaped active area and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210175333A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160225685A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device with alleviation feature

Номер патента: US20210375744A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Power supply control device, power supply control system, power supply control method, and non-trasitory computer-readable recording medium encoded with power supply control program

Номер патента: US20140204409A1. Автор: Kenichi Takahashi,Nobuhiro Mishima,Masami Yamada,Kaitaku Ozawa,Shuji Yoneda,Yuki ASAI. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230275043A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device including power conversion and a drive recorder

Номер патента: US8421517B2. Автор: Kyoji Marumoto,Yuji Kurotsuchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Underwater power supply system

Номер патента: AU2019285867A1. Автор: Makoto Mukai,Koichi Fukui,Minehiko MUKAIDA,Noriyuki OKAYA,Fumitaka TACHINAMI,Yuki KAGA. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Optical semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20020139989A1. Автор: Takayuki Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20220013437A1. Автор: Koichi Nishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device fabricating system

Номер патента: US20080041525A1. Автор: Masahiro Noda,Yuji Kamikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device fabricating system

Номер патента: US7972468B2. Автор: Masahiro Noda,Yuji Kamikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-07-05.

Ferrite sheet, and antenna apparatus and non-contact power supply apparatus using same

Номер патента: US20240243476A1. Автор: Tetsuya Kimura,Akihiro Ohashi,Satoshi Ohmae. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Ferrite sheet, and antenna apparatus and non-contact power supply apparatus using same

Номер патента: EP4394813A1. Автор: Tetsuya Kimura,Akihiro Ohashi,Satoshi Ohmae. Владелец: Toda Kogyo Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device, electro-optical device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6882016B2. Автор: Satoshi Takenaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US8507347B2. Автор: Thomas Schulz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-08-13.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1498096A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-01-18.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6624058B1. Автор: Takao Kazama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor device with backside coil for wireless signal and power coupling

Номер патента: CN110603635B. Автор: K·K·柯比. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20030025137A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Akira Takahashi. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180061995A1. Автор: Hajime Kimura,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200373435A1. Автор: Hajime Kimura,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Cooling Cover and Packaged Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20230420337A1. Автор: Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20170141034A1. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US20170140937A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and communication

Номер патента: US20200007364A1. Автор: Yutaka Watanabe,Satoshi Kaneko,Motoo AKASAKA,Naoki AONO,Takayuki KOKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20010038122A1. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Power supply apparatus

Номер патента: US20230344282A1. Автор: Kentaro Taniguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298906A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yoshihiro Komatsu,Shunichi Ito,Shinobu Kawaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device drive circuit

Номер патента: US20220190823A1. Автор: Mitsutaka Hano,Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor Device and Method Forming Same

Номер патента: US20240063204A1. Автор: Chung-Shi Liu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Yi-Jung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing a semiconductor device having self-aligned contacts

Номер патента: US20040159953A1. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US12009419B2. Автор: Yong Sin HAN,Myeong Bum PYUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device exhibiting a high breakdown voltage and the method of manufacturing the same

Номер патента: US7195980B2. Автор: Masaru Saito,Kazuo Matsuzaki,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: SG183618A1. Автор: Keating Foote David,Donald Getty James. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Thin Film Semiconductor Device, Organic Light-Emitting Display Apparatus, and Method of Manufacturing the Thin Film Semiconductor Device

Номер патента: US20140239267A1. Автор: Byun Ki-Yeol. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, and chemical mechanical polishing method for semiconductor wafer

Номер патента: JP3311203B2. Автор: 直人 宮下,まり子 下村,裕之 大橋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2011093203A1. Автор: 裕久 山崎. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device having increased reliability and method of producing the same and semiconductor chip suitable for such a semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6507092B1. Автор: Norio Fukasawa,Toshimi Kawahara,Takashi Hozumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Liquid adhesive composition for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011058998A1. Автор: 真二郎 藤井,加藤木　茂樹,崇司 川守,一行 満倉,増子　崇. Владелец: 日立化成工業株式会社. Дата публикации: 2011-05-19.

