SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
Номер патента: US20170294302A1
Опубликовано: 12-10-2017
Автор(ы): HARADA Katsuyoshi, Hirose Yoshiro, Sano Atsushi
Принадлежит: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-10-2017
Автор(ы): HARADA Katsuyoshi, Hirose Yoshiro, Sano Atsushi
Принадлежит: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing semiconductor device, using hydrocarbon and halogen-based precursors, substrate processing apparatus for processing same, and recording medium comprising hydrocarbon and halogen-based precursors
Номер патента: US9922821B2. Автор: Tsuyoshi Takeda. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-03-20.