Semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US09437461B2
Опубликовано: 06-09-2016
Автор(ы): Makoto Higashidate
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-09-2016
Автор(ы): Makoto Higashidate
Принадлежит: Fuji Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device qfn package and method of making thereof
Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.