• Главная
  • Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Semiconductor device, control method for semiconductor device, and electronic device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Temperature control device, semiconductor device including the same, and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US10032687B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US11825649B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040780A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150332738A1. Автор: Cha Jae-Hoon,LEE Sung-Yub. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20090010069A1. Автор: Hiroaki Wada,Norihiro Yamaki,Keiichirou Kikuchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20230139527A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09905755B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, data storage system and method for controlling termination circuits

Номер патента: US12066956B2. Автор: Tsan-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20170271516A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20180130539A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09747962B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09666725B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: WO2018087630A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09553204B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US20100156452A1. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Testing apparatus and method for testing a semiconductor devices array

Номер патента: US8164356B2. Автор: Chih Hui YEH. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20230298517A1. Автор: Takayuki Ikeda,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US7034564B2. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device performing refresh operation and method for driving the same

Номер патента: US09589628B2. Автор: Jae-Hoon Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11942132B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210142836A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09847328B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09608091B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20170053699A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20170110458A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240030905A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device employing fuse circuit and method for selecting fuse circuit system

Номер патента: US20060125549A1. Автор: Makoto Kitayama,Yosuke Kawamata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Номер патента: EP3044816A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US09601470B2. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Stacked semiconductor device, printed circuit board, and method for manufacturing stacked semiconductor device

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Yuya OKADA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US09941223B2. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US09754066B2. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09880203B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09711536B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, driver IC, and electronic device

Номер патента: US09984624B2. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for deciding location of target device and electronic device thereof

Номер патента: US09826365B2. Автор: Hun Lim,Chang-Gun Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, display panel, and electronic device

Номер патента: US20190362668A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230258866A1. Автор: Houssein EL DIRANI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20150097824A1. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for controlling external device based on voice and electronic device thereof

Номер патента: US12112747B2. Автор: Soyoung KIM,Yoonju LEE,Taegu Kim,Hyeonjeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09792859B2. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for adjusting shutdown threshold voltage, startup method, and electronic devices thereof

Номер патента: US09665166B2. Автор: Jie Zou,Konggang Wei,Qiang XIONG. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US09396703B2. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for automatically switching bluetooth audio coding scheme and electronic device

Номер патента: US12148439B2. Автор: Liang Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190384165A1. Автор: Jeong-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09916979B2. Автор: Yong Jae Kim,Ki Seok Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09812356B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for detecting content based on recognition area and electronic device thereof

Номер патента: US09628716B2. Автор: Nam-jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20170040998A1. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for providing related information regarding retrieval place and electronic device thereof

Номер патента: US09886452B2. Автор: Young-Keun Choi,Keum-Ju JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, display module, and electronic device

Номер патента: US20180053475A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for selling electronic cigarette, terminal, storage medium and electronic cigarette

Номер патента: CA3028698A1. Автор: Junwei Ouyang. Владелец: Shenzhen IVPS Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-17.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US11361983B2. Автор: Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US9329451B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US20150132877A1. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US11935961B2. Автор: Eri Sato,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device, driver ic, and electronic device

Номер патента: US20180211595A1. Автор: Kei Takahashi,Roh YAMAMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Socket board and method for inspecting a semiconductor device

Номер патента: US20240094244A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Device, Semiconductor Wafer, and Electronic Device

Номер патента: US20240154040A1. Автор: Eri Sato,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, broadcasting system, and electronic device

Номер патента: US20180109835A1. Автор: Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for controlling limited time use of application, and electronic device

Номер патента: EP4206933A1. Автор: ZHAO Zhao. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for controlling sound, sound controlling device and electronic keyboard instrument

Номер патента: US20240321245A1. Автор: Tomoya Sasaki,Haruki Ohkawa,Shinji Sumino. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, display panel, and electronic device

Номер патента: US20170256207A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20210297646A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Devices and methods for detecting counterfeit semiconductor devices

Номер патента: US20160043043A1. Автор: Maurice S. Karpman. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for providing shopping information for individual products and electronic device performing same

Номер патента: US12079856B2. Автор: Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for displaying video related service, storage medium, and electronic device therefor