Film adhesive for semiconductor, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR102455211B1. Автор: 다케히로 스가와라,도시야스 아키요시. Владелец: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤. Дата публикации: 2022-10-14.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Apparatus and method for power supply modulation

Номер патента: WO2015051494A1. Автор: Zhancang WANG. Владелец: Nokia (China) Investment Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HOUSING PACKAGE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Tsujino Mahiro,Miyahara Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US8242026B2. Автор: Sumie Nagaseki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium

Номер патента: JP4578507B2. Автор: 祐毅 千葉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor manufacturing apparatus, and storage medium

Номер патента: JP5098507B2. Автор: 澄江 瀬川. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Iii/v group nitride semiconductor, photocatalytic semiconductor device, photocatalytic oxidation-reduction reaction apparatus and execution process of photoelectrochemical reaction

Номер патента: US20090045072A1. Автор: Takashi Ito,Masato Ono,Katsushi Fujii,Kazuhiro Ohkawa. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2009-02-19.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A BUMP CONTACT ON A TSV COMPRISING A CAVITY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170179056A1. Автор: Schrems Martin,ETSCHMAIER Harald,STERING Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, gas supply system, program, three-dimensional flash memory, dynamic random access memory, and semiconductor device

Номер патента: KR101822238B1. Автор: 유고 오리하시,아츠시 모리야,나오하루 나카이소,고타로 무라카미. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2018-01-25.

EVA POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL UNIT FOR A POWER SUPPLY SYSTEM AND METHOD FOR PROVISIONING AN ENERGY RESERVE IN A POWER SUPPLY SYSTEM

Номер патента: BR112018011381B1. Автор: Martin Wolf,Harald Hofer,Hannes Heigl,Christian Kasberger. Владелец: FRONIUS INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor device with an element isolation oxide film having a flat surface, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE19606682C2. Автор: Shigeru Shiratake,Hiroshi Matsuo,Kenji Yasumura,Yuichi Yokoyama,Takaaki Murakami,Kaoru Motonami,Satoshi Hamamoto,Kenji Morisawa,Yasuyoshi Itoh,Ritsuko Gotoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-04-19.

Adhesive for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing said device

Номер патента: TW201726863A. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Keishi Ono,Kouichi CHABANA. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTORS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND COMPOSITE SHEET

Номер патента: US20180138141A1. Автор: OKAMOTO Naoya,Horigome Katsuhiko,Ikeda Ryohei. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium for forming containing silicon

Номер патента: US20230357926A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW201130942A. Автор: Shigeki Katogi,Takashi Masuko,Takashi Kawamori,Shinjiro Fujii,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND NON-TRANSITORY RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20130252433A1. Автор: UEDA Tatsushi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer Readable Recording Medium

Номер патента: US20130260566A1. Автор: Yamazaki Hirohisa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

METHODS, APPARATUS, AND MANUFACTURING SYSTEM FOR SELF-ALIGNED PATTERNING OF CONTACTS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200066588A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20140349492A1. Автор: Hirose Yoshiro,Sano Atsushi,NODA Takaaki,KAMAKURA Tsukasa,SHIMAMOTO Satoshi. Владелец: C/O HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND VACUUM PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20180261458A1. Автор: YAMAGUCHI Tatsuya,Hashimoto Hiroyuki,NIINO Reiji,FUJIKAWA Makoto,NOZAWA Syuji. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20170268105A1. Автор: TAKEDA Tsuyoshi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20170294302A1. Автор: Hirose Yoshiro,Sano Atsushi,HARADA Katsuyoshi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2017-10-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6545093B2. Автор: 聡 島本,勝吉 原田,尾崎　貴志,貴志 尾崎,昌人 寺崎,莉早 山腰,島本　聡,由上　二郎,二郎 由上,義朗 ▲ひろせ▼. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6416031B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,求 出貝,匡史 北村,芦原　洋司,洋司 芦原. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6470468B2. Автор: 勝吉 原田,義朗 ▲ひろせ▼. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6581552B2. Автор: 隆史 佐々木,山口　天和,天和 山口,幸永 栗林. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and substrate processing method

