Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same
Номер патента: US20240347450A1
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Chin-Ling Huang
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Chin-Ling Huang
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device containing metal-organic framework inter-line insulator structures and methods of manufacturing the same
Номер патента: US20210193585A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.