Номер патента: US20200236422A1. Автор: Hyun-chul Lee,Shin-Duck Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Control method using voice and gesture in multimedia device and multimedia device thereof

Номер патента: US09390714B2. Автор: Hyeran Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method for designing a semiconductor device

Номер патента: US20170357745A1. Автор: Daiki Moteki. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Method for photographing object for identifying companion animal, and electronic device

Номер патента: AU2022300548B2. Автор: Joon Ho Lim,Dae Hyun Pak. Владелец: Petnow Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, reservoir computing system, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230015231A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US8986560B2. Автор: Hideki Yagi,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for carrying a semiconductor device

Номер патента: US20070235371A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Tokuji Toida,Wahei Kitamura,Toshimasa Shirai. Владелец: Hitachi Transport System Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device, display panel and electronic apparatus

Номер патента: US20160307515A1. Автор: Seiichiro Jinta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for controlling the semiconductor device

Номер патента: US20170019113A1. Автор: Hideyuki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Test apparatus and method for testing a semiconductor device

Номер патента: US20210239753A1. Автор: Jan-Peter Schat,Abdellatif Zanati,Henrik Asendorf,Nicolas Lamielle. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for resource allocation based on resource attributes and electronic feedback

Номер патента: US20230252380A1. Автор: Maharaj Mukherjee,Prashant Thakur. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for forming resist pattern and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7723016B2. Автор: Ei Yano,Junichi Kon. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070284691A1. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with omega gate and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US8022409B2. Автор: Sang-Man Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP4110391B2. Автор: 文明 唐澤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-02.

Semiconductor device, semiconductor test structure and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: TW513814B. Автор: Andreas Martin,Josef Fazekas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-11.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINTED CIRCUIT BOARD, AND METHOD FOR MANUFACTURING STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150003029A1. Автор: Okada Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US7727803B2. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP1492166B1. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-07.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US7208832B2. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor device with a Halbleitervia and method for producing a semiconductor device

Номер патента: DE102012216969B4. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, and electronic device

Номер патента: US20230275001A1. Автор: Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Junya Yaita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US20140225236A1. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US09496226B2. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for manufacturing a semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US09812535B1. Автор: Martin Vielemeyer,Robert Haase. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US9876150B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for producing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US20180108820A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US7737030B2. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Method for manufacturing a semiconductor device, and said semiconductor device

Номер патента: US20080277788A1. Автор: Hisakazu Matsumori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20190115467A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685511B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US09646849B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11658110B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, manufacturing method and electronic equipment

Номер патента: US12100759B2. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09941403B2. Автор: Till Schloesser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282849A1. Автор: Yohei Iwahashi,Takaya Shimono. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, electronic component, and electronic appliance

Номер патента: US09721968B2. Автор: Munehiro KOZUMA,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US12119353B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20220278210A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Masashi Yanagita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device, imaging unit, and electronic apparatus

Номер патента: US12112996B2. Автор: Takahiro Kamei,Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09917572B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09438207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194538A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240194539A1. Автор: Shay REBOH,Pablo Acosta Alba. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for making strained semiconductor device and related methods

Номер патента: US09922883B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09729148B2. Автор: Atsuo Isobe,Hikaru Tamura,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, ramp signal control method, image data generating method, and camera system

Номер патента: US09686494B2. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US09679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09613805B1. Автор: Rudolf Berger,Werner Schustereder,Johannes Laven,Holger Schulze,Roman Baburske,Thomas Gutt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, integrated substrate, and electronic device

Номер патента: US20210233874A1. Автор: Yuichi Yamamoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, integrated substrate, and electronic device

Номер патента: US20190109099A1. Автор: Yuichi Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, integrated substrate, and electronic device

Номер патента: US20200251428A1. Автор: Yuichi Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135021A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, memory system and electronic apparatus

Номер патента: US20020135003A1. Автор: Kunio Watanabe,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for producing a semiconductor device which is protected against overvoltage

Номер патента: US3919010A. Автор: Karlheinz Sommer,Edgar Borchert. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1975-11-11.