Номер патента: JP5963456B2. Автор: 達之 齋藤,正憲 境,加我　友紀直,友紀直 加我,齋藤　達之,境　正憲,貴史 横川. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-03.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: KR101624395B1. Автор: 사토시 시마모토,요시로 히로세,기요히코 마에다,다카아키 노다,신고 노하라. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2016-05-25.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6529348B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,義朗 ▲ひろせ▼,貴史 新田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6417051B2. Автор: 中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Cleaning method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP2014063860A. Автор: Masatoshi Takada,Takaaki Noda,孝暁 野田,政利 高田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: JPWO2018163250A1. Автор: 隆史 佐々木,公彦 中谷,建夫 花島,司 鎌倉. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6108560B2. Автор: 雅則 中山. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-04-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6546872B2. Автор: 由悟 渡橋,敦 森谷,森谷　敦. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2019003662A1. Автор: 求 出貝,芦原　洋司,洋司 芦原,中谷　公彦,公彦 中谷,亀田　賢治,賢治 亀田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: KR102452913B1. Автор: 마사노리 나카야마,가츠노리 후나키,다츠요시 우에다,야스토시 츠보타,유이치로 다케시마,히로토 이가와,유키 야마카도. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6630237B2. Автор: 匡史 北村,芦原　洋司,洋司 芦原. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: JP6529956B2. Автор: 小川有人,檜山真. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6446418B2. Автор: 雅則 中山,晃生 吉野,保井　毅,毅 保井,室林　正季,正季 室林. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2018-12-26.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179354A1. Автор: 求 出貝,芦原　洋司,洋司 芦原,中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: KR102377165B1. Автор: 토모유키 미야다,하지메 아비코,쥰이치 카와사키,타다시 오카자키. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-03-21.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6585551B2. Автор: 聡 島本,島本　聡,義朗 ▲ひろせ▼,亮太 笹島,良知 橋本,笹島　亮太,柄澤　元,元 柄澤,中磯　直春,直春 中磯. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-02.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6192147B2. Автор: 良知 橋本,義朗 廣瀬. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2014050979A1. Автор: 雅則 中山. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-22.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Unit for resin sealing semiconductor device

Номер патента: JPS5834928A. Автор: Hiromichi Yamada,弘道 山田,Koji Yanagiya,柳谷　孝二. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-03-01.

Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, substrate processing apparatus and non-transitory computer readable recording medium

Номер патента: KR20150001708A. Автор: 히로히사 야마자키. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6023854B1. Автор: 亀田　賢治,賢治 亀田,幸一 及川,紀之 磯辺. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-11-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6469495B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,求 出貝,加我　友紀直,友紀直 加我. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-13.

Semiconductor device, producing method thereof, electronic apparatus and method

Номер патента: CN1531086A. Автор: ,青柳哲理. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: TWI796256B. Автор: 中谷公彦,中川崇,出貝求,橋本良知,早稲田崇之. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-11.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6000665B2. Автор: 克彦 山本,修 笠原,一行 豊田,豊田　一行,久志 野村,雄一郎 竹島,山本　克彦,潤一 田邊,野村　久志. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6647260B2. Автор: 竹林　雄二,雄二 竹林,正憲 境,加我　友紀直,友紀直 加我,境　正憲,敦士 平野,怜亮 吉田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-14.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6568508B2. Автор: 亮太 笹島,慎太郎 小倉,樹 松岡,良知 橋本,笹島　亮太,雅也 永戸. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179352A1. Автор: 雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and vacuum processing apparatus

Номер патента: KR102312761B1. Автор: 히로유키 하시모토,다츠야 야마구치,마코토 후지카와,레이지 니이노,슈지 노자와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-10-15.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: KR101061675B1. Автор: 히데노리 미요시. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2019058601A1. Автор: 上村　大義,大義 上村. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6689179B2. Автор: 隆史 佐々木,花島　建夫,建夫 花島,宏朗 平松,司 鎌倉. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: JPWO2017056155A1. Автор: 亮太 笹島,慎太郎 小倉,笹島　亮太,康祐 ▲たか▼木. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2018179496A1. Автор: 志有 廣地. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: KR101403389B1. Автор: 마사유키 아사이. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6604801B2. Автор: 求 出貝. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-13.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: KR102376835B1. Автор: 아리토 오가와,아츠로 세이노. Владелец: 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭. Дата публикации: 2022-03-21.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: JPWO2019065544A1. Автор: 立志 上田,雅則 中山,雄一郎 竹島,克典 舟木,康寿 坪田,博登 井川,上田　立志,宥貴 山角. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: JPWO2007111126A1. Автор: 秀典 三好,三好　秀典. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2017056187A1. Автор: 中谷　公彦,公彦 中谷. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JPWO2017056148A1. Автор: 志有 廣地,英人 山口,山口　英人. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-04-26.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7182572B2. Автор: 司 鎌倉,清久 石橋,良太 片岡. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-02.

Substrate processing apparatus maintenance method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus maintenance program

Номер патента: JPWO2015030047A1. Автор: かおり 猪島. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-03-02.