Method for packaging a semiconductor device

Номер патента: US20040157371A1. Автор: Byoung Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for manufacturing a semiconductor device, as well as a semiconductor substrate

Номер патента: US20060234468A1. Автор: Takeshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09966455B2. Автор: Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7338876B2. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US09812554B2. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09647146B2. Автор: Taizo Takachi,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing a semiconductor device having a beveled edge termination

Номер патента: US09496337B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030064560A1. Автор: Isao Kimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20240304694A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Atsushi KURANOUCHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09589843B2. Автор: Junji IKURA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US12033983B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device, imaging element, and electronic device

Номер патента: US12075177B2. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230282619A1. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030040190A1. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7084069B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09899354B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for interconnecting stacked semiconductor devices

Номер патента: US09627358B2. Автор: Junfeng Zhao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Wide band-gap semiconductor device including schotky electrode and method for producing same

Номер патента: US09548353B2. Автор: Masatoshi Aketa,Yuta Yokotsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device, circuit substrate, and electronic device

Номер патента: US09548272B2. Автор: Yoshihide Matsuo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for preparing a semiconductor device with spacer over sidewall of bonding pad

Номер патента: US20210202416A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09728617B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device using a self-assembly method for its manufacturing

Номер патента: WO2015008870A4. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120202346A1. Автор: Keiji Fujita,Toshinobu SAKANAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

System and method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09721853B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ming-Te Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming a semiconductor device having nanocrystal

Номер патента: US20120264277A1. Автор: Sung-taeg Kang,Jane A. Yater. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Automatic control method and apparatus for water heater, and water heater and electronic device

Номер патента: EP4397919A2. Автор: Yanan Bai,Zhihong Song,Liyang Xu,Ao Jian. Владелец: Midea Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Automatic control method and apparatus for water heater, and water heater and electronic device

Номер патента: EP4397919A3. Автор: Yanan Bai,Zhihong Song,Liyang Xu,Ao Jian. Владелец: Midea Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Air purifying device, control system and method for operating the air purifying device

Номер патента: EP4446666A1. Автор: Timothy Van Der Graaf. Владелец: Versuni Holding BV. Дата публикации: 2024-10-16.

Air purifying device, control system and method for operating the air purifying device

Номер патента: WO2024213415A1. Автор: Timothy Van Der Graaf. Владелец: Versuni Holding B.V.. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831244B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09741688B2. Автор: Ming-Tsun LIN,Chao-Yang Yeh,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09698310B2. Автор: Jun Nakauchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for making a semiconductor device using a double side molding technology

Номер патента: US20240234229A1. Автор: Hyunyoung Kim,KyoWang Koo,Jieun KWON,SooBin YOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030186491A1. Автор: Shunji Kubo,Atsushi Amoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411209A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for producing a semiconductor device with surrounding gate transistor

Номер патента: US20150140755A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210408241A1. Автор: Seokhoon Kim,Seung Hun Lee,Sihyung Lee,Jinyeong Joe,Jeongho Yoo,Seojin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming a semiconductor device has a lengthened channel length

Номер патента: US20090124085A1. Автор: Hung-Ming Tsai,Ying Cheng CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282622A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210328042A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7732316B2. Автор: Chi Hwan Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having a capacitor and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20010005609A1. Автор: Sang-Hyeob Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010003675A1. Автор: Daisuke Komada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140308796A1. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240332090A1. Автор: Jin Woo Kim,Ju Youn Kim,Seul Gi YUN,Myung Soo SEO,Joong Gun OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793381B2. Автор: Dongwoo Kim,Chang Woo SOHN,Kyungin Choi,Youngmoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09741801B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09373510B1. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4243079A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200036923A1. Автор: Miku Goto. Владелец: Brillnics Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for low topography semiconductor device formation

Номер патента: US20020175369A1. Автор: Nivo Rovedo,Phung Nguyen,David Colavito. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12108182B2. Автор: Ken Miyauchi. Владелец: Brillnics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Solid-state imaging device, method for producing solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09748296B2. Автор: Takayuki Enomoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20230282690A1. Автор: Chunkun JIAO. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device including capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230163162A1. Автор: Hanjin Lim,Intak Jeon,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240234211A9. Автор: Seulgi Yun,Keetae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device exhibiting reduced parasitics and method for making same

Номер патента: US20120256277A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor device with deviation compensation and method for fabricating the same

Номер патента: US20120161241A1. Автор: Masaki Tamaru. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US9589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing a semiconductor device having a low junction leakage current

Номер патента: US20050153528A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20230187335A1. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device including active pattern and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310842A1. Автор: Dongwon Kim,Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347453A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347450A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11869836B2. Автор: Dohyun LEE,Heonbok Lee,Daeyong Kim,Tae-Yeol Kim,Donghee SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09992417B2. Автор: Isao Takayanagi,Shunsuke Okura. Владелец: Brillnics Japan Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: US09972627B2. Автор: Tae Su Jang,Jeong Seob KYE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893068B2. Автор: Hiroyuki Hoshizaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US09589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09472655B1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device with an SGT and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461165B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Display panel and method for manufacturing the same, display device and electronic apparatus

Номер патента: US12029085B2. Автор: LI Wang,BO Wang,Jingquan WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20190131258A1. Автор: Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US20220320271A1. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device

Номер патента: US11978767B2. Автор: Fei Hu,Zhaozheng Hou,Yiyu Wang,Yunbin GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20240088162A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20220123015A1. Автор: Sung Soon Kim,Sun Kak Hwang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, display module, and electronic device

Номер патента: US10068927B2. Автор: Atsushi Umezaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2024078688A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310545A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: EP4297067A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11362195B2. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for forming capacitor, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US10002866B2. Автор: Yutaka Okazaki,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: WO2023247545A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200212199A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Flow direction control method and apparatus for hardware switch, terminal device, and storage medium

Номер патента: EP3672175A1. Автор: Chencheng HUANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2020-06-24.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20100230718A1. Автор: Franz Hirler,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device, electrooptical apparatus, and electronic system

Номер патента: US20090242890A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP3471132A1. Автор: Franz Schrank,Thomas Bodner,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-04-17.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2016056960A1. Автор: Yanting SUN. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210296302A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411341A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150137226A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for forming the same

Номер патента: US11765884B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, imaging unit, and electronic apparatus

Номер патента: US11488893B2. Автор: Takahiro Kamei,Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device, imaging unit, and electronic apparatus

Номер патента: US20210020546A1. Автор: Takahiro Kamei,Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device, semiconductor system, and electronic apparatus

Номер патента: US20180152018A1. Автор: Takanori Suzuki,Masanori Ogura,Takanori Watanabe,Toru Koizumi,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180090616A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yoshiyuki Kurokawa,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160141256A1. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20050006715A1. Автор: Yukiko Kashiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US8822264B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device with redistribution pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US20220336388A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20080128872A1. Автор: Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240021665A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4258360A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US20200152482A1. Автор: Kazuaki Mawatari. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Shield plate, method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130249063A1. Автор: Etsuo Hamada,Hironobu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20240145354A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for making a semiconductor device

Номер патента: EP3326209A1. Автор: Koon Hoo Teo,Yuhao ZHANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-30.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US10825734B2. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162351A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090195A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024094613A1. Автор: Adrian Avramescu. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153878A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

A semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP3675167A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20170222142A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device, semiconductor system, and electronic apparatus

Номер патента: US10439389B2. Автор: Takanori Suzuki,Masanori Ogura,Takanori Watanabe,Toru Koizumi,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20240038714A1. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190355622A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090193A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024125771A1. Автор: Marco Bellini,Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Lukas Kranz. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9847229B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is mounted on a lead frame

Номер патента: US5612259A. Автор: Morihiko Ikemizu,Takayuki Okutomo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047286A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832439B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20210098389A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with assistant cap and method for fabricating the same

Номер патента: US20240063285A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11830865B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11817417B2. Автор: Alexander Heinrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160197142A1. Автор: Anton Mauder,Hans Weber,Roman Knoefler,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with programmable element and method for fabricating the same