NON-CONTACT POWER SUPPLY APPARATUS AND NON-CONTACT POWER SUPPLY SYSTEM

Номер патента: US20140320079A1. Автор: KONDO Tadashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2014-10-30.

Switching-mode power supply lightning protection apparatus and switching-mode power supply

Номер патента: WO2017181806A1. Автор: 林锦武. Владелец: 中兴通讯股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-26.

Power supply apparatus and non-contact power supply system

Номер патента: EP2985868B1. Автор: Takahiko Murayama. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Pad conditioner test apparatus and method

Номер патента: US20060094337A1. Автор: Sung-Choul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-04.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US20150334261A1. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US20130335764A1. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US20170223207A1. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US9667820B2. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US9118791B2. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Image processing system, image processing apparatus, control method of image processing apparatus, and program

Номер патента: US10178256B2. Автор: Yoshiro Mihira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

APPARATUS AND METHOD FOR POWER SUPPLY AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210367278A1. Автор: ZHANG Jialiang,XIE Hongbin. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

Fuel filter testing apparatus

Номер патента: US3824823A. Автор: A Pontello. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1974-07-23.

Wall holder for a plasma or LCD television comprises a housing with integrated power supply and transmitting unit for video and audio signals

Номер патента: DE202006011059U1. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

On-grid/off-grid scheduling method and apparatus, and energy-storage power supply system

Номер патента: EP4164080A4. Автор: Weijin Li,Yunhong ZENG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-02-07.

Apparatuses and methods for power supply realization using multiple inverters

Номер патента: WO2023159226A3. Автор: Apurva SOMANI. Владелец: Dynapower Company Llc. Дата публикации: 2023-10-19.

APPARATUS AND METHOD FOR POWER SUPPLY

Номер патента: US20140021784A1. Автор: HSU CHIEN-LUNG. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

APPARATUS AND METHOD FOR POWER SUPPLY MODULATION

Номер патента: US20160254785A1. Автор: Wang Zhancang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

NON-CONTACT POWER TRANSMISSION APPARATUS AND NON-CONTACT POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20180262062A1. Автор: Kato Masakazu. Владелец: TOSHIBA TEC KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-09-13.

Apparatus and method of power supply of avn system by using bluetooth

Номер патента: KR101017008B1. Автор: 전성화,박석건,안근백. Владелец: 주식회사 현대오토넷. Дата публикации: 2011-02-23.

Plasma processing apparatus and high-frequency power supply apparatus

Номер патента: JP4388287B2. Автор: 利泰 速水,雄一 佐々木,淳一 高平,征英 岩▲崎▼,一良 渡部,真一 小松. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Apparatus and method for power supply

Номер патента: KR20130111096A. Автор: 강구삼,김대현,김택규,김주훈,김광종. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2013-10-10.

HYDRAULIC POWER SUPPLY AND ADJUSTMENT UNIT FOR LIFTING DEVICE WITH TWO SUPPORTS WITH INDEPENDENT DRIVES ACTING SIMULTANEOUSLY

Номер патента: RU2012100514A. Автор: Филипп МАРТЕН. Владелец: Лор Индустри. Дата публикации: 2013-07-20.

Power receiving apparatus and non-contact power supply apparatus

Номер патента: WO2014125698A1. Автор: 一史 田中,松本　貞行. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2014-08-21.

Apparatuses and methods for power supply realization using multiple inverters

Номер патента: WO2023159226A2. Автор: Apurva SOMANI. Владелец: Dynapower Company Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Power transmission apparatus and non-contact power supply system

Номер патента: EP3331129B1. Автор: Takeshi Seike,Yoshihiro Ikefuji,Yusuke YOSHII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

An apparatus and a method on operating positioning reference unit for the calibration in positioning service in a wireless communication system

Номер патента: KR20230053945A. Автор: 황준,이태섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-24.

Wire electric discharge machining apparatus and manufacturing method for thin plate and manufacturing method for semiconductor wafer using wire electric discharge machining apparatus

Номер патента: US20160059338A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hidetaka Miyake,Atsushi Itokazu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Apparatus and Method for Manufacturing High Purity Polycrystalline Silicon Rod for Semiconductor Application

Номер патента: KR100406389B1. Автор: 데이비드더블유.켁크,게니치나가이,요시후미야쯔르기,히로시모리하라,준지이자와. Владелец: 어드밴스드 실리콘 매터리얼즈 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-03-06.

Image forming apparatus and power mode display method

Номер патента: US09635206B2. Автор: Yuichi Ninomiya. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate driver circuit and power conversion apparatus using same

Номер патента: US09660511B2. Автор: Atsushi Morimoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of limiting failure of current rectifier with power semiconductor devices at short-circuit in constant voltage intermediate circuit

Номер патента: RU2430461C2. Автор: Инго ОЙЛЕР,Йорг ДОРН,Мике ДОММАШК,Йорг ЛАНГ,Квок-Буу ТУ,Краус ВЮРФЛИНГЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2011-09-27.

Content reproduction apparatus and power control method

Номер патента: US20120163773A1. Автор: Takashi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Sectionalization and redundancy point, combined with electricity metering and power quality control point, control of amount and time of power outages

Номер патента: RU2769720C1. Автор: Александр Владимирович Виноградов,Алина Васильевна Виноградова,Александр Александрович Лансберг,Александр Иванович Псарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234266A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and power supply using the same

Номер патента: US20090243575A1. Автор: Takashi Hirao,Takayuki Hashimoto,Koji Tateno,Noboru Akiyama,Takuya Ishigaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US12027972B2. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power supply control semiconductor device and power supply device

Номер патента: US20230268828A1. Автор: Hiroki Matsuda,Yusuke Ohba,Naoya Nishio,Koji Tsuzurabara. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Electronic apparatus and power controlling method thereof

Номер патента: US09444348B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Won-myung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09985464B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device

Номер патента: US09620988B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and power supply control method of the semiconductor device

Номер патента: US20140159778A1. Автор: Ryo Hirano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-06-12.

Power supply apparatus

Номер патента: US7598694B2. Автор: Toru Arai,Hideo Ishii. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Power supply unit for aerosol inhaler, aerosol inhaler, power supply control method of aerosol inhaler, and power supply control program of aerosol inhaler

Номер патента: US12046928B2. Автор: Manabu Yamada,Takeshi Akao. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power supply unit for aerosol inhaler, aerosol inhaler, power supply control method of aerosol inhaler, and power supply control program of aerosol inhaler

Номер патента: US20240332985A1. Автор: Manabu Yamada,Takeshi Akao. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, semiconductor device design method, semiconductor device design apparatus, and program

Номер патента: US09589893B2. Автор: Masayuki Tsukuda,Masafumi TOMODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Power control apparatus and power control method

Номер патента: US20140097695A1. Автор: Hitoshi Kuwahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

NMOS switch driving circuit and power supply device

Номер патента: US11804831B2. Автор: YUN Lei,Zhifeng Zhang,Jianmeng WU,Changxi CHEN. Владелец: Shenzhen Carku Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Distributed on-chip decoupling apparatus and method using package interconnect

Номер патента: US09870982B2. Автор: Ling Yang,Ying Ji,David Secker,Chanh Tran. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and power supply unit utilizing the same

Номер патента: US09812964B2. Автор: Atsushi Kitagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09478525B2. Автор: Machio Segawa,Hisayuki Nagamine. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for power supply and power supply unit

Номер патента: RU2647354C2. Автор: Ронни КНЕППЛЕ,Бенно ПЕТЕРСЕН,Бернд ШПЕТ. Владелец: Диль Аэроспейс Гмбх. Дата публикации: 2018-03-15.

Controller, power supply unit, and power supply system

Номер патента: US20140046497A1. Автор: Toshihisa Nabetani,Takeshi Ueno,Tetsuro Itakura,Takafumi Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Lighting apparatus and system having electrical insulation structure between dimmer and driver

Номер патента: US09848469B2. Автор: Yong Hee Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Apparatus and method for treating film-shaped polymeric article

Номер патента: WO2006073235A1. Автор: Soon Ok Kim. Владелец: Tescom Co., Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Non-contact power supply system, and power transmission device and vehicle used therein

Номер патента: US09963040B2. Автор: Shinji Ichikawa,Tadashi Kondo,Naoki Gorai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Electronic device and method of controlling power supply therein

Номер патента: US09577430B2. Автор: Jaehong Kim,Haesoo Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Power and control unit for a low or medium voltage apparatus

Номер патента: US09449774B2. Автор: Luciano Di Maio,Gabriele Valentino De Natale. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Power supply unit and power supply system with dynamic current sharing

Номер патента: US11990836B2. Автор: Chi-Hung Lin,Guo-Hua Wang,Yu-Jie Lin,Hsien-Kai WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Power supply unit and power supply system with dynamic current sharing