Номер патента: US20230301073A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with assistance features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240147703A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: EP1776743A1. Автор: Keith James Nash,Geoffrey Richard QinetiQ Limited NASH,John Henry QinetiQ Limited JEFFERSON. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180019204A1. Автор: Hugo Burke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: WO2006016118A1. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040771A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220122895A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US20230268284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US20230268283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with decoupling unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282593A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with assistance features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240147704A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with nanowire contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098462A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US9070789B2. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device with active interposer and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375837A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with supporting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090198A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with covering liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20210391212A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US7800428B2. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072166A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072165A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with programmable element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220045212A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Methods for communication, terminal device, network device, and computer readable medium

Номер патента: EP4042774A1. Автор: Gang Wang,Yukai GAO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device obtained thereby

Номер патента: GB1178208A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1970-01-21.

Method for silicidation of semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US11869772B2. Автор: Olivier GONNARD,Denis Monnier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20190123153A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20170186791A1. Автор: Taizo Takachi,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20190013341A1. Автор: Taizo Takachi,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device with stacked dies and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367415A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US10084003B2. Автор: Taizo Takachi,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor Device and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200168575A1. Автор: Chooi Mei Chong,Thomas Bemmerl,Michael Stadler,Edward Myers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US10276655B2. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor device including semiconductor liner and method for fabricating the same

Номер патента: US11929279B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345893A1. Автор: Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113196A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9406756B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and method for producing said semiconductor device

Номер патента: EP4246571A1. Автор: IGUCHI Tomohiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027591B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device, imaging element, and electronic device

Номер патента: US20230007202A1. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor devices with pyramidal shielding and method for making the same

Номер патента: US20240055368A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with nano-gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268198A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190148217A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andreas Moser,Matteo Dainese,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4300559A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device with gate spacer and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220254898A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210265266A1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsushi Kato,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170345711A1. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for fabricating a semiconductor device package

Номер патента: CA2762470C. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same

Номер патента: EP1673816A1. Автор: Kyeong-Cheol 126-601 Jukong Apt. LEE. Владелец: Luxpia Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Method for producing a semiconductor device by the use of an implanting step

Номер патента: US5674765A. Автор: Kurt Rottner,Adolf SCHÖNER. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1997-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120313257A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4199112A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US20240047461A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, ramp signal control method, image data generating method, and camera system

Номер патента: US20170264847A1. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190348525A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device with strained channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240120381A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20210119039A1. Автор: Ikuo Kurachi,Takashi Miida. Владелец: Eastwind LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240186247A1. Автор: Ho-Jin Lee,Hyung Jun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230337427A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7186631B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US9558933B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4491486A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-01.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for producing a semiconductor device comprising an implantation step

Номер патента: US5849620A. Автор: Christopher Harris,Kurt Rottner. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 1998-12-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5378644A. Автор: Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US6780703B2. Автор: Randy D. Redd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device with interconnect part and method for preparing the same

Номер патента: US11881451B2. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180053820A1. Автор: Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA,Shinya Sako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220223521A1. Автор: Tse-Yao Huang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764296B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20190139971A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device resistant to soft errors and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020076913A1. Автор: Joo-hern Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190363095A1. Автор: Takashi Hashimoto,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US20220181349A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Zongke Xu,Jingjing Geng,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for producing optical semiconductor device

Номер патента: US11929590B2. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240162174A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with programmable feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210408264A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062585A1. Автор: Shinya Sato,Akihiro Shimada,Noboru Yokoyama,Tomoyuki SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device with adjustment layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213162A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: WO2002059939A3. Автор: Mark N Martin. Владелец: Mark N Martin. Дата публикации: 2003-01-03.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device, sintered metal sheet, and method for manufacturing sintered metal sheet

Номер патента: US20210265298A1. Автор: Tomohisa Suzuki,Hiroshi Moriya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device, power circuit, computer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180026107A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for forming isolated semiconductor devices

Номер патента: US3695956A. Автор: Robert Ray Speers. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6723655B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US10438816B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6376331B1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030113978A1. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device with wire bond and method for preparing the same

Номер патента: US11830836B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020119630A1. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120070970A1. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8518810B2. Автор: Ken Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for Producing a Semiconductor Device with a Vertical Dielectric Layer

Номер патента: US20140220758A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.