Номер патента: US20230147990A1. Автор: Chi-Hung Lin,Guo-Hua Wang,Yu-Jie Lin,Hsien-Kai WANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Wireless power transmission/reception system, power conversion device including the same, and power conversion method

Номер патента: US20190115789A1. Автор: Yasuaki Norimatsu,Katsuei Ichikawa,Yoshikazu Sugiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Power supply unit, power receiving unit, and power supply system

Номер патента: US09859718B2. Автор: Shingo Tanaka,You YANAGIDA,Kazuyoshi Kagami,Hajime Terayama. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Magnetic apparatuses with two-surface conductive contacts, power modules, multiple-switch encapsulations, and power supply systems

Номер патента: US20240242871A1. Автор: Jianhong Zeng. Владелец: Shanghai Metapwr Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20120014155A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Wireless power supply apparatus, filter unit and power supply apparatus for robot using the filter unit

Номер патента: US09997291B2. Автор: Shigeru Takeda,Katsumi Yuasa,Masayoshi Sugino,Hiroshi Kondoh,Yasuyuki Haseo,Keisuke HAMASAKI. Владелец: Denso Wave Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Display device and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722206B2. Автор: Sungchul Kim,Cheollae Roh,Myungsoo Huh,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Sunghun Key. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20090154209A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09997332B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and power converter using the same

Номер патента: US09806009B2. Автор: Shinichi Fujino,Takashi Kume. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having an inner power supply plate structure

Номер патента: US09431337B2. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Power supply device, information processing apparatus, and power control method

Номер патента: US20060268977A1. Автор: Shizuo Morioka,Hirohito Motomiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US09680380B2. Автор: Satoru Akiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Device for automatic control of traction power supply system

Номер патента: RU2735158C1. Автор: Юрий Викторович Плотников,Владислав Леонидович Незевак,Василий Титович Черемисин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет путей сообщения". Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having transfer gate between pre-buffer and main buffer

Номер патента: US20090015292A1. Автор: Kenichi Kawakami,Tomoya Nishitani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8487384B2. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080248652A1. Автор: Keiichirou Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12087735B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, power-supply unit, amplifier and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130256693A1. Автор: Keiji Watanabe,Masayuki Takeda,Norikazu Nakamura,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09761544B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Compact structure of power-supply apparatus capable of minimizing electromagnetic noise

Номер патента: US09647535B2. Автор: Shuji KURAUCHI,Shotaro Yamasaki,Katsutoyo Misawa,Yuuki Takemoto,Yuuichi HANDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Power supply apparatus and power supply management system

Номер патента: US20230312134A1. Автор: Junichiro Kano. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Auxiliary power supply apparatus and power supply system

Номер патента: US20180331545A1. Автор: Fumihiko Sato,Toyoki Sugiyama. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Ultrasound image diagnostic apparatus and power supply control method

Номер патента: US20210315548A1. Автор: Yasuhiro Nakamura,Kazuya Osada,Yuki Muramatsu. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2021-10-14.

Power supply system, power supply method, and power supply device

Номер патента: EP4391296A1. Автор: Wenxue Wu,Wanxiang YE,Mugui ZHENG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Distributed-type power generation and power supply system for traction network, and control method

Номер патента: EP4397534A1. Автор: Bo Wu,Qunzhan LI,Shaofeng Xie,Xiaohong Huang,Qingan MA. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-10.

Power supply apparatus, image forming apparatus, and power supply control method

Номер патента: US20240051319A1. Автор: Ryota Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Power semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US10034401B2. Автор: Shinichi Fujino,Tokihito Suwa,Yusuke Takagi,Yujiro Kaneko,Takahiro Shimura. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-07-24.

A semiconductor device including an integrated circuit housed in an array package having signal terminals arranged about centrally located power supply terminals

Номер патента: WO2001086721A2. Автор: Anthony Andric. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-11-15.

Power module and power conversion system

Номер патента: EP4422059A1. Автор: Eryong Guan,Dongyang Wang. Владелец: Jingtsing Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US8952576B2. Автор: Masatoshi Hasegawa,Daisuke Sasaki,Masahiko Nishiyama,Testuya Fukuoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-02-10.

Power supply apparatus and power supply system

Номер патента: EP4422055A1. Автор: Ning Wang,Feng Guo,Xue ZHANG,Yukun Wu,Lei Zan. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Power semiconductor module and power converter including the same

Номер патента: US20240339386A1. Автор: TaeRyong KIM,Dongwoo MOON,Deogsoo KIM. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Power transmission system and power transmission device used for power transmission system

Номер патента: US09948144B2. Автор: Takanori Tsuchiya,Hironori Sakai. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Power network system, and power adjustment apparatus and method

Номер патента: US09935459B2. Автор: Takuma Kogo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09831209B2. Автор: Motoo Suwa,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09653421B2. Автор: Atsunori Hattori. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09647665B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Charging apparatus and wireless charging apparatus

Номер патента: US09455585B2. Автор: Yong Woon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Electric power supply device, transportation device and noncontact electric power supply system

Номер патента: RU2614052C1. Автор: Юкинори ЦУКАМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-03-22.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001592A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY APPARATUS, POWER SUPPLY SYSTEM, CONTROL METHOD, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120001591A1. Автор: Fukaya Yudai. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiographic image capturing apparatus and radiographic image capturing system

Номер патента: US20120002784A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DELIVERY DEVICE FOR DISPENSING PHARMACEUTICAL DOSAGE FORMS INTO DISSOLUTION TESTING APPARATUS

Номер патента: US20120000275A1. Автор: Gilbert Daryl E.,Wright Donald F.,Hughes Lyn. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20120049244A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND POWER SUPPLY

Номер патента: US20120199991A1. Автор: OKAMOTO Keishiro,IMADA Tadahiro,IMAIZUMI Nobuhiro,WATANABE Keiji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND POWER SUPPLY APPARATUS

Номер патента: US20120211760A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-23.

Impact sound stressing for semiconductor devices

Номер патента: CA1066816A. Автор: Guenter H. Schwuttke,Kuei-Hsiung Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY DEVICE, AMPLIFIER, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120205662A1. Автор: Nakamura Norikazu,Imanishi Kenji,WATANABE Keiji,Kikkawa Toshihide,OZAKI Shirou,Takeda Masayuki,MIYAJIMA TOYOO,OHKI TOSHIHIRO,KANAMURA MASAHITO. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-08-16.

Metallic tray unit for testing a semiconductor device

Номер патента: TW486769B. Автор: Du-Chul Kim. Владелец: Mirae Corp. Дата публикации: 2002-05-11.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2591236C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2016-07-20.

FIBER-CONTAINING RESIN SUBSTRATE, SEALED SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED THEREON, SEALED WAFER HAVING SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED THEREON, A SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120161339A1. Автор: . Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE DESIGN METHOD, SEMICONDUCTOR DESIGN APPARATUS, AND PROGRAM

Номер патента: US20120273973A1. Автор: TOMODA Masafumi,TSUKUDA Masayuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD FOR OPERATING A NICKEL-HYDROGEN BATTERY BATTERY IN AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR THE SPACE APPARATUS AND AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2012152133A. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько,Роман Викторович Козлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2014-06-10.

RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE, A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE RADIATION-HARDENED SEMICODUCTOR STRUCTURE, AND METHODS OF FORMING THE RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025311A1. Автор: . Владелец: ALLIANT TECHSYSTEMS INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120086107A1. Автор: SAITO Tatsuyuki,Takebayashi Yuji,OKUNO Masahisa,YAMAMOTO Katsuhiko. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: JP5040252B2. Автор: 敏央 野中. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Adhesive composition for semiconductor, semiconductor device using the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5040247B2. Автор: 敏央 野中,浩一 藤丸. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2012-10-03.

Sensor Abnormality Detection Apparatus and Method, Distributed Power Supply Unit, and Computer Program

Номер патента: JP7279364B2. Автор: 哲男 秋田,結 吉田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP2003261834A. Автор: 範行 大東,Noriyuki Daito. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

A kind of device testing ball-screw dynamic torque and power

Номер патента: CN204373820U. Автор: 刘克勤,黄晓凡,岳云龙,赵陆民,任国柱,吕俊平,闫翠,关瑶. Владелец: Beijing Pulimen Electronic Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-03.

Power supply and control unit for a combined coal cutter loader

Номер патента: PL325764A1. Автор: Henryk Nowak,Andrzej Pawlus,Andrzej Blazewicz,Jozef Knyc,Konrad Wowro,Boguslaw Styrski,Krzysztof Trzesimiech,Jozef Nawa,Zdzislaw Niemiec,Wojciech Frysz. Владелец: Maszyn Gorniczych Famur Sa Fab. Дата публикации: 1999-10-11.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Cleaning Method, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium

Номер патента: US20130102161A1. Автор: Asai Masayuki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7199497B2. Автор: 勝吉 原田,樹 松岡,良知 橋本. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6608516B2. Автор: 義朗 ▲ひろせ▼,司 鎌倉,孝暁 野田. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2019-11-20.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP5466526B2. Автор: 英輔 西谷,武敏 佐藤,剛 竹田. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6061385B2. Автор: 和宏 原田,小川　有人,有人 小川,加我　友紀直,友紀直 加我. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-18.

Semiconductor device manufacturing method, plasma processing apparatus, and storage medium

Номер патента: JP4940722B2. Автор: 信 広津,敬紀 鈴木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-05-30.

Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP7186909B2. Автор: 公彦 中谷. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-09.

Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program

Номер патента: JP6091940B2. Автор: 優幸 浅井,花島　建夫,建夫 花島,孝暁 野田,野田　孝暁,浅井　優幸,杰 王. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-03-08.

Fixing device, test piece manufacturing apparatus, and test piece manufacturing method

Номер патента: JP6697818B2. Автор: 毅 村上,賢太郎 吉本,貴俊 廣田,浩之 阪本,拓治 杉原. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

METHOD FOR OPERATING A NICKEL-HYDROGEN BATTERY BATTERY IN AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR THE SPACE APPARATUS AND AN AUTONOMOUS POWER SUPPLY SYSTEM FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2012147157A. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько,Роман Викторович Козлов. Владелец: Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2014-05-20.

APPARATUS AND METHOD FOR EMPLOYING MINIATURE INERTIAL MEASUREMENT UNITS FOR DEDUCING FORCES AND MOMENTS ON BODIES

Номер патента: US20130073248A1. Автор: KING Kevin,PERKINS NOEL,McGinnis Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

PLASMA TREATMENT APPARATUS AND PLASMA TREATMENT METHOD

Номер патента: US20120000887A1. Автор: Saito Makoto,SUZUKI Keiji,ETO Hideo,Nishiyama Nobuyasu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MINITURIZATION TECHNIQUES, SYSTEMS, AND APPARATUS RELATNG TO POWER SUPPLIES, MEMORY, INTERCONNECTIONS, AND LEDS

Номер патента: US20120002455A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLY FOR LIGHT EMITTING DIODE ROADWAY LIGHTING FIXTURE

Номер патента: US20120001566A1. Автор: Josefowicz Jack Yitzhak,Neary Mark Adam,Chen Qiuning,Winters Alan Shawn. Владелец: LED ROADWAY LIGHTING LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ICE MAKER OF REFRIGERATOR AND POWER SAVING METHOD OF ICE MAKER

Номер патента: US20120000216A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROL SYSTEM, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND FLOW CONTROL METHOD

Номер патента: US20120000607A1. Автор: ETO Hideo,Ito Atsushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device testing apparatus having presence or absense detectors issuing an alarm when an error occurs

Номер патента: MY117726A. Автор: Hiroto Nakamura,Yutaka Watanabe,Toshio Yabe,Michirou Chiba. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-07-31.

POWER TRANSMISSION SYSTEM AND POWER TRANSMISSION APPARATUS

Номер патента: US20120001493A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY, DATA PROCESSING APPARATUS, AND MICROCOMPUTER APPLICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002498A1. Автор: MATSUBARA Ken,Setogawa Jun,IWASE Takashi,Matsushita Toru,Mitani Hidenori,Yamada Fumiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Vehicle and Power Unit For It

Номер патента: US20120004800A1. Автор: Heinen Adrianus Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

TEMPERATURE CONTROL AND POWER MANAGEMENT CONTROL SYSTEM FOR HYDRAULIC HEATING SYSTEMS

Номер патента: US20120002955A1. Автор: CHENG Zhongjian,MO Guangyu. Владелец: AMERICAN HOMETEC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120002987A1. Автор: ODANI Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSMISSION APPARATUS, RADIO COMMUNICATION APPARATUS, AND TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002754A1. Автор: Matsuura Toru. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CROSSFLOW BLOWER MOTOR APPARATUS AND SYSTEM

Номер патента: US20120002368A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Unit for increasing suspensions of microorganisms

Номер патента: RU2528779C1. Автор: Алевтина Власовна Баландина,Денис Бахтиерович Кузнецов,Олег Александрович Онорин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью"Сталфорд технолоджи". Дата публикации: 2014-09-20.